JP5962285B2 - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents
発光装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5962285B2 JP5962285B2 JP2012160183A JP2012160183A JP5962285B2 JP 5962285 B2 JP5962285 B2 JP 5962285B2 JP 2012160183 A JP2012160183 A JP 2012160183A JP 2012160183 A JP2012160183 A JP 2012160183A JP 5962285 B2 JP5962285 B2 JP 5962285B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- region
- emitting device
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0362—Manufacture or treatment of packages of encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0364—Manufacture or treatment of packages of interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
- H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
支持体は、発光素子15を実装するための部材であり、各図面に示されるように、発光素子15に電力を供給するための導電配線12と、その導電配線12を配置し絶縁分離するための絶縁部材11とから構成されている。
導電配線12は、発光素子15の電極と電気的に接続され、外部からの電流(電力)を供給するための部材である。すなわち、外部から通電させるための電極またはその一部としての役割を担うものである。通常、正と負の少なくとも2つに離間して形成される。これにより、図1に示すように、絶縁分離部17(第一の領域、アンダーフィル配置部)、18(第二の領域)が形成される。
導電配線12は、導電部材14が配置された個所を除いて、絶縁性材料からなるレジスト13によって被覆されていることが好ましい。すなわち、各図面に示されるように、支持体上には、導電配線12を絶縁被覆するためのレジスト13が配置されていても良い。
導電部材14としては、導電性の部材であり、具体的にはAu含有合金、Ag含有合金、Pd含有合金、In含有合金、Pb−Pd含有合金、Au−Ga含有合金、Au−Sn含有合金、Sn含有合金、Au−Ge含有合金、Au−Si含有合金、Al含有合金、Cu−In含有合金、金属とフラックスの混合物などを挙げることができる。
支持体に搭載される発光素子15は、特に限定されず、公知のものを利用できるが、本形態においては、発光素子15として発光ダイオードを用いるのが好ましい。
発光素子15と支持体の間にアンダーフィル材料16が配置されている。アンダーフィル材料16は、発光素子15と支持体との接合強度を上げることを主な目的としており、さらに、発光素子15からの光を効率よく反射できるようにすることを目的として、フィラーを含有している。
本形態における封止部材は、発光素子を外部環境から保護するとともに、発光素子から出力される光を光学的に制御するため、発光素子を被覆するように支持体上に配置させる部材である。なお、本件発明においては必須の構成ではない。
Claims (10)
- 絶縁部材に正負一対の導電配線が配置され、該導電配線を被覆する被覆層を有する支持体と、前記正負一対の導電配線に其々導電部材を介して接続する正負一対の電極を有する発光素子と、前記支持体と前記発光素子との間に形成された隙間に配置されたアンダーフィル材料と、を備えた発光装置であって、
前記正負一対の導電配線は、前記絶縁部材が露出されることによって絶縁分離されており、その絶縁分離された領域は、前記発光素子外側の第一の領域と、前記発光素子直下の第二の領域とからなり、前記第一の領域は、前記第二の領域よりも正負一対の導電配線間の間隔が広くされてなるアンダーフィル配置部を有しており、
前記アンダーフィル材料は、前記アンダーフィル配置部から前記第二の領域まで延在して、露出した前記絶縁部材を被覆して配置され、
前記被覆層は、前記導電部材が配置された領域に開口を有し、該開口は、第一の領域周辺よりも前記第二の領域周辺で広いことを特徴とする発光装置。 - 前記導電配線は、前記導電部材が配置された個所を除いて、レジストによって被覆されている請求項1に記載の発光装置。
- 前記発光素子の側面は、前記アンダーフィル材料によって半分以上が被覆されていない請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記導電配線は、その表面に、半田の被膜を有する請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 絶縁部材に正負一対の導電配線が配置され、該導電配線を被覆する被覆層を有する支持体と、前記正負一対の導電配線に其々導電部材を介して接続する正負一対の電極を有する発光素子と、前記支持体と前記発光素子との間に形成された隙間に配置されたアンダーフィル材料と、を備えた発光装置の製造方法であって、
前記正負一対の導電配線が、前記絶縁部材が露出されることによって絶縁分離されており、その絶縁分離された領域が、前記発光素子を実装する位置の外側の第一の領域と、前記発光素子を実装する位置内の第二の領域とからなり、前記第一の領域が、前記第二の領域よりも、正負一対の導電配線間の間隔が広くされてなるアンダーフィル配置部を有するとともに、前記導電部材が配置された領域に開口を有し、該開口は、第一の領域周辺よりも前記第二の領域周辺で広い形状である支持体を準備する第一の工程と、
前記支持体の導電配線に前記発光素子の電極を導電部材で接続する第二の工程と、
前記アンダーフィル配置部に滴下したアンダーフィル材料を、前記第一の領域から前記第二の領域内まで流動させることにより、前記発光素子直下の隙間及び露出した前記絶縁部材にアンダーフィル材料を充填又は被覆させる第三の工程と、
前記第三の工程の後、前記アンダーフィル材料を硬化させる第四の工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記導電部材を配置する個所を除いて、レジストによって前記導電配線を被覆する工程を有する請求項5に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光素子の側面よりも下側に、前記アンダーフィル材料を配置させる請求項5または6に記載の発光装置の製造方法。
- 前記導電配線の表面に、半田の被膜を形成する工程を有する請求項5から7のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光素子の形状が長方形であり、前記アンダーフィル材料を前記第一の領域から前記第二の領域まで流動させる方向を、前記発光素子の短辺方向と略一致させる請求項5から8のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記導電配線は、前記発光素子の幅と略同じ幅を有する凸状部を有し、その凸状部に隣接して前記アンダーフィル配置部が形成される請求項5から9のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012160183A JP5962285B2 (ja) | 2012-07-19 | 2012-07-19 | 発光装置およびその製造方法 |
| US13/944,982 US9412918B2 (en) | 2012-07-19 | 2013-07-18 | Light emitting device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012160183A JP5962285B2 (ja) | 2012-07-19 | 2012-07-19 | 発光装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014022581A JP2014022581A (ja) | 2014-02-03 |
| JP5962285B2 true JP5962285B2 (ja) | 2016-08-03 |
Family
ID=49945820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012160183A Active JP5962285B2 (ja) | 2012-07-19 | 2012-07-19 | 発光装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9412918B2 (ja) |
| JP (1) | JP5962285B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6149727B2 (ja) | 2013-12-28 | 2017-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP6487626B2 (ja) * | 2014-03-24 | 2019-03-20 | スタンレー電気株式会社 | 半導体装置 |
| JP6540026B2 (ja) | 2014-12-26 | 2019-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP6544076B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2019-07-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| TWI657597B (zh) * | 2015-03-18 | 2019-04-21 | 新世紀光電股份有限公司 | 側照式發光二極體結構及其製造方法 |
| JP6925100B2 (ja) * | 2015-05-21 | 2021-08-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP6699432B2 (ja) | 2016-07-29 | 2020-05-27 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| EP3576170A4 (en) * | 2017-01-25 | 2021-05-26 | Furukawa Electric Co., Ltd. | LIGHTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE LIGHTING DEVICE |
| JP7148780B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2022-10-06 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US11282717B2 (en) | 2018-03-30 | 2022-03-22 | Intel Corporation | Micro-electronic package with substrate protrusion to facilitate dispense of underfill between a narrow die-to-die gap |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5864178A (en) * | 1995-01-12 | 1999-01-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with improved encapsulating resin |
| JP3454977B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2003-10-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP3333417B2 (ja) * | 1997-02-04 | 2002-10-15 | 松下電器産業株式会社 | Icチップの封止方法及び装置 |
| US6324069B1 (en) * | 1997-10-29 | 2001-11-27 | Hestia Technologies, Inc. | Chip package with molded underfill |
| JPH11168235A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード |
| JP3613098B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2005-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板ならびにそれを用いた表示装置および電子機器 |
| JP4366810B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2009-11-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオードの形成方法 |
| US6614122B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-09-02 | Intel Corporation | Controlling underfill flow locations on high density packages using physical trenches and dams |
| JP2002124654A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
| JP4727850B2 (ja) * | 2001-06-21 | 2011-07-20 | ローム株式会社 | 半導体電子部品 |
| JP3866058B2 (ja) * | 2001-07-05 | 2007-01-10 | シャープ株式会社 | 半導体装置、配線基板及びテープキャリア |
| JP3655267B2 (ja) | 2002-07-17 | 2005-06-02 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
| JP3544970B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2004-07-21 | 沖電気工業株式会社 | Cofテープキャリア、半導体素子、半導体装置 |
| JP3918098B2 (ja) | 2002-11-14 | 2007-05-23 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュールの製造方法 |
| JP2004172160A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-17 | Denso Corp | 発光素子 |
| TWI229928B (en) * | 2003-08-19 | 2005-03-21 | Advanced Semiconductor Eng | Semiconductor package structure |
| US20050121310A1 (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-09 | Intel Corporation | Method and substrate to control flow of underfill |
| WO2005104248A1 (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子駆動用半導体チップ、発光装置及び照明装置 |
| TWI273681B (en) * | 2004-06-24 | 2007-02-11 | Advanced Semiconductor Eng | Semiconductor package with flip chip on leadless leadframe |
| TWI333249B (en) * | 2004-08-24 | 2010-11-11 | Himax Tech Inc | Sensor package |
| JP2006100385A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| US7736945B2 (en) * | 2005-06-09 | 2010-06-15 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate |
| JP2007134376A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Akita Denshi Systems:Kk | 発光ダイオード装置及びその製造方法 |
