KR101303040B1 - 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법 및 장치 - Google Patents

플라즈마 챔버의 아크 검출 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101303040B1
KR101303040B1 KR1020120020659A KR20120020659A KR101303040B1 KR 101303040 B1 KR101303040 B1 KR 101303040B1 KR 1020120020659 A KR1020120020659 A KR 1020120020659A KR 20120020659 A KR20120020659 A KR 20120020659A KR 101303040 B1 KR101303040 B1 KR 101303040B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
radio frequency
plasma chamber
arc
voltage
value
Prior art date
Application number
KR1020120020659A
Other languages
English (en)
Inventor
최상돈
Original Assignee
주식회사 뉴파워 프라즈마
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 뉴파워 프라즈마 filed Critical 주식회사 뉴파워 프라즈마
Priority to KR1020120020659A priority Critical patent/KR101303040B1/ko
Priority to TW102106709A priority patent/TWI505319B/zh
Priority to JP2013036464A priority patent/JP2013179048A/ja
Priority to US13/779,181 priority patent/US9170295B2/en
Priority to CN2013101240370A priority patent/CN103474321A/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR101303040B1 publication Critical patent/KR101303040B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/12—Testing dielectric strength or breakdown voltage ; Testing or monitoring effectiveness or level of insulation, e.g. of a cable or of an apparatus, for example using partial discharge measurements; Electrostatic testing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/24—Testing of discharge tubes
    • G01R31/245—Testing of gas discharge tubes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/0046—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof characterised by a specific application or detail not covered by any other subgroup of G01R19/00
    • G01R19/0061—Measuring currents of particle-beams, currents from electron multipliers, photocurrents, ion currents; Measuring in plasmas
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/165—Indicating that current or voltage is either above or below a predetermined value or within or outside a predetermined range of values
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32944—Arc detection
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/0006—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature
    • H05H1/0081—Investigating plasma, e.g. measuring the degree of ionisation or the electron temperature by electric means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/08—Measuring resistance by measuring both voltage and current

Abstract

본 발명의 플라즈마 챔버의 아크 검출 장치는 전원 공급원으로부터 플라즈마 챔버로 공급되는 무선 주파수 전력의 전압 및 전류를 각각 감지하고 감지된 전압 및 전류 값의 비율을 검출하여 필요한 전원 공급의 제어가 이루어진다. 아크가 발생되는 것으로 판단되면 신속하게 전원 공급원를 제어하여 아크 발생에 의해 플라즈마 챔버 내부가 손상되거나 피처리 대상물이 오염 되는 것을 방지한다.

