JP5877873B2 - プラズマプロセスを実行するシステムをチューニングするための方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は概して半導体基板処理システム、より具体的にはパルス化プラズマ
を使用した基板の処理方法及び装置に関する。
半導体集積回路(IC)製造において、コンポーネントとしてのトランジスタ等の素子
は、典型的にはシリコンから成る半導体ウェハ基板上に形成される。製造プロセス中、様
々な材料を異なる層上に堆積することによって所望の集積回路を構築する又は形成する。
これら各種の層が、金属線によって相互接続される素子を形作る。素子及び金属線を既に
搭載したウェハ(当該分野においては基板とも称される)に行う特定のプラズマ支援プロ
セスの間、かなりの量の電荷がウェハ表面上に蓄積されることがある。この電荷の蓄積が
ウェハ全体で均一になるとは限らない。このため、電荷の蓄積によって、一部の金属化材
料においては破壊電流が生じてしまう及び/又は誘電体層においてアーク放電が生じてし
まう場合がある。電流及び/又はアーク放電によって、ウェハ上に事前に形成されていた
特定の素子が破壊されたり損傷を受けたりする可能性があるプラズマ支援。電荷による作
用を軽減し、電荷による損傷を回避するために、プラズマ支援リアクタ内のプラズマに供
給する電力をパルス化する場合がある。このため、プラズマに結合させる電流は、プラズ
マ支援プロセス全体を通じて又はその一部においてパルス化される。エッチリアクタで使
用するためのこのような技法の一例が、2001年7月3日に発行された米国特許第62
55221号に開示されている。
RFソースからの電流を、動的にチューニングされたマッチングネットワーク(マッチユ
ニットとも称される)を通して、プラズマリアクタ内のアンテナ又は電極に結合させなく
てはならないことである。パルス化電力は、アンテナ又は電極からリアクタ内のプロセス
ガスに結合され、エッチングプロセスに使用するためのプラズマが形成される。マッチン
グネットワークによって、RFソースの出力がプラズマに効率的に結合され、プラズマに
結合されるエネルギーの量が最大となる。マッチングネットワークは、典型的には、50
オーム〜複素インピーダンスのプラズマをマッチさせる。処理中のプラズマ特性の変化に
合わせたダイナミックマッチングを促進するために、マッチングネットワークは連続的に
調節可能であり、処理を通じてのマッチの達成及びその維持が確保される。
。コントローラは、マッチングネットワークからの反射電力の監視も行う。マッチングネ
ットワークからの反射電力が増大すると、コントローラが、マッチングネットワークのキ
ャパシタンス又はインダクタンスを調節することによってRFソースをチャンバ内に存在
しているプラズマにより高くマッチさせる。高電力RFエネルギーをプラズマに結合する
ためのマッチングネットワークは、一般に、機械的にチューニング可能な要素(即ち、キ
ャパシタ及び/又はインダクタ)を備えることから、チューニングプロセスが、プラズマ
に結合させるのが所望のRFパルスのパルス幅と比べて遅くなる場合がある。このため、
ネットワークとしてのマッチングネットワークへのパルス電力をパルス毎に調節する場合
、反射電力が散発的又は実際の反射電力と一致しなくなり、コントローラによるマッチン
グネットワークの調節が不十分又は過剰なものになってしまう場合がある。このような連
続的な調節は、過剰な反射電力及びプラズマ電力結合効率の低下を引き起こす可能性があ
る。
された方法及び装置が当該分野において必要とされている。
の方法及び装置を提供する。一部の実施形態において、装置は、周波数チューニングを行
うRF電源及びこのRF電源に連結されたマッチングネットワークを含み、RF電源及び
マッチングネットワークは、RF電源に反射した反射RF電力を読み取るための共通セン
サを共有する。一部の実施形態において、装置は、周波数チューニングを行うRF電源及
びこのRF電源に連結されたマッチングネットワークを含み、RF電源及びマッチングネ
ットワークは、RF電源に反射した反射RF電力を読み取るための共通センサ並びにRF
電源及びマッチングネットワークのそれぞれのチューニングを行うための共通コントロー
ラを共有する。
プラズマ処理を可能にするためのチューニング手順が提供される。一部の実施形態におい
て、このチューニング手順は、ソース及びバイアスジェネレータを固定周波数、マッチン
グネットワークを自動モードにおきながら、連続波(CW)モードでプラズマに点火する
ことを含む。ソース及びバイアスの両方からの最小反射電力がマッチングネットワークの
調節によって一旦確保されたら(約2〜3秒)、ソースマッチングネットワークパラメー
タを一定に維持し、一方、バイアス側を自動モードで維持する。続いて、ソースジェネレ
ータについて周波数チューニングをONにし、バイアスジェネレータについては周波数チ
ューニングをOFFのままにする。約1秒後、パルシングモードがONにされ、続いてバ
イアスジェネレータについて周波数チューニングをONにし、ソースマッチングネットワ
ークを自動モードに戻す。システムが安定し、最小反射電力が達成されるまでには更に2
〜4秒かかる(マッチングネットワークの事前設定及びレシピのパラメータに依存する)
。
ングネットワーク及びバイアスマッチングネットワークを介して処理チャンバに連結され
たマスター/スレーブ構成のソースRF電源及びバイアスRF電源を使用してプラズマプ
ロセスを実行するシステムをチューニングするための方法が提供される。本方法は、連続
波モード及び固定周波数モードにそれぞれ設定されたソースRF電源及びバイアスRF電
源を使用し、ソースマッチングネットワーク及びバイアスマッチングネットワークがそれ
ぞれ自動チューニングモードに設定された状態で、まず処理チャンバにおいてプラズマに
点火することを含む。次に、ソース及びバイアスRFジェネレータの両方からの反射電力
が低減されるようにマッチングネットワークが調節を行った後に、バイアスマッチングネ
ットワークを自動モードで維持しながらソースマッチングネットワークをホールドモード
に変更する。ソースRF電源について周波数チューニングをONにし、一方、バイアスジ
ェネレータについては周波数チューニングをOFFのままにすることが可能である。パル
シングモードをソースRF電源及び/又はバイアスRF電源についてONにすることが可
能である。次に、バイアスRF電源を周波数チューニングモードにすることが可能である
。
数のパルシングモードに設定することを含む(ただし、デューティサイクルは約90%)
。バイアス及びソースの両方について周波数チューニングをONにし、マッチングネット
ワークを自動モードに設定する。その後、RFジェネレータをONにする。システムの安
定化及び最小反射電力とするための自己調節には約2〜3秒かかる。その後、ジェネレー
タが依然としてONの間に、デューティサイクルを約90%から所望のデューティサイク
ルへとオペレーションウィンドウ内で変更する。システムの自己チューニングには更に2
〜3秒かかり、その後、所望のパルシングモードでのオペレーションの準備が整う。
ングネットワーク及びバイアスマッチングネットワークを介して処理チャンバに連結され
たマスター/スレーブ構成のソースRF電源及びバイアスRF電源を使用してプラズマプ
ロセスを実行するシステムをチューニングするための方法が提供される。本方法は、(a
)RF電力を、所望のパルシング周波数、約85〜約95%の初期デューティサイクルの
周波数チューニングモードのソースRF電源及び/又はバイアスRF電源から、ソースマ
ッチングネットワーク及びバイアスマッチングネットワークを自動チューニングモードの
状態で供給することによって、処理チャンバ内でプラズマを形成し、(b)ソース及びバ
イアスRFジェネレータの両方からの反射電力を低減するようにマッチングネットワーク
が調節された後に、ソースRF電源及びバイアスRF電源が依然としてONの間に、初期
デューティサイクルを所望のデューティサイクルに変更することを含む。
ングネットワーク及びバイアスマッチングネットワークを介して処理チャンバに連結され
たソースRF電源及びバイアスRF電源を使用して、時間分解方式でプラズマプロセスを
実行するシステムをチューニングするための方法が提供される。本方法は、連続波モード
又はパルシングモードのいずれかから選択された第1オペレーションモード及び固定周波
数モード又は周波数チューニングモードのいずれかから選択された第1チューニングモー
ドにそれぞれ独立して設定されたソースRF電源及びバイアスRF電源を使用し、ソース
マッチングネットワーク及びバイアスマッチングネットワークが自動チューニングモード
又はホールドモードのいずれかから選択された第1マッチモードにそれぞれ独立して設定
された状態で、処理チャンバ内のプラズマに点火することを含む。第1時間の経過後、ソ
ースRF電源及びバイアスRF電源の一方又は両方の第1オペレーションモードは切り換
えられる。第2時間の経過後、ソースRF電源及びバイアスRF電源の一方又は両方の第
1チューニングモードが切り換えられる。第3時間の経過後、ソースマッチングネットワ
ーク及びバイアスマッチングネットワークの一方又は両方の第1マッチモードが切り換え
られる。第1、第2及び第3時間は、ソースRF電源及びバイアスRF電源に反射する反
射電力を低減するように選択される。
体的な説明を実施形態を参照して行う。実施形態の一部は添付図面に図示されている。し
かしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態しか図示しておらず、本発明はその他
の同等に効果的な実施形態も含み得ることから、本発明の範囲を制限すると解釈されない
ことに留意すべきである。
。一部の実施形態において、ウェハレベルでの損傷が少なくトレンチ形成、ノッチ形成問
題が軽減され、パフォーマンスを高める(より高いエッチ均一性及び選択性)バイアス及
びソースの一方又は両方のためのプラズマパルシングプロセスが提供される。本発明の実
施形態は、周波数チューニング(周波数掃引とも称される)を行うRFジェネレータをダ
イナミックマッチングネットワークと組み合わせて使用する、パルシングモードのための
安定したオペレーションウィンドウを可能にする手順を提供することである。システムを
チューニングするのに必要な時間がエッチプロセスでは重要であり、またこれらの手順の
1つの利点がパルス化を行いながら約6秒未満でチューニング可能なことであることから
、ウェハを不安定なプラズマに曝露する時間が最小限に抑えられる。以下の説明では特定
のプロセス、RF周波数、RF電力について言及しているが、本明細書の開示は、一般に
、その他のプロセス、その他の周波数及びその他の電力レベルに関して利するように使用
される。
)のエッチングに使用されるプラズマ支援半導体ウェハ処理システム100である。本発
明の開示実施形態をエッチリアクタ及びプロセスと関連させて説明するが、本発明は、プ
ラズマ支援プロセス中にパルス化電力を使用するいずれの形態のプラズマプロセスにも応
用可能である。このようなリアクタには、プラズマアニーリング、プラズマ支援化学気相
蒸着、物理気相蒸着及びプラズマ洗浄等が含まれる。
6、コントローラ114、第1RF電源112、第2RF電源116、第1マッチングネ
ットワーク110及び第2マッチングネットワーク118を備える。第1及び第2RF電
源112、116の一方又は両方は、高速周波数チューニング用に構成される(例えば、
ソースは、反射電力を最小限に抑えるために、検出された反射電力測定値に応答して周波
数を約±5%で変更可能である)。このような周波数チューニングは、所定の定常状態に
おいて、プラズマからの反射電力を最小限に抑えるために約100マイクロ秒又はそれよ
りずっと少ない秒数を必要とする。各RF電源(112、116)は連続波(CW)又は
パルス化モードで動作可能である。パルスモードにある場合、いずれかの電源(112、
116)が、最高約100kHz(一部の実施形態においては約100Hz〜約100k
Hz)のパルス周波数でパルス化される。いずれかの電源(112、116)が、約10
%〜約90%のデューティサイクル(例えば、所定のサイクルにおけるON時間とOFF
時間全体に対するON時間の割合)で動作させられる。
0を収容する真空容器102を備える。処理チャンバの屋根部又は蓋部103は、屋根部
103に近接した少なくとも1つのアンテナアセンブリ104を有する。このアンテナア
センブリ104は、本発明の一部の実施形態において、一対のアンテナ106、108を
備える。本発明のその他の実施形態においては1つ以上のアンテナを使用し、或いはアン
テナの代わりに電極を使用してRFエネルギーをプラズマに結合させる。この実例となる
特定の実施形態において、アンテナ106、108は、エネルギーを、プロセスガス供給
源126によって容器102の内部に供給されたプロセスガスに誘導結合する。アンテナ
106、108によって供給されたRFエネルギーをプロセスガスに誘導結合し、ウェハ
122上の反応区域内でプラズマ124を形成する。反応ガスが、ウェハ122上の材料
をエッチングする。
4に点火し、カソード台座部120に結合された電力がプラズマ124を制御する。この
ため、RFエネルギーは、アンテナアセンブリ104及びカソード台座部120の両方に
結合される。第1RF電源112(ソースRF電源とも称される)はエネルギーを第1マ
ッチングネットワーク110に供給し、このマッチングネットワークが次にエネルギーを
アンテナアセンブリ104に結合する。同様に、第2RF電源116(バイアスRF電源
とも称される)は、エネルギーを第2マッチングネットワーク118に結合し、このマッ
チングネットワークがエネルギーをカソード台座部120に結合する。コントローラ11
4は、RF電源112、116の起動及び終了のタイミング並びに第1及び第2マッチン
グネットワーク110、118のチューニングを制御する。アンテナアセンブリ104に
結合される電力はソース電力として知られ、カソード台座部120に結合される電力はバ
イアス電力として知られる。本発明の実施形態において、ソース電力、バイアス電力の一
方又は両方は、連続波(CW)モード又はパルス化モードのいずれかで動作可能である。
源116とを連結することによって、一方の電源のオペレーションのもう一方への同期を
促進する。いずれかのRFソースがリード又はマスターRFジェネレータとなり、もう一
方のジェネレータが従う、即ちスレーブとなる。リンク140は更に、完璧に同期した又
は所望のオフセット又は位相差での第1及び第2RF電源112、116のオペレーショ
ンを促進する。
ンサ152を使用して、マッチングネットワーク110、118によるプラズマ124へ
の整合能の有効性を求める。一部の実施形態において、インジケータデバイス150、1
52は、各マッチングネットワーク110、118で反射した反射電力を監視する。これ
らのデバイスは、一般に、マッチングネットワーク110、118又は電源112、11
5に組み込まれる。しかしながら、説明の便宜上、これらのデバイスは、図においてはマ
ッチングネットワーク110、118とは別のものとして図示される。反射電力を標識と
して使用する場合、デバイス150、152は、電源112、116とマッチングネット
ワーク110、118との間に連結される。反射電力を示す信号を生成するために、デバ
イス150、152はRF検出装置に連結された方向性結合器であり、整合有効性指標信
号は反射電力の強度を表す電圧である。大きな反射電力はマッチしていない状態を表す。
デバイス150、152によって生成された信号は、コントローラ114に結合される。
指標信号に応答して、コントローラ114は、マッチングネットワーク110、118に
結合されるチューニング信号(マッチングネットワーク制御信号)を生成する。この信号
を使用して、マッチングネットワーク110、118内のキャパシタ又はインジケータを
チューニングする。チューニングプロセスによって、例えば指標信号によって表される反
射電力を最小限に抑えること又は特定のレベルの反射電力を達成することに努める。マッ
チングネットワーク110、118は、典型的には、所定の定常状態において、プラズマ
からの反射電力を最小限に抑えるために約100マイクロ秒〜約数ミリ秒を必要とする。
マッチングネットワークの概略図である。この特定の実施形態は、単一入力400及びデ
ュアル出力(即ち、主出力402及び補助出力404)を有する。各出力を使用して2つ
のアンテナの一方を駆動する。マッチ回路406は、C1、C2及びL1によって形成さ
れ、容量性電力分割器408は、C3及びC4によって形成される。容量性分割器の値は
、特定の量の電力が各アンテナに供給されるように設定される。キャパシタC1、C2の
値は機械的にチューニングされてネットワーク110のマッチが調節される。C1、C2
のいずれか又は両方をチューニングしてネットワークのオペレーションを調節することが
できる。低電力システムにおいて、キャパシタは、機械的にではなく電子的にチューニン
グされる。その他の実施形態のマッチングネットワークは、チューニング可能なインダク
タを有する。このソース電源は、パルス又はCWモードで動作させることができる。ネッ
トワーク110によってマッチされるソース電力は約13.56MHzであり、最高約3
000ワットの電力レベルを有する。このようなマッチングネットワークは、コロラド州
フォートコリンズのAE,Inc.からモデルNAVIGATOR 3013−ICP8
5として入手可能である。その他様々な構成のマッチネットワークも、本明細書に記載の
教示に従って利用することができる。
マッチングネットワークの一実施形態の概略図である。この特定の実施形態は、単一入力
500及び単一出力502を有する。この出力を使用して台座部を駆動する。マッチング
ネットワークは、キャパシタC1、C2、C3、L1、L2を備える。キャパシタC2、
C3の値は機械的にチューニングされてネットワーク116のマッチが調節される。C2
、C3のいずれか又は両方をチューニングしてネットワークのオペレーションを調節する
ことができる。低電力システムにおいて、キャパシタは、機械的にではなく電子的にチュ
ーニングされる。その他の実施形態のマッチングネットワークは、チューニング可能なイ
ンダクタを有する。このバイアス電源116は、パルス又はCWモードで動作させること
ができる。パルスモードにおいて、パルスは、周波数100Hz〜100KHz、デュー
ティサイクル10〜90%で発生可能である。一実施形態において、バイアス電力は周波
数約13.56MHzを有し、電力レベル約1500ワットを有する。このようなマッチ
ングネットワークは、コロラド州フォートコリンズのAE,Inc.からモデルNAVI
GATOR 1013−L35Zとして入手可能である。その他様々な構成のマッチネッ
トワークも、本明細書に記載の教示に従って利用することができる。
路134を備える。コントローラ114は、システム100の様々なコンポーネントに連
結されてエッチプロセスの制御を促進する。コントローラ114は、アナログ、デジタル
、ワイヤ、ワイヤレス、光学及び光ファイバーインターフェースと様々に称されるインタ
ーフェースを介してチャンバ内での処理を調節し、監視する。下記のようにチャンバの制
御を円滑に進めるために、CPU130は、様々なチャンバ及びサブプロセッサの制御の
ために工業環境で使用可能ないずれの形態の汎用コンピュータプロセッサの1つであって
もよい。メモリ132は、CPU130に連結される。メモリ132、即ちコンピュータ
可読性媒体は、ランダムアクセスメモリ、読み出し専用メモリ、フロッピーディスク、ハ
ードディスク、その他いずれの形式のローカル又はリモートデジタルストレージ等の容易
に入手可能なメモリデバイスの1種以上である。サポート回路134は慣用のやり方でプ
ロセッサをサポートするためにCPU130に連結される。これらの回路はキャッシュ、
電力供給源、クロック回路、入力/出力回路、関連するサブシステム等を含む。
ウェアルーチンとしてメモリ132に保存される。ソフトウェアルーチンを、CPU13
0によって制御されるハードウェアとは離れて位置する第2CPU(図示せず)で保存す
る及び/又は実行してもよい。ソフトウェアルーチンは、CPU130によって実行され
ると、汎用コンピュータを特殊用途コンピュータ(コントローラ)114に変え、この特
殊用途コンピュータが、システムオペレーション(エッチプロセス中にプラズマを制御す
るためのシステムオペレーション等)を制御する。本発明のプロセスをソフトウェアルー
チンとしてインプリメントすることが可能であるが、本明細書で開示の方法ステップの一
部を、ソフトウェアコントローラと同様にハードウェアで実行することもできる。このた
め、本発明の実施形態は、コンピュータシステム上で実行されるソフトウェア、アプリケ
ーション特化集積回路としてのハードウェア、その他のタイプのハードウェアインプリメ
ンテーション又はソフトウェアとハードウェアの組み合わせでインプリメントすることが
できる。
それぞれのシステムのチューニングに使用される制御アルゴリズムが入っている。従って
、各アルゴリズムは、時間又は方式に関して(両方共、ジェネレータへの反射電力を低減
することを目的とすべきである)互いにリンクされていない。このようなリンクの欠落は
、2つのチューニングアルゴリズム間に著しい競合を生じさせて、システムが不安定にな
る場合がある。この問題を解決するために、本発明の一部の実施形態においては、集積マ
ッチングネットワークが、周波数チューニング能を備えたRFジェネレータ内に埋め込ま
れ(例えば、第1及び第2RF電源112、116)、マッチングネットワーク及びRF
サイクルでの周波数のチューニングに使用されるアルゴリズムは共にジェネレータ出力で
測定した場合の同じ読み取り値に基づいて制御される(例えば、共有センサを使用する)
。これによって、2つの独立したアルゴリズム間の競合が排除され、パルス化プラズマ系
リアクタに関するオペレーションウィンドウが拡大する。一部の実施形態において、第1
RFソース112及び第1マッチングネットワーク110(及び/又は第2RFソース1
16及び第2マッチングネットワーク118)は物理的に統合される又は単に、これらの
デバイス対のためのチューニングプロセスを指揮してこれら2つの間でのチューニング競
合を排除し且つシステム全体のチューニング効率を最大化するコントローラを共有する。
一部の実施形態において、第1RFソース112及び第1マッチングネットワーク110
(及び/又は第2RFソース116及び第2マッチングネットワーク118)は反射電力
を読み取るための共通センサを共有しているだけであり、少なくともチューニングするこ
とによって同じ読み取り値での反射電力を最小限に抑える。
い範囲のパルス化プラズマプロセスに亘って促進するための、時間の経過に伴って独立し
て制御され得る変数の図である。図2は、ソースジェネレータ、ソースマッチ、バイアス
ジェネレータ及びバイアスマッチのそれぞれについての時間非依存性オペレーションパラ
