JP5989265B2 - 電力用半導体素子の駆動回路 - Google Patents
電力用半導体素子の駆動回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5989265B2 JP5989265B2 JP2015558273A JP2015558273A JP5989265B2 JP 5989265 B2 JP5989265 B2 JP 5989265B2 JP 2015558273 A JP2015558273 A JP 2015558273A JP 2015558273 A JP2015558273 A JP 2015558273A JP 5989265 B2 JP5989265 B2 JP 5989265B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- terminal
- negative
- power semiconductor
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 130
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 20
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 18
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1602—Diamond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
- H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
- H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
- H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
- H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
- H02M7/5387—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
- H02M7/53871—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration with automatic control of output voltage or current
- H02M7/53875—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration with automatic control of output voltage or current with analogue control of three-phase output
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/04—Modifications for accelerating switching
- H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K17/063—Modifications for ensuring a fully conducting state in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/20—Modifications for resetting core switching units to a predetermined state
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/06—Modifications for ensuring a fully conducting state
- H03K2017/066—Maximizing the OFF-resistance instead of minimizing the ON-resistance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
図1は本発明の実施の形態1による電気駆動システムの概略図である。図2は本発明の実施の形態1による第1の駆動回路を示す回路図であり、図3は図1の駆動回路に電力を供給する絶縁電源を示す図である。ここでは、電気駆動システム10の主回路の電力用半導体素子にn型MOSFETを用いて説明する。
Vbe78=R77*(V61+V62)/(R76+R77)
・・(1)
図8は、本発明の実施の形態2による駆動回路を示す回路図である。実施の形態2の電力用半導体素子の駆動回路34は、第2の直流電源61、及び第3の直流電源62の合計電圧値が所定の値を下回ったか否かを検出するトランジスタ78の温度特性を考慮した例である。実施の形態2の駆動回路34は、トランジスタ78の温度特性によるトランジスタ78の動作バラつきを低減、あるいはおおよそ無くすことができる点が実施の形態1と異なる。
・・(2)
(ir77+ib78)*R76+Vbe78=V61+V62
・・(3)
式(3)は、トランジスタ78のベース・エミッタ間電圧Vbe78を用いて表したものである。
ib78={(V61+V62)−A1*Vbe78}/R76
・・(4)
なお、式(4)のA1は、1+R76/R77である。
条件1: V61+V62≦Vz82+Vbe78
ib78=0 ・・(5)
条件2: V61+V62>Vz82+Vbe78
ib78={(V61+V62)−(Vz82+Vbe78)}/R83
・・(6)
図10は、本発明の実施の形態3による第1の駆動回路を示す回路図である。実施の形態3の電力用半導体素子の駆動回路34は、低閾値対策回路36にノーマリーオン型リレー84を用いている点で、実施の形態1及び2と異なる。図10では、図2に示した構成と同一ないし同等である構成要素には、同一の符号が付されている。ここでは、実施の形態3に関わる部分を中心に説明する。
実施の形態3で説明したノーマリーオン型リレー84は1次側端子対と2次側端子対が電気的に絶縁されているため、1次側端子対を駆動回路34に存在する任意の電源に接続することができる。ノーマリーオン型リレー84の1次側端子対の接続先としては、最も起動が遅い電源、または最も停電が速い電源、または異常時の電圧変動幅が最も大きい電源を選べばよい。
Claims (12)
- 電力用半導体素子を駆動する駆動回路であって、
前記電力用半導体素子における制御端子と基準端子との間に正バイアス電圧を供給する正電圧供給電源と、
前記電力用半導体素子における制御端子と基準端子との間に負バイアス電圧を供給する負電圧供給電源であって、前記正電圧供給電源の負極側に正極側が接続されている負電圧供給電源と、
前記電力用半導体素子をオンさせる前記正バイアス電圧と、前記電力用半導体素子をオフさせる前記負バイアス電圧のいずれかを、制御回路の制御信号に基づいて前記電力用半導体素子における制御端子と基準端子との間に供給するゲート駆動回路と、