Description

플라즈마 챔버의 아크 검출 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING ARC IN PLASMA CHAMBER}
본 발명은 전원을 소비하는 부하에서 발생되는 아크를 검출하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로, 구체적으로는 무선 주파수 전원을 사용하여 플라즈마를 발생하는 플라즈마 챔버의 내부에서 발생되는 아크를 검출하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
전원을 소비하는 부하에서 발생되는 아크는 전원 공급 장치나 부하의 손상을 유발할 수 있다. 아크의 발생을 원천적으로 차단하는 것이 바람직하지만 여러 가지 원인에 의해서 아크가 발생할 수 있다. 그럼으로 아크가 발생되는 경우 이를 감지하여 아크가 지속적으로 발생되지 않도록 차단하는 기술적 노력이 계속되고 있다.
특히, 무선 주파수 전원을 사용하는 플라즈마 공정의 경우 아크 발생에 의해 플라즈마 챔버 내부의 손상과 작업 대상물에 대한 오염이 발생할 수 있다. 그럼으로 플라즈마 챔버 내부에서 발생되는 아크를 신속히 감지하고 이를 차단하기 위한 기술들이 제공되고 있다. 예를 들어, 급작스런 반사 적력의 변화를 감지하여 아크발생 여부를 판단하여 공급되는 무선 주파수 전원을 차단하거나 줄이는 방법이 있다. 그러나 플라즈마 챔버 내부에서 발생되는 아크에 의해 반드시 반사 전력의 증가 일어나는 것은 아니기 때문에 실효성을 높이기 어렵다.
플라즈마를 이용하는 반도체 제조 공정은 매우 높은 정밀도가 요구된다. 그럼으로 플라즈마 챔버 내부에서 발생되는 아크에 대한 정확한 감지와 신속한 전원 공급의 제어가 필요하다.
본 발명의 목적은 플라즈마 챔버의 내부에서 발생되는 아크에 대하여 보다 정확하게 감지할 수 있는 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법 및 장치를 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 플라즈마 챔버의 아크 검출 장치에 관한 것이다. 본 발명의 플라즈마 챔버의 아크 검출 장치는 전원 공급원으로부터 플라즈마 챔버로 공급되는 무선 주파수 전력의 전압 값을 검출하는 전압 센서; 상기 무선 주파수 전력의 전류 값을 검출하는 전류 센서; 상기 전압 센서 및 전류 센서에 의해서 검출된 전압 값 및 전류 값을 받아들여 전압전류비 값을 연산하는 전압전류비 검출회로; 및 상기 전압전류비 검출회로에서 연산된 전압전류비 값에 기초하여 상기 플라즈마 챔버의 내부에서 아크 발생 여부를 판단하는 제어부를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제어부는 상기 플라즈마 챔버의 내부에서 아크가 발생된 것으로 판단되는 경우 상기 전원 공급원의 무선 주파수 전력의 공급을 줄이는 제어를 수행한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제어부는 상기 플라즈마 챔버의 내부에서 아크가 발생된 것으로 판단되는 경우 상기 전원 공급원의 무선 주파수 전력의 공급을 차단시키는 제어를 수행한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제어부는 상기 플라즈마 챔버의 내부에서 아크가 발생된 것으로 판단되는 경우 먼저 상기 전원 공급원의 무선 주파수 전력의 공급을 줄이는 제어를 먼저 진행하고 이어 전력 공급을 차단하는 제어를 수행한다.
일 실시예에 있어서, 상기 전원 공급원으로부터 플라즈마 챔버로 공급되는 무선 주파수 전력의 반사 전력을 검출하는 반사전력 검출부; 상기 반사전력 검출부에 의해서 검출된 반사전력 값을 기준값과 비교하는 비교회로; 및 상기 비교회로에서 비교된 결과 값과 상기 전압전류비 검출회로에서 출력되는 저압전류비 값을 논리적으로 연산하여 상기 제어부로 제공하는 논리회로를 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제어부는 상기 논리회로에서 제공되는 논리 연산 값에 기초하여 상기 전원 공급원의 제어를 수행한다.
본 발명의 다른 일면에 따른 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법은: 전원 공급원으로부터 플라즈마 챔버로 공급되는 무선 주파수 전력의 전압 값을 검출하는 단계; 상기 검출된 전압 값과 전류 값으로 전압전류비 값을 연산하는 단계; 및 상기 연산된 전압전류비 값에 기초하여 상기 플라즈마 챔버의 내부에서 아크 발생 여부를 판단하는 단계를 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 아크 발생 여부를 판단하는 단계에서 아크 발생으로 판단되는 경우 상기 전원 공급의 무선 주파수 전력 공급을 제어하는 단계를 더 포함한다.
일 실시예에 있어서, 상기 무선 주파수 전력 공급의 제어는 공급되는 무선 주파수 전력을 감소하는 제어이다.
일 실시예에 있어서, 상기 무선 주파수 전력 공급의 제어는 공급되는 무선 주파수 전력을 차단하는 제어이다.
일 실시예에 있어서, 상기 무선 주파수 전력 공급의 제어는 공급되는 무선 주파수 전력을 감소한 이후에 차단하는 제어이다.
일 실시예에 있어서, 전원 공급원으로부터 플라즈마 챔버로 공급되는 무선 주파수 전력의 반사 전력 값을 검출하는 단계를 더 포함하고, 상기 아크 발생 여부를 판단하는 단계는 상기 검출된 반사 전력 값을 기초로하여 판단된다.
본 발명의 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법 및 장치는 플라즈마 챔버로 공급되는 무선 주파수 전력의 전압전류비율의 변화를 감지하여 아크 발생을 감지하고 전원 공급의 제어가 필요한 경우 신속하게 전원 공급원에 출력되는 무선 주파수 전력을 감소하거나 차단하여 아크 발생에 의해 플라즈마 챔버 내부가 손상되거나 피처리 대상물이 오염 되는 것을 방지한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 아크 검출 장치를 보여주는 블록도이다.
도 2는 도 1의 아크 검출 장치의 동작 과정을 보여주는 순서도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 아크 검출 장치를 보여주는 블록도이다.
도 4는 도 3의 아크 검출 장치의 동작 과정을 보여주는 순서도이다.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 각 도면에서 동일한 구성은 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 아크 검출 장치를 보여주는 블록도이다.
도 1을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 아크 검출 장치는 플라즈마 챔버(40)의 내부에서 발생되는 아크를 검출하고 이에 따라 신속하게 전원 공급원(10)를 제어하여 아크 발생에 의해 플라즈마 챔버 내부가 손상되거나 피처리 대상물이 오염 되는 것을 방지한다.
전원 공급원(10)에서 발생되는 무선 주파수 전력은 임피던스 매칭 유닛(30)을 통하여 플라즈마 챔버(40)의 내부에 구비된 상부 및 하부 전극(41, 42)으로 공급된다. 플라즈마 챔버(40)의 내부로 공정 가스가 공급되고 무선 주파수 전력이 공급되면 상부 전극(41)과 하부 전극(42) 사이에서 플라즈마(43)가 발생된다. 무선 주파수 전력이 공급되는 동안에는 플라즈마 챔버(40)의 내부에서 발생되는 플라즈마(43)의 임피던스 변화에 따라 임피던스 매칭 유닛(30)이 작동하여 적절한 임피던스 매칭을 이룬다. 그러나 급격한 전압 전류의 변화 즉, 아크가 발생되는 경우에는 임피던스 매칭 유닛(30)에 의한 조절이 어렵기 때문에 적절한 아크 검출과 아크 검출에 따른 전원 공급원(10)의 유기적인 제어가 필요하다.
본 발명의 아크 검출 장치는 전원 공급원(10)으로부터 플라즈마 챔버(40)로 공급되는 무선 주파수 전력의 전압 및 전류를 각각 감지하고 감지된 전압 및 전류 값의 비율을 검출하여 필요한 전원 공급의 제어가 이루어진다.
아크 검출 장치는 전압 센서(20)와 전류 센서(22)를 구비한다. 전압 센서 및 전류 센서(22)는 전원 공급원(10)으로부터 플라즈마 챔버(40)로 공급되는 무선 주파수 전력의 전압 및 전류를 각각 검출한다. 전압 센서(20)와 전류 센서(22)에 의해서 검출된 전압 값과 전류 값은 전압전류비 검출 회로(24)로 제공된다. 전압전류비 검출 회로(24)는 검출된 전압 값과 전류 값의 비율 값을 연산하여 제어부(26)로 제공한다. 예를 들어, 50 오옴의 부하에서, 정상적인 경우 50 볼트의 전압과 1 암페어의 전류가 검출되는 것을 정상 상태로 할 수 있다. 제어부(26)는 정상 상태의 기준값과 전압전류비 검출회로(24)에서 제공되는 전압전류비 값을 비교하면서 아크 발생 여부를 판단한다. 아크 밸생으로 판단되는 경우 제어부(26)는 전원 공급원(10)을 제어하여 전력 공급을 줄이거나 아크 발생이 계속되는 경우 전력 공급이 중단되도록 한다.
도 2는 도 1의 아크 검출 장치의 동작 과정을 보여주는 순서도이다.
도 2를 참조하여, 이상에서 설명된 본 발명의 제1 실시예에 따른 아크 검출 장치는 단계 S10에서 전압 센서(20) 및 전류 센서(22)를 이용하여 전류 및 전압을 검출한다. 단계 S20에서는 전압전류비 검출 회로(20)에 의해서 검출된 전압 및 전류 값에 대한 비율이 연산되어 제어부(26)로 제공된다. 단계 S30에서 제어부(26)는 전압전류비 검출회로(24)로부터 제공되는 전압전류비 값이 기준값과 비교하여 아크 발생 여부를 판단한다. 아크 발생이 이루어진 것으로 판단되면 제어부(26)는 전원 공급원(10)을 제어하여 무선 주파수 전력을 감소시키거나 필요하면 전력 공급을 차단시킨다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 아크 검출 장치를 보여주는 블록도이고, 도 4는 도 3의 아크 검출 장치의 동작 과정을 보여주는 순서도이다.
도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 아크 검출 장치는 상술한 제1 실시예의 구성과 기본적으로 동일하다. 그럼으로 동일한 구성에 대한 반복적인 설명은 생략한다. 제2 실시예에 다른 아크 검출 장치는 반사전력의 변화 여부를 더 포함하여 아크 발생 여부를 판단한다. 반사전력 검출회로(27)는 플라즈마 챔버(40)로 공급되어 반사되는 전력을 검출한다. 검출된 반사전력값은 비교회로(28)로 제공된다. 비교회로(28)는 기준값 설정부(29)에 설정된 기준값과 반전력값을 비교하여 그 결과를 논리회로(25)로 제공한다. 논리회로(25)는 비교회로(28)에서 입력되는 비교연산 값과 전압전류비 검출 회로에서 제공되는 전압전류비 검출값을 논리 연산하여 그 결과를 제어부(26)로 제공한다. 제어부(26)는 논리회로(25)에서 제공되는 논리 연산 값에 따라서 아크 발생 여부를 판단하고, 아크 발생이 이루어진 것으로 판단되면 제어부(26)는 전원 공급원(10)을 제어하여 무선 주파수 전력을 감소시키거나 필요하면 전력 공급을 차단시킨다.
이상에서 설명된 본 발명의 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법 및 장치의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다.
그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
10: 전원 공급원 20: 전압 센서
22: 전류 선서 24: 전압전류비 검출회로
25: 논리회로 26: 제어부
27: 반사전력 검출회로 28: 비교회로
29: 기준값 설정부 30: 임피던스 매칭 유닛
40: 플라즈마 챔버 41: 상부 전극
42: 하부 전극 43: 플라즈마