| US7317257B2 (en) * | 2005-12-14 | 2008-01-08 | Intel Corporation | Inhibiting underfill flow using nanoparticles |
| JP2007189005A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Sharp Corp | 半導体装置の実装構造 |
| JP2007281260A (ja) | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | リフレクターとそれを用いた発光素子収納用パッケージ及びリフレクターに用いるレンズ |
| US7843074B2 (en) * | 2006-09-12 | 2010-11-30 | Lumination Llc | Underfill for light emitting device |
| JP4877779B2 (ja) * | 2006-11-09 | 2012-02-15 | 株式会社アキタ電子システムズ | 発光ダイオード装置及びその製造方法 |
| JP4378387B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2009-12-02 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
| JP4438006B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-03-24 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP4441545B2 (ja) | 2007-03-30 | 2010-03-31 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
| US7911018B2 (en) * | 2007-10-30 | 2011-03-22 | Panasonic Corporation | Optical device and method of manufacturing the same |
| US20090230409A1 (en) | 2008-03-17 | 2009-09-17 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Underfill process for flip-chip leds |
| KR20100080423A (ko) * | 2008-12-30 | 2010-07-08 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| US8384121B2 (en) * | 2010-06-29 | 2013-02-26 | Cooledge Lighting Inc. | Electronic devices with yielding substrates |
| JP2011171426A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Canon Inc | 半導体装置 |
| US20110210411A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Sound Design Technologies, Ltd. | Ultra thin flip-chip backside device sensor package |
| US8546191B2 (en) * | 2010-12-01 | 2013-10-01 | Xilinx, Inc. | Disposing underfill in an integrated circuit structure |
| KR20130012500A (ko) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | 삼성전자주식회사 | 칩 패키지 구조물 및 그 제조 방법 |
| KR20140094752A (ko) * | 2013-01-22 | 2014-07-31 | 삼성전자주식회사 | 전자소자 패키지 및 이에 사용되는 패키지 기판 |
-
2012
- 2012-07-19 JP JP2012160183A patent/JP5962285B2/ja active Active
-
2013
- 2013-07-18 US US13/944,982 patent/US9412918B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9412918B2 (en) | 2016-08-09 |
| JP2014022581A (ja) | 2014-02-03 |
| US20140021506A1 (en) | 2014-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5962285B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JP7054025B2 (ja) | 発光装置 | |
| CN104300068B (zh) | 发光装置及其制造方法 | |
| JP6127468B2 (ja) | 発光装置 | |
| TWI817708B (zh) | 光源 | |
| JP5582048B2 (ja) | 発光装置 | |
| CN109698189B (zh) | 发光模块及集成型发光模块 | |
| TWI649899B (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
| TW201547062A (zh) | 發光裝置 | |
| JP2018107279A (ja) | 発光装置および集積型発光装置 | |
| JP2014093311A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JP7014948B2 (ja) | 発光装置の製造方法および発光装置 | |
| JP6575507B2 (ja) | 発光装置および集積型発光装置 | |
| CN107026228A (zh) | 发光装置 | |
| JP6326830B2 (ja) | 発光装置及びそれを備える照明装置 | |
| JP7144683B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6399132B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2014158052A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP6985622B2 (ja) | 発光装置および集積型発光装置 | |
| JP6729648B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP7181489B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| JP7277815B2 (ja) | 発光装置の製造方法および発光装置 | |
| JP6478468B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP7460911B2 (ja) | 発光装置及びそれを用いたディスプレイ | |
| JP6959557B2 (ja) | 発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150212 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20150807 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151030 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151104 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151222 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160531 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160613 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5962285 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |