JP2004062997A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004062997A JP2004062997A JP2002220111A JP2002220111A JP2004062997A JP 2004062997 A JP2004062997 A JP 2004062997A JP 2002220111 A JP2002220111 A JP 2002220111A JP 2002220111 A JP2002220111 A JP 2002220111A JP 2004062997 A JP2004062997 A JP 2004062997A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sense amplifier
- bit
- bit line
- sense
- bit lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract description 70
- 101000575029 Bacillus subtilis (strain 168) 50S ribosomal protein L11 Proteins 0.000 description 14
- 102100035793 CD83 antigen Human genes 0.000 description 14
- 101000946856 Homo sapiens CD83 antigen Proteins 0.000 description 14
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 101001105315 Bacillus subtilis (strain 168) 50S ribosomal protein L17 Proteins 0.000 description 2
- 101000676341 Bacillus subtilis (strain 168) 50S ribosomal protein L27 Proteins 0.000 description 2
- 101001106523 Homo sapiens Regulator of G-protein signaling 1 Proteins 0.000 description 2
- 102100021269 Regulator of G-protein signaling 1 Human genes 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 101710135934 50S ribosomal protein L36 Proteins 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
【課題】ダミーセルアレイの排除、またはビット線容量のアンバランス若しくはこれを原因とする隣接ノイズの低減による特性の改善ができる。
【解決手段】メモリアレイ部で、センスアンプ列10がセンスアンプ1を1列に並べ、隣り合うセンスアンプ列のセンスアンプとの間でセンスアンプを千鳥配置とする際、最側端のセンスアンプ列10−1が両側に隣接するセルアレイ11−0h,11−1hのビット線/BL1,BL1を対にし、センスアンプ列10−1に隣り合うセンスアンプ列10−2がセルアレイ11−0h,11−1h両者のビット線を直列接続して対のうち一方のビット線/BL2aにしている。センスアンプ列10−2が、対のうち他方のビット線BL2pを、隣り合うセンスアンプ列10−3とこの両側のセルアレイ11(−2,−3)とを上記同様に構成し、対のビット線BL2(a)として容量バランスを図ることもできる。
【選択図】 図1
【解決手段】メモリアレイ部で、センスアンプ列10がセンスアンプ1を1列に並べ、隣り合うセンスアンプ列のセンスアンプとの間でセンスアンプを千鳥配置とする際、最側端のセンスアンプ列10−1が両側に隣接するセルアレイ11−0h,11−1hのビット線/BL1,BL1を対にし、センスアンプ列10−1に隣り合うセンスアンプ列10−2がセルアレイ11−0h,11−1h両者のビット線を直列接続して対のうち一方のビット線/BL2aにしている。センスアンプ列10−2が、対のうち他方のビット線BL2pを、隣り合うセンスアンプ列10−3とこの両側のセルアレイ11(−2,−3)とを上記同様に構成し、対のビット線BL2(a)として容量バランスを図ることもできる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一つのメモリアレイ部が縦列を形成する所定数のワード線と横行を形成する所定数のビット線とが互いに直交する交点それぞれに一つのメモリセルを配列するセルアレイと、各ビット線の中央に設けられるセンスアンプが縦列を形成するセンスアンプ列とを有するオープンビット線構造の半導体記憶装置に関する。かつ、メモリアレイ部がセンスアンプを縦に一列に配したセンスアンプ列は両側にセルアレイを配し、隣り合うセンスアンプ列でそれぞれのセンスアンプの位置を少しずらすことにより、各センスアンプ列のセンスアンプが各セルアレイのビット線を交互に使用する千鳥配置を形成する半導体記憶装置に関する。
【0002】
特に、高集積化、動作の高速化を実現するため、ダミーセルアレイの排除、またはビット線容量のアンバランス若しくはこれを原因とする隣接ノイズの低減による特性の改善ができる半導体記憶装置に関する。
【0003】
【従来の技術】
半導体記憶装置、例えば、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)では、縦列を形成する所定数のワード線WLと横行を形成する所定数のビット線BLとが互いに直交する交点にメモリセルを配列するセルアレイと、各ビット線の中央に設けられるセンスアンプが縦列を形成するセンスアンプ列とを有するオープンビット線構造が採用されている。
【0004】
このような、センスアンプを一列に並べた構造では、集積度が上がりビット線ピッチが小さくなった場合、センスアンプを一列にビット線ピッチで並べることは困難である。すなわち、この構造では、メモリセルを微細化したとしても高集積化が難しいという問題が生じる。
【0005】
このような問題を解決するためには、センスアンプをビット線方向に1つおきにずらし、ビット線の両側に交互にセンスアンプを配置する周知の配置(以後、これを千鳥配置と称する)がある。千鳥配置では、それまでのビット線ピッチに対してほぼ二倍のピッチでセンスアンプを配置することができる。更に、一つのセンスアンプが占める領域を比較的広くとることができるため、センスアンプを一列に並べるよりは高集積化し易い。
【0006】
図8を参照して、オープンビット線構造で千鳥配置したセンスアンプ1を有する構成について説明する。図8は、一つのメモリアレイ部の構造を示す。
【0007】
図示されるメモリアレイ部では、9つのセンスアンプ列10(−1〜−9)のそれぞれが10個のセルアレイ11(−0〜−9)の間に配置されている。例えば、センスアンプ列10−1では、i番目にセンスアンプ1−1iを配置した一列が形成される。センスアンプ列10−2では、i番目にセンスアンプ1−2iを配置した一列が形成される。以下同様である。セルアレイ11−0では、ビット線BLがオープンビット線構造を形成し、上述したように、ビット線BLと直交するワード線WLがn本存在する。また、オープンビット線構造は、一交点セル構造であり、ワード線WLとビット線BLの交点全てにセルが存在する構造をとる。
【0008】
千鳥配置されるセンスアンプ1は、例えば同番号で隣り合うセンスアンプ1−1i,1−2iが配置を少しずらし、センスアンプ列10−1,10−2それぞれの内側に配備され、センスアンプ列10−1,10−2に挟まれて配置されるセルアレイ11−1のビット線BLを交互に接続する。そして、例えばセンスアンプ1−2iはその両側に対になるビット線/BL2,BL2それぞれを接続する。この例では、ビット線/BL2はセルアレイ11−1、ビット線BL2はセルアレイ11−2それぞれに含まれる。
【0009】
ビット線に図示されるサフィックスは、ビット線の線長または形状を示す符号である。因みに「p」は従来のセルアレイ11(−0〜−9)それぞれに対応するビット線長を示す。
【0010】
従って、例えば、センスアンプ1−1iはその対のビット線/BL1,BL1を両脇に並ぶセルアレイ11−0,11−1それぞれのビット線BLと接続し、それらのビット線BLはビット線長pを有する。センスアンプ1−2iはその対のビット線/BL1,BL1を両脇に並ぶセルアレイ11−1,11−2それぞれのビット線BLと接続し、それらのビット線BLもビット線長pを有する。また、共通するセルアレイ11−1では、上記のビット線BL1とビット線/BL2とが隣接する。
【0011】
このようにして、i番目のセンスアンプ1−1iおよびセンスアンプ1−2iと「i+1」番目のセンスアンプ1−1(i+1)およびセンスアンプ1−2(i+1)とはそれぞれが隣接する。更に、セルアレイ11−1でのビット線BLiとビット線/BL(i+1)とは上述のように交互に隣接配置される。従って、セルアレイ11(−0〜−9)それぞれでのビット線BLの間隔を詰めることができる。
【0012】
しかし、このような構成では、両端のセルアレイ11−0,11−9が他と異なり使用されるビット線の数が半減する。
【0013】
対のビット線/BL,BLに直交するワード線を1本選択した場合、活性化するセンスアンプはビット線の両側となり、センスアンプ列の2列が活性化する。今、セルアレイ11−1上のワード線が選択されたとすると、活性化するのは両側のセンスアンプ列10−1、10−2である。それに対し、一番端のセルアレイ11−0はビット線の本数が半分しかなく、Yアドレスが不足するため、通常は使われない。しかし、センスアンプ列10−1のセンスアンプ1−1iに対してセルアレイ11−1上のビット線と対をなすビット線が必要であるため、セルアレイ11−0上のビット線はなくてはならないものである。セルアレイ11−9に対しても同様のことが言える。従って、両端に、通常使用されないセルアレイ領域がダミーセルアレイとして存在することになる。
【0014】
このような構造では、大容量化が進む上で、多バンク化または領域の細分化が行われる場合、一つのチップ上に図示されるようなメモリアレイ部が多数個存在することとなり、その分、ダミーセルアレイ領域の個数も増加する。例えば、図8で示される領域が1バンク分のメモリアレイ部であり、1チップで4バンク構成をとった場合、4つのアレイ領域が必要である。従って、ダミーセルアレイも4倍になる。このことは、チップ面積の増加につながり、高集積化にとっては不利である。
【0015】
上記のようなダミーセルアレイ領域を少しでも減らすために、例えば、ダミーセルアレイにおける折り返しビット線構造が考えられる。
【0016】
次に、図9を参照して、オープンビット線構造を有しかつセンスアンプを千鳥配置にした場合で、両端のダミーセルアレイでビット線を折り返した構造について説明する。図示されるビット線BLの番号符号に付加される符号「f」は折返しされたビット線を意味する。
【0017】
図9では、図8においてダミーとなったセルアレイ11−0,11−9がセルアレイ11−0f,11−9fそれぞれに差し替えられている。
【0018】
