JP5962285B2 - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 112
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 20
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 17
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006072 paste Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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Description
支持体は、発光素子15を実装するための部材であり、各図面に示されるように、発光素子15に電力を供給するための導電配線12と、その導電配線12を配置し絶縁分離するための絶縁部材11とから構成されている。
導電配線12は、発光素子15の電極と電気的に接続され、外部からの電流(電力)を供給するための部材である。すなわち、外部から通電させるための電極またはその一部としての役割を担うものである。通常、正と負の少なくとも2つに離間して形成される。これにより、図1に示すように、絶縁分離部17(第一の領域、アンダーフィル配置部)、18(第二の領域)が形成される。
導電配線12は、導電部材14が配置された個所を除いて、絶縁性材料からなるレジスト13によって被覆されていることが好ましい。すなわち、各図面に示されるように、支持体上には、導電配線12を絶縁被覆するためのレジスト13が配置されていても良い。
導電部材14としては、導電性の部材であり、具体的にはAu含有合金、Ag含有合金、Pd含有合金、In含有合金、Pb−Pd含有合金、Au−Ga含有合金、Au−Sn含有合金、Sn含有合金、Au−Ge含有合金、Au−Si含有合金、Al含有合金、Cu−In含有合金、金属とフラックスの混合物などを挙げることができる。
支持体に搭載される発光素子15は、特に限定されず、公知のものを利用できるが、本形態においては、発光素子15として発光ダイオードを用いるのが好ましい。
発光素子15と支持体の間にアンダーフィル材料16が配置されている。アンダーフィル材料16は、発光素子15と支持体との接合強度を上げることを主な目的としており、さらに、発光素子15からの光を効率よく反射できるようにすることを目的として、フィラーを含有している。
本形態における封止部材は、発光素子を外部環境から保護するとともに、発光素子から出力される光を光学的に制御するため、発光素子を被覆するように支持体上に配置させる部材である。なお、本件発明においては必須の構成ではない。
Claims (10)
- 絶縁部材に正負一対の導電配線が配置され、該導電配線を被覆する被覆層を有する支持体と、前記正負一対の導電配線に其々導電部材を介して接続する正負一対の電極を有する発光素子と、前記支持体と前記発光素子との間に形成された隙間に配置されたアンダーフィル材料と、を備えた発光装置であって、
前記正負一対の導電配線は、前記絶縁部材が露出されることによって絶縁分離されており、その絶縁分離された領域は、前記発光素子外側の第一の領域と、前記発光素子直下の第二の領域とからなり、前記第一の領域は、前記第二の領域よりも正負一対の導電配線間の間隔が広くされてなるアンダーフィル配置部を有しており、
前記アンダーフィル材料は、前記アンダーフィル配置部から前記第二の領域まで延在して、露出した前記絶縁部材を被覆して配置され、
前記被覆層は、前記導電部材が配置された領域に開口を有し、該開口は、第一の領域周辺よりも前記第二の領域周辺で広いことを特徴とする発光装置。 - 前記導電配線は、前記導電部材が配置された個所を除いて、レジストによって被覆されている請求項1に記載の発光装置。
- 前記発光素子の側面は、前記アンダーフィル材料によって半分以上が被覆されていない請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記導電配線は、その表面に、半田の被膜を有する請求項1から3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 絶縁部材に正負一対の導電配線が配置され、該導電配線を被覆する被覆層を有する支持体と、前記正負一対の導電配線に其々導電部材を介して接続する正負一対の電極を有する発光素子と、前記支持体と前記発光素子との間に形成された隙間に配置されたアンダーフィル材料と、を備えた発光装置の製造方法であって、
前記正負一対の導電配線が、前記絶縁部材が露出されることによって絶縁分離されており、その絶縁分離された領域が、前記発光素子を実装する位置の外側の第一の領域と、前記発光素子を実装する位置内の第二の領域とからなり、前記第一の領域が、前記第二の領域よりも、正負一対の導電配線間の間隔が広くされてなるアンダーフィル配置部を有するとともに、前記導電部材が配置された領域に開口を有し、該開口は、第一の領域周辺よりも前記第二の領域周辺で広い形状である支持体を準備する第一の工程と、
前記支持体の導電配線に前記発光素子の電極を導電部材で接続する第二の工程と、
前記アンダーフィル配置部に滴下したアンダーフィル材料を、前記第一の領域から前記第二の領域内まで流動させることにより、前記発光素子直下の隙間及び露出した前記絶縁部材にアンダーフィル材料を充填又は被覆させる第三の工程と、
前記第三の工程の後、前記アンダーフィル材料を硬化させる第四の工程を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記導電部材を配置する個所を除いて、レジストによって前記導電配線を被覆する工程を有する請求項5に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光素子の側面よりも下側に、前記アンダーフィル材料を配置させる請求項5または6に記載の発光装置の製造方法。
- 前記導電配線の表面に、半田の被膜を形成する工程を有する請求項5から7のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記発光素子の形状が長方形であり、前記アンダーフィル材料を前記第一の領域から前記第二の領域まで流動させる方向を、前記発光素子の短辺方向と略一致させる請求項5から8のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
- 前記導電配線は、前記発光素子の幅と略同じ幅を有する凸状部を有し、その凸状部に隣接して前記アンダーフィル配置部が形成される請求項5から9のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012160183A JP5962285B2 (ja) | 2012-07-19 | 2012-07-19 | 発光装置およびその製造方法 |
US13/944,982 US9412918B2 (en) | 2012-07-19 | 2013-07-18 | Light emitting device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012160183A JP5962285B2 (ja) | 2012-07-19 | 2012-07-19 | 発光装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014022581A JP2014022581A (ja) | 2014-02-03 |
