JP5720678B2 - 半導体装置及びその製造方法、電源装置 - Google Patents
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Description
このような高耐圧・高出力デバイスに用いられる窒化物半導体デバイスとしては、電界効果トランジスタ、特に、高電子移動度トランジスタ(HEMT:High Electron Mobility Transistor)がある。
そこで、AlGaN/GaN−HEMTを、表面が窒素極性になるようにし、AlGaN層上にGaN層を積層した反転型HEMT構造を有するものとすることで、コンタクト抵抗を低減することが提案されている。
なお、上述の反転型HEMT構造を有するAlGaN/GaN−HEMTだけでなく、高耐圧化、高出力化を図り、コンタクト抵抗を低減するために、表面が窒素極性の窒化物半導体層を備え、さらにゲート電極を備える半導体装置において、同様の課題がある。
また、本半導体装置は、基板と、基板の上方に設けられ、電子供給層と電子供給層の上方の電子走行層とを含む、表面が窒素極性の窒化物半導体層と、窒化物半導体層の上方に設けられたソース電極及びドレイン電極と、窒化物半導体層上に設けられ、電子走行層の2次元電子ガスの発生を抑制する分極を有する結晶状の半導体層と、半導体層の上方に設けられたゲート電極と、ソース電極とドレイン電極との間で、半導体層が設けられた領域を除く、窒化物半導体層の表面を覆う第1アモルファス層と、第1アモルファス層上に設けられた第2アモルファス層と、を備え、半導体層と第2アモルファス層とは、同一の半導体材料からなり、第1アモルファス層と第2アモルファス層とは、異なる材料からなることを要件とする。
本電源装置は、変圧器と、変圧器を挟んで設けられた高圧回路及び低圧回路と、を備え、
前記高圧回路は、トランジスタを含み、トランジスタは、上記の半導体装置であることを要件とする。
また、本半導体装置の製造方法は、基板の上方に、電子供給層と電子供給層の上方の電子走行層とを含む、表面が窒素極性の窒化物半導体層を形成し、窒化物半導体層上のゲート電極形成予定領域以外の領域に第1アモルファス層を形成し、窒化物半導体層上のゲート電極形成予定領域に、電子走行層の2次元電子ガスの発生を抑制する分極を有する結晶状の半導体層を形成するのと同時に、第1アモルファス層上に第1アモルファス層と異なる材料からなり、かつ、半導体層と同一の半導体材料からなる第2アモルファス層を形成し、半導体層の上方にゲート電極を形成することを要件とする。
[第1実施形態]
まず、第1実施形態にかかる半導体装置及びその製造方法について、図1〜図4を参照しながら説明する。
また、本半導体装置は、窒化物半導体材料を用いた電界効果トランジスタを備える。なお、窒化物半導体電界効果トランジスタともいう。
特に、本半導体装置は、HEMTを備える。また、本HEMTは、表面が窒素極性の窒化物半導体層を有する反転型HEMT構造を備える。なお、HEMTを半導体素子ともいう。
具体的には、本半導体装置は、GaN系半導体材料を用いたGaN−HEMTを備える。なお、GaN系電子デバイスともいう。特に、本GaN−HEMTは、N(窒素)で終端し、表面が窒素極性になっている、即ち、表面がN面(N極性面、窒素面)になっているGaN層5を有する反転型HEMT構造を備える。
本AlGaN/GaN−HEMTは、図1に示すように、成長用基板としてのサファイア基板1上に、表面が窒素極性となるように、ここでは<000−1>方向に、i−GaN層2、n−AlGaN層3、i−AlGaN層4、i−GaN層5を順に積層させた構造(窒化物半導体積層構造)を備える。つまり、本AlGaN/GaN−HEMTは、表面が窒素極性になっており、AlGaN層4上にGaN層5を積層した反転型HEMT構造を備える。
そして、このように構成される反転型HEMT構造(化合物半導体積層構造)の上方に、ソース電極8、ドレイン電極9及びゲート電極10を備える。
つまり、本AlGaN/GaN−HEMTでは、i−GaN層5上に、ソース電極8及びドレイン電極9を備える。
ここで、結晶状態のAlN層7は、i−GaN層5の表面に接し、i−GaN層5よりもバンドギャップが大きく、i−GaN層5よりも分極が大きく、所望の厚さを有する。このため、ゲート電極10の直下の領域における高濃度の2次元電子ガス(高濃度キャリア)の発生が抑制される。
ここで、結晶状態のAlNの自発分極の大きさ(内部電界の大きさ)は、約8.5MV/cmである。
本AlGaN/GaN−HEMTにおいて、ゲート電極10の直下の領域に結晶状態のAlN層7を設けない場合のゲート電圧のしきい値は、約−4V程度である。
次に、本AlGaN/GaN−HEMT(半導体装置)の製造方法について、図3、図4を参照しながら説明する。
まず、図3(A)に示すように、成長用基板としてのサファイア基板1上に、例えば有機金属気相成長(MOCVD;Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法などによって、表面が窒素極性のGaN層5を備える反転型HEMT構造を形成する。