センスアンプ1(−1i〜−9i)とセンスアンプ列10(−1〜−9)とセルアレイ11(−1〜−8)およびその対になるビット線/BL,BLとは上記図8と同様である。図8と相違するダミーとなるセルアレイ11−0f,11−9fでは、プレートの中央でビット線/BL1,BL9それぞれが折り返されており、セルアレイ11−0fとセルアレイ11−1との対のビット線でアンバランスが出ないように、折返しビット線の長さ(容量)を対になるビット線にあわせてある。すなわち、ビット線/BL1p,/BL1fの両者、およびビット線BL9p,BL9fの両者それぞれの長さ(容量)は等しく形成されている。従って、ダミーのセルアレイ11−0f,11−9fそれぞれの面積は上述したダミーのセルアレイ11−0,11−9それぞれの面積に比べてほぼ半減できる。すなわち、メモリアレイ部毎にセルアレイのほぼ一つ分の面積が削減できることになる。
【0019】
ここで、上述とは違った高集積化方法の一つとして、センスアンプをそのセンスアンプ列の中でビット線方向にずらして配置することにより、センスアンプピッチを狭めてビット線ピッチ内に納めると共にダミーのセルアレイをなくす配置(以下、集中センスアンプ配置と称する)が考えられる。
【0020】
次に、図10を参照して、この高集積化を実現する例について説明する。図示されるメモリアレイ部では、上述した例と比較するため、例えば、二つのセンスアンプ列10−1、10−2を一つのセンスアンプ列10−12に形成したものとしている。すなわち、センスアンプ1−1iとセンスアンプ1−2iとはセンスアンプ部10−12で交互に少しずらして縦2列に平行配置される。
【0021】
すなわち、一つのセンスアンプ部10−12では、図示されるi番目のセンスアンプ1−1iの列とセンスアンプ1−2iの列とが列に対して垂直な方向に少しずらされて並ぶ。セルアレイ11−1a,11−2a,・・・は、上述したと同様で、例えばセルアレイ11−1aで、センスアンプ1−1iに接続する一方のビット線/BL1とセンスアンプ1−2iに接続する一方のビット線/BL2とが隣接する。ここでセンスアンプを2列としたが、4列などでもよく、センスアンプを少しづつずらして並べることによりビット線ピッチでセンスアンプを配置することができる。
【0022】
このような配置のため、センスアンプピッチによる制限がなく、また、ビット線ピッチでマスクを描くことができるため、メモリセルの微細化による高集積化を実現することが可能になる。また、センスアンプの上述した千鳥配置で存在したダミーセルアレイ領域も存在しないため、無駄な領域でチップ面積を増加させることもなくなる。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の半導体記憶装置では、次のような問題点がある。
【0024】
第1の問題点は、オープンビット線構造におけるセンスアンプの千鳥配置がセンスアンプ列のセルアレイ間の配置とするために生じる無駄であるダミーセルアレイ領域が依然として残っていることである。
【0025】
その理由は、センスアンプ列のセルアレイ間の配置により両端のセルアレイがダミーとなるからである。例え、折返しビット線構造にしてダミーセルアレイ領域を半減して、面積の削減が可能であっても、高集積化を実現する上では、出来る限りその面積を削減することが望ましい。
【0026】
第2の問題点は、ダミーセルアレイを除くため偶数のセンスアンプ列を一つのセンスアンプ列としてセルアレイの間に配置した集中センスアンプ配置の場合には、各センスアンプでセンス特性の悪化が見られることである。
【0027】
その理由は、各センスアンプに接続する対のビット線/BL,BLそれぞれの長さにアンバランスを生じるからである。すなわち、センスアンプはセンスアンプ列内でビット線方向にずらして配置するため、センスアンプを2列または4列並べて配置するような場合、センスアンプ列の幅が2倍または4倍と広くなる。
【0028】
従って、センスアンプ列内を通過する対のビット線/BL,BLの長さもその幅の広がり分だけ長くなる。従って、その分に対するビット線容量が増加する。更に、センスアンプの位置が増幅器列の位置によりビット線方向でセンスアンプ列の中心線から外れた位置になるためである。
【0029】
図10を参照すれば、示されるビット線番号にはこのビット線長の増加が符号「a」で表示されている。例えばセンスアンプ1−1iの対になるビット線/BL1,BL1のビット線対を見た場合、ビット線長/BL1(p)とビット線長BL1(a)とでセンスアンプ列10−12内を通過するビット線の長さに違いが現れる。すなわち、対のビット線/BL1,BL1ではビット線BL1の方が長い。他方、センスアンプ1−2iの対のビット線/BL2,BL2ではビット線/BL2の方が長い。このような、センスアンプ列内で長くなる方のビット線は、その分だけビット線容量が増加することになるので、特性的にも悪影響を与える。
【0030】
また、センスアンプ列に対してセンスアンプを詰めて配置しているため、センスアンプピッチが狭くなり、センスアンプ列内での隣接ノイズが増加する。これもセンス特性に対して悪影響となり、改善が必要な要素である。
【0031】
本発明の課題は、このような問題点を解決し、高集積化、動作の高速化を実現するため、ダミーセルアレイの排除、またはビット線容量のアンバランス若しくはこれを原因とする隣接ノイズの低減による特性の改善ができる半導体記憶装置を提供することである。
【0032】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体記憶装置は、オープンビット線構造を有しかつセンスアンプを千鳥配置にしたときに、両端に生じるダミーセルアレイ領域を無くし、チップ面積の低減ができること、またはセンスアンプ列内でのビット線容量の増加およびセンスアンプにおける対のビット線/BL,BLの容量のアンバランス、若しくは隣接ノイズ増加による特性の悪化を低減することを目的としている。
【0033】
すなわち、本発明による半導体記憶装置では、各メモリアレイ部が、縦列を形成する所定数のワード線WLと横行を形成する所定数のビット線BLとが互いに直交する交点にメモリセルを配列するセルアレイと各ビット線の中央に設けられるセンスアンプが縦列を形成するセンスアンプ列とを有するオープンビット線構造である。また、センスアンプは、ビット線方向に1つおきにずらし、ビット線の両側に交互にセンスアンプを配置する周知の千鳥配置である。更に、センスアンプを縦に一列に配したセンスアンプ列は両側に上記セルアレイを配し、隣り合うセンスアンプ列のセンスアンプの位置を少しずらすことにより、各センスアンプ列のセンスアンプが同一セルアレイのビット線を交互に使用している。
【0034】
そしてこの発明の一つの特徴は、隣接する二つのセルアレイと、このセルアレイに挟まれこのセルアレイにより対のビット線/BL,BLを接続するセンスアンプの列を有する第一のセンスアンプ列と、上記二つのセルアレイのビット線を直列接続して対のビット線/BL,BLのうちの一方に形成するセンスアンプの列を有する第二のセンスアンプ列とがメモリアレイ部の一つの側端部に配置されていることである。この構成を有する側端部ではダミーセルアレイがなくなる。すなわち、この構成を両側端部が有することによりメモリアレイ部から全てのダミーセルアレイをなくすことができる。
【0035】
また、この構成で、上記第一のセンスアンプ列が側端部から内側にずらして配置され、隣接する二つのセルアレイが少数ビットセルアレイであることにより、上記構造で第二のセンスアンプ列が有するセンスアンプの対のビット線/BL,BLの容量アンバランスを軽減できる。また、第一のセンスアンプ列が少数ビットによるビット線を接続するので、第一のセンスアンプ列に配置されるセンスアンプはその幅を縮小できる。
【0036】
このように、少数ビットによるビット線は、ビット線の容量が軽く、また隣接ビット線に対してはカップリングノイズを常にキャンセルする働きが得られるので、特性の改善が期待できる。
【0037】
また、別の形態では、上記第二のセンスアンプ列のセンスアンプそれぞれが、上記対のビット線/BL,BLのうちの他方のビット線を、第一のセンスアンプ列とは逆側に隣り合う第三のセンスアンプ列の両側に隣接する二つの少数ビットセルアレイが有する少数ビットによる対のビット線/BL,BLを直列接続して形成していることである。この場合、第二のセンスアンプ列に対応する対のビット線/BL,BLは容量バランスを取ることが容易である。この構成も、上記同様、上記組合せを構成するセルアレイは少数ビットセルアレイであり、メモリアレイ部のサイズを低減できる。この場合、一つ置きのセンスアンプ列毎で異なるセンスアンプのビット線容量を有することになる。
【0038】
また、更に、二つの組合せとこれを両側に隣接配置するビット線長の長い一つのセンスアンプ列とを一つのメモリアレイブロックとしてこのブロックの複数個を備えることにより、ダミーセルアレイの削除と、対のビット線/BL,BL両者の容量バランスとの両方の条件を充たすことができる。
【0039】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0040】
図1は、本発明の半導体記憶装置のメモリアレイ部構造に関する実施の一形態を示す図である。図では説明を簡便化するため、9つのセンスアレイ列10(−1〜−9)とこれらを間に配置するセルアレイ11(−0h,−1h,−2〜−7,−8h,−9h)とが示されている。センスアレイ列10(−1〜−9)それぞれには、縦列に備えられるセンスアンプ1(−1i〜−9i)がi番目により代表して示される。セルアレイ11(−0h,−1h,−2〜−7,−8h,−9h)には、ビット線BLがオープンビット線構造を形成し、上述したように、横行方向に延びるビット線BLと縦列方向に延びるn本のワード線WLとが存在する。また、オープンビット線構造は、一交点セル構造であり、ワード線WLとビット線BLの交点全てにセルが存在する構造を有している。
【0041】
図1に示されたメモリアレイ部構造が従来例の図8と相違する点はセルアレイ11−0h,11−1h,11−8h,11−9hにある。従って、センスアンプ列10−1のセンスアンプ1−1iの対のビット線/BL1,BL1と、センスアンプ列10−2のセンスアンプ1−2iのビット線/BL2と、センスアンプ列10−8のセンスアンプ1−8iのビット線BL8と、センスアンプ列10−9のセンスアンプ1−9iの対のビット線/BL9,BL9とである。
【0042】
ここで、本実施形態と上記従来例との構造上の相違を明確化するため、従来例は、1本のビット線に対してnビットセルを有するnビットセルアレイが用いられるものとする。
【0043】
ここで、セルアレイ11−0h,11−1h,11−8h,11−9hそれぞれは従来例のnビットアレイに対して少数ビットセルアレイである「n/2」ビットアレイであるものとする。従って、図示される「p」のつかない例えば対のビット線/BL1,BL1は「n/2」でビット線長も従来と比較してほぼ二分の一である。また、ビット線の番号符号に付加される記号はビット線長を表わし、例えば、ビット線長BL2pは、センスアンプ1−2iのビット線BLがnビットのセルアレイ幅を有していることを意味する。また、本実施形態で生じる「n/2」ビットアレイ幅の場合には記号は付加されないものとする。
【0044】
すなわち、オープンビット線構造でセンスアンプ1(−1〜−9)を千鳥配置にした際に、両側端のセンスアンプ1−1.1−9それぞれの列を内側にずらして配置する。この結果、通常のセルアレイ11−2〜11−7がビット線当たりnビットセルであるのに対して、セルアレイ11−0h,11−1h,11−8h,11−9hそれぞれが「n/2」ビットセルになるように、センスアンプ列10−1,10−9が配置される。
【0045】
これについて、図2を参照してセンスアンプ列10−1を例示して説明する。すなわち、センスアンプ列10−1は、両側のセルアレイ11−0h,11−1hがセルアレイ11−0,11−1それぞれの幅の半分になるような位置に配置されている。従って、センスアンプ列10−1をセルアレイ11−1の中央位置「B」に配備することにより、セルアレイ11−0hの外側で、ダミーとなっていたセルアレイ11−0分の領域「A」が不要になり、領域の低減が実現されている。
【0046】
この場合の、センスアンプ1−1iの対のビット線/BL1,BL1それぞれの長さは等しく、従来例と等しい例えばセンスアンプ1−3iのビット線対長/BL3p,BL3pの半分の長さである。
【0047】
図示されないが、センスアンプ列10−9およびその周辺も、同様の構造である。
【0048】
上述したように、オープンビット線構造を有しかつセンスアンプを千鳥配置にしたときでも、メモリアレイ部の両側端のセンスアンプ列を内側にずらして配置することにより、両側端のセンスアンプ列の外側に存在していたダミー領域をなくすことができる。従って、同じセンスアンプの千鳥配置に対して、チップ面積の低減が可能となる。これは多バンク構成または領域の分割が進み、図1に示されるようなメモリアレイ部が増えれば増えるほど、その効果は大きくなる。
【0049】
更に、図10で示される、もともとダミー領域を必要としない、センスアンプをセンスアンプ列内でずらして配置する集中センスアンプ配置と比べても、対ビット線ノイズの低減、センスアンプ列内ビット線長の削減ができ、特性の改善が可能である。
【0050】
次に、図3を参照して、最側端のセンスアンプ列とそのビット線対に関する発明の特性ついて詳細に説明する。
【0051】
図3は図1のセンスアンプ列10−1,10−2と「n/2」ビットのセルアレイ11−0h、11−1hとnビットのセルアレイ11−2とを抜き出して示す図である。また、セルアレイ11−0h、11−1hとセルアレイ11−2との関係をよりわかりやすくするため、ワード線WL1、WL2が追加表示されている。ここでは便宜上、ワード線WL1が、セルアレイ11−0hおよびセルアレイ11−1hに、4本のワード線WL1(a〜d)および4本のワード線WL1(e〜h)それぞれを有している。ワード線WL2がセルアレイ11−2に8本のワード線WL2(a〜h)を有している。
【0052】
ワード線WLの本数からも明らかなように「n/2」ビットのセルアレイ11−0h、11−1hにおけるビット線方向の長さは、nビットのセルアレイ11−2におけるビット線方向の長さの半分である。これは、図示されるセンスアンプ1−11〜1−18に対応するビット線/BL11〜/BL18とビット線BL11〜BL18とはそれぞれ、セルアレイ領域内で、センスアンプ1−21〜1−28に対応するビット線/BL21〜28の長さの半分の長さになっていることを意味する。実際の長さは、双方が同一の長さをセンスアンプ列内に有するので、完全な「1/2」の長さにはならない。
【0053】
このように、最側端のセンスアンプ列の対のビット線/BL,BLは他のセンスアンプ列の対のビット線/BL,BLに比べてその長さが半分であるため、そのビット線容量もほぼ半分となり、側端部のセルアレイに関してはセンスの際の特性改善が可能となる。
【0054】
次に、ワード線WL2のうちの一本でワード線WL2aが選択されたとする。選ばれたセルデータがビット線BL25に対してだけL(ロー)データであり、他のビット線に対しては全てH(ハイ)データであるとする。この場合、ビット線BL25はL側にセンスし、他のビット線BL21〜24、26〜28およびビット線/BL31〜38は全てH側にセンスする。
【0055】
この時、隣り合うビット線同士はカップリング容量を持っており、お互いの動作が影響する。お互いにH側にセンスしようとするビット線BL21〜BL24とビット線/BL31〜/BL34およびビット線BL26〜BL28とビット線/BL35〜/BL38とは、カップリング容量が同方向に働くため、センスを助けることになる。逆に、ビット線BL25だけは、L側にセンスしようとする。しかし、隣接するビット線/BL34,35は、H側にセンスしようとするためカップリング容量が逆方向に働き、センスを妨げることになり、その影響でビット線BL25のセンス特性が悪化することになる。このように通常はセンス特性に対するワーストパターンが存在することになる。
【0056】
これに対して、ワード線WL1のうちの一本が選択されたとする。センスアンプ列10−1の側端側で、ワード線WL1aが選択され、また、ビット線/BL25以外は選ばれたセルデータが全て「L」であるとする。この場合、ビット線/BL11〜/BL18はL側にセンスする。これに対をなすビット線BL11〜BL18はH側にセンスすることになる。また、ビット線/BL21〜/BL24およびビット線/BL26〜/BL28はL側にセンスするが、ビット線/BL25だけはH側にセンスする。ここでビット線/BL21と隣接する対のビット線/BL11,BL11の関係に注目すると、ビット線/BL21がL側にセンスするのに対し、ビット線BL11はH側にセンスし、カップリング容量が逆方向に働くことになる。
【0057】
しかし、同時にビット線/BL11はL側にセンスするため、ビット線/BL11とビット線/BL21とのカップリング容量は同方向に働くことになる。ビット線BL11とビット線/BL11とは対になっている性格上、ビット線/BL21に対するカップリング容量はほぼ等しく、従ってビット線/BL21に対するカップリング容量による影響は、お互い逆方向に同じだけ働くため、それぞれが打ち消し合う。このことは、対のビット線/BL11,BL11の間だけではなく、センスアンプ列10−1の両側ではどのビット線でもその関係は同様である。
【0058】
従って、一つだけ逆データであるビット線/BL25とこれに隣接する対のビット線/BL14,BL14および対のビット線/BL15,BL15との関係でも同じことが言える。従って、ビット線/BL25だけセンス特性が悪化することはない。以上の関係はセンスアンプ列10−1の側端側にあるワード線WLe〜WLhのうちの一つが選択されたときでも同様であり、またビット線BL11〜BL18およびビット線/BL11〜/BL18に対するセルデータがどのような組み合わせであっても、対のビット線はお互い逆データをセンスすることになるため、隣接ビット線に対するビット線間のノイズは常に打ち消しあい、キャンセルされることになる。
【0059】
すなわち、内側にずらして配置したセンスアンプ列の両側の対のビット線は、隣接するビット線に対してカップリングノイズを常に打ち消しあい、キャンセルするため、センス特性を悪化させることがない。
【0060】
また、本実施の形態では、センスアンプ列で従来の千鳥配置と同様、センスアンプを一列に並べているため、集中センスアンプ配置のようなセンスアンプ列の幅の増加はなく、ビット線長の増加による容量の増加および対のビット線での容量のアンバランスは生じない。また、従来の千鳥配置と同様、ビット線に対して交互に配置されるため、センスアンプピッチも集中センスアンプ配置より広くとることができ、センスアンプの動作ノイズの増加も考慮する必要がない。
【0061】
以上述べてきたように、オープンビット線構造におけるセンスアンプを千鳥配置する際、側端部のセンスアンプ列を内側にずらして配置することにより、それまで必要だったダミーセルアレイ領域を削除することが可能である。他方、集中センスアンプ配置を不要とするので、ビット線容量の増加、隣接ノイズの増加を排除でき、特性の悪化を低減することが可能である。
【0062】
しかしながら、図1に示されるような本実施形態では、最側端から二番目に位置するセンスアンプ列10−2,10−8のセンスアンプ1−2i,1−8iにおける対のビット線/BL2,BL2および対のビット線/BL8,BL8それぞれでビット線長にアンバランスが生じている。例えば、センスアンプ列10−2では、一方でビット線/BL2が二つの「n/2」ビットによるセルアレイ11−0h,11−1hと一つのセンスアンプ列10−1とのそれぞれが有する幅の和のビット線長/BL2aを有している。他方では、ビット線BL2がnビットのセルアレイ11−2の幅であるビット線長BLpを有している。従って、ビット線長/BL2aはビット線長BL2pよりセンスアンプ列10−1の幅分だけ長い。
【0063】
このビット線長による左右のアンバランスに対しては、集中センス増幅機配置で講じられるビット線の左右アンバランスの対応策同様、例えば、トランジスタゲート(TG)をセンスアンプ列とセルアレイとの間に置くなどして、センス時に左右アンバランスを見えなくするような工夫がなされており、その対策が可能である。
【0064】
上述した実施態様では、オープンビット線構造によりセンスアンプを千鳥配置する際に、ダミーセルアレイ領域を削除することを主目的としたが、上述したように、内側にずらして配置したセンスアンプ列に対応するビット線はその長さが短い。従って、ビット線の容量が軽く、また隣接ビット線に対してはカップリングノイズを常にキャンセルする働きがあり、特性の改善が期待できる。この特徴を生かし、最側端のセンスアンプ以外もそれぞれ同様にずらして配置することにより、特性の改善が可能である。
【0065】
次に、図4および図5に図1を併せ参照して、ビット線に左右のアンバランスを生じない、上述したとは別の実施形態について説明する。図4では「n/2」ビットサイズに対応する部分の番号符号に「h」を付加して表示する。従って、図1でのセンスアンプ1−1i,1−9iおよびセンスアンプ列10−1,10−9は、図4のセンスアンプ1−1ih,1−9ihおよびセンスアンプ列10−1h,10−9hそれぞれと同一である。
【0066】
この実施態様では、奇数番のセンスアンプ列が隣接するセルアレイそれぞれの中央に配置される。例えば図5で示されるように、図1におけるセンスアンプ列10−3が隣接するセルアレイ11−2,11−3それぞれの中央に配置されている。すなわち、図1におけるセンスアンプ列10−3に相当するセンスアンプ列10−3ah,10−3bhそれぞれが、「n/2」ビットサイズに分割されたセルアレイ11−2ah,11−2bhおよび11−3ah,11−3bhそれぞれに挟まれた構造である。
【0067】
一方、偶数番のセンスアンプ列は、奇数番のセンスアンプの「a,b」のうちの隣接する方を中央に配置する「n/2」ビットサイズの二つのセルアレイを両側それぞれに隣接させている。例えば、図4に示されるセンスアンプ列10−4センスアンプ1−4iは、一方にセンスアンプ列10−3bhを挟むセルアレイ11−3ah,11−3bhの直列ビット線/BL5と、他方にセンスアンプ列10−5ahを挟むセルアレイ11−4ah,11−4bhの直列ビット線BL5とを対に形成している。
【0068】
次に、図6を参照して、図4の構造をブロック構成とした場合について説明する。図6は、図4と同一構造であるが、構成説明の便宜のため、センスアンプ列10およびセルアレイ11それぞれの番号符号を側端部から順に付与する。
【0069】
図6に示されるように、この実施態様では、隣り合う三つのセンスアンプ列10−1h,10−2,10−3hが四つのセルアレイ11−01h,11−1h,〜11−3hの間に交互に配置され一つのブロックを形成している。三つのセンスアンプ列10−1h,10−2,10−3hのセンスアンプ1−1ih,1−2i,1−3ihそれぞれは千鳥配置されている。セルアレイ11−01h,11−1h,〜11−3hそれぞれは「n/2」ビットサイズである。また、両側のセンスアンプ列10−1h,10−3hのセンスアンプ1−1ih,1−3ihそれぞれは同一線長の対のビット線/BL1,BL1および対のビット線/BL3,BL3を有する。残りのセンスアンプ列10−2のセンスアンプ1−2iはそれぞれ線長「a」で対となるビット線/BL2,BL2を有する。
【0070】
上述同様に、三つのセンスアンプ列10−4h,10−5,10−6hが四つのセルアレイ11−04h,11−4h,〜11−6hの間に交互に配置され、一つの小規模メモリアレイブロックを形成することができる。このように更に追加して大規模の半導体記憶装置が形成される。
【0071】
上記図4または図6の配置では、nビットセルアレイに対応するセンスアンプ列それぞれの両側に「n/2」ビットセルアレイに対応するセンスアンプ列のそれぞれが配置される。このような配置のため、配線長の短いビット線はその容量が軽くなりセンス特性が改善される。また、交互に配置されるビット線間で、隣接するビット線のカップリング容量は常に打ち消しあう関係にあるため、配線長の短いビット線から配線長の長いビット線へのノイズはキャンセルされ、センス特性が改善される。
【0072】
上述したように、本実施形態によるセンスアンプの配置は、nビットセルのビット線および「n/2」ビットセルのビット線のどちらにもセンス特性の改善が期待され、チップ全体でのセンス特性改善が可能である。
【0073】
次に、図6および図9を参照すれば、上述した一つのメモリアレイブロックのみを対照比較した場合、三つのnビットセルアレイに対してほぼ一つ分の幅が縮小されるといえる。従って、その分、高密度化できる。
【0074】
さらに他の実施形態として、図1および図6を参照して「n/2」ビットセルアレイに対応する図1におけるセンスアンプ1−1i,1−9iおよび図6におけるセンスアンプ1−1ih,1−3ih,1−4ih,1−6ihのセンスアンプの幅サイズを他のセンスアンプ列のセンスアンプに対して小さくした場合が考えられる。
【0075】
例えば、図1における「n/2」ビットセル11−0h,11−1hに対応する対のビット線/BL,BLは、nビットセルに対応する線長「p」または線長「a」に対してその長さが半分であり、配線容量が半減することはすでに述べたとおりである。従って、nビットセルに対応する例えばセンスアンプ1−2iに比べて「n/2」ビットセルに対応するセンスアンプ1−1ihの方のセンス特性が良く、センスマージンが大きい。
【0076】
そこで、nビットセルに対応するセンスアンプ1−2iの幅サイズに対し「n/2」ビットセルに対応するセンスアンプ1−1ihの幅サイズを小さくする。配線容量が半減している分のセンスマージン内であればセンス特性は悪化することはなく、逆に「n/2」ビットセルに対応するセンスアンプから隣接するnビットセルに対応するビット線に与えるセンスノイズが低減される。従って、これはnビットセルに対応するセンスアンプのセンス特性の改善につながる。ここではセンスアンプの幅サイズに関して述べたが、幅サイズに限らず、長さサイズなど動作ノイズの低減や面積の削減につながる要素であればその効果を十分に発揮することができる。
【0077】
上記説明では、少数ビットセルアレイのサイズをnビットに対して「n/2」ビットと二分の一を例示したが、例えば、図1のように両側端のみに適用する場合にはその内側のセンスアンプの容量バランスを配慮して更に小さいサイズにするなど、そのサイズを適切値に変更することができる。また、それぞれでサイズが相違しても、上述したように、構造により容量バランスの調整がとれるので、セルアレイのサイズを特に限定する必要はない。
【0078】
このように、図示された構造を参照して説明したが、上記機能を満たす限り構成の変更は自由であり、上記説明が本発明を限定するものではない。更に、センスアンプを備えるメモリセルアレイを用いるものであればDRAMに限定されるものではなく半導体記憶装置の全般に適用可能なものである。
【0079】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
【0080】
第一の効果は、オープンビット構造を有しかつセンスアンプを千鳥配置にした際に、側端部にダミーセルアレイ領域を発生させることがないことである。
【0081】
その理由は、側端部で側端部から二番目にある第二のセンスアンプ列のセンスアンプに接続するビット線のうち、測端部側のビット線が側端部まで延びて、ダミーセルアレイとなり得る最側端のセルアレイのすべてのビット線が使用されているからである。
【0082】
第二の効果は、センスの際の特性が改善されることである。
【0083】
その一つの理由は、上記第二のセンスアンプ列のセンスアンプで対になるビット線の容量バランスのため、最側端の第一のセンスアンプ列を挟むセルアレイはそのビットサイズを、残るセルアレイより小さな少数ビットセルアレイとして第一のセンスアンプ列に対するビット線容量を減少させているからである。
【0084】
他の一つの理由は、第一のセンスアンプ列に対する対のビット線が第二のセンスアンプ列に対する対のビット線の一方のみと隣接するので、第一のセンスアンプ列に対する対のビット線が隣接するビット線に対してカップリングノイズを常に打ち消し合い、キャンセルするからである。
【0085】
このように、本発明では、センスアンプ列がセンスアンプを1列に並べ隣り合うセンスアンプ列のセンスアンプとの間で千鳥配置としている。このため、集中センスアンプ配置のようなセンスアンプ列の幅の増加はなく、ビット線長の増加による容量の増加は起こらない。また、センスアンプがビット線に対して交互に配置されるため、センスアンプピッチも集中センスアンプ配置より広くとることが可能であり、センスアンプの動作ノイズの増加も考慮する必要がない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体記憶装置におけるメモリアレイ部構造に関する実施の一形態を示す図である。
【図2】図1の従来例との構造比較の一例を示す図である。
【図3】図1の本発明に関する部分詳細の実施の一形態を示す図である。
【図4】図1とは異なる本発明によるメモリアレイ部構造に関する実施の一形態を示す図である。
【図5】図1との構造比較の一例を示す図である。
【図6】図4をブロック化した構造についての実施の一形態を示す図である。
【図7】図6の従来例との構造比較の一例を示す図である。
【図8】従来の千鳥配置と称せられるメモリアレイ部構造に係る一例を示す図である。
【図9】図8とは異なる従来のメモリアレイ部構造に係る一例を示す図である。
【図10】図8に対して集中センスアンプ配置と称せられる従来のメモリアレイ部構造に係る一例を示す図である。
【符号の説明】
1 センスアンプ
10 センスアンプ列
11 セルアレイ
BL ビット線
【発明の属する技術分野】
本発明は、一つのメモリアレイ部が縦列を形成する所定数のワード線と横行を形成する所定数のビット線とが互いに直交する交点それぞれに一つのメモリセルを配列するセルアレイと、各ビット線の中央に設けられるセンスアンプが縦列を形成するセンスアンプ列とを有するオープンビット線構造の半導体記憶装置に関する。かつ、メモリアレイ部がセンスアンプを縦に一列に配したセンスアンプ列は両側にセルアレイを配し、隣り合うセンスアンプ列でそれぞれのセンスアンプの位置を少しずらすことにより、各センスアンプ列のセンスアンプが各セルアレイのビット線を交互に使用する千鳥配置を形成する半導体記憶装置に関する。
【0002】
特に、高集積化、動作の高速化を実現するため、ダミーセルアレイの排除、またはビット線容量のアンバランス若しくはこれを原因とする隣接ノイズの低減による特性の改善ができる半導体記憶装置に関する。
【0003】
【従来の技術】
半導体記憶装置、例えば、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)では、縦列を形成する所定数のワード線WLと横行を形成する所定数のビット線BLとが互いに直交する交点にメモリセルを配列するセルアレイと、各ビット線の中央に設けられるセンスアンプが縦列を形成するセンスアンプ列とを有するオープンビット線構造が採用されている。
【0004】
このような、センスアンプを一列に並べた構造では、集積度が上がりビット線ピッチが小さくなった場合、センスアンプを一列にビット線ピッチで並べることは困難である。すなわち、この構造では、メモリセルを微細化したとしても高集積化が難しいという問題が生じる。
【0005】
このような問題を解決するためには、センスアンプをビット線方向に1つおきにずらし、ビット線の両側に交互にセンスアンプを配置する周知の配置(以後、これを千鳥配置と称する)がある。千鳥配置では、それまでのビット線ピッチに対してほぼ二倍のピッチでセンスアンプを配置することができる。更に、一つのセンスアンプが占める領域を比較的広くとることができるため、センスアンプを一列に並べるよりは高集積化し易い。
【0006】
図8を参照して、オープンビット線構造で千鳥配置したセンスアンプ1を有する構成について説明する。図8は、一つのメモリアレイ部の構造を示す。
【0007】
図示されるメモリアレイ部では、9つのセンスアンプ列10(−1〜−9)のそれぞれが10個のセルアレイ11(−0〜−9)の間に配置されている。例えば、センスアンプ列10−1では、i番目にセンスアンプ1−1iを配置した一列が形成される。センスアンプ列10−2では、i番目にセンスアンプ1−2iを配置した一列が形成される。以下同様である。セルアレイ11−0では、ビット線BLがオープンビット線構造を形成し、上述したように、ビット線BLと直交するワード線WLがn本存在する。また、オープンビット線構造は、一交点セル構造であり、ワード線WLとビット線BLの交点全てにセルが存在する構造をとる。
【0008】
千鳥配置されるセンスアンプ1は、例えば同番号で隣り合うセンスアンプ1−1i,1−2iが配置を少しずらし、センスアンプ列10−1,10−2それぞれの内側に配備され、センスアンプ列10−1,10−2に挟まれて配置されるセルアレイ11−1のビット線BLを交互に接続する。そして、例えばセンスアンプ1−2iはその両側に対になるビット線/BL2,BL2それぞれを接続する。この例では、ビット線/BL2はセルアレイ11−1、ビット線BL2はセルアレイ11−2それぞれに含まれる。
【0009】
ビット線に図示されるサフィックスは、ビット線の線長または形状を示す符号である。因みに「p」は従来のセルアレイ11(−0〜−9)それぞれに対応するビット線長を示す。
【0010】
従って、例えば、センスアンプ1−1iはその対のビット線/BL1,BL1を両脇に並ぶセルアレイ11−0,11−1それぞれのビット線BLと接続し、それらのビット線BLはビット線長pを有する。センスアンプ1−2iはその対のビット線/BL1,BL1を両脇に並ぶセルアレイ11−1,11−2それぞれのビット線BLと接続し、それらのビット線BLもビット線長pを有する。また、共通するセルアレイ11−1では、上記のビット線BL1とビット線/BL2とが隣接する。
【0011】
このようにして、i番目のセンスアンプ1−1iおよびセンスアンプ1−2iと「i+1」番目のセンスアンプ1−1(i+1)およびセンスアンプ1−2(i+1)とはそれぞれが隣接する。更に、セルアレイ11−1でのビット線BLiとビット線/BL(i+1)とは上述のように交互に隣接配置される。従って、セルアレイ11(−0〜−9)それぞれでのビット線BLの間隔を詰めることができる。
【0012】
しかし、このような構成では、両端のセルアレイ11−0,11−9が他と異なり使用されるビット線の数が半減する。
【0013】
対のビット線/BL,BLに直交するワード線を1本選択した場合、活性化するセンスアンプはビット線の両側となり、センスアンプ列の2列が活性化する。今、セルアレイ11−1上のワード線が選択されたとすると、活性化するのは両側のセンスアンプ列10−1、10−2である。それに対し、一番端のセルアレイ11−0はビット線の本数が半分しかなく、Yアドレスが不足するため、通常は使われない。しかし、センスアンプ列10−1のセンスアンプ1−1iに対してセルアレイ11−1上のビット線と対をなすビット線が必要であるため、セルアレイ11−0上のビット線はなくてはならないものである。セルアレイ11−9に対しても同様のことが言える。従って、両端に、通常使用されないセルアレイ領域がダミーセルアレイとして存在することになる。
【0014】
このような構造では、大容量化が進む上で、多バンク化または領域の細分化が行われる場合、一つのチップ上に図示されるようなメモリアレイ部が多数個存在することとなり、その分、ダミーセルアレイ領域の個数も増加する。例えば、図8で示される領域が1バンク分のメモリアレイ部であり、1チップで4バンク構成をとった場合、4つのアレイ領域が必要である。従って、ダミーセルアレイも4倍になる。このことは、チップ面積の増加につながり、高集積化にとっては不利である。
【0015】
上記のようなダミーセルアレイ領域を少しでも減らすために、例えば、ダミーセルアレイにおける折り返しビット線構造が考えられる。
【0016】
次に、図9を参照して、オープンビット線構造を有しかつセンスアンプを千鳥配置にした場合で、両端のダミーセルアレイでビット線を折り返した構造について説明する。図示されるビット線BLの番号符号に付加される符号「f」は折返しされたビット線を意味する。
【0017】
図9では、図8においてダミーとなったセルアレイ11−0,11−9がセルアレイ11−0f,11−9fそれぞれに差し替えられている。
【0018】
センスアンプ1(−1i〜−9i)とセンスアンプ列10(−1〜−9)とセルアレイ11(−1〜−8)およびその対になるビット線/BL,BLとは上記図8と同様である。図8と相違するダミーとなるセルアレイ11−0f,11−9fでは、プレートの中央でビット線/BL1,BL9それぞれが折り返されており、セルアレイ11−0fとセルアレイ11−1との対のビット線でアンバランスが出ないように、折返しビット線の長さ(容量)を対になるビット線にあわせてある。すなわち、ビット線/BL1p,/BL1fの両者、およびビット線BL9p,BL9fの両者それぞれの長さ(容量)は等しく形成されている。従って、ダミーのセルアレイ11−0f,11−9fそれぞれの面積は上述したダミーのセルアレイ11−0,11−9それぞれの面積に比べてほぼ半減できる。すなわち、メモリアレイ部毎にセルアレイのほぼ一つ分の面積が削減できることになる。
【0019】
ここで、上述とは違った高集積化方法の一つとして、センスアンプをそのセンスアンプ列の中でビット線方向にずらして配置することにより、センスアンプピッチを狭めてビット線ピッチ内に納めると共にダミーのセルアレイをなくす配置(以下、集中センスアンプ配置と称する)が考えられる。
【0020】
次に、図10を参照して、この高集積化を実現する例について説明する。図示されるメモリアレイ部では、上述した例と比較するため、例えば、二つのセンスアンプ列10−1、10−2を一つのセンスアンプ列10−12に形成したものとしている。すなわち、センスアンプ1−1iとセンスアンプ1−2iとはセンスアンプ部10−12で交互に少しずらして縦2列に平行配置される。
【0021】
すなわち、一つのセンスアンプ部10−12では、図示されるi番目のセンスアンプ1−1iの列とセンスアンプ1−2iの列とが列に対して垂直な方向に少しずらされて並ぶ。セルアレイ11−1a,11−2a,・・・は、上述したと同様で、例えばセルアレイ11−1aで、センスアンプ1−1iに接続する一方のビット線/BL1とセンスアンプ1−2iに接続する一方のビット線/BL2とが隣接する。ここでセンスアンプを2列としたが、4列などでもよく、センスアンプを少しづつずらして並べることによりビット線ピッチでセンスアンプを配置することができる。
【0022】
このような配置のため、センスアンプピッチによる制限がなく、また、ビット線ピッチでマスクを描くことができるため、メモリセルの微細化による高集積化を実現することが可能になる。また、センスアンプの上述した千鳥配置で存在したダミーセルアレイ領域も存在しないため、無駄な領域でチップ面積を増加させることもなくなる。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来の半導体記憶装置では、次のような問題点がある。
【0024】
第1の問題点は、オープンビット線構造におけるセンスアンプの千鳥配置がセンスアンプ列のセルアレイ間の配置とするために生じる無駄であるダミーセルアレイ領域が依然として残っていることである。
【0025】
その理由は、センスアンプ列のセルアレイ間の配置により両端のセルアレイがダミーとなるからである。例え、折返しビット線構造にしてダミーセルアレイ領域を半減して、面積の削減が可能であっても、高集積化を実現する上では、出来る限りその面積を削減することが望ましい。
【0026】
第2の問題点は、ダミーセルアレイを除くため偶数のセンスアンプ列を一つのセンスアンプ列としてセルアレイの間に配置した集中センスアンプ配置の場合には、各センスアンプでセンス特性の悪化が見られることである。
【0027】
その理由は、各センスアンプに接続する対のビット線/BL,BLそれぞれの長さにアンバランスを生じるからである。すなわち、センスアンプはセンスアンプ列内でビット線方向にずらして配置するため、センスアンプを2列または4列並べて配置するような場合、センスアンプ列の幅が2倍または4倍と広くなる。
【0028】
従って、センスアンプ列内を通過する対のビット線/BL,BLの長さもその幅の広がり分だけ長くなる。従って、その分に対するビット線容量が増加する。更に、センスアンプの位置が増幅器列の位置によりビット線方向でセンスアンプ列の中心線から外れた位置になるためである。
【0029】
図10を参照すれば、示されるビット線番号にはこのビット線長の増加が符号「a」で表示されている。例えばセンスアンプ1−1iの対になるビット線/BL1,BL1のビット線対を見た場合、ビット線長/BL1(p)とビット線長BL1(a)とでセンスアンプ列10−12内を通過するビット線の長さに違いが現れる。すなわち、対のビット線/BL1,BL1ではビット線BL1の方が長い。他方、センスアンプ1−2iの対のビット線/BL2,BL2ではビット線/BL2の方が長い。このような、センスアンプ列内で長くなる方のビット線は、その分だけビット線容量が増加することになるので、特性的にも悪影響を与える。
【0030】
また、センスアンプ列に対してセンスアンプを詰めて配置しているため、センスアンプピッチが狭くなり、センスアンプ列内での隣接ノイズが増加する。これもセンス特性に対して悪影響となり、改善が必要な要素である。
【0031】
本発明の課題は、このような問題点を解決し、高集積化、動作の高速化を実現するため、ダミーセルアレイの排除、またはビット線容量のアンバランス若しくはこれを原因とする隣接ノイズの低減による特性の改善ができる半導体記憶装置を提供することである。
【0032】
【課題を解決するための手段】
本発明による半導体記憶装置は、オープンビット線構造を有しかつセンスアンプを千鳥配置にしたときに、両端に生じるダミーセルアレイ領域を無くし、チップ面積の低減ができること、またはセンスアンプ列内でのビット線容量の増加およびセンスアンプにおける対のビット線/BL,BLの容量のアンバランス、若しくは隣接ノイズ増加による特性の悪化を低減することを目的としている。
【0033】
すなわち、本発明による半導体記憶装置では、各メモリアレイ部が、縦列を形成する所定数のワード線WLと横行を形成する所定数のビット線BLとが互いに直交する交点にメモリセルを配列するセルアレイと各ビット線の中央に設けられるセンスアンプが縦列を形成するセンスアンプ列とを有するオープンビット線構造である。また、センスアンプは、ビット線方向に1つおきにずらし、ビット線の両側に交互にセンスアンプを配置する周知の千鳥配置である。更に、センスアンプを縦に一列に配したセンスアンプ列は両側に上記セルアレイを配し、隣り合うセンスアンプ列のセンスアンプの位置を少しずらすことにより、各センスアンプ列のセンスアンプが同一セルアレイのビット線を交互に使用している。
【0034】
そしてこの発明の一つの特徴は、隣接する二つのセルアレイと、このセルアレイに挟まれこのセルアレイにより対のビット線/BL,BLを接続するセンスアンプの列を有する第一のセンスアンプ列と、上記二つのセルアレイのビット線を直列接続して対のビット線/BL,BLのうちの一方に形成するセンスアンプの列を有する第二のセンスアンプ列とがメモリアレイ部の一つの側端部に配置されていることである。この構成を有する側端部ではダミーセルアレイがなくなる。すなわち、この構成を両側端部が有することによりメモリアレイ部から全てのダミーセルアレイをなくすことができる。
【0035】
また、この構成で、上記第一のセンスアンプ列が側端部から内側にずらして配置され、隣接する二つのセルアレイが少数ビットセルアレイであることにより、上記構造で第二のセンスアンプ列が有するセンスアンプの対のビット線/BL,BLの容量アンバランスを軽減できる。また、第一のセンスアンプ列が少数ビットによるビット線を接続するので、第一のセンスアンプ列に配置されるセンスアンプはその幅を縮小できる。
【0036】
このように、少数ビットによるビット線は、ビット線の容量が軽く、また隣接ビット線に対してはカップリングノイズを常にキャンセルする働きが得られるので、特性の改善が期待できる。
【0037】
また、別の形態では、上記第二のセンスアンプ列のセンスアンプそれぞれが、上記対のビット線/BL,BLのうちの他方のビット線を、第一のセンスアンプ列とは逆側に隣り合う第三のセンスアンプ列の両側に隣接する二つの少数ビットセルアレイが有する少数ビットによる対のビット線/BL,BLを直列接続して形成していることである。この場合、第二のセンスアンプ列に対応する対のビット線/BL,BLは容量バランスを取ることが容易である。この構成も、上記同様、上記組合せを構成するセルアレイは少数ビットセルアレイであり、メモリアレイ部のサイズを低減できる。この場合、一つ置きのセンスアンプ列毎で異なるセンスアンプのビット線容量を有することになる。
【0038】
また、更に、二つの組合せとこれを両側に隣接配置するビット線長の長い一つのセンスアンプ列とを一つのメモリアレイブロックとしてこのブロックの複数個を備えることにより、ダミーセルアレイの削除と、対のビット線/BL,BL両者の容量バランスとの両方の条件を充たすことができる。
【0039】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0040】
図1は、本発明の半導体記憶装置のメモリアレイ部構造に関する実施の一形態を示す図である。図では説明を簡便化するため、9つのセンスアレイ列10(−1〜−9)とこれらを間に配置するセルアレイ11(−0h,−1h,−2〜−7,−8h,−9h)とが示されている。センスアレイ列10(−1〜−9)それぞれには、縦列に備えられるセンスアンプ1(−1i〜−9i)がi番目により代表して示される。セルアレイ11(−0h,−1h,−2〜−7,−8h,−9h)には、ビット線BLがオープンビット線構造を形成し、上述したように、横行方向に延びるビット線BLと縦列方向に延びるn本のワード線WLとが存在する。また、オープンビット線構造は、一交点セル構造であり、ワード線WLとビット線BLの交点全てにセルが存在する構造を有している。
【0041】
図1に示されたメモリアレイ部構造が従来例の図8と相違する点はセルアレイ11−0h,11−1h,11−8h,11−9hにある。従って、センスアンプ列10−1のセンスアンプ1−1iの対のビット線/BL1,BL1と、センスアンプ列10−2のセンスアンプ1−2iのビット線/BL2と、センスアンプ列10−8のセンスアンプ1−8iのビット線BL8と、センスアンプ列10−9のセンスアンプ1−9iの対のビット線/BL9,BL9とである。
【0042】
ここで、本実施形態と上記従来例との構造上の相違を明確化するため、従来例は、1本のビット線に対してnビットセルを有するnビットセルアレイが用いられるものとする。
【0043】
ここで、セルアレイ11−0h,11−1h,11−8h,11−9hそれぞれは従来例のnビットアレイに対して少数ビットセルアレイである「n/2」ビットアレイであるものとする。従って、図示される「p」のつかない例えば対のビット線/BL1,BL1は「n/2」でビット線長も従来と比較してほぼ二分の一である。また、ビット線の番号符号に付加される記号はビット線長を表わし、例えば、ビット線長BL2pは、センスアンプ1−2iのビット線BLがnビットのセルアレイ幅を有していることを意味する。また、本実施形態で生じる「n/2」ビットアレイ幅の場合には記号は付加されないものとする。
【0044】
すなわち、オープンビット線構造でセンスアンプ1(−1〜−9)を千鳥配置にした際に、両側端のセンスアンプ1−1.1−9それぞれの列を内側にずらして配置する。この結果、通常のセルアレイ11−2〜11−7がビット線当たりnビットセルであるのに対して、セルアレイ11−0h,11−1h,11−8h,11−9hそれぞれが「n/2」ビットセルになるように、センスアンプ列10−1,10−9が配置される。
【0045】
これについて、図2を参照してセンスアンプ列10−1を例示して説明する。すなわち、センスアンプ列10−1は、両側のセルアレイ11−0h,11−1hがセルアレイ11−0,11−1それぞれの幅の半分になるような位置に配置されている。従って、センスアンプ列10−1をセルアレイ11−1の中央位置「B」に配備することにより、セルアレイ11−0hの外側で、ダミーとなっていたセルアレイ11−0分の領域「A」が不要になり、領域の低減が実現されている。
【0046】
この場合の、センスアンプ1−1iの対のビット線/BL1,BL1それぞれの長さは等しく、従来例と等しい例えばセンスアンプ1−3iのビット線対長/BL3p,BL3pの半分の長さである。
【0047】
図示されないが、センスアンプ列10−9およびその周辺も、同様の構造である。
【0048】
上述したように、オープンビット線構造を有しかつセンスアンプを千鳥配置にしたときでも、メモリアレイ部の両側端のセンスアンプ列を内側にずらして配置することにより、両側端のセンスアンプ列の外側に存在していたダミー領域をなくすことができる。従って、同じセンスアンプの千鳥配置に対して、チップ面積の低減が可能となる。これは多バンク構成または領域の分割が進み、図1に示されるようなメモリアレイ部が増えれば増えるほど、その効果は大きくなる。
【0049】
更に、図10で示される、もともとダミー領域を必要としない、センスアンプをセンスアンプ列内でずらして配置する集中センスアンプ配置と比べても、対ビット線ノイズの低減、センスアンプ列内ビット線長の削減ができ、特性の改善が可能である。
【0050】
次に、図3を参照して、最側端のセンスアンプ列とそのビット線対に関する発明の特性ついて詳細に説明する。
【0051】
図3は図1のセンスアンプ列10−1,10−2と「n/2」ビットのセルアレイ11−0h、11−1hとnビットのセルアレイ11−2とを抜き出して示す図である。また、セルアレイ11−0h、11−1hとセルアレイ11−2との関係をよりわかりやすくするため、ワード線WL1、WL2が追加表示されている。ここでは便宜上、ワード線WL1が、セルアレイ11−0hおよびセルアレイ11−1hに、4本のワード線WL1(a〜d)および4本のワード線WL1(e〜h)それぞれを有している。ワード線WL2がセルアレイ11−2に8本のワード線WL2(a〜h)を有している。
【0052】
ワード線WLの本数からも明らかなように「n/2」ビットのセルアレイ11−0h、11−1hにおけるビット線方向の長さは、nビットのセルアレイ11−2におけるビット線方向の長さの半分である。これは、図示されるセンスアンプ1−11〜1−18に対応するビット線/BL11〜/BL18とビット線BL11〜BL18とはそれぞれ、セルアレイ領域内で、センスアンプ1−21〜1−28に対応するビット線/BL21〜28の長さの半分の長さになっていることを意味する。実際の長さは、双方が同一の長さをセンスアンプ列内に有するので、完全な「1/2」の長さにはならない。
【0053】
このように、最側端のセンスアンプ列の対のビット線/BL,BLは他のセンスアンプ列の対のビット線/BL,BLに比べてその長さが半分であるため、そのビット線容量もほぼ半分となり、側端部のセルアレイに関してはセンスの際の特性改善が可能となる。
【0054】
次に、ワード線WL2のうちの一本でワード線WL2aが選択されたとする。選ばれたセルデータがビット線BL25に対してだけL(ロー)データであり、他のビット線に対しては全てH(ハイ)データであるとする。この場合、ビット線BL25はL側にセンスし、他のビット線BL21〜24、26〜28およびビット線/BL31〜38は全てH側にセンスする。
【0055】
この時、隣り合うビット線同士はカップリング容量を持っており、お互いの動作が影響する。お互いにH側にセンスしようとするビット線BL21〜BL24とビット線/BL31〜/BL34およびビット線BL26〜BL28とビット線/BL35〜/BL38とは、カップリング容量が同方向に働くため、センスを助けることになる。逆に、ビット線BL25だけは、L側にセンスしようとする。しかし、隣接するビット線/BL34,35は、H側にセンスしようとするためカップリング容量が逆方向に働き、センスを妨げることになり、その影響でビット線BL25のセンス特性が悪化することになる。このように通常はセンス特性に対するワーストパターンが存在することになる。
【0056】
これに対して、ワード線WL1のうちの一本が選択されたとする。センスアンプ列10−1の側端側で、ワード線WL1aが選択され、また、ビット線/BL25以外は選ばれたセルデータが全て「L」であるとする。この場合、ビット線/BL11〜/BL18はL側にセンスする。これに対をなすビット線BL11〜BL18はH側にセンスすることになる。また、ビット線/BL21〜/BL24およびビット線/BL26〜/BL28はL側にセンスするが、ビット線/BL25だけはH側にセンスする。ここでビット線/BL21と隣接する対のビット線/BL11,BL11の関係に注目すると、ビット線/BL21がL側にセンスするのに対し、ビット線BL11はH側にセンスし、カップリング容量が逆方向に働くことになる。
【0057】
しかし、同時にビット線/BL11はL側にセンスするため、ビット線/BL11とビット線/BL21とのカップリング容量は同方向に働くことになる。ビット線BL11とビット線/BL11とは対になっている性格上、ビット線/BL21に対するカップリング容量はほぼ等しく、従ってビット線/BL21に対するカップリング容量による影響は、お互い逆方向に同じだけ働くため、それぞれが打ち消し合う。このことは、対のビット線/BL11,BL11の間だけではなく、センスアンプ列10−1の両側ではどのビット線でもその関係は同様である。
【0058】
従って、一つだけ逆データであるビット線/BL25とこれに隣接する対のビット線/BL14,BL14および対のビット線/BL15,BL15との関係でも同じことが言える。従って、ビット線/BL25だけセンス特性が悪化することはない。以上の関係はセンスアンプ列10−1の側端側にあるワード線WLe〜WLhのうちの一つが選択されたときでも同様であり、またビット線BL11〜BL18およびビット線/BL11〜/BL18に対するセルデータがどのような組み合わせであっても、対のビット線はお互い逆データをセンスすることになるため、隣接ビット線に対するビット線間のノイズは常に打ち消しあい、キャンセルされることになる。
【0059】
すなわち、内側にずらして配置したセンスアンプ列の両側の対のビット線は、隣接するビット線に対してカップリングノイズを常に打ち消しあい、キャンセルするため、センス特性を悪化させることがない。
【0060】
また、本実施の形態では、センスアンプ列で従来の千鳥配置と同様、センスアンプを一列に並べているため、集中センスアンプ配置のようなセンスアンプ列の幅の増加はなく、ビット線長の増加による容量の増加および対のビット線での容量のアンバランスは生じない。また、従来の千鳥配置と同様、ビット線に対して交互に配置されるため、センスアンプピッチも集中センスアンプ配置より広くとることができ、センスアンプの動作ノイズの増加も考慮する必要がない。
【0061】
以上述べてきたように、オープンビット線構造におけるセンスアンプを千鳥配置する際、側端部のセンスアンプ列を内側にずらして配置することにより、それまで必要だったダミーセルアレイ領域を削除することが可能である。他方、集中センスアンプ配置を不要とするので、ビット線容量の増加、隣接ノイズの増加を排除でき、特性の悪化を低減することが可能である。
【0062】
しかしながら、図1に示されるような本実施形態では、最側端から二番目に位置するセンスアンプ列10−2,10−8のセンスアンプ1−2i,1−8iにおける対のビット線/BL2,BL2および対のビット線/BL8,BL8それぞれでビット線長にアンバランスが生じている。例えば、センスアンプ列10−2では、一方でビット線/BL2が二つの「n/2」ビットによるセルアレイ11−0h,11−1hと一つのセンスアンプ列10−1とのそれぞれが有する幅の和のビット線長/BL2aを有している。他方では、ビット線BL2がnビットのセルアレイ11−2の幅であるビット線長BLpを有している。従って、ビット線長/BL2aはビット線長BL2pよりセンスアンプ列10−1の幅分だけ長い。
【0063】
このビット線長による左右のアンバランスに対しては、集中センス増幅機配置で講じられるビット線の左右アンバランスの対応策同様、例えば、トランジスタゲート(TG)をセンスアンプ列とセルアレイとの間に置くなどして、センス時に左右アンバランスを見えなくするような工夫がなされており、その対策が可能である。
【0064】
上述した実施態様では、オープンビット線構造によりセンスアンプを千鳥配置する際に、ダミーセルアレイ領域を削除することを主目的としたが、上述したように、内側にずらして配置したセンスアンプ列に対応するビット線はその長さが短い。従って、ビット線の容量が軽く、また隣接ビット線に対してはカップリングノイズを常にキャンセルする働きがあり、特性の改善が期待できる。この特徴を生かし、最側端のセンスアンプ以外もそれぞれ同様にずらして配置することにより、特性の改善が可能である。
【0065】
次に、図4および図5に図1を併せ参照して、ビット線に左右のアンバランスを生じない、上述したとは別の実施形態について説明する。図4では「n/2」ビットサイズに対応する部分の番号符号に「h」を付加して表示する。従って、図1でのセンスアンプ1−1i,1−9iおよびセンスアンプ列10−1,10−9は、図4のセンスアンプ1−1ih,1−9ihおよびセンスアンプ列10−1h,10−9hそれぞれと同一である。
【0066】
この実施態様では、奇数番のセンスアンプ列が隣接するセルアレイそれぞれの中央に配置される。例えば図5で示されるように、図1におけるセンスアンプ列10−3が隣接するセルアレイ11−2,11−3それぞれの中央に配置されている。すなわち、図1におけるセンスアンプ列10−3に相当するセンスアンプ列10−3ah,10−3bhそれぞれが、「n/2」ビットサイズに分割されたセルアレイ11−2ah,11−2bhおよび11−3ah,11−3bhそれぞれに挟まれた構造である。
【0067】
一方、偶数番のセンスアンプ列は、奇数番のセンスアンプの「a,b」のうちの隣接する方を中央に配置する「n/2」ビットサイズの二つのセルアレイを両側それぞれに隣接させている。例えば、図4に示されるセンスアンプ列10−4センスアンプ1−4iは、一方にセンスアンプ列10−3bhを挟むセルアレイ11−3ah,11−3bhの直列ビット線/BL5と、他方にセンスアンプ列10−5ahを挟むセルアレイ11−4ah,11−4bhの直列ビット線BL5とを対に形成している。
【0068】
次に、図6を参照して、図4の構造をブロック構成とした場合について説明する。図6は、図4と同一構造であるが、構成説明の便宜のため、センスアンプ列10およびセルアレイ11それぞれの番号符号を側端部から順に付与する。
【0069】
図6に示されるように、この実施態様では、隣り合う三つのセンスアンプ列10−1h,10−2,10−3hが四つのセルアレイ11−01h,11−1h,〜11−3hの間に交互に配置され一つのブロックを形成している。三つのセンスアンプ列10−1h,10−2,10−3hのセンスアンプ1−1ih,1−2i,1−3ihそれぞれは千鳥配置されている。セルアレイ11−01h,11−1h,〜11−3hそれぞれは「n/2」ビットサイズである。また、両側のセンスアンプ列10−1h,10−3hのセンスアンプ1−1ih,1−3ihそれぞれは同一線長の対のビット線/BL1,BL1および対のビット線/BL3,BL3を有する。残りのセンスアンプ列10−2のセンスアンプ1−2iはそれぞれ線長「a」で対となるビット線/BL2,BL2を有する。
【0070】
上述同様に、三つのセンスアンプ列10−4h,10−5,10−6hが四つのセルアレイ11−04h,11−4h,〜11−6hの間に交互に配置され、一つの小規模メモリアレイブロックを形成することができる。このように更に追加して大規模の半導体記憶装置が形成される。
【0071】
上記図4または図6の配置では、nビットセルアレイに対応するセンスアンプ列それぞれの両側に「n/2」ビットセルアレイに対応するセンスアンプ列のそれぞれが配置される。このような配置のため、配線長の短いビット線はその容量が軽くなりセンス特性が改善される。また、交互に配置されるビット線間で、隣接するビット線のカップリング容量は常に打ち消しあう関係にあるため、配線長の短いビット線から配線長の長いビット線へのノイズはキャンセルされ、センス特性が改善される。
【0072】
上述したように、本実施形態によるセンスアンプの配置は、nビットセルのビット線および「n/2」ビットセルのビット線のどちらにもセンス特性の改善が期待され、チップ全体でのセンス特性改善が可能である。
【0073】
次に、図6および図9を参照すれば、上述した一つのメモリアレイブロックのみを対照比較した場合、三つのnビットセルアレイに対してほぼ一つ分の幅が縮小されるといえる。従って、その分、高密度化できる。
【0074】
さらに他の実施形態として、図1および図6を参照して「n/2」ビットセルアレイに対応する図1におけるセンスアンプ1−1i,1−9iおよび図6におけるセンスアンプ1−1ih,1−3ih,1−4ih,1−6ihのセンスアンプの幅サイズを他のセンスアンプ列のセンスアンプに対して小さくした場合が考えられる。
【0075】
例えば、図1における「n/2」ビットセル11−0h,11−1hに対応する対のビット線/BL,BLは、nビットセルに対応する線長「p」または線長「a」に対してその長さが半分であり、配線容量が半減することはすでに述べたとおりである。従って、nビットセルに対応する例えばセンスアンプ1−2iに比べて「n/2」ビットセルに対応するセンスアンプ1−1ihの方のセンス特性が良く、センスマージンが大きい。
【0076】
そこで、nビットセルに対応するセンスアンプ1−2iの幅サイズに対し「n/2」ビットセルに対応するセンスアンプ1−1ihの幅サイズを小さくする。配線容量が半減している分のセンスマージン内であればセンス特性は悪化することはなく、逆に「n/2」ビットセルに対応するセンスアンプから隣接するnビットセルに対応するビット線に与えるセンスノイズが低減される。従って、これはnビットセルに対応するセンスアンプのセンス特性の改善につながる。ここではセンスアンプの幅サイズに関して述べたが、幅サイズに限らず、長さサイズなど動作ノイズの低減や面積の削減につながる要素であればその効果を十分に発揮することができる。
【0077】
上記説明では、少数ビットセルアレイのサイズをnビットに対して「n/2」ビットと二分の一を例示したが、例えば、図1のように両側端のみに適用する場合にはその内側のセンスアンプの容量バランスを配慮して更に小さいサイズにするなど、そのサイズを適切値に変更することができる。また、それぞれでサイズが相違しても、上述したように、構造により容量バランスの調整がとれるので、セルアレイのサイズを特に限定する必要はない。
【0078】
このように、図示された構造を参照して説明したが、上記機能を満たす限り構成の変更は自由であり、上記説明が本発明を限定するものではない。更に、センスアンプを備えるメモリセルアレイを用いるものであればDRAMに限定されるものではなく半導体記憶装置の全般に適用可能なものである。
【0079】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
【0080】
第一の効果は、オープンビット構造を有しかつセンスアンプを千鳥配置にした際に、側端部にダミーセルアレイ領域を発生させることがないことである。
【0081】
その理由は、側端部で側端部から二番目にある第二のセンスアンプ列のセンスアンプに接続するビット線のうち、測端部側のビット線が側端部まで延びて、ダミーセルアレイとなり得る最側端のセルアレイのすべてのビット線が使用されているからである。
【0082】
第二の効果は、センスの際の特性が改善されることである。
【0083】
その一つの理由は、上記第二のセンスアンプ列のセンスアンプで対になるビット線の容量バランスのため、最側端の第一のセンスアンプ列を挟むセルアレイはそのビットサイズを、残るセルアレイより小さな少数ビットセルアレイとして第一のセンスアンプ列に対するビット線容量を減少させているからである。
【0084】
他の一つの理由は、第一のセンスアンプ列に対する対のビット線が第二のセンスアンプ列に対する対のビット線の一方のみと隣接するので、第一のセンスアンプ列に対する対のビット線が隣接するビット線に対してカップリングノイズを常に打ち消し合い、キャンセルするからである。
【0085】
このように、本発明では、センスアンプ列がセンスアンプを1列に並べ隣り合うセンスアンプ列のセンスアンプとの間で千鳥配置としている。このため、集中センスアンプ配置のようなセンスアンプ列の幅の増加はなく、ビット線長の増加による容量の増加は起こらない。また、センスアンプがビット線に対して交互に配置されるため、センスアンプピッチも集中センスアンプ配置より広くとることが可能であり、センスアンプの動作ノイズの増加も考慮する必要がない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体記憶装置におけるメモリアレイ部構造に関する実施の一形態を示す図である。
【図2】図1の従来例との構造比較の一例を示す図である。
【図3】図1の本発明に関する部分詳細の実施の一形態を示す図である。
【図4】図1とは異なる本発明によるメモリアレイ部構造に関する実施の一形態を示す図である。
【図5】図1との構造比較の一例を示す図である。
【図6】図4をブロック化した構造についての実施の一形態を示す図である。
【図7】図6の従来例との構造比較の一例を示す図である。
【図8】従来の千鳥配置と称せられるメモリアレイ部構造に係る一例を示す図である。
【図9】図8とは異なる従来のメモリアレイ部構造に係る一例を示す図である。
【図10】図8に対して集中センスアンプ配置と称せられる従来のメモリアレイ部構造に係る一例を示す図である。
【符号の説明】
1 センスアンプ
10 センスアンプ列
11 セルアレイ
BL ビット線
Claims (7)
- 一つのメモリアレイ部が、縦列を形成する所定数のワード線と横行を形成する所定数のビット線とが互いに直交する交点それぞれに一つのメモリセルを配列する複数のセルアレイと、各ビット線の中央に設けられるセンスアンプが縦列を形成する複数のセンスアンプ列とでオープンビット線構造を有しており、かつ、前記センスアンプを縦に一列に配したセンスアンプ列は、隣り合う前記センスアンプ列でそれぞれのセンスアンプの位置を少しずらすことにより各センスアンプ列のセンスアンプが各セルアレイのビット線を交互に使用する千鳥配置を形成するものであって、
隣り合う二つのセルアレイと、当該セルアレイに挟まれ当該セルアレイにより対のビット線/BL,BLを接続するセンスアンプの列を有する第一のセンスアンプ列と、前記二つのセルアレイのビット線を直列に接続して対のビット線/BL,BLのうちの一つに形成するセンスアンプの列を有する第二のセンスアンプ列とが前記メモリアレイ部の少なくとも一方の側端部に配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、前記第一のセンスアンプ列の両側端に隣接する二つのセルアレイそれぞれは、他のセルアレイと比較してビット数の少ないビット線を有する少数ビットセルアレイであることを特徴とする半導体記憶装置。
- 請求項2において、前記第一のセンスアンプ列のセンスアンプそれぞれは、前記メモリアレイ部の内側のセンスアンプと比較して、より小さい幅サイズを有していることを特徴とする半導体記憶装置。
- 請求項2において、前記第二のセンスアンプ列のセンスアンプそれぞれは、対のビット線/BL,BLのうちの他方のビット線を、前記第一のセンスアンプ列とは逆側に隣り合う第三のセンスアンプ列の両側に隣接する二つの少数ビットセルアレイが有する少数ビットによる対のビット線/BL,BLを接続して形成することを特徴とする半導体記憶装置。
- 請求項4において、前記第一及び第三のうちの少なくとも一方のセンスアンプ列のセンスアンプそれぞれは、他のセンスアンプに比べて、より小さな幅サイズを有することを特徴とする半導体記憶装置。
- 請求項4において、前記少数ビットセルアレイは同一ビット数のビット線を有し、前記メモリアレイブロック内の各センスアンプはバランスの取れた容量による対のビット線/BL,BLを有することを特徴とする半導体記憶装置。
- 請求項6において、前記メモリアレイ部は、複数の同一サイズの前記メモリアレイブロックのみにより構成されることを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002220111A JP2004062997A (ja) | 2002-07-29 | 2002-07-29 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002220111A JP2004062997A (ja) | 2002-07-29 | 2002-07-29 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004062997A true JP2004062997A (ja) | 2004-02-26 |
Family
ID=31940840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002220111A Pending JP2004062997A (ja) | 2002-07-29 | 2002-07-29 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004062997A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006139907A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体メモリの救済方法及び装置 |
US7471589B2 (en) | 2005-08-23 | 2008-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd | Semiconductor memory devices, block select decoding circuits and method thereof |
JP2009141278A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US7948785B2 (en) | 2007-11-19 | 2011-05-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices having sense amplifiers and electronic systems employing the same |
JP2012113776A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
US8891324B2 (en) | 2010-02-09 | 2014-11-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device from which dummy edge memory block is removed |
CN114203247A (zh) * | 2020-09-18 | 2022-03-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种位线感测电路及存储器 |
US11862239B2 (en) | 2020-09-18 | 2024-01-02 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Bit line sense circuit and memory |
US12027201B2 (en) | 2020-09-18 | 2024-07-02 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Column select signal cell circuit, bit line sense circuit and memory |
-
2002
- 2002-07-29 JP JP2002220111A patent/JP2004062997A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006139907A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体メモリの救済方法及び装置 |
JP4745028B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2011-08-10 | 三星電子株式会社 | 半導体メモリの救済方法及び装置 |
US7471589B2 (en) | 2005-08-23 | 2008-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd | Semiconductor memory devices, block select decoding circuits and method thereof |
US7948785B2 (en) | 2007-11-19 | 2011-05-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices having sense amplifiers and electronic systems employing the same |
JP2009141278A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8891324B2 (en) | 2010-02-09 | 2014-11-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device from which dummy edge memory block is removed |
JP2012113776A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
US8737149B2 (en) | 2010-11-22 | 2014-05-27 | Yoshiro Riho | Semiconductor device performing stress test |
CN114203247A (zh) * | 2020-09-18 | 2022-03-18 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种位线感测电路及存储器 |
US11862239B2 (en) | 2020-09-18 | 2024-01-02 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Bit line sense circuit and memory |
CN114203247B (zh) * | 2020-09-18 | 2024-03-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种位线感测电路及存储器 |
US12027201B2 (en) | 2020-09-18 | 2024-07-02 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Column select signal cell circuit, bit line sense circuit and memory |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6282113B1 (en) | Four F-squared gapless dual layer bitline DRAM array architecture | |
KR100215595B1 (ko) | 다이나믹형 반도체 기억장치 | |
US7317646B2 (en) | Memory device having shared open bit line sense amplifier architecture | |
US20070041260A1 (en) | Semiconductor memory device having dummy sense amplifiers and methods of utilizing the same | |
US8824231B2 (en) | Reduced noise DRAM sensing | |
KR100733406B1 (ko) | 글로벌 데이터 버스를 구비한 반도체 메모리 소자 | |
JP2011014754A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
KR101452957B1 (ko) | 리드 와일 라이트 동작시 커플링 노이즈를 방지할 수 있는상 변화 메모리 장치 | |
JP2004062997A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100817637B1 (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 배선 방법 | |
JP3212795B2 (ja) | ダイナミック型半導体記憶装置 | |
US5680364A (en) | Integrated circuit memory device having equally spaced apart cell arrays | |
KR100323635B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
JP5736224B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
TWI427639B (zh) | 記憶體單元中之金屬線佈局 | |
JP4513074B2 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JP4370524B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR20040111368A (ko) | 불휘발성 반도체 기억장치 | |
JP2010257552A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100702841B1 (ko) | 더미 센스앰프를 구비하는 반도체 메모리 장치 및 그에따른 데이터 센싱 방법 | |
KR100634165B1 (ko) | 칩 면적의 증가없이 입출력 라인들의 수를 증가시킬 수있는 반도체 메모리 장치 | |
JP2001223347A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JPH11145426A (ja) | Dram及びそのメモリセルアレイ | |
KR100510463B1 (ko) | 폴드 비트라인 구조를 갖는 반도체 메모리장치 | |
JP2003085976A (ja) | 半導体集積回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040416 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060830 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061227 |