メータを示す。これらのパラメータは分離されており、独立して制御することができる。
ソース及びバイアスジェネレータは、固定周波数モード又は周波数掃引(又は周波数チュ
ーニング)モードで動作させることができる。加えて、ソース及びバイアスジェネレータ
を、連続波RFモード又はパルシングRFモードで動作させることができる。各ジェネレ
ータはオペレーションモード間を所望の時間で独立して切り替えられ、また一緒に動作す
るように同期される又は所望の量でオフセットされ、ソースRFがONの時間とバイアス
RFがONの時間との間のソース/バイアス遅延によって示される通りである。このよう
な同期又は制御された位相外れオペレーションは、ジェネレータのいずれのオペレーショ
ンモードのオペレーションにも適用することができる(例えば、両方がパルシングRFモ
ードの場合)。
スマッチ)は、自動チューニングモード又はホールドモードでそれぞれ独立して動作可能
である(マッチングネットワークはマッチ内のコンポーネントの値を固定し、チューニン
グにより反射電力を最小限に抑えることがない)。これらのモード間での切り替えを独立
して制御することによって、以下でより詳細に説明するように、反射電力の最小限化及び
広い範囲のプロセスウィンドウに亘ってのパルス化プラズマプロセス中のプラズマプロセ
スの安定化を促進することが可能である。このため、パルス化プラズマプロセスの場合、
以下の制御「ノブ(knob)」を設定して、広い範囲のプロセスに亘る効率的なオペレ
ーションを促進することができる:各マッチネットワークは自動チューニング又はホール
ドモードで独立して動作する;各RFジェネレータの周波数チューニングはON又はOF
Fである;時間A(約90%又はCWで開始。次に時間A後にパルシングに切り替わる)
;時間B(周波数チューニングOFFで開始され、次に時間B後にONに切り替わる);
時間C(マッチネットワークは最初は自動チューニングモードだが、時間C後に固定され
る又は最小限に抑えられたRF電力反射の位置を見つける)。加えて、「タイムアウト」
又はモード間の切り替えを行う時間を、切り替えが起こらないように設定する(例えば、
切り換え時間を、プロセスを実行する持続時間より長く設定する)又は切り換えモードが
即時オペレーションモードとなるように設定することができる(例えば、切り換え時間を
ゼロに設定する)。これらのノブの時間のそれぞれは独立しているため、各パラメータの
制御を利用して広い範囲のプロセスに亘ってパルス化プラズマオペレーションを円滑にす
る。このようなことから、以下でより詳細に説明するように、広い範囲のプロセス化学反
応、圧力、電力レベル等に亘って安定したパルス化プラズマ処理を可能にする、RF電力
供給のための時間分解チューニング手順が本明細書において提供される。このようなスキ
ームの時間分解特性によって、多種多様なプラズマ系プロセスに関して、パルス化プラズ
マオペレーション中のRF供給を最適化するための異なるノブのオペレーションシーケン
スの決定が可能になる。
分解方式でチューニングされる様々なRFモードで動作させることができる。例えば、一
部の実施形態において、ソースRF電源及びバイアスRF電源(それぞれ周波数チューニ
ング可能であり且つソースマッチングネットワーク及びバイアスマッチングネットワーク
を介して処理チャンバに連結されている)を使用して時間分解方式でプラズマプロセスを
実行するシステムをチューニングするための方法が提供される。この方法は、ソースRF
電源及びバイアスRF電源を使用して処理チャンバ内のプラズマに点火することを含み、
ソースRF電源及びバイアスRF電源は連続波モード又はパルシングモードから選択され
た第1オペレーションモード、固定周波数モード又は周波数チューニングモードから選択
された第1チューニングモードに独立して設定され、ソースマッチングネットワーク及び
バイアスマッチングネットワークは、自動チューニングモード又はホールドモードから選
択された第1マッチモードにそれぞれ独立して設定される。第1時間の経過後、ソースR
F電源及びバイアスRF電源の一方又は両方の第1オペレーションモードが切り替えられ
る。第2時間の経過後、ソースRF電源及びバイアスRF電源の一方又は両方の第1チュ
ーニングモードが切り替えられる。第3時間の経過後、ソースマッチングネットワーク及
びバイアスマッチングネットワークの一方又は両方の第1マッチモードが切り替えられる
。第1、第2、第3時間は、ソースRF電源及びバイアスRF電源に反射する反射電力を
低減するように選択される。
応じて様々なRFモードで動作させる。一部の実施形態において、システム100は、い
ずれかのRFジェネレータ(例えば、RF電源112、116)をCWモードにして動作
させられる。このようなモードにおいて、それぞれのジェネレータは固定モード、CWモ
ード又はマスターモードにある。このモードは、ソース及びバイアスジェネレータの両方
に当てはまり、それぞれは独立して動作する。
ルスモードにして動作させられる。このようなモードにおいて、各ジェネレータは固定モ
ード及びマスターモードにある。各ジェネレータは、設定可能なタイムアウト「CW/パ
ルス時間」に亘ってCWモードにあり、このタイムアウト後にパルシングモードに切り替
わる。このモードは、ソース及びバイアスジェネレータの両方に当てはまり、それぞれは
独立して動作する。
波数モードにして動作させられる。このようなモードにおいて、各ジェネレータは、CW
モード及びマスターモードにある。このジェネレータは、設定可能なタイムアウト「固定
周波数時間」に亘って固定モードにあり、このタイムアウト後に周波数チューニングをO
Nにする。このモードは、ソース及びバイアスジェネレータの両方に当てはまり、それぞ
れは独立して動作する。
波数−パルスモードにして動作させられる。このようなモードにおいて、各ジェネレータ
は、設定可能なタイムアウト「CW/パルス時間」に亘ってCWモードにあり、このタイ
ムアウト後にパルシングモードに切り替わる。また、ジェネレータは、設定可能なタイム
アウト「固定周波数時間」に亘って固定モードにあり、このタイムアウト後に周波数チュ
ーニングをONにする。ジェネレータはマスターモードにあるため、独立して動作する。
このモードは、ソース及びバイアスジェネレータの両方に当てはまる。
周波数−パルスモードにして動作させられる。このようなモードにおいて、各ジェネレー
タは、設定可能なタイムアウト「CW/パルス時間」に亘ってパルシングモード(例えば
90%の高デューティサイクル)にあり、このタイムアウト後に所望のパルスパラメータ
に切り替わる。また、このジェネレータは、設定可能なタイムアウト「固定周波数時間」
に亘って固定モードにあり、このタイムアウト後に周波数チューニングをONにする。ジ
ェネレータはマスターモードにあるため、独立して動作する。このモードは、ソース及び
バイアスジェネレータの両方に当てはまる。
Pulse)モードにして動作させられる。このようなモードにおいて、ソースジェネレ
ータはマスターモードにあり、バイアスジェネレータはスレーブモードにある。ソースジ
ェネレータは、設定可能なタイムアウト「CW/パルスタイム」に亘ってCWモードにあ
り、このタイムアウト後にパルシングモードに切り替わる。ソースジェネレータは、設定
可能なタイムアウト「固定周波数時間」に亘って固定モードにあり、このタイムアウト後
に周波数チューニングをONにする。バイアスジェネレータは、ソースジェネレータと同
じパルス周波数及びディーティサイクルでパルシングする。ソース及びバイアスは完全に
同期させられ、一方、マスター/スレーブ遅延は初期はゼロに設定される。パルス間の遅
延は、設定可能なタイムアウト「スレーブバイアスRFについてのパルシング遅延」によ
って制御され、最高で360度の位相制御がなされる。マスター/スレーブ遅延は、特定
のレシピの全ての同期されたパルシングステップに当てはまり得る。
作させられる。このようなモードにおいて、ソースジェネレータはマスターモードにあり
、バイアスジェネレータはスレーブモードにある。ソースジェネレータは、設定可能なタ
イムアウト「CW/パルス時間」に亘ってパルシングモード(90%のデューティサイク
ル)にあり、このタイムアウト後に所望のパルスパラメータに切り替わる。ソースジェネ
レータは、設定可能なタイムアウト「固定周波数時間」に亘って固定モードにあり、この
タイムアウト後に周波数チューニングをONにする。バイアスジェネレータは、ソースジ
ェネレータと同じパルシング周波数及びディーティサイクルでパルシングする。ソース及
びバイアスジェネレータは完全に同期させられ、一方、マスター/スレーブ遅延は初期は
ゼロに設定される。パルス間の遅延は、設定可能なタイムアウト「スレーブバイアスRF
についてのパルシング遅延」によって制御され、最高で360度の位相制御がなされる。
マスター/スレーブ遅延は、特定のレシピの全ての同期されたパルシングステップに当て
はまり得る。
と、反射電力が考えられ得る限り最小となる。CW/パルス化モードのオペレーションの
場合、マッチは、2つの主要モード、即ち自動モード又はホールドモードのいずれかにあ
る。パルス化モード中に自動モードだけで動作させることは推奨されないが、これはパル
ス周波数が極めて低くない限り、マッチが典型的にはパルス内の速い変化についていけな
いからであり、できたとしてもチューニングが不良となるからである。一部の実施形態に
おいて、マッチは、周波数チューニングと一緒にシステムをチューニングするために追加
のノブが絶対的に必要でない限り、システムがパルス化モードにある場合は常にホールド
モードで動作させられる。
はCWモードと同様に挙動することが観察されている。このため、システムのチューニン
グは比較的簡単である。しかしながら、パルス化モードシステムも依然として有益である
。従って、特定の条件の場合、パルス−周波数−パルス又はパルス−周波数−シンクパル
スモードは、CW−周波数−パルス又はCW−周波数−シンクパルスモードより低い反射
電力を達成し得る。パルスパラメータ(パルス周波数及びディーティサイクル)のいずれ
か一方をゼロに設定すると、ジェネレータはCWモードで動作する。
反応)、典型的なタイムアウトが推奨されるが、新しいレシピ毎に若干の最適化が最小反
射電力での安定したプラズマの確保に必要とされる。以下では、パルス化モードでの典型
的な推奨オペレーションモード、即ちソースパルシング&バイアスCW、バイアスパルシ
ング&ソースCW又は同期化ソース及びバイアスパルシングを挙げる。しかしながら、ア
プリケーションに応じてその他のモードが適用される場合もある。プロセスパラメータ(
プロセス化学反応、チャンバ圧、RF電力レベル、分割器キャップ設定、パルスパラメー
タ)を変更する際、タイムアウト設定の変更が必要な場合がある。
シングモード、バイアスジェネレータをCWモードにして動作させられる。このような実
施形態において、ソースジェネレータは、CW−周波数−パルスモードに設定される。C
W/パルス時間を選択して、ジェネレータがどのぐらいCWモードにあるかを制御するこ
とができる(例えば、6秒)。この時間を4秒以上に短縮することによって、パルシング
モードに切り換える前にシステムをCWモードでチューニングすることができる。固定/
周波数時間を選択することによって、周波数チューニングをONに切り換える前にどのぐ
らいジェネレータが固定モードにあるかを制御することができる(例えば、約5秒)。一
部の実施形態において、周波数チューニングは、パルシングモード開始の約1秒前/後に
ONにされる(対応するマッチがホールドにあるとして)。一部の実施形態において、マ
ッチは、周波数チューニングと並んで自動モードにあるべきではないため、マッチは、周
波数チューニングをONにする前にホールドモードにおかれる。短時間に亘って(例えば
、5秒以下)オーバーラップが起こり、パルス化プラズマオペレーションにとって最適な
チューニング位置が確保される場合もある。
ホールドモードに設定される。ホールド時間を選択することによって、「ホールド」への
切り換え前にどのぐらいの間マッチが「自動」モードにあるかを制御することができる。
一部の実施形態において、マッチ時間は、ジェネレータCW/パルス時間及び固定−周波
数時間より少なくとも1秒短い。マッチホールド時間は、システムがチューニングに十分
な時間を有するのを防止する適切な値(例えば、約3秒)を下回るべきではない。
ードへの移行はプラズマ負荷の観点から極めてはっきりとしたものになる。このような場
合、パルス−周波数−パルスモードを効果的にソースパルシングに利用する。一旦、シス
テムが90%のデューティサイクルでチューニングされたら、所望のデューティサイクル
(例えば、50%)への移行はCWからの切り替えより円滑になる。一部の実施形態にお
いては、この技法を低圧(例えば、10mTorr未満)で行うプロセスに利用する。
ェネレータと固定したソースジェネレータでもって動作させる。バイアスジェネレータを
CW−周波数−パルスモードに設定する。CW/パルス時間を選択して、どのぐらいジェ
ネレータがCWモードにあるかを制御することができる(例えば、6秒)。この時間を4
秒以上に短縮することによって、パルシングモードに切り換える前にシステムをCWモー
ドでチューニングすることができる。固定/周波数時間を選択することによって、周波数
チューニングをONに切り換える前にどのぐらいジェネレータが固定モードにあるかを制
御することができる(例えば、約5秒)。一部の実施形態において、周波数チューニング
は、パルシングモード開始の約1秒前/後にONにされる(対応するマッチがホールドに
あるとして)。一部の実施形態において、マッチは、周波数チューニングと並んで自動モ
ードにあるべきではないため、マッチは、周波数チューニングをONにする前にホールド
モードにおかれる。短時間に亘って(例えば、5秒以下)オーバーラップが起こり、パル
ス化プラズマオペレーションにとって最適なチューニング位置が確保される場合がある。
W−周波数モードに置かれる。ソースジェネレータがCWモードにあって周波数チューニ
ングしていない場合、その対応するマッチは自動−ホールドモードにある。しかしながら
、ある時間(例えば、約8秒)が過ぎてマッチがホールドに切り替わり、バイアスジェネ
レータがパルスモードに切り替わった後のソースによるチューニングが可能になる場合が
ある。一部の実施形態において、ソースジェネレータは、CWモードではなくCW−周波
数モードに設定される。従って、ソースマッチは自動−ホールドモードに設定される。ホ
ールド時間は、典型的には、全ての考えられ得る競合を回避するために固定−周波数時間
より短い。マッチホールド時間は、ジェネレータCW/パルス時間及び固定−周波数時間
より少なくとも約1秒短い。マッチ自動−ホールド時間は、システムがチューニングする
ための十分な時間を得られるように十分な持続時間であるべきである(例えば、約3秒よ
り長い)。
モードへの移行がプラズマ負荷の観点から極めてはっきりとしたものになる。このような
場合、パルス−周波数−パルスモードを効果的にソースパルシングに利用することができ
る。一旦、システムが90%のデューティサイクルでチューニングされたら、所望のデュ
ーティサイクル(例えば、30%)への移行はCWからの切り替えより円滑になる。一部
の実施形態においては、この技法を低圧(例えば、10mTorr未満)で行うプロセス
に利用する。
