JP5688196B2 - 超薄型多層構造相変化メモリ素子 - Google Patents
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Description
1.従来の相変化メモリ材料は3元又はそれ以上の多元合金であり、大面積の製造プロセスにおいて組成均一度の制御性が好ましくない問題があった。一方、本願は、単一元素又はドープされた元素単相によってこの問題を解決している。
2.従来の相変化メモリ材料は、相変化時に体積変化が一割近くと過大になり、書き消しが繰り返された後に層剥離が生じやすくなる問題があった。一方、本願は、相変化材料の設計及び添加物によって、基本的に体積変化が3%未満となるようにしている。
3.従来の相変化メモリ材料は、リセット状態において、電気抵抗のドリフトが過大となり、マルチレベルメモリの信頼性が損なわれる問題があった。一方、本願は、これを解決するための対策を開示するとともに実施例に明示している。
(1)本願の超薄のアンチモン(又はビスマス)単相の薄膜は、上下のバリア層に挟み込まれており、「サンドイッチ状の相変化メモリユニット」を形成している。
(2)本願の超薄型アンチモン(又はビスマス)相のアモルファス薄膜は、厚さ15ナノメートルから5ナノメートルまで低下した場合、挟み込まれている効果によって、その結晶化温度が大幅に上昇し、一般的に50℃〜100℃も上昇させることができる。
(3)本願のアモルファス超薄型相変化薄膜は、厚さが10ナノメートルの場合、挟み込まれている効果によって、結晶化温度は少なくとも100℃であり、厚さが5ナノメートルの場合、結晶化温度は少なくとも130℃である。
(4)本願の挟み込まれる超薄型アンチモン膜又はビスマス膜は、平衡濃度が遥かに大きい固溶元素を収容することができるため、ドープされた後も依然として単相状態を維持するのに有利である。
(5)本願の挟み込まれる超薄型相変化材料層は、相変化時の体積変化が3%未満である。即ち、従来の相変化材料であるGe2Sb2Te5の相変化時の体積変化の3分の1未満である。
(6)本願の相変化メモリユニットのメモリにおけるリセット後の電気抵抗のドリフト率は、従来の相変化材料であるGe2Sb2Te5素子の電気抵抗のドリフト率の2分の1以下であり、しばしば3分の1以下に達する。
(1)保護バリア層を用いることで、超薄型記憶層同士の間又は超薄型記憶層と電極 との間を離間する。これがサンドイッチ状メモリユニットの設計の基礎である。保護バリア層の特質は以下の4つである。(a)高温安定性を有し、少なくとも1000℃まで安定する。(b)超薄型相変化材料層との間で化学作用を生じない。(c)超薄型相変化材料層との間で、例えば相互に拡散するなどの物理作用を生じない。(d)超薄型相変化材料層に十分に濡れる。この4つの特質を同時に満たす保護バリア層の材料は、いずれも本発明の訴求範囲内に含まれる。この保護バリア層は以下の2つに分けられる。一つは、直列構造に用いられる導電バリア層であって、タングステン、モリブデン、ルテニウム、ルテニウム酸化物、窒化チタン、窒化タンタル、タングステン、アンチモン化イットリウム、アンチモン化ハフニウム、アンチモン化ジルコニウム、アンチモン化チタンの1つから選ばれるがそれに限定されない。もう一つは、並列構造に用いられる絶縁バリア層であって、酸化アンチモン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素等から選ばれる。上下のバリア層の材料は、異なっていてもよい。
(2)サンドイッチ挟持層に位置する超薄型相変化材料層のアンチモン単相又はビスマス単相の相変化メモリ材料は、膜厚が15ナノメートルから5ナノメートルまで低下した場合、結晶化温度は少なくとも50℃上昇し、且つ、15nmのアモルファス元素単相の結晶化温度が100℃以上であることを特徴とする。これによって、元々室温でメッキされた自発的に結晶化する純アンチモン膜又は純ビスマス膜は、適度な高温安定性を備えるようになる。