前記正バイアス電圧と前記負バイアス電圧との合計電圧、前記負バイアス電圧、前記正バイアス電圧のいずれかである検出対象電圧を検出する電圧検出部と、
前記電力用半導体素子の制御端子と前記負電圧供給電源の負極側に接続されたスイッチング素子とを備え、
前記電圧検出部は、
前記検出対象電圧の値が設定電圧値よりも低下した場合に、または前記検出対象電圧の値が前記設定電圧値よりも低下した状態で前記電力用半導体素子における制御端子と基準端子との間の電圧が上昇した場合に、前記スイッチング素子をオンさせ、前記電力用半導体素子における制御端子と基準端子との間にゼロV以下の電圧を供給することを特徴とする電力用半導体素子の駆動回路。 - 前記電圧検出部は、前記負電圧供給電源が前記電力用半導体素子における制御端子に前記負バイアス電圧を供給している場合であって、かつ、前記検出対象電圧の値が設定電圧値よりも低下した場合に、または、前記負電圧供給電源が前記電力用半導体素子における制御端子に前記負バイアス電圧を供給している場合であって、かつ、前記検出対象電圧の値が前記設定電圧値よりも低下した状態で前記電力用半導体素子における制御端子と基準端子との間の電圧が上昇した場合に、前記スイッチング素子をオンさせることを特徴とする請求項1記載の電力用半導体素子の駆動回路。
- 前記スイッチング素子は、
オンする際に、前記電力用半導体素子の制御端子と前記負電圧供給電源の負極側との間の電圧により駆動されることを特徴とする請求項1又は2に記載の電力用半導体素子の駆動回路。 - 前記電圧検出部は、
直列接続された第1の抵抗器及び第2の抵抗器と、前記第1の抵抗器と前記第2の抵抗器との接続点に制御端子が接続されたトランジスタとを備え、
前記第1の抵抗器における前記接続点と異なる他端は、前記正電圧供給電源の正極側または前記負電圧供給電源の正極側に接続され、
前記第2の抵抗器における前記接続点と異なる他端及び前記トランジスタの基準端子は、前記負電圧供給電源の負極側に接続され、
前記トランジスタの出力端子は、前記スイッチング素子の制御端子に接続されたことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電力用半導体素子の駆動回路。 - 前記電圧検出部は、
直列接続された定電圧素子及び抵抗器と、前記定電圧素子のアノード端子と前記抵抗器との接続点に制御端子が接続されたトランジスタとを備え、
前記定電圧素子のカソード端子は、前記正電圧供給電源の正極側または前記負電圧供給電源の正極側に接続され、
前記抵抗器における前記接続点と異なる他端及び前記トランジスタの基準端子は、前記負電圧供給電源の負極側に接続され、
前記トランジスタの出力端子は、前記スイッチング素子の制御端子に接続されたことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電力用半導体素子の駆動回路。 - 前記スイッチング素子及び前記電圧検出部は、ノーマリーオン型リレーにより構成され、
前記ノーマリーオン型リレーの第1の1次側端子は、前記正電圧供給電源の正極側または前記負電圧供給電源の正極側に接続され、
前記ノーマリーオン型リレーの第2の1次側端子は、前記負電圧供給電源の負極側に接続され、
前記ノーマリーオン型リレーの第1の2次側端子は、前記電力用半導体素子の制御端子に接続され、
前記ノーマリーオン型リレーの第2の2次側端子は、前記負電圧供給電源の負極側に接続されたことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電力用半導体素子の駆動回路。 - 前記スイッチング素子及び前記電圧検出部は、ノーマリーオン型リレーにより構成され、
前記ノーマリーオン型リレーの第1の1次側端子は、前記正電圧供給電源の正極側に接続され、
前記ノーマリーオン型リレーの第2の1次側端子は、前記負電圧供給電源の正極側に接続され、
前記ノーマリーオン型リレーの第1の2次側端子は、前記電力用半導体素子の制御端子に接続され、
前記ノーマリーオン型リレーの第2の2次側端子は、前記負電圧供給電源の負極側に接続されたことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電力用半導体素子の駆動回路。 - 前記負電圧供給電源の正極側にカソード端子が接続され、前記負電圧供給電源の負極側
にアノード端子が接続されたダイオードを備えたことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の電力用半導体素子の駆動回路。 - 前記電力用半導体素子の制御端子と前記負電圧供給電源の正極側との間に、抵抗器を備えたことを徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の電力用半導体素子の駆動回路。
- 前記ゲート駆動回路は、
前記電力用半導体素子における制御端子と基準端子との間に前記正バイアス電圧を供給及び遮断する正側トランジスタと、前記電力用半導体素子における制御端子と基準端子との間に前記負バイアス電圧を供給及び遮断する負側トランジスタとを備え、
前記制御回路の前記制御信号に基づいて、前記正側トランジスタと前記負側トランジスタのオンオフを行うバッファ回路が、UVLO部を備え、
前記UVLO部は、前記バッファ回路に供給された前記正電圧供給電源及び前記負電圧供給電源の電圧が設定値よりも低い場合に、前記正側トランジスタをオフさせると共に前記負側トランジスタをオンさせることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の電力用半導体素子の駆動回路。 - 前記電力用半導体素子は、ワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の電力用半導体素子の駆動回路。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、シリコンカーバイド、窒化ガリウム系材料、またはダイヤモンドのうちいずれかであることを特徴とする請求項11記載の電力用半導体素子の駆動回路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014112004 | 2014-05-30 | ||
JP2014112004 | 2014-05-30 | ||
PCT/JP2015/065257 WO2015182658A1 (ja) | 2014-05-30 | 2015-05-27 | 電力用半導体素子の駆動回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5989265B2 true JP5989265B2 (ja) | 2016-09-07 |
JPWO2015182658A1 JPWO2015182658A1 (ja) | 2017-04-20 |
Family
ID=54698981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015558273A Active JP5989265B2 (ja) | 2014-05-30 | 2015-05-27 | 電力用半導体素子の駆動回路 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10038438B2 (ja) |
EP (1) | EP3151402B1 (ja) |
JP (1) | JP5989265B2 (ja) |
CN (1) | CN106104993B (ja) |
WO (1) | WO2015182658A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10312904B2 (en) * | 2015-09-03 | 2019-06-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Power converter |
SG11201806387UA (en) * | 2017-01-10 | 2018-08-30 | Closed Up Joint Stock Company Drive | Method of converting direct voltage into pulse voltage |
JP2018157617A (ja) * | 2017-03-15 | 2018-10-04 | トヨタ自動車株式会社 | ゲート電位制御装置 |
JP6888395B2 (ja) * | 2017-04-25 | 2021-06-16 | 株式会社デンソー | スイッチの駆動回路 |
JP6678195B2 (ja) * | 2018-03-22 | 2020-04-08 | 住友電装株式会社 | リレー駆動回路 |
JP2019193406A (ja) * | 2018-04-24 | 2019-10-31 | 株式会社日立製作所 | ゲート駆動回路およびゲート駆動方法 |
JP7259430B2 (ja) * | 2018-05-30 | 2023-04-18 | 富士電機株式会社 | 電圧駆動型半導体スイッチング素子のゲート駆動装置、該ゲート駆動装置を備える電力変換装置 |
JP6916389B2 (ja) * | 2018-05-31 | 2021-08-11 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 無停電電源装置 |
DE102018116866A1 (de) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | Sma Solar Technology Ag | Wechselrichter mit Treiberschaltungen zur Spannungsversorgung von Halbleiterschaltern einer Wechselrichterbrücke |
EP3826156A4 (en) * | 2018-07-17 | 2021-08-25 | Mitsubishi Electric Corporation | ATTACK CIRCUIT AND ELECTRICAL POWER CONVERSION DEVICE |
JP7151325B2 (ja) * | 2018-09-25 | 2022-10-12 | 富士電機株式会社 | ドライバ回路 |
JP7151605B2 (ja) * | 2019-04-16 | 2022-10-12 | 株式会社デンソー | 電力変換器 |
CN110380599B (zh) * | 2019-08-07 | 2020-11-27 | 电子科技大学 | 一种混合型栅极驱动电路 |
JP7232208B2 (ja) * | 2020-03-19 | 2023-03-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP7058764B1 (ja) * | 2020-05-12 | 2022-04-22 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 電力変換装置、半導体スイッチ駆動装置及び制御方法 |
CN116743143A (zh) * | 2022-03-04 | 2023-09-12 | 中车永济电机有限公司 | 一种碳化硅SiC功率器件的驱动装置及设备 |
WO2024163554A1 (en) * | 2023-01-31 | 2024-08-08 | Texas Instruments Incorporated | Protection circuit for power switch |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62296617A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体リレ−回路 |
JPS63181964U (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-24 | ||
JPH10304650A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-13 | Toshiba Corp | 電圧駆動形スイッチ素子のゲート駆動回路 |
JP2000354303A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-19 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | モータ駆動用電力変換装置 |
WO2010021082A1 (ja) * | 2008-08-21 | 2010-02-25 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子の駆動回路 |
JP2012186605A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体素子の駆動保護回路 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4419586A (en) * | 1981-08-27 | 1983-12-06 | Motorola, Inc. | Solid-state relay and regulator |
JPS60104925A (ja) * | 1983-11-14 | 1985-06-10 | Nippon Denso Co Ltd | 液晶素子駆動装置 |
JPH07131971A (ja) | 1993-11-01 | 1995-05-19 | Fuji Electric Co Ltd | 電圧駆動形半導体スイッチ素子のゲート駆動回路 |
JPH10127044A (ja) | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Toshiba Corp | ゲート駆動回路及び電気車の制御装置 |