せられる。このようなモードにおいては、ソース及びバイアスジェネレータの両方が同じ
RFモード及びマスター/スレーブ構成にあるべきである。スレーブジェネレータが同期
信号を受信できるように、スレーブ遅延を、パルス持続時間より短くすることができる。
のデューティサイクルで動作を開始し、次に所望のデューティサイクルに切り替わるパル
ス−周波数−シンクパルスが使用可能である。これは主に低圧プロセスで推奨される(例
えば、約10mTorr未満)。
動作させられ、パルス周波数及び/又はデューティサイクルは、処理中に変更される。こ
のようなモードにおいて、第1ステップは、安定化ステップとして利用される。第2ステ
ップは、本明細書において同じ考慮事項でもって論じられたものと同様の同期化パルシン
グステップである。両方のジェネレータでの周波数チューニングは、第2ステップにおい
てRFをONにしてから5秒後にONに切り替わる。6秒後、システムは3kHz及び6
0%のデューティサイクルでのパルシングを開始する。システムが一旦その定常状態に達
したら(即ち、チューニングが達成される)、周波数チューニングがONであることから
ソース及び/又はバイアスジェネレータの実際の周波数は公称値(例えば、13.56M
Hz)とは異なり得る。第3ステップにおいて、チューニングされたシステムの同じ状態
を、ジェネレータのデューティサイクルを別の値に切り換えながら維持する。周波数チュ
ーニングを失わないように、RFは、第2ステップの終わりまでONに維持される(RF
をOFFにし、プロセスを新しく開始することと比較して)。第3ステップにおいて、第
2ステップと同じRFモードが選択される。しかしながら、ジェネレータをパルスモード
及び周波数チューニングモードに維持するために、「CW/パルス」及び「固定/周波数
」のためのタイムアウトはソース及びバイアスジェネレータの両方においてゼロに設定さ
れる。こうすることによって、第2ステップで達成された周波数チューニングが維持され
、システムはその定常状態に第3ステップでRF電力を供給するジェネレータ及びシステ
ムをチューニングせずに開始した場合より速く到達する。マッチが第2ステップの最後ま
でホールドにあった場合は、第3ステップにおいてもホールドモードにあるべきである。
あるが、埋め込みパルシングの特殊ケースが利用される。埋め込みパルシングモードにお
いては、1つのRFパルスが別のRFパルスに時間的に埋め込まれる。言い換えると、第
1RF電源は第1ON時間を有し、第2RF電源は、第1ON時間以下の第2ON時間を
有し得る。第2ON時間は、第2RF電源のON時間が第1RF電源のOFF時間と絶対
にオーバーラップしないように第1ON時間に対して時間的に位置づけされる。このため
、あるRF電源のパルスについてのより短い(又は等しい)ON時間は、もう一方のRF
電源のパルスについてのより長い(又は等しい)ON時間と完全にオーバーラップする。
例えば、ソースRF電源が5秒のON時間及び5秒のOFF時間を有する場合(50%の
デューティサイクル)、バイアスRF電源は、5秒以下であり且つソースRF電源がOF
Fの場合にバイアスRF電源が絶対にONにならないように時間的に整列されたON時間
を有する。
又は両方に関してのマッチングネットワークに適用可能である。パルス化RF電力をプラ
ズマリアクタ内のプラズマに効率的に印加するために、本発明の一部の実施形態の技法を
使用して、いずれのチューニング可能なマッチングネットワーク及びチューニング可能な
周波数ジェネレータを動作させることも可能である。このため、マッチングネットワーク
及びRF電源は、RF電源のインピーダンスを広いウィンドウのパルス化プラズマプロセ
ス中にマッチングネットワークに連結されたアンテナ又は電極によって駆動されるプラズ
マのインピーダンスにマッチさせることができる。
上述したように、ウェハ上で行われる特定のプラズマ支援プロセス中、かなりの量の電
荷がウェハ表面上に蓄積される場合がある。このような蓄積はウェハを大きく損傷する可
能性がある。帯電作用を軽減し、それによる損傷を回避するために、プラズマ支援リアク
タ内のプラズマに供給される電力をパルス化する場合がある。プラズマプロセスにRFパ
ルシングを利用することによって、RFパルス化ジェネレータからのプラズマに結合され
るエネルギーの量を最大化するためにダイナミックチューニングシステムが導入されるべ
きである。
給される。ダイナミックマッチングネットワークによって、RFソースの出力が効率的に
プラズマに結合され、即ち反射してジェネレータに戻る電力が最小限に抑えられる。処理
中にプラズマ特性は変化することから、マッチングネットワークは、マッチが達成され且
つ処理を通じて維持されるように連続的に調節可能であり、従ってマッチングネットワー
クは自動モードにある。一般に、プロセスレシピを実行するコントローラがマッチングネ
ットワークを制御し、またマッチングネットワークのキャパシタンス及び/又はインダク
タンスを調節してよりよいマッチ、即ちより少ない反射電力を達成する。キャパシタンス
及び/又はインダクタンスの調節は、キャパシタ及び/又はインダクタの機械的なチュー
ニングによって達成される。プラズマリアクタに供給されるRF電力が一旦パルス化され
ると、慣用のマッチングネットワークではシステムを妥当な低反射電力へとチューニング
することができない。これはRFパルス持続時間と比較してチューニングプロセスが遅い
からである。このため、パルス化RF信号をマッチングネットワークに適用すると、プロ
セス中のプラズマインピーダンスにおける変化についていくことができず、結果的に、連
続的な調節が過剰な反射電力とプラズマ電力結合効率の低下を引き起こしてしまう可能性
がある。このため、プラズマ支援半導体ウェハ処理システムにおける効率的なオペレーシ
ョンを確保するために、パルス化RF信号をプラズマリアクタに適用する際のマッチング
技法及び手順が絶対的に必要とされる。マッチング問題は、電力を供給しながらRFパル
シングをソース及びバイアスジェネレータの両方に適用しようとする際に、デカップルド
プラズマソースリアクタにおいて重要になる。
追加の構成を利用しており、高速周波数チューニングが行われる。この構成の導入の主な
目的は、主要RFオペレーション周波数の所定の範囲内(〜5%)でのチューニング及び
それによるプラズママッチングのためのダイナミックレンジの拡大によってジェネレータ
に反射される電力を低減することである。しかしながら、その主要マッチングシステムと
してマッチングネットワークを使用するプラズマリアクタの場合、この周波数チューニン
グのダイナミックレンジは狭く、従って、CWモードで動作させる場合に慣用のマッチン
グネットワークの代わりとしては使用できない。更に、自動調節可能なマッチングネット
ワークと同時にRFジェネレータにおける周波数チューニングを可能にすることによって
2つのチューニング手順間で競合が起こり、その結果、CWモードでの動作中、プラズマ
に結合されるRF電力が低減される。
波数チューニング構成をマッチングネットワークと協働させて、効率的なパルス化プラズ
マプロセスを可能にすることができる。本明細書において開示の本発明の一部の実施形態
は、時間分解チューニングスキームに基づいたRFパルシング中のプラズマインピーダン
スマッチングのための効率的な手順を導入する。これらの手順によって広いオペレーショ
ンウィンドウ内で安定したパルス化プラズマがシステム内で余分な装置を利用する必要な
く得られる。しかしながら、特定のレシピでは、これらの手順の1つが、もう一方よりは
るかに速くチューニングされた状態におかれるため、短時間プロセスによるプラズマパル
シングが利用可能になる。
ラズマをCWモードで点火することが提案されており、プラズマが一旦点火されたら、マ