(3)この元素単相の相変化メモリ材料は、アモルファスと結晶との相変化時に、その線膨張率が1%未満の絶対値(体膨張率の絶対値が3%未満であることに相当)とならなければならない。本要件のもと、本発明はこの要件を満たすものとして純アンチモン元素膜を開示し、その相変化時の線膨張は0.3%未満であり、この変形量は純元素時の凝固膨張であってもよく、ドープされた後の凝固収縮であってもよい。本要件を満たすものとしては更に、意図的にドーパントを添加した又は絶縁ナノ粒子を添加した後のアンチモン単相又はビスマス単相があり、そのドーパント含有量は各当該元素の固溶度の範囲内である。従って、ドープされた原子はアンチモン(又はビスマス)の結晶格子内に安定して存在することができ、単一のアンチモン(又はビスマス)の単相固溶体を形成する。従って、アンチモン単相固溶体又はビスマス単相固溶体に結晶−アモルファスの相変化が生じた時、体積変化率3%以内の添加元素及びその含有量は、いずれも本願の訴求範囲内に入るものである。
挟み込まれる超薄膜の特質を利用して、本発明は、異なる厚さの超薄膜を、導電バリア層(200)又は絶縁バリア層(701)と組み合わせ、図1(A)内の楕円破線で囲んだブロックに示すように、「前記保護バリア層/前記超薄型相変化材料層(100)/前記保護バリア層」のサンドイッチ状の3層構造ユニットとなるようにメッキする。ここで、保護バリア層は、超薄(30nm以下)又は一般的な厚さ(30〜100nm)であってもよく、素子の幾何学的形状による制限を受ける。図2に示すように、各メモリセル素子は、1つの相変化メモリユニット、2つの相変化メモリユニット、3つの相変化メモリユニット、ひいてはn個の相変化メモリユニットを含んでもよく、nは正整数である。メモリは異なる抵抗値によるビット値として、例えば0あるいは1の、2種類のビット値が記録できるので、これにより、1ビットからマルチビットの記憶を行うことができる。各素子それぞれが1つの相変化メモリユニットのみを含む場合は1ビットを記憶することができ、相変化メモリユニットが1つ増加するごとに1種類のビット値を増加させることができ、以下これに準ずる。
本発明は、超薄型相変化材料層(100)の厚さ、材料及び添加物を制御することによって、相変化メモリの性能を向上させる。まず克服すべきは、新材料の1つであるアンチモン薄膜が室温下で自発的に結晶化し、超薄型相変化材料層(100)の材料として用いることができない問題である。この問題を解決するためには、その薄膜を超薄の膜としてメッキして、その薄膜の結晶化温度を上昇させなければならない。
Tc=T0+Cexp(−d/d0)
式中、Tcは結晶化温度(K)であり、dは膜厚であり、C、T0及びd0はそれぞれ温度、厚さに関する定数であり、最適化後の数値はそれぞれ、C=1150K,T0=403K,d0=1.90nmである。
次に、実験によって、純アンチモン膜におけるアモルファスから結晶への相変化時の体積変化を検出する。採用する方法は、X線反射率法(X−ray Reflectivity)であり、図7に示すように、反射率からその体積変化を計算する。図7は、0.3nm/分未満のメッキ率で慎重に製造されたまだ被覆されていない50nmの純アンチモン膜について、X線回折法により、そのメッキ初期状態が完全なアモルファス状態であり、210℃で3分間加熱した後は完全な結晶状態となったことが証明されたことを示す。公式に代入して計算して得られたアモルファス状態及び結晶状態の密度は、それぞれ6.60g/cm3及び6.63g/cm3である。即ち、相変化時の体積変化は僅か0.45%であり、本発明の主旨に合致している。