JP5962285B2 true JP5962285B2 (ja) | 2016-08-03 |
Family
ID=49945820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012160183A Active JP5962285B2 (ja) | 2012-07-19 | 2012-07-19 | 発光装置およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9412918B2 (ja) |
JP (1) | JP5962285B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6149727B2 (ja) | 2013-12-28 | 2017-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6487626B2 (ja) * | 2014-03-24 | 2019-03-20 | スタンレー電気株式会社 | 半導体装置 |
JP6544076B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2019-07-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6540026B2 (ja) | 2014-12-26 | 2019-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
TWI657597B (zh) * | 2015-03-18 | 2019-04-21 | 新世紀光電股份有限公司 | 側照式發光二極體結構及其製造方法 |
JP6925100B2 (ja) * | 2015-05-21 | 2021-08-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6699432B2 (ja) | 2016-07-29 | 2020-05-27 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
WO2018139535A1 (ja) * | 2017-01-25 | 2018-08-02 | 古河電気工業株式会社 | 照明装置及び該照明装置の製造方法 |
JP7148780B2 (ja) * | 2017-09-29 | 2022-10-06 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US11282717B2 (en) | 2018-03-30 | 2022-03-22 | Intel Corporation | Micro-electronic package with substrate protrusion to facilitate dispense of underfill between a narrow die-to-die gap |
Family Cites Families (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3454977B2 (ja) * | 1995-07-17 | 2003-10-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5864178A (en) | 1995-01-12 | 1999-01-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device with improved encapsulating resin |
JP3333417B2 (ja) * | 1997-02-04 | 2002-10-15 | 松下電器産業株式会社 | Icチップの封止方法及び装置 |
US6324069B1 (en) * | 1997-10-29 | 2001-11-27 | Hestia Technologies, Inc. | Chip package with molded underfill |
JPH11168235A (ja) * | 1997-12-05 | 1999-06-22 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード |
JP3613098B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2005-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 回路基板ならびにそれを用いた表示装置および電子機器 |
JP4366810B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2009-11-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオードの形成方法 |
US6614122B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-09-02 | Intel Corporation | Controlling underfill flow locations on high density packages using physical trenches and dams |
JP2002124654A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像装置 |
JP4727850B2 (ja) * | 2001-06-21 | 2011-07-20 | ローム株式会社 | 半導体電子部品 |
JP3866058B2 (ja) * | 2001-07-05 | 2007-01-10 | シャープ株式会社 | 半導体装置、配線基板及びテープキャリア |
JP3655267B2 (ja) | 2002-07-17 | 2005-06-02 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP3544970B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2004-07-21 | 沖電気工業株式会社 | Cofテープキャリア、半導体素子、半導体装置 |
JP3918098B2 (ja) * | 2002-11-14 | 2007-05-23 | 株式会社村田製作所 | 回路モジュールの製造方法 |
JP2004172160A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-17 | Denso Corp | 発光素子 |
TWI229928B (en) * | 2003-08-19 | 2005-03-21 | Advanced Semiconductor Eng | Semiconductor package structure |
US20050121310A1 (en) * | 2003-12-03 | 2005-06-09 | Intel Corporation | Method and substrate to control flow of underfill |
US20070257901A1 (en) * | 2004-04-19 | 2007-11-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor chip for driving light emitting element, light emitting device, and lighting device |
TWI273681B (en) * | 2004-06-24 | 2007-02-11 | Advanced Semiconductor Eng | Semiconductor package with flip chip on leadless leadframe |
TWI333249B (en) * | 2004-08-24 | 2010-11-11 | Himax Tech Inc | Sensor package |
JP2006100385A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
US7736945B2 (en) * | 2005-06-09 | 2010-06-15 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate |
JP2007134376A (ja) * | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Akita Denshi Systems:Kk | 発光ダイオード装置及びその製造方法 |
US7317257B2 (en) * | 2005-12-14 | 2008-01-08 | Intel Corporation | Inhibiting underfill flow using nanoparticles |
JP2007189005A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Sharp Corp | 半導体装置の実装構造 |
JP2007281260A (ja) | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | リフレクターとそれを用いた発光素子収納用パッケージ及びリフレクターに用いるレンズ |
US7843074B2 (en) * | 2006-09-12 | 2010-11-30 | Lumination Llc | Underfill for light emitting device |
JP4877779B2 (ja) * | 2006-11-09 | 2012-02-15 | 株式会社アキタ電子システムズ | 発光ダイオード装置及びその製造方法 |
JP4378387B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2009-12-02 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
JP4438006B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-03-24 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4441545B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2010-03-31 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
US7911018B2 (en) * | 2007-10-30 | 2011-03-22 | Panasonic Corporation | Optical device and method of manufacturing the same |
US20090230409A1 (en) | 2008-03-17 | 2009-09-17 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Underfill process for flip-chip leds |
KR20100080423A (ko) * | 2008-12-30 | 2010-07-08 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
JP2011171426A (ja) * | 2010-02-17 | 2011-09-01 | Canon Inc | 半導体装置 |
US20110210411A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Sound Design Technologies, Ltd. | Ultra thin flip-chip backside device sensor package |
JP5512888B2 (ja) * | 2010-06-29 | 2014-06-04 | クーレッジ ライティング インコーポレイテッド | 柔軟な基板を有する電子素子 |
US8546191B2 (en) * | 2010-12-01 | 2013-10-01 | Xilinx, Inc. | Disposing underfill in an integrated circuit structure |
KR20130012500A (ko) * | 2011-07-25 | 2013-02-04 | 삼성전자주식회사 | 칩 패키지 구조물 및 그 제조 방법 |
KR20140094752A (ko) * | 2013-01-22 | 2014-07-31 | 삼성전자주식회사 | 전자소자 패키지 및 이에 사용되는 패키지 기판 |
-
2012
- 2012-07-19 JP JP2012160183A patent/JP5962285B2/ja active Active
-
2013
- 2013-07-18 US US13/944,982 patent/US9412918B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014022581A (ja) | 2014-02-03 |
US20140021506A1 (en) | 2014-01-23 |
US9412918B2 (en) | 2016-08-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150212 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20150807 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160531 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160613 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5962285 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |