JP5736224B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
図5Aは、本発明の第1の実施形態による半導体集積回路装置の半導体レイアウトを示す平面図である。図5Bは、図5Aの半導体レイアウトで実現される回路の構成を示す回路図である。まず、図5Bの回路図について説明する。
図6は、本発明の第2の実施形態による半導体集積回路装置の半導体レイアウトを示す平面図である。図6の半導体レイアウトが実現する回路については、図5Bに示した本発明の第1の実施形態の場合と同じであるので、さらなる詳細な説明を省略する。図6の半導体レイアウトは、図5Aに示した本発明の第1の実施形態の半導体レイアウトに、以下の変更を加えたものに等しい。すなわち、第3〜第6の転送回路DQ3〜DQ6のそれぞれにおける第1および第2のトランジスタDQ3T1〜DQ6T1およびDQ3T2〜DQ6T2の位置を交換する。
図7は、本発明の第3の実施形態による半導体集積回路装置の半導体レイアウトを示す平面図である。図7の半導体レイアウトが実現する回路については、図5Bに示した本発明の第1の実施形態の場合と同じであるので、さらなる詳細な説明を省略する。図7の半導体レイアウトは、図5Aに示した本発明の第1の実施形態の半導体レイアウトに、以下の変更を加えたものに等しい。すなわち、図5Aにおいて、第1および第3の拡散層DL1およびDL3、または、第2および第4の拡散層DL2およびDL4のように、縦方向に並んだ2つの拡散層を共有化して1つの共有型拡散層に変更する。また、図5Aにおいて、第1および第2の共有型拡散層CDL1およびCDL2のように縦方向に並んだ2つの共有型拡散層についても、さらなる共有化を行って1つの共有型拡散層に変更する。
図8は、本発明の第4の実施形態による半導体集積回路装置の半導体レイアウトを示す平面図である。図8の半導体レイアウトが実現する回路については、図5Bに示した本発明の第1の実施形態の場合と同じであるので、さらなる詳細な説明を省略する。本発明の第1〜第3の実施形態では、いわゆるオーブンビット線方式のセンスアンプを扱ったが、本実施形態では、いわゆる折り返し型ビット線方式のセンスアンプを扱う。したがって、本発明の第1〜第3の実施形態では1つのメモリセルアレイに最大で合計2本のビット線またはダミービット線が接続されていたが、本実施形態では1つのメモリセルアレイに最大で合計4本のビット線またはダミービット線が接続されている。また、本発明の第1〜第3の実施形態では隣接する2つのメモリセルアレイが2つの拡散層または2つの共有型拡散層の間に配置されていたが、本実施形態では、2つの共有型拡散層の間に配置されたメモリセルアレイの数は1つである。
図9は、本発明の第4の実施形態による半導体集積回路装置の半導体レイアウトを示す平面図である。図9の半導体レイアウトが実現する回路については、図5Bに示した本発明の第1の実施形態の場合と同じであるので、さらなる詳細な説明を省略する。図9の半導体レイアウトは、本発明の第4の実施形態では図8の横方向に並べられている第1および第2の構成単位を、縦方向に並べ替えたものに等しい。すなわち、図9に示す本実施形態による第1および第2のメモリセルアレイMCA1およびMCA2は、図8に示した本発明の第4の実施形態による第1および第2のメモリセルアレイMCA1およびMCA2に等しい。また、図9に示す本実施形態による第1〜第3の共有型拡散層は、図8に示した本発明の第4の実施形態による第1〜第3の共有型拡散層に等しい。同様に、図9における第3および第4のメモリセルアレイMCA3およびMCA4は、図8に示した本発明の第4の実施形態による第2および第3のメモリセルアレイMCA2およびMCA3に等しい。図9に示す本実施形態による第4〜第6の共有型拡散層は、図8に示した本発明の第4の実施形態による第4〜第6の共有型拡散層に等しい。さらに、図9に示す本実施形態によるバス線BUS1も、図8に示した本発明の第4の実施形態と同様に、第2、第4および第6の共有型拡散層CDL2、CDL4およびCDL6に接続されている。また、図9に示す本実施形態によるダミーバス線DBUS1も、図8に示した本発明の第4の実施形態と同様に、第1、第3および第5の共有型拡散層CDL1、CDL3およびCDL5に接続されている。
図10は、本発明の第4の実施形態による半導体集積回路装置の半導体レイアウトを示す平面図である。図10の半導体レイアウトが実現する回路については、図5Bに示した本発明の第1の実施形態の左側半分、すなわち第1〜第4の転送回路DQ1〜DQ4に係る部分と同じであるので、さらなる詳細な説明を省略する。
BUS1 バス線
CDL1〜CDL6 共有型拡散層
DBL1〜DBL8 ダミービット線
DBUS1 ダミーバス線
DC1〜DC8 ダミーセル
DL1〜DL8 拡散層
DQ 転送回路
DQ1〜DQ8 転送回路
DQT1、DQT2 トランジスタ
DQ1T1〜DQ8T1 トランジスタ
DQ1T2〜DQ8T2 トランジスタ
DWL1、DWL2 ダミーワード線
EQ イコライザ回路
MC1〜MC8 メモリセル
MCA1〜MCA4 メモリセルアレイ
SA センスアンプ回路
SA1〜SA4 センスアンプ
WL1、WL2 ワード線
YSW1〜YSW8 カラム選択信号線
Claims (14)
- 配線対と、
前記配線対の一方にソースまたはドレインが接続された第1のトランジスタ群と、
前記配線対の他方にソースまたはドレインが接続された第2のトランジスタ群と、
前記第1のトランジスタ群が形成された第1の拡散層群と、
前記第2のトランジスタ群が形成された第2の拡散層群と
を具備し、
前記第1の拡散層群は、
第1および第2の拡散層と、
前記第1のトランジスタ群に含まれて、かつ、ソースまたはドレインを共有する少なくとも2つのトランジスタが形成された第1の共有型拡散層と
を具備し、
前記第2の拡散層群は、
第3および第4の拡散層と、
前記第2のトランジスタ群に含まれて、かつ、ソースまたはドレインを共有する少なくとも2つのトランジスタが形成された第2の共有型拡散層と
を具備し、
前記第1の拡散層と、前記第2の共有型拡散層と、前記第2の拡散層とが第1の方向に、かつ、この順番に配置されており、
前記第3の拡散層と、前記第1の共有型拡散層と、前記第4の拡散層とが前記第1の方向に、かつ、この順番に配置されている
半導体集積回路装置。 - 前記配線対の前記一方における第1の容量負荷と、前記配線対の前記他方における第2の容量負荷とはほぼ等しい請求項1に記載の半導体集積回路装置。
- 請求項1に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1の方向にこの順番に配置された第1〜第4のメモリセルアレイを有する複数のメモリセルアレイ
を具備し、
前記第1のメモリセルアレイと、前記第1の拡散層と、前記第2の共有型拡散層と、前記第2の拡散層と、前記第2のメモリセルアレイと、前記第3のメモリセルアレイと、前記第3の拡散層と、前記第1の共有型拡散層と、前記第4の拡散層と前記第4のメモリセルアレイとが、前記第1の方向に、かつ、この順番に配置されている
半導体集積回路装置。 - 請求項1に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1の方向にこの順番に配置された第1および第2のメモリセルアレイを有する複数のメモリセルアレイ
を具備し、
前記第1のメモリセルアレイと、前記第1の拡散層と、前記第2の共有型拡散層と、前記第2の拡散層と、前記第2のメモリセルアレイとが、前記第1の方向に、かつ、この順番に配置されていて、
前記第1のメモリセルアレイと、前記第3の拡散層と、前記第1の共有型拡散層と、前記第4の拡散層と前記第2のメモリセルアレイとが、前記第1の方向に、かつ、この順番に配置されている
半導体集積回路装置。 - 配線対と、
前記配線対の一方にソースまたはドレインが接続された第1のトランジスタ群と、
前記配線対の他方にソースまたはドレインが接続された第2のトランジスタ群と、
前記第1のトランジスタ群が形成された第1の拡散層群と、
前記第2のトランジスタ群が形成された第2の拡散層群と
を具備し、
前記第1の拡散層群は、
前記第1のトランジスタ群に含まれて、前記ソースまたは前記ドレインを共有する2つのトランジスタが形成された第1および第2の2トランジスタ共有型拡散層と、
前記第1のトランジスタ群に含まれて、前記ソースまたは前記ドレインを共有する4つのトランジスタが形成された第1の4トランジスタ共有型拡散層と
を具備し、
前記第2の拡散層群は、
前記第2のトランジスタ群に含まれて、前記ソースまたは前記ドレインを共有する2つのトランジスタが形成された第3および第4の2トランジスタ共有型拡散層と、
前記第2のトランジスタ群に含まれて、前記ソースまたは前記ドレインを共有する4つのトランジスタが形成された第2の4トランジスタ共有型拡散層と
を具備し、
第1の方向にこの順番に配置された第1および第2のメモリセルアレイと、
前記第1の方向にこの順番に配置された第3および第4のメモリセルアレイとを有する複数のメモリセルアレイ
を具備し、
前記第1のメモリセルアレイと、前記第1の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第2の4トランジスタ共有型拡散層と、前記第2の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第2のメモリセルアレイとが、前記第1の方向に、かつ、この順番に配置されており、
前記第3のメモリセルアレイと、前記第3の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第1の4トランジスタ共有型拡散層と、前記第4の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第4のメモリセルアレイとが、前記第1の方向に、かつ、この順番に配置されている
半導体集積回路装置。 - 請求項5に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1のメモリセルアレイと、前記第1の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第2の4トランジスタ共有型拡散層と、前記第2の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第2のメモリセルアレイとが、前記第1の方向に、かつ、この順番に配置されている第1の構成単位であって、
前記第3のメモリセルアレイと、前記第3の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第1の4トランジスタ共有型拡散層と、前記第4の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第4のメモリセルアレイとが、前記第1の方向に、かつ、この順番に配置されている第2の構成単位であって、
前記第1および前記第2の構成単位は、前記第1の方向に配置されている
半導体集積回路装置。 - 請求項5に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1のメモリセルアレイと、前記第1の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第2の4トランジスタ共有型拡散層と、前記第2の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第2のメモリセルアレイとが、前記第1の方向に、かつ、この順番に配置されている第1の構成単位であって、
前記第3のメモリセルアレイと、前記第3の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第1の4トランジスタ共有型拡散層と、前記第4の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第4のメモリセルアレイとが、前記第1の方向に、かつ、この順番に配置されている第2の構成単位であって、
前記第1および前記第2の構成単位は、前記第1の方向とは異なる第2の方向に配置されている
半導体集積回路装置。 - 配線対と、
前記配線対の一方にソースまたはドレインが接続された第1のトランジスタ群と、
前記配線対の他方にソースまたはドレインが接続された第2のトランジスタ群と、
前記第1のトランジスタ群が形成された第1の拡散層群と、
前記第2のトランジスタ群が形成された第2の拡散層群と
を具備し、
前記第1の拡散層群は、
前記第1のトランジスタ群に含まれて、前記ソースまたは前記ドレインを共有する2つのトランジスタが形成された第1および第2の2トランジスタ共有型拡散層と、
前記第1のトランジスタ群に含まれて、前記ソースまたは前記ドレインを共有する4つのトランジスタが形成された第1の4トランジスタ共有型拡散層と
を具備し、
前記第2の拡散層群は、
前記第2のトランジスタ群に含まれて、前記ソースまたは前記ドレインを共有する2つのトランジスタが形成された第3および第4の2トランジスタ共有型拡散層と、
前記第2のトランジスタ群に含まれて、前記ソースまたは前記ドレインを共有する4つのトランジスタが形成された第2の4トランジスタ共有型拡散層と
を具備し、
前記第1の方向にこの順番に配置された第1〜第3のメモリセルアレイを有する複数のメモリセルアレイ
を具備し、
前記第1のメモリセルアレイと、前記第1の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第2の4トランジスタ共有型拡散層と、前記第2の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第2のメモリセルアレイと、前記第3の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第1の4トランジスタ共有型拡散層と、前記第4の2トランジスタ共有型拡散層と、前記第3のメモリセルアレイとが、前記第1の方向に、かつ、この順番に配置されている
半導体集積回路装置。 - 請求項1に記載の半導体集積回路装置において、
前記第1の共有型拡散層は、
前記第1のトランジスタ群に含まれて、前記ソースまたは前記ドレインを共有する4つのトランジスタが形成された第1の4トランジスタ共有型拡散層
を具備し、
前記第2の共有型拡散層は、
前記第2のトランジスタ群に含まれて、前記ソースまたは前記ドレインを共有する4つのトランジスタが形成された第2の4トランジスタ共有型拡散層
を具備し、
前記第1の方向にこの順番に配置された第1および第2のメモリセルアレイを有する複数のメモリセルアレイ
を具備し、
前記第1のメモリセルアレイと、前記第1の4トランジスタ共有型拡散層と、前記第2の4トランジスタ共有型拡散層と、前記第2のメモリセルアレイとは、前記第1の方向に、かつ、この順番に配置されている
半導体集積回路装置。 - 請求項3〜9のいずれかに記載の半導体集積回路装置と、
前記複数のメモリセルアレイに接続された複数のビット線と、
前記複数のメモリセルアレイに接続された複数のワード線と
前記配線対を含む複数のバス線と、
前記第1および前記第2のトランジスタ群を含む複数のカラム選択回路と、
前記複数のカラム選択回路を含む複数のセンスアンプ回路と
を具備する
半導体記憶装置。 - 配線対と、
第1および第2トランジスタと、ソースまたはドレインを共有する第3および第4トランジスタとをそれぞれ有する複数のユニットと
を具備し、
前記複数のユニットは隣接する第1および第2のユニットを有し、
前記第1のユニットに含まれる前記第1および第2トランジスタのそれぞれのソースまたはドレインの一方は前記配線対の一方に接続され、
前記第1ユニットに含まれる第3および第4のトランジスタの共有するソースまたはドレインは前記配線対の他方に接続され、
前記第2ユニットに含まれる前記第1および第2のトランジスタのそれぞれのソースまたはドレインの一方は前記配線対の他方に接続され、
前記第2ユニットに含まれる第3および第4のトランジスタの共有するソースまたはドレインは前記配線対の一方に接続される
半導体集積回路装置。 - 前記複数のユニットのそれぞれは、第5乃至第8トランジスタをさらに有し、
前記第5トランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第1トランジスタのソースまたはドレインの一方と共有し、
前記第6トランジスタのソースまたはドレインの一方は前記第2トランジスタのソースまたはドレインの一方を共有し、
前記第7および第8トランジスタのソースまたはドレインは前記第3および第4トランジスタとソースまたはドレインを共有する
請求項11に記載の半導体集積回路装置。 - 第1および第2のビット線対をさらに有し、
前記第1のビット線対の一方は前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続され、
前記第1のビット線対の他方は前記第3のトランジスタの前記第4のトランジスタと共有していないソースまたはドレインと接続され、
前記第2のビット線対の一方は前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続され、
前記第2のビット線対の他方は前記第4のトランジスタの前記第3のトランジスタと共有していないソースまたはドレインと接続され、
前記第1および前記第3のトランジスタのゲートは共通接続され、
前記第2および前記第4のトランジスタのゲートは共通接続される
請求項11に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第1のユニットと前記配線対の一方を接続する第1配線と、前記第2のユニットと前記配線対の一方を接続する第2配線とは本数が異なる請求項11に記載の半導体集積回路装置。
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