本発明は、超薄型相変化材料層(100)の材料として、固溶度内でその他の元素をドープして、即ち「元素単相」材料を使用して相変化メモリの性能を向上する方法を更に開示する。
卒業生であれば、純元素又は純相についてことを一定の知識を有しており、「純」が「度」を有することを知っている。例えば、冶金級シリコンは98〜99wt%(wt%は重量パーセントを指す)のケイ素を含んでおり、ソーラーグレードシリコンは99.9999wt%(6Nine)以上のケイ素を含んでおり、半導体級シリコンは純度が9Nine以上に達する。但し、9Nineの純シリコンであったとしても、その1グラムのシリコン(0.0357モル、2.15x1022個のシリコン原子に相当)には依然として2.15x1015(即ち215兆)以上の不純物原子が含まれており、原子個数から言えば、依然として異常なほど膨大である。本技術に習熟する者は、ソーラーエネルギー又は半導体に用いられる純シリコンが、製造プロセスにおいて特定の含有量の特殊な不純物元素を適切に「ドープ」することによってその電気的特性を調整する必要があることを知っている。例えば、ホウ素をドープしてP型半導体を得ることや、リンをドープしてN型半導体を得ることがそれである。
1.薄膜結晶後の電気抵抗値を調整すること。絶縁ナノ粒子の添加により、超薄型相変化材料層(100)の結晶状態の電気抵抗を5kΩ〜90kΩの間に調整することができ、集積回路設計の需要に応じて調節することができる。
2.相変化層の体積を希釈してアモルファス−結晶間の相変化時の体積変化量を低減する。この目的を例とすると、本来のSb(Ga16at%)薄膜の相変化時の体積変化は4%であるが、相変化材料層の30%が非反応性絶縁ナノ粒子によって占められると、相変化体積は多くても4%x0.7=2.8%となり、本発明の設計の主旨である3%未満の要求を満たす。これにより、長期動作において薄膜の特質を維持することが更に可能となり、素子の信頼性も高めることができる。
誘電体層の材料は、電気的に絶縁された酸化物又は窒化物であり、その特性は少なくとも1200℃において超薄型相変化材料層(100)との間で物理的又は化学的反応を起こさないことである。一般的なIC製造プロセスに用いられる誘電体層は多くが本発明に適用される。選択使用することのできる材料は、例えば二酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素、三酸化二アルミニウム、窒化アルミニウム、二酸化ハフニウム又は酸化マグネシウムなどである。
第1の電極(300)及び第2の電極(500)の材料は、低電気抵抗を有し、室温での電気抵抗率が50mΩ−cm未満であり、一般的に0.02〜5mΩ−cmの間であり、高度な熱安定性を有する材料である。この材料は、少なくとも1200℃の時でも依然として低電気抵抗の固体状態を維持することができ、主として窒化チタン、窒化タンタル、タングステン、タンタル、ルテニウム、酸化ルテニウム又は二酸化ルテニウムなどである。
保護バリア層は、導電バリア層と絶縁バリア層の二種類に分けられる。以下、二種類のバリア層の材料の選択使用についてそれぞれ開示する。
(1)耐火金属:例えば、純タングステン、純タンタル、純レニウムなどはいずれも超薄型相変化材料層(100)がアンチモン又はビスマスである場合に適用される。その理由は、それらがアンチモン又はビスマスとの間で化学反応を起こさず、相互溶解度がないためである。それら三者のうち、タングステンが最も好ましい。純モリブデン、純ルテニウム、純イリジウムなどはアンチモンとの間で低温化合物を生成するため、アンチモン単相の超薄型相変化材料層(100)に適用されない。但し、純モリブデン、純ルテニウム、純イリジウムは、ビスマスとは化学反応を起こさず、相互溶解度もないため、ビスマス単相の超薄型相変化材料層(100)には用いることができる。