Claims (12)

  1. 전원 공급원으로부터 플라즈마 챔버로 공급되는 무선 주파수 전력의 전압 값을 검출하는 전압 센서;
    상기 무선 주파수 전력의 전류 값을 검출하는 전류 센서;
    상기 전압 센서 및 전류 센서에 의해서 검출된 전압 값 및 전류 값을 받아들여 전압전류비 값을 연산하는 전압전류비 검출회로; 및
    상기 전압전류비 검출회로에서 연산된 전압전류비 값에 기초하여 상기 플라즈마 챔버의 내부에서 아크 발생 여부를 판단하는 제어부를 포함하는 플라즈마 챔버의 아크 검출 장치에 있어서,
    전원 공급원으로부터 플라즈마 챔버로 공급되는 무선 주파수 전력의 반사 전력을 검출하는 반사전력 검출부;
    반사전력 검출부에 의해서 검출된 반사전력 값을 기준값과 비교하는 비교회로;
    비교회로에서 비교된 결과 값과 전압전류비 검출회로에서 출력되는 저압전류비 값을 논리적으로 연산하여 제어부로 제공하는 논리회로를 더 포함하는 플라즈마 챔버의 아크 검출 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 플라즈마 챔버의 내부에서 아크가 발생된 것으로 판단되는 경우 상기 전원 공급원의 무선 주파수 전력의 공급을 줄이는 제어를 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 아크 검출 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 플라즈마 챔버의 내부에서 아크가 발생된 것으로 판단되는 경우 상기 전원 공급원의 무선 주파수 전력의 공급을 차단시키는 제어를 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 아크 검출 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 플라즈마 챔버의 내부에서 아크가 발생된 것으로 판단되는 경우 먼저 상기 전원 공급원의 무선 주파수 전력의 공급을 줄이는 제어를 먼저 진행하고 이어 전력 공급을 차단하는 제어를 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 아크 검출 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는 논리회로에서 제공되는 논리 연산 값에 기초하여 상기 전원 공급원의 제어를 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 아크 검출 장치.
  7. 전원 공급원으로부터 플라즈마 챔버로 공급되는 무선 주파수 전력의 전압 값을 검출하는 단계;
    상기 검출된 전압 값과 전류 값으로 전압전류비 값을 연산하는 단계;
    전원 공급원으로부터 플라즈마 챔버로 공급되는 무선 주파수 전력의 반사 전력 값을 검출하는 단계; 및
    상기 연산된 전압전류비 값 또는 검출된 반사 전력 값중 어느 하나에 기초하여 상기 플라즈마 챔버의 내부에서 아크 발생 여부를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 아크 발생 여부를 판단하는 단계에서 아크 발생으로 판단되는 경우 상기 전원 공급의 무선 주파수 전력 공급을 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 무선 주파수 전력 공급의 제어는 공급되는 무선 주파수 전력을 감소하는 제어인 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 무선 주파수 전력 공급의 제어는 공급되는 무선 주파수 전력을 차단하는 제어인 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 무선 주파수 전력 공급의 제어는 공급되는 무선 주파수 전력을 감소한 이후에 차단하는 제어인 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법.
  12. 삭제
KR1020120020659A 2012-02-28 2012-02-28 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법 및 장치 KR101303040B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120020659A KR101303040B1 (ko) 2012-02-28 2012-02-28 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법 및 장치
TW102106709A TWI505319B (zh) 2012-02-28 2013-02-26 電漿室中之電弧的偵測方法及裝置
JP2013036464A JP2013179048A (ja) 2012-02-28 2013-02-26 プラズマチャンバーのアーク検出方法および装置
US13/779,181 US9170295B2 (en) 2012-02-28 2013-02-27 Method and apparatus for detecting arc in plasma chamber
CN2013101240370A CN103474321A (zh) 2012-02-28 2013-02-28 在等离子体室中检测电弧的方法和装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120020659A KR101303040B1 (ko) 2012-02-28 2012-02-28 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법 및 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101303040B1 true KR101303040B1 (ko) 2013-09-03

Family

ID=49002086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120020659A KR101303040B1 (ko) 2012-02-28 2012-02-28 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법 및 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9170295B2 (ko)
JP (1) JP2013179048A (ko)
KR (1) KR101303040B1 (ko)
CN (1) CN103474321A (ko)
TW (1) TWI505319B (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150069549A (ko) * 2013-12-13 2015-06-23 램 리써치 코포레이션 Ｒｆ 임피던스 모델 기반 폴트 검출
CN105414728A (zh) * 2015-12-25 2016-03-23 华中科技大学 一种空气等离子切割机单传感器引弧电路及其控制方法
KR101718927B1 (ko) * 2016-03-24 2017-03-22 이심규 RPS(Remote Plasma Source)의 불량 발생 인자 모니터링 장치
CN110291408A (zh) * 2017-02-16 2019-09-27 应用材料公司 用于测量高温环境中的射频电功率的电压-电流探针及其校准方法
KR20210148545A (ko) 2020-05-29 2021-12-08 충남대학교산학협력단 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013110883B3 (de) 2013-10-01 2015-01-15 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Vorrichtung und Verfahren zur Überwachung einer Entladung in einem Plasmaprozess
US10431428B2 (en) 2014-01-10 2019-10-01 Reno Technologies, Inc. System for providing variable capacitance
US9745660B2 (en) 2014-05-02 2017-08-29 Reno Technologies, Inc. Method for controlling a plasma chamber
EP2905801B1 (en) * 2014-02-07 2019-05-22 TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. Method of monitoring the discharge in a plasma process and monitoring device for monitoring the discharge in a plasma
DE102014212439A1 (de) * 2014-06-27 2015-12-31 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zum Betrieb eines Leistungsgenerators und Leistungsgenerator
US20160233059A1 (en) * 2015-02-06 2016-08-11 Ionfield Holdings, Llc Methods and systems for generating plasma to clean objects
KR101751611B1 (ko) * 2015-11-10 2017-06-28 한양대학교 산학협력단 플라스마 발생 장치 및 플라스마 발생 제어 방법
KR102107160B1 (ko) * 2015-12-04 2020-05-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 프로세싱을 위한 아킹 검출 장치
CN107293465B (zh) * 2016-03-31 2019-02-26 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子体电弧监测方法及装置
US11470711B2 (en) * 2017-05-16 2022-10-11 Fuji Corporation Plasma generator with connector-cable detector
KR102524810B1 (ko) 2017-12-26 2023-04-24 삼성전자주식회사 반도체 공정의 제어 방법
JP7059969B2 (ja) * 2019-03-05 2022-04-26 日本電産株式会社 プラズマ処理装置
CN111926308B (zh) * 2020-08-24 2022-08-12 湖南红太阳光电科技有限公司 一种等离子体放电异常的处理方法
CN114446752B (zh) * 2020-11-04 2024-04-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理腔内的电弧的检测方法及检测装置
US20220406581A1 (en) * 2021-06-18 2022-12-22 Applied Materials, Inc. Methods for detecting arcing in power delivery systems for process chambers

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008084747A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Daihen Corp プラズマ処理システムのアーク検出装置、アーク検出装置を実現するためのプログラム及び記憶媒体
JP2011113696A (ja) * 2009-11-25 2011-06-09 Ulvac Japan Ltd 電源装置

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5770922A (en) * 1996-07-22 1998-06-23 Eni Technologies, Inc. Baseband V-I probe
US5971591A (en) * 1997-10-20 1999-10-26 Eni Technologies, Inc. Process detection system for plasma process
US6449568B1 (en) * 1998-02-27 2002-09-10 Eni Technology, Inc. Voltage-current sensor with high matching directivity
US6326584B1 (en) * 1999-12-31 2001-12-04 Litmas, Inc. Methods and apparatus for RF power delivery
US7960670B2 (en) * 2005-05-03 2011-06-14 Kla-Tencor Corporation Methods of and apparatuses for measuring electrical parameters of a plasma process
US8703249B2 (en) * 2002-04-17 2014-04-22 Lam Research Corporation Techniques for reducing arcing-related damage in a clamping ring of a plasma processing system
US6791274B1 (en) * 2003-07-15 2004-09-14 Advanced Energy Industries, Inc. RF power control device for RF plasma applications
US6967305B2 (en) * 2003-08-18 2005-11-22 Mks Instruments, Inc. Control of plasma transitions in sputter processing systems
US7115210B2 (en) * 2004-02-02 2006-10-03 International Business Machines Corporation Measurement to determine plasma leakage
US7292045B2 (en) * 2004-09-04 2007-11-06 Applied Materials, Inc. Detection and suppression of electrical arcing
US7305311B2 (en) * 2005-04-22 2007-12-04 Advanced Energy Industries, Inc. Arc detection and handling in radio frequency power applications
JP4837368B2 (ja) * 2005-11-30 2011-12-14 株式会社ダイヘン プラズマ処理システムのアーク検出装置
US8217299B2 (en) * 2007-02-22 2012-07-10 Advanced Energy Industries, Inc. Arc recovery without over-voltage for plasma chamber power supplies using a shunt switch
KR100935406B1 (ko) * 2007-06-08 2010-01-06 주식회사 플라즈마트 플라즈마 이상 감지 장치와 플라즈마 이상 감지 방법
WO2009023135A1 (en) * 2007-08-15 2009-02-19 Applied Materials, Inc. Apparatus for wafer level arc detection at an rf bias impedance match to the pedestal electrode
EP2075823B1 (en) * 2007-12-24 2012-02-29 Huettinger Electronic Sp. z o. o Current change limiting device
US8289029B2 (en) * 2008-02-14 2012-10-16 Mks Instruments, Inc. Application of wideband sampling for arc detection with a probabilistic model for quantitatively measuring arc events
JP2011525682A (ja) * 2008-05-14 2011-09-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド Ｒｆ電力供給のための時間分解チューニングスキームを利用したパルス化プラズマ処理の方法及び装置
KR101606734B1 (ko) * 2008-07-07 2016-03-28 램 리써치 코포레이션 플라즈마 프로세싱 챔버에서 인시츄 아킹 이벤트들을 검출하기 위한 패시브 용량성-커플링된 정전식 (ｃｃｅ) 프로브 장치
CN102084471B (zh) * 2008-07-07 2012-11-28 朗姆研究公司 用于检测等离子体处理室中的等离子体不稳定的无源电容耦合静电(cce)探针装置
JP4492975B2 (ja) * 2008-11-14 2010-06-30 芝浦メカトロニクス株式会社 電源、スパッタ用電源及びスパッタ装置
US8674606B2 (en) * 2009-04-27 2014-03-18 Advanced Energy Industries, Inc. Detecting and preventing instabilities in plasma processes
US20120000765A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 Primestar Solar, Inc. Methods of arc detection and suppression during rf sputtering of a thin film on a substrate
WO2012094416A1 (en) * 2011-01-04 2012-07-12 Advanced Energy Industries, Inc. System level power delivery to a plasma processing load

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008084747A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Daihen Corp プラズマ処理システムのアーク検出装置、アーク検出装置を実現するためのプログラム及び記憶媒体
JP2011113696A (ja) * 2009-11-25 2011-06-09 Ulvac Japan Ltd 電源装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150069549A (ko) * 2013-12-13 2015-06-23 램 리써치 코포레이션 Ｒｆ 임피던스 모델 기반 폴트 검출
KR102339317B1 (ko) * 2013-12-13 2021-12-14 램 리써치 코포레이션 Ｒｆ 임피던스 모델 기반 폴트 검출
CN105414728A (zh) * 2015-12-25 2016-03-23 华中科技大学 一种空气等离子切割机单传感器引弧电路及其控制方法
KR101718927B1 (ko) * 2016-03-24 2017-03-22 이심규 RPS(Remote Plasma Source)의 불량 발생 인자 모니터링 장치
CN110291408A (zh) * 2017-02-16 2019-09-27 应用材料公司 用于测量高温环境中的射频电功率的电压-电流探针及其校准方法
CN110291408B (zh) * 2017-02-16 2022-12-13 应用材料公司 用于测量高温环境中的射频电功率的电压-电流探针及其校准方法
KR20210148545A (ko) 2020-05-29 2021-12-08 충남대학교산학협력단 플라즈마 공정 장비 접지 전압 모니터링을 통한 아킹 예보 및 모니터링 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
TW201351470A (zh) 2013-12-16
TWI505319B (zh) 2015-10-21
US20130221847A1 (en) 2013-08-29
JP2013179048A (ja) 2013-09-09
CN103474321A (zh) 2013-12-25
US9170295B2 (en) 2015-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101303040B1 (ko) 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법 및 장치
US9887070B2 (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR102325238B1 (ko) 플라즈마 공정의 전력 공급 동안 발생하는 아크를 검출하는 방법, 플라즈마 전력 공급부에 대한 제어 유닛, 및 플라즈마 전력 공급부
JP2006140440A (ja) 電気アークの検出および抑制
KR20150020128A (ko) 챔버 데이터를 이용한 유리 파손과 아킹의 검출
JP2016054041A (ja) 高周波電源装置
KR20080006750A (ko) 반도체소자 제조용 플라즈마 도핑 시스템
KR101302158B1 (ko) 플라즈마 처리장치 제어방법
WO2019082564A1 (ja) アーク検出回路、ブレーカシステム、接続箱システム、パワーコンディショナ、マイクロインバータ、ｄｃオプティマイザ及びアーク検出方法
KR20140107124A (ko) 플라즈마 처리 장치
KR101236208B1 (ko) 아크 검출 전력제어 장치 및 방법
US9378932B2 (en) Device and process for preventing substrate damages in a DBD plasma installation
KR20090124119A (ko) 능동 보호 회로를 구비한 전원 공급 장치 및 그 제어방법
JP4251611B2 (ja) 電源、スパッタ用電源及びスパッタ装置
US10751820B2 (en) Wire electrical discharge machine with deterioration detection function for feeder
JPS5744469A (en) Device for preventing damage of torch for plasma arc
JP2010127720A (ja) 動特性検査装置
JP6586556B2 (ja) スパッタ装置用電源装置
KR101439917B1 (ko) 펄스 출력 모듈의 아크 차단 장치
KR102524810B1 (ko) 반도체 공정의 제어 방법
JP2009059714A (ja) 電源、スパッタ用電源及びスパッタ装置
CN106208164A (zh) 一种传感器供电控制方法及装置
JP2006288009A (ja) 高周波電源装置
JP2006288009A5 (ko)
JPH11111184A (ja) マイクロ波発生装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160809

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170828

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180829

Year of fee payment: 6