ッチングネットワークが自動的に自己調節を行って最小限の反射電力を確保する。所望の
マッチングが一旦達成されたら、マッチングネットワークチューニングパラメータを一定
に維持し、システムはパルスモードに切り換えられ、RF電力はパルス化される。しかし
ながら、この技法によって明らかとなったオペレーションウィンドウは狭く、プラズマリ
アクタ内でソース及びバイアスの両方を周波数チューニングを利用せずにパルス化しよう
とする場合、安定したパルスオペレーションを達成することはほとんど不可能である。
レーションを促進する、従うべき一連のステップを有する。これらの手順を利用すること
によって、パルシングモードのための安定したオペレーションウィンドウを大きく強化す
ることができ、より多くのプラズマ系プロセスによるプラズマパルシングレジームの利用
への道筋がつけられる。本明細書で開示の手順は主に、ソース及びバイアスジェネレータ
の両方がパルシングモードにあるプラズマパルシングに適用される。しかしながら、パル
ス化プラズマオペレーションに関して時間分解方式で動作するダイナミックマッチングネ
ットワークに高速周波数チューニングを組み合わせる主要コンセプトは、様々な用途にお
いて実践することができる。例えば、時間分解チューニングスキームは、以下のRFレジ
ーム:(1)パルシングしているソース及びCWモードのバイアス、(2)パルシングし
ているバイアス及びCWモードのソース、(3)非同期方式でパルシングしているソース
及びバイアス両方、(4)完全同期方式で又は位相制御されてパルシングしているソース
及びバイアス両方の全てで適用可能である。
ューニングに使用することができる。以下の2つの手順は時間分解コンセプトの特殊なケ
ースであり、また特定の用途のための効率的な手順の例として挙げるものである。本明細
書に記載の様々な手順は、様々なパラメータ(例えば、化学反応、圧力、電力レベル等)
を有するプロセスに利用することができる。例えば、上記のプロセスを逆にしたり、ステ
ップを異なるシーケンスで実行したりすることによって低反射電力を得る及び/又は維持
することができる。
この手順においては、プラズマをCWモードで点火し、一方、ソース及びバイアスジェ
ネレータを固定周波数(例えば、約13.56MHz)とし、マッチングネットワークを
自動モードにする。ソース及びバイアスの両方からの反射電力が最小限に抑えられるよう
にマッチングネットワークが一旦調節を行ったら(このプロセスは約2〜3秒かかる)、
ソースマッチングネットワークパラメータを一定に維持し、一方、バイアスマッチングネ
ットワークを自動モードに維持する。続いてソースジェネレータについて周波数チューニ
ングをONにし、バイアスジェネレータについては周波数チューニングをOFFのままに
する。約1秒後、パルシングモードをONにし、続いてバイアスジェネレータについて周
波数チューニングをONにし、ソースマッチングネットワークを自動モードに戻す。シス
テムの安定化及び最小限の反射電力の達成には更に約2〜4秒かかる(マッチングネット
ワークの事前設定及びレシピのパラメータに依存する)。ここでシステムは、パルシング
モードで動作する準備が整う。
1.ジェネレータをマスター/スレーブモードに設定して同期化パルシングモードを可
能にする。
2.ジェネレータを固定周波数に設定する。
3.ソースジェネレータのパルス周波数又はデューティサイクルの一方をゼロに設定す
る。
4.マッチングネットワークを自動モードに設定する。
5.CWオペレーションのためにジェネレータをONにする。
6.CWモードのチューニングに伴い、ソースマッチネットワークをホールドにし、バ
イアスを自動モードで維持する。
7.ソースジェネレータで周波数チューニングをONにする。
8.パルシングモードをONにする(ソースジェネレータでパルシング周波数及びデュ
ーティサイクルの両方にゼロ以外の数値を適用することによって)。
9.バイアスジェネレータで周波数チューニングをONにする。
10.ソースマッチングネットワークを自動モードに戻す。
11.システムはパルシングオペレーションの準備が整う。
12.システムが一旦チューニングされたら、マッチングネットワークをホールドモー
ドに切り換える。特定の条件下ではステップ10をスキップし、ステップ6で設定された
ようにソースマッチングネットワークをホールドモードで維持する場合がある。例えば、
高圧プロセスの場合(例えば、約10mTorrより高い)及び一部の低圧プロセスの場
合、ステップ10をスキップする。
ングネットワーク側での自動モードがCWモード中に同時に動作し、従って不安定さを引
き起こす可能性のあるチューニングアルゴリズムの競合が回避される状況に遭遇していな
い。バイアスに対してのソースのチューニングにおける違いは、慣用のデカップルドプラ
ズマソースリアクタにおいては、バイアスについてのマッチングネットワークがソースよ
りも低い反射電力を達成することを原因とし、実際には、バイアスからの反射電力は等し
くゼロである。従って、バイアスマッチングネットワークをホールド位置に切り替えるこ
とによって、またシステムがCWモードの間に周波数チューニングを起動することによっ
てゼロ反射電力が変化するが、これはジェネレータが不可能にも関わらずより良好なチュ
ーニングを達成しようとするからであり、不安定さが生じる可能性がある。後者は、主に
低圧プロセスで顕著である。この問題はソースでは起こらないが、これはマッチングネッ
トワークによって達成される反射電力が小さいからである。しかしながら全く同じように
ゼロではないため、CWモードであってもマッチングネットワークがホールドの間に高速
周波数チューニングを適用することによって低反射電力を達成する余地がある。
この手順は主に、ソース及びバイアスの両方に関してデューティサイクル約90%(又
は約85〜95%)、ほぼどのパルシング周波数でパルシングを適用しても(使用される
典型的な周波数は100Hz〜50kHzの範囲)CWモードに極めて近い挙動をすると
の観察結果に基づくことから、CWモードで実行可能な同じレシピについて低反射電力を
達成することは極めて簡単である。しかしながら、主な違いは、ジェネレータがパルシン
グモードで動作していることであり、従って競合レジームを招くことなく自動モードのマ
ッチングネットワークをジェネレータにおける周波数チューニングと共存させることが可
能である。この手順で従うべきステップのシーケンスは以下の通りである。所望のパルシ
ング周波数、ただし約90%のデューティサイクル(又は約85〜95%)のパルシング
モードにジェネレータを設定する。バイアス及びソースの両方について周波数チューニン
グをONにし、マッチングネットワークを自動モードに設定する。この後、ジェネレータ
をONにする。システムが安定し、最低反射電力となるように自己調節するまで約2〜3
秒かかる。その後、ジェネレータが依然としてONの間に、デューティサイクルを約90
%から所望のデューティサイクルへとオペレーションウィンドウ内で変更する。システム
による自己チューニングには更に2〜3秒かかり、この後、システムは所望のパルシング
モードでのオペレーションの準備が整う。
1.ジェネレータをマスター/スレーブモードに設定して同期化パルシングモードを可
能にする。
2.ジェネレータを周波数掃引に設定する。
3.ソースジェネレータのデューティサイクルを約90%(又は約85〜95%)、パ
ルシング周波数を所望のオペレーション周波数に設定する。
4.マッチングネットワークを自動モードに設定する。
5.パルシングモードのためにジェネレータをONにする。
6.チューニングされたら、デューティサイクルを所望のデューティサイクルに切り換
える。
7.システムはパルシングオペレーションでの動作の準備が整う。
8.システムが一旦チューニングされたら(ステップ7から2〜3秒後)、マッチング
ネットワークをホールドモードに切り換える。特定の条件下では、ステップ6でシステム
をチューニングした後、ただしデューティサイクルを所望の値に切り換える前に、マッチ
ングネットワークをホールドモードに切り換えることが推奨される。このような状況にお
いて、ステップ8は不要であり、省略することができる。
せることができる(例えば、パルス間の位相の包絡線はいかなる場合もゼロである)。パ
ルスを同期させないと、ソースとバイアスを同時にパルス化しながら低反射電力を達成す
ることがより困難になる。しかしながら、上で提示した時間分解手順に基づいて、パルス
間の位相がゼロでなくとも低反射電力を得ることが可能である。
イナミックレンジは拡大される。しかしながら、これらの手順は、プラズマパルシングの
ためのオペレーションウィンドウを大幅に向上させることから、より多くのプロセスによ
るこのレジームの活用が可能になる。ダイナミックレンジは、主に2つの特徴によって決
定される。第1の特徴は、マッチングネットワークのキャパシタ/インダクタのダイナミ
ックレンジである。第2の特徴は、ジェネレータにおける周波数チューニング範囲である
。これら2つの特徴を変化させることによって、パルシングモードのための効果的なオペ
レーションウィンドウの変更が可能になる。
、圧力設定点である。2種類のオペレーションを区別することができる。第1のオペレー
ションは低圧オペレーション(例えば、Siエッチングの場合、約10mTorr未満)
であり、第2のオペレーションは高圧オペレーションである。上記の手順の両方が、安定
したオペレーションウィンドウ内でパルシングモードで動作させながらのシステムの安定
したチューニングを可能にする。高圧オペレーションの場合、両方の方法が同様の結果を
同じ時間フレーム内で示す。しかしながら、低圧オペレーションの場合、第2方法のほう
が速い(3〜4秒対6秒)。
なく本発明のその他及び更に別の実施形態を創作することができる。
Claims (8)
- それぞれが周波数チューニング可能であり且つソースマッチングネットワーク及びバイアスマッチングネットワークを介して処理チャンバに連結されたソースRF電源及びバイアスRF電源を使用してプラズマプロセスを実行するシステムをチューニングするための方法であって、
連続波モード及び固定周波数モードにそれぞれ設定されたソースRF電源及びバイアスRF電源を使用し、ソースマッチングネットワーク及びバイアスマッチングネットワークがそれぞれ自動チューニングモードに設定された状態で、処理チャンバにおいてプラズマに点火し、
ソースRF電源及びバイアスRF電源の両方からの反射電力が低減されるようにマッチングネットワークが調節を行った後、バイアスマッチングネットワークを自動モードで維持しながらソースマッチングネットワークをホールドモードに変更し、
ソースRF電源について周波数チューニングをONにし、一方、バイアスRF電源については周波数チューニングをOFFのままにし、
パルシングモードをソースRF電源及び/又はバイアスRF電源についてONにし、
バイアスRF電源を周波数チューニングモードにすることを含む方法。 - バイアスRF電源を周波数チューニングモードにおいて後、ソースマッチングネットワークを自動モードに戻すことを更に含む、請求項1記載の方法。
- ソースRF電源及びバイアスRF電源がマスター/スレーブ構成にあって、同期若しくは埋め込み同期パルシングがもたらされる、又はソースRF電源及びバイアスRF電源がそれぞれマスターモードにあって、ソースRF電源をパルシングモード、バイアスRF電源を連続波モード、若しくはバイアスRF電源をパルシングモード、ソースRF電源を連続波モードで動作させる、請求項1記載の方法。
- それぞれが周波数チューニング可能であり且つソースマッチングネットワーク及びバイアスマッチングネットワークを介して処理チャンバにそれぞれ連結されたソースRF電源及びバイアスRF電源を使用してプラズマプロセスを実行するシステムをチューニングするための方法であって、
(a)RF電力を、所望のパルシング周波数、約85〜約95%の初期デューティサイクルの周波数チューニングモードのソースRF電源又はバイアスRF電源のうちの少なくとも1つから、ソースマッチングネットワーク及びバイアスマッチングネットワークを自動チューニングモードにして供給することによって、処理チャンバ内でプラズマを形成し、
(b)ソースRF電源及びバイアスRF電源の両方からの反射電力を低減するようにソースマッチングネットワーク又はバイアスマッチングネットワークのうちの少なくとも1つが調節された後、ソースRF電源及びバイアスRF電源が依然としてONの間に、ソースRF電源又はバイアスRF電源のうちの少なくとも1つによって提供される初期デューティサイクルを所望のデューティサイクルに変更することを含む方法。 - (c)ソースRF電源又はバイアスRF電源のうちの少なくとも1つによって提供される初期デューティサイクルを所望のデューティサイクルに変更した後、ソースマッチングネットワーク又はバイアスマッチングネットワークのうちの少なくとも1つをホールドモードに切り換えることを更に含む、請求項4記載の方法。
- (c)ソースRF電源及びバイアスRF電源の両方からの反射電力を低減するようにソースマッチングネットワーク又はバイアスマッチングネットワークのうちの少なくとも1つが調節された後、ただしソースRF電源又はバイアスRF電源のうちの少なくとも1つによって提供される初期デューティサイクルを所望のデューティサイクルに変更する前に、ソースマッチングネットワーク又はバイアスマッチングネットワークのうちの少なくとも1つをホールドモードに切り換えることを更に含む、請求項4記載の方法。
- ソースRF電源及びバイアスRF電源がマスター/スレーブ構成にあって、同期若しくは埋め込み同期パルシングがもたらされる、又はソースRF電源及びバイアスRF電源がそれぞれマスターモードにあって、ソースRF電源をパルシングモード、バイアスRF電源を連続波モード、若しくはバイアスRF電源をパルシングモード、ソースRF電源を連続波モードで動作させる、請求項4記載の方法。
- それぞれが周波数チューニング可能であり且つソースマッチングネットワーク及びバイアスマッチングネットワークを介して処理チャンバにそれぞれ連結されたソースRF電源及びバイアスRF電源を使用して時間分割方式でプラズマプロセスを実行するシステムをチューニングするための方法であって、
連続波モード又はパルシングモードのいずれかから選択された第1オペレーションモード及び固定周波数モード又は周波数チューニングモードのいずれかから選択された第1チューニングモードにそれぞれ独立して設定されたソースRF電源及びバイアスRF電源を使用し、ソースマッチングネットワーク及びバイアスマッチングネットワークが自動チューニングモード又はホールドモードのいずれかから選択された第1マッチモードにそれぞれ独立して設定された状態で、処理チャンバ内のプラズマに点火し、
第1時間の経過後、ソースRF電源及びバイアスRF電源の一方又は両方の第1オペレーションモードを切り換え、
第2時間の経過後、ソースRF電源及びバイアスRF電源の一方又は両方の第1チューニングモードを切り換え、
第3時間の経過後、ソースマッチングネットワーク及びバイアスマッチングネットワークの一方又は両方の第1マッチモードを切り換えることを含み、
第1、第2及び第3時間は、ソースRF電源及びバイアスRF電源に反射する反射電力を低減するように選択される方法。
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