(2)高温安定性を有する導電化合物:例えば、酸化物である二酸化ルテニウム、ランタンニッケル酸化物など(両者の融点はいずれも1400℃よりも高い)、窒化物である窒化チタン、窒化タンタルなど、ホウ化物である六ホウ化ランタン、チタンホウ化物など、炭化物である炭化チタン、炭化タンタル、炭化ケイ素など、ケイ化物であるケイ化モリブデンなどが挙げられる。
(3)高温安定性を有する導電アンチモン化物:最も好ましいものとしてはアンチモンイットリウム化物(融点が2310℃に達するYSb、その電気抵抗率は35μΩ−cm)、次いでアンチモンジルコニウム化物(融点が1250℃より高いZrSb2)、アンチモンチタン化物(融点が1050℃に達するTiSb2)のうちの一つである。
R(t)=R0(t/t0)v
式中、R(t)は時間tの時の電気抵抗であり、R0、t0はそれぞれ測定初期の電気抵抗と時間を表し、Vは指数的な定数である。図15におけるある温度が恒温時の指数的定数Vは、各測定線のスロープから求めることができる。25℃、45℃、65℃及び85℃の時,V値はそれぞれ0.0187、0.0161、0.0132及び0.0113である。
ln(t)=Ec/kT−ln(τ)
式中、Ecは活性化エネルギーであり、tは時間定数である。得られた直線のスロープを電気抵抗のドリフトの活性化エネルギーとし、図15(B)に示すように0.27eVとした。
101 複数の相変化メモリユニットにおける第一層の超薄型相変化材料層
102 複数の相変化メモリユニットにおける第二層の超薄型相変化材料層
10n 複数の相変化メモリユニットにおける第n層の超薄型相変化材料層
200 導電バリア層
210 第1の電極に隣接する第1の導電バリア層
220 第2の電極に隣接する第2の導電バリア層
300 第1の電極
350 第1の電極集合体層
400 誘電体層
500 第2の電極
550 第2の電極集合体層
600 シリコン基材
701 絶縁バリア層
Claims (15)
- シリコン基材と、
前記シリコン基材の上方に位置し、両側にそれぞれ保護バリア層が設けられた超薄型相変化材料層を含むことによって、「前記保護バリア層/前記超薄型相変化材料層/前記保護バリア層」の3層構造ユニットとして構成された複数の相変化メモリユニットであって、前記相変化メモリユニットにおける前記超薄型相変化材料層は純アンチモンあるいは純ビスマスの粒子状の超薄膜であって、含有量が3〜50モルパーセントの間の、サイズが膜厚より小さな絶縁ナノ粒子を含み、前記超薄型相変化材料層の材料は純アンチモン元素又はドープされたアンチモン単相固溶体あるいは純ビスマス元素又はドープされたビスマス単相固溶体であり、前記超薄型相変化材料層は厚さが2nm〜15nmであり、厚さが15nmの場合、結晶化温度が100℃以上であり、厚さが15ナノメートルから5ナノメートルまで低下した場合、結晶化温度は少なくとも50℃上昇し、相変化発生前後において前記超薄型相変化材料層の体積変化量が3%未満である、複数の相変化メモリユニットと、
前記複数の相変化メモリユニットと互いに隣接して電気的に接続され、互いに隣接して電気的に接続された第1の電極及び第1の導電バリア層を含む第1の電極集合体層と、
前記複数の相変化メモリユニットと互いに隣接して電気的に接続され、互いに隣接して電気的に接続された第2の電極及び第2の導電バリア層を含む第2の電極集合体層と、
前記シリコン基材の上方に位置し、前記複数の相変化メモリユニットに又はその下方に位置する誘電体層であって、前記誘電体層の1つは前記複数の相変化メモリユニットと前記シリコン基材との間にある誘電体層と、
を含み、
前記複数の相変化メモリユニットは並列接続構造を有し、前記第1の電極及び前記第2の電極によって提供される電流の流れる方向は、前記超薄型相変化材料層の平面に対して平行である、
ことを特徴とする超薄型多層構造相変化メモリ素子。 - 前記相変化メモリユニットが1つである場合、メモリは抵抗値によるビット値として2種類のビット値が記録でき、前記相変化メモリユニットが複数である場合、前記相変化メモリユニットが1つ追加される毎に、メモリに記録できる抵抗値によるビット値が1種類のビット値を増加する、ことを特徴とする請求項1に記載の超薄型多層構造相変化メモリ素子。
- 前記複数の相変化メモリユニットにおける前記超薄型相変化材料層の厚さは異なってもよい、ことを特徴とする請求項1に記載の超薄型多層構造相変化メモリ素子。
- 前記ドープされたアンチモン単相固溶体とは、含有量が1〜18原子パーセントの間であり、炭素、窒素、酸素、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、ビスマス、テルル、ケイ素、ゲルマニウムのうちの一つ又はそれらの組み合わせから選ばれるドーパントを、固溶度の範囲内において添加したものを指す、ことを特徴とする請求項1に記載の超薄型多層構造相変化メモリ素子。
- 前記ドープされたビスマス単相固溶体とは、含有量が1〜18原子パーセントの間であり、ガリウム、アンチモン、ケイ素、ゲルマニウム、炭素、窒素、酸素のうちの一つ又はそれらの組み合わせから選ばれるドーパントを、固溶度の範囲内において添加したものを指す、ことを特徴とする請求項1に記載の超薄型多層構造相変化メモリ素子。
- 前記粒子状の超薄膜における前記絶縁ナノ粒子は、酸化物、窒化物、炭化物、ケイ化物、ホウ化物、アンチモン化物の一つ又はそれらの組み合わせから選ばれる、ことを特徴とする請求項1に記載の超薄型多層構造相変化メモリ素子。
- 前記複数の相変化メモリユニット内の各前記超薄型相変化材料層の材料の種類は、層毎に異なっていてもよい、ことを特徴とする請求項1に記載の超薄型多層構造相変化メモリ素子。
- 前記第1の導電バリア層及び前記第2の導電バリア層の材料は、室温下での電気抵抗率が1000mΩ−cm未満であり、少なくとも1000℃においても依然として安定した固体状態を維持することができ、且つ前記超薄型相変化材料層との間で物理的又は化学的反応を起こさないものであって、タングステン、モリブデン、ルテニウム、タンタル、レニウム、イリジウム、炭化ケイ素、ケイ化モリブデン、六ホウ化ランタン、チタン炭化物、タンタル炭化物、チタンホウ化物、アンチモンハフニウム化物、ルテニウム酸化物、チタン窒化物、タンタル窒化物、アンチモンチタン化物、アンチモンイットリウム化物、アンチモンジルコニウム化物、ランタンニッケル酸化物の一つ又はそれらの組み合わせから選ばれる、ことを特徴とする請求項1に記載の超薄型多層構造相変化メモリ素子。
- 前記第1の電極及び前記第2の電極の材料は、室温での電気抵抗率が50mΩ−cm未満であり、温度が少なくとも1200℃の時でも依然として安定した固体状態を維持することができ、ルテニウム、タングステン、タンタル、酸化ルテニウム、二酸化ルテニウム、窒化チタン、窒化タンタルの一つから選ばれる、ことを特徴とする請求項1に記載の超薄型多層構造相変化メモリ素子。
- 前記誘電体層の材料は、温度が少なくとも1200℃の時に前記超薄型相変化材料層との間で物理的又は化学的反応を起こさないものであって、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素、三酸化二アルミニウム、窒化アルミニウム、二酸化ハフニウム、酸化マグネシウムの一つから選ばれる、ことを特徴とする請求項1に記載の超薄型多層構造相変化メモリ素子。
- 前記複数の相変化メモリユニット内の前記保護バリア層は絶縁性であり、前記保護バリア層の材料は、温度が少なくとも1200℃の時に前記超薄型相変化材料層との間で物理的又は化学的反応を起こさないものであって、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化チタン、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、シリコン窒化物、シリコン酸化物、シリコン窒化酸化物、アルミニウム酸化物、マグネシウム酸化物の一つから選ばれる、ことを特徴とする請求項1に記載の超薄型多層構造相変化メモリ素子。
- 前記「前記保護バリア層/前記超薄型相変化材料層/前記保護バリア層」の3層構造ユニットにおいて、前記超薄型相変化材料層の両側の前記保護バリア層の材料は異なってもよい、ことを特徴とする請求項1に記載の超薄型多層構造相変化メモリ素子。
- シリコン基材と、
前記シリコン基材上に位置し、両側にそれぞれ保護バリア層が設けられた超薄型相変化材料層を含むことによって、「前記保護バリア層/前記超薄型相変化材料層/前記保護バリア層」の3層構造ユニットとして構成された複数の相変化メモリユニットであって、前記相変化メモリユニットにおける前記超薄型相変化材料層は純アンチモンあるいは純ビスマスの粒子状の超薄膜であって、含有量が3〜50モルパーセントの間の、サイズが膜厚より小さな絶縁ナノ粒子を含み、前記超薄型相変化材料層の材料は純アンチモン元素又はドープされたアンチモン単相固溶体あるいは純ビスマス元素又はドープされたビスマス単相固溶体であり、前記超薄型相変化材料層は厚さが2nm〜15nmであり、厚さが15nmの場合、結晶化温度が100℃以上であり、厚さが15ナノメートルから5ナノメートルまで低下した場合、結晶化温度は少なくとも50℃上昇し、相変化発生前後において前記超薄型相変化材料層の体積変化量が3%未満である、複数の相変化メモリユニットと、
前記複数の相変化メモリユニットと互いに隣接して電気的に接続され、互いに隣接して電気的に接続された第1の電極及び第1の導電バリア層を含む第1の電極体層と、
前記複数の相変化メモリユニットと互いに隣接して電気的に接続され、互いに隣接して電気的に接続された第2の電極及び第2の導電バリア層を含む第2の電極体層と、
前記第2の電極と前記第2の導電バリア層との間に、そして前記第2の電極と前記シリコン基材との間に位置する誘電体層と、
を含み、
前記複数の相変化メモリユニットは直列構造を有し、前記第1の電極及び前記第2の電極によって提供される電流の流れる方向は、前記超薄型相変化材料層の平面に対して垂直である、
ことを特徴とする超薄型多層構造相変化メモリ素子。 - 前記複数の相変化メモリユニット内の前記保護バリア層は導電性であり、前記保護バリア層の材料は、室温下での電気抵抗率が1000mΩ−cm未満であり、温度が少なくとも1000℃の時でも依然として安定した固体状態を維持することができ、且つ前記超薄型相変化材料層との間で物理的又は化学的反応を起こさないものであって、タングステン、モリブデン、ルテニウム、タンタル、レニウム、イリジウム、炭化ケイ素、ケイ化モリブデン、六ホウ化ランタン、チタン炭化物、タンタル炭化物、チタンホウ化物、アンチモンハフニウム化物、ルテニウム酸化物、チタン窒化物、タンタル窒化物、アンチモンチタン化物、アンチモンイットリウム化物、アンチモンジルコニウム化物、ランタンニッケル酸化物の一つ又はそれらの組み合わせから選ばれる、ことを特徴とする請求項13に記載の超薄型多層構造相変化メモリ素子。
- 前記「前記保護バリア層/前記超薄型相変化材料層/前記保護バリア層」の3層構造ユニットにおいて、前記超薄型相変化材料層の両側の前記保護バリア層の材料は異なってもよい、ことを特徴とする請求項13に記載の超薄型多層構造相変化メモリ素子。
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