続いて、表面が窒素極性のi−GaN層2上に、n−AlGaN層3、i−AlGaN層4、i−GaN層5を順に積層させて窒化物半導体積層構造を形成する。この場合、n−AlGaN層3、i−AlGaN層4、i−GaN層5のそれぞれの表面は窒素極性になる。
次に、図3(B)、図3(C)に示すように、例えばMOCVD法などによって、表面が窒素極性のi−GaN層5上のゲート電極10の直下の領域に結晶状態のAlN層7を形成するとともに、i−GaN層5の表面を覆うようにアモルファス状態のAlN層6を形成する。
次いで、図3(B)に示すように、i−GaN層5上のゲート電極形成予定領域に形成されたアモルファス状態のAlN層6に例えば電子線等を照射する。これにより、図3(C)に示すように、ゲート電極形成予定領域に形成されたアモルファス状態のAlN層6を結晶化して、ゲート電極形成予定領域に結晶状態のAlN層7を形成する。
そして、ソース電極形成予定領域及びドレイン電極形成予定領域のi−GaN層5上に、例えば蒸着・リフトオフ技術などを用いて、例えばTi/Alからなるソース電極8及びドレイン電極9を形成する。
次に、例えばフォトリソグラフィ技術、及び、蒸着・リフトオフ技術などを用いて、ゲート電極形成予定領域の結晶状態のAlN層7上に、例えばNi/Auからなるゲート電極10を形成する。
その後、ソース電極8、ドレイン電極9及びゲート電極10の各電極の配線等を形成して、本AlGaN/GaN−HEMT(半導体装置)が完成する。
特に、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、特殊なプロセスを行なうことなく、ノーマリオフ動作が可能なデバイスを作製することができる。つまり、従来のプロセスをほとんど変更しなくても良いため、低コストで、ノーマリオフ動作が可能なデバイスを作製することができる。
[第2実施形態]
次に、第2実施形態にかかる半導体装置及びその製造方法について、図5、図6を参照しながら説明する。
つまり、本AlGaN/GaN−HEMTは、ゲート電極10の直下の領域以外のi−GaN層5の表面は、アモルファス状態のSiN層12によって覆われている。つまり、ゲート電極10の直下の領域、ソース電極8の直下の領域及びドレイン電極9の直下の領域以外のi−GaN層5の表面を覆うアモルファス状態のSiN層12(第1アモルファス層)を備える。なお、アモルファス状態のSiN層12をアモルファスSiN層ともいう。
このように、本実施形態では、ゲート電極10の直下の領域以外のi−GaN層5上に、アモルファス状態のSiN層12、アモルファス状態のAlN層6が順に積層された構造になっている。つまり、異なる材料を含む第1アモルファス層と第2アモルファス層とが積層された構造になっている。
まず、上述の第1実施形態の場合と同様に、図6(A)に示すように、成長用基板としてのサファイア基板1上に、例えばMOCVD法などによって、表面が窒素極性のGaN層5を備える反転型HEMT構造を形成する。
つまり、まず、図6(A)に示すように、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて、i−GaN層5上のゲート電極形成予定領域のみにマスク(図示せず)を形成し、全面にアモルファス状態のSiN層12を形成する。
次に、図6(C)に示すように、例えばリソグラフィー技術を用いて、i−GaN層5上のソース電極形成予定領域及びドレイン電極形成予定領域に形成されたアモルファス状態のAlN層6及びアモルファス状態のSiN層12を除去して、i−GaN層5を露出させる。
その後、上述の第1実施形態の場合と同様に、例えば窒素雰囲気中で、例えば600℃程度で熱処理を行なって、オーミックコンタクトを確立する。
続いて、上述の第1実施形態の場合と同様に、例えばPECVD法などによって、全面にSiNパッシベーション膜11を形成する。
なお、その他の詳細は、上述の第1実施形態のものと同じであるため、ここではその説明を省略する。
特に、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、特殊なプロセスを行なうことなく、ノーマリオフ動作が可能なデバイスを作製することができる。つまり、従来のプロセスをほとんど変更しなくても良いため、低コストで、ノーマリオフ動作が可能なデバイスを作製することができる。
[第3実施形態]
次に、第3実施形態にかかる半導体装置及びその製造方法について、図7を参照しながら説明する。
つまり、本AlGaN/GaN−HEMTは、ゲート電極10の直下の領域以外のi−GaN層5の表面は、アモルファス層によって覆われておらず、SiNパッシベーション膜11によって覆われている。
まず、上述の第1実施形態の場合と同様に、図7に示すように、成長用基板としてのサファイア基板1上に、例えばMOCVD法などによって、表面が窒素極性のGaN層5を備える反転型HEMT構造を形成する。
つまり、まず、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて、i−GaN層5上のゲート電極形成予定領域以外の領域にマスクを形成し、成膜条件を調整して、i−GaN層5上のゲート電極形成予定領域に結晶状態のAlN層7を形成する。なお、結晶状態のAlN層7を、結晶AlN層ともいう。
その後、上述の第1実施形態の場合と同様に、例えば窒素雰囲気中で、例えば600℃程度で熱処理を行なって、オーミックコンタクトを確立する。
続いて、上述の第1実施形態の場合と同様に、例えばPECVD法などによって、全面にSiNパッシベーション膜11を形成する。
なお、その他の詳細は、上述の第1実施形態のものと同じであるため、ここではその説明を省略する。
特に、本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、特殊なプロセスを行なうことなく、ノーマリオフ動作が可能なデバイスを作製することができる。つまり、従来のプロセスをほとんど変更しなくても良いため、低コストで、ノーマリオフ動作が可能なデバイスを作製することができる。
[第4実施形態]
次に、第4実施形態にかかる電源装置について、図8を参照しながら説明する。
本電源装置は、図8に示すように、高圧の一次側回路(高圧回路)51及び低圧の二次側回路(低圧回路)52と、一次側回路51と二次側回路52との間に配設されるトランス(変圧器)53とを備える。
二次側回路52は、複数(ここでは3つ)のスイッチング素子57a,57b,57cを備えて構成される。
したがって、本実施形態にかかる電源装置によれば、上述の第1〜第3実施形態にかかる半導体装置(AlGaN/GaN−HEMT)を、高圧回路に適用しているため、高出力の電源装置を実現することができるという利点がある。特に、上述の第1〜第3実施形態にかかる半導体装置(AlGaN/GaN−HEMT)を備えるため、コンタクト抵抗を低減しながら、ノーマリオフ動作を実現することができる。
[その他]
なお、本発明は、上述した各実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
特に、分極を有する半導体層としては、これが接する第1窒化物半導体層よりも分極が大きい(特に自発分極が大きい)半導体層、第1窒化物半導体層よりもバンドギャップが大きい半導体層、あるいは、第1窒化物半導体層よりも分極が大きく、かつ、バンドギャップが大きい半導体層を用いるのが好ましい。これにより、半導体層の厚さを薄くすることができる。
例えば、反転型HEMT構造を備えるAlGaN/GaN−HEMTの場合、反転型HEMT構造の最上層を構成するGaNの自発分極の大きさは、約3.1MV/cmである。このため、自発分極の大きさが約3.1MV/cmよりも大きい半導体層を、GaN層上であってゲート電極の下方のみに設けるのが好ましい。
より具体的には、第1窒化物半導体層上であってゲート電極の下方のみに設けられる半導体層は、例えば、AlGaN、InAlN、InGaN、InN、AlInGaNなどの窒化物半導体材料からなり、結晶状態のものであっても良い。つまり、第1窒化物半導体層上であってゲート電極の下方のみに設けられる半導体層は、例えば、AlGaN層、InAlN層、InGaN層、InN層、AlInGaN層などの窒化物半導体結晶層であっても良い。
このように、第1窒化物半導体層上であってゲート電極の下方のみに設けられる半導体層は、AlN、AlGaN、InAlN、InGaN、InN、AlInGaN、ZnOのいずれかを含む半導体結晶層であっても良い。
また、第1窒化物半導体層上であってゲート電極の下方のみに設けられる半導体層は、単層でなくても良く、多層であっても良い。例えば、単層のAlGaN層を設けるのに代えて、AlN層、GaN層を積層させた多層構造のAlN/GaN層を設けても良い。これは、分極を有する半導体層とゲート電極との間に他の半導体層を設けていると見ることもできる。
例えば、上述の各実施形態では、電子走行層(第1窒化物半導体層)としてi−GaN層5を用いているが、これに限られるものではなく、例えば図9に示すように、i−InGaN層5Aを用いても良い。つまり、第1窒化物半導体層(電子走行層)は、GaN又はInGaNを含む半導体層であれば良い。なお、この場合、基板1上に形成されるi−GaN層2に代えて、i−InGaN層2Aを用いるのが好ましい。なお、図9では、上述の第1実施形態のものと同一のものには同一の符号を付している。
要するに、上述の第1実施形態において、結晶状態のAlN層7に代えて、半導体層として、AlGaN、InAlN、InGaN、InN、AlInGaN、ZnOのいずれかを含む半導体結晶層を用いる場合、アモルファス状態のAlN層6に代えて、第1アモルファス層として、AlGaN、InAlN、InGaN、InN、AlInGaN、ZnOのいずれかを含む半導体アモルファス層を用いれば良い。つまり、第1窒化物半導体層上であってゲート電極の下方のみに設けられる半導体層に用いられる結晶状態の半導体層と同一の半導体材料を含むアモルファス状態の半導体層をアモルファス層として用いれば良い。
2 i−GaN層
2A i−InGaN層
3 n−AlGaN層
4 i−AlGaN層
5 i−GaN層(第1窒化物半導体層)
5A i−InGaN層
6 アモルファス状態のAlN層(アモルファス層;半導体アモルファス層)
6A アモルファス状態のInAlN層
7 結晶状態のAlN層(半導体層;半導体結晶層)
7A 結晶状態のInAlN層
8 ソース電極
9 ドレイン電極
10 ゲート電極
11 SiNパッシベーション膜
12 アモルファス状態のSiN層
51 高圧の一次側回路(高圧回路)
52 低圧の二次側回路(低圧回路)
53 トランス(変圧器)
54 交流電源
55 ブリッジ整流回路
56a,56b,56c,56d ,56e スイッチング素子
57a,57b,57c スイッチング素子
Claims (7)
- 基板と、
前記基板の上方に設けられ、電子供給層と前記電子供給層の上方の電子走行層とを含む、表面が窒素極性の窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の上方に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で、前記窒化物半導体層の表面を覆い、前記電子走行層の2次元電子ガスの発生を抑制する分極を有する結晶状の第1の領域と前記第1の領域と同じ材料でアモルファス状の第2の領域とを含む半導体層と、
前記半導体層の前記分極を有する第1の領域の上方に設けられたゲート電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 基板と、
前記基板の上方に設けられ、電子供給層と前記電子供給層の上方の電子走行層とを含む、表面が窒素極性の窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層の上方に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記窒化物半導体層上に設けられ、前記電子走行層の2次元電子ガスの発生を抑制する分極を有する結晶状の半導体層と、
前記半導体層の上方に設けられたゲート電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で、前記半導体層が設けられた領域を除く、前記窒化物半導体層の表面を覆う第1アモルファス層と、
前記第1アモルファス層上に設けられた第2アモルファス層と、
を備え、
前記半導体層と前記第2アモルファス層とは、同一の半導体材料からなり、
前記第1アモルファス層と前記第2アモルファス層とは、異なる材料からなることを特徴とする半導体装置。 - 前記半導体層は、窒化物半導体層又は酸化物半導体層であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記窒化物半導体層は、GaN又はInGaNを含み、
前記半導体層は、AlN、AlGaN、InAlN、InGaN、InN、AlInGaN、ZnOのいずれかを含む半導体層であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 変圧器と、
前記変圧器を挟んで設けられた高圧回路及び低圧回路と、
を備え、
前記高圧回路は、トランジスタを含み、
前記トランジスタは、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置であることを特徴とする電源装置。 - 基板の上方に、電子供給層と前記電子供給層の上方の電子走行層とを含む、表面が窒素極性の窒化物半導体層を形成し、
前記窒化物半導体層上の全面にアモルファス層を形成し、
前記窒化物半導体層上のゲート電極形成予定領域に形成された前記アモルファス層のみを、前記電子走行層の2次元電子ガスの発生を抑制する分極を有する結晶状の半導体層とし、
前記半導体層の上方にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板の上方に、電子供給層と前記電子供給層の上方の電子走行層とを含む、表面が窒素極性の窒化物半導体層を形成し、
前記窒化物半導体層上のゲート電極形成予定領域以外の領域に第1アモルファス層を形成し、
前記窒化物半導体層上の前記ゲート電極形成予定領域に、前記電子走行層の2次元電子ガスの発生を抑制する分極を有する結晶状の半導体層を形成するのと同時に、前記第1アモルファス層上に前記第1アモルファス層と異なる材料からなり、かつ、前記半導体層と同一の半導体材料からなる第2アモルファス層を形成し、
前記半導体層の上方にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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