CA2232199C (en) * | 1997-04-22 | 2000-02-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Power converter with voltage drive switching element |
JP3978312B2 (ja) * | 2001-02-27 | 2007-09-19 | 三菱電機株式会社 | サイリスタ用ゲートドライバ |
JP4528321B2 (ja) * | 2007-09-26 | 2010-08-18 | シャープ株式会社 | スイッチング回路、回路、並びにスイッチング回路及び駆動パルス生成回路を含む回路 |
JP5200140B2 (ja) * | 2010-10-18 | 2013-05-15 | シャープ株式会社 | ドライバ回路 |
JP5618963B2 (ja) * | 2011-10-26 | 2014-11-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5840975B2 (ja) | 2012-02-22 | 2016-01-06 | 三菱電機株式会社 | ゲート駆動回路 |
-
2015
- 2015-05-27 US US15/303,149 patent/US10038438B2/en active Active
- 2015-05-27 CN CN201580015507.7A patent/CN106104993B/zh active Active
- 2015-05-27 WO PCT/JP2015/065257 patent/WO2015182658A1/ja active Application Filing
- 2015-05-27 JP JP2015558273A patent/JP5989265B2/ja active Active
- 2015-05-27 EP EP15800653.6A patent/EP3151402B1/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62296617A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体リレ−回路 |
JPS63181964U (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-24 | ||
JPH10304650A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-13 | Toshiba Corp | 電圧駆動形スイッチ素子のゲート駆動回路 |
JP2000354303A (ja) * | 1999-06-08 | 2000-12-19 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | モータ駆動用電力変換装置 |
WO2010021082A1 (ja) * | 2008-08-21 | 2010-02-25 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体素子の駆動回路 |
JP2012186605A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体素子の駆動保護回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3151402B1 (en) | 2022-10-05 |
US10038438B2 (en) | 2018-07-31 |
JPWO2015182658A1 (ja) | 2017-04-20 |
US20170040992A1 (en) | 2017-02-09 |
EP3151402A1 (en) | 2017-04-05 |
WO2015182658A1 (ja) | 2015-12-03 |
CN106104993A (zh) | 2016-11-09 |
EP3151402A4 (en) | 2018-01-03 |
CN106104993B (zh) | 2019-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5989265B2 (ja) | 電力用半導体素子の駆動回路 | |
EP3035532B1 (en) | Gate drive circuit and method of operating same | |
US10236677B2 (en) | Semiconductor device | |
US20160036316A1 (en) | Insulated gate semiconductor device | |
JP6070635B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10177649B1 (en) | Power conversion apparatus and synchronous rectification circuit thereof | |
TWI555330B (zh) | 半導體裝置 | |
JP6965902B2 (ja) | 過電流保護回路及びスイッチング回路 | |
WO2019207977A1 (ja) | ゲート駆動回路およびゲート駆動方法 | |
JP2018011467A (ja) | 半導体スイッチング素子のゲート駆動回路 | |
JP2011024382A (ja) | ゲート駆動回路 | |
JP2014187543A (ja) | 半導体装置 | |
JP5730454B1 (ja) | 突入電流抑制回路 | |
JP2016021297A (ja) | 漏電遮断器 | |
JP2006352931A (ja) | スイッチング素子保護回路 | |
JP6622405B2 (ja) | インバータ駆動装置 | |
JP7259430B2 (ja) | 電圧駆動型半導体スイッチング素子のゲート駆動装置、該ゲート駆動装置を備える電力変換装置 | |
US11671089B2 (en) | Load driver | |
JP6094879B2 (ja) | Ldmosfetのサージ電流保護回路 | |
US9893512B2 (en) | Protection circuit for electronic system | |
JPH07143733A (ja) | スナバ回路 | |
KR101580771B1 (ko) | 돌입 전류 억제 회로 | |
JP2014036503A (ja) | パルス発生回路及びアーク放電保護回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160712 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160809 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5989265 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |