CN102610745B - 用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料 - Google Patents
用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102610745B CN102610745B CN201110021620.XA CN201110021620A CN102610745B CN 102610745 B CN102610745 B CN 102610745B CN 201110021620 A CN201110021620 A CN 201110021620A CN 102610745 B CN102610745 B CN 102610745B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- phase
- change material
- change
- sstn
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 230000015654 memory Effects 0.000 title abstract description 30
- 230000008859 change Effects 0.000 title abstract description 12
- -1 sulfur group compound Chemical class 0.000 title abstract description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 56
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 52
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 31
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910006351 Si—Sb Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 2
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 35
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 7
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010327 methods by industry Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
本发明提供一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，属微电子技术领域。该种材料具有高热稳定性和高结晶速度，其组分通式为(SiaSbbTec)1-yMy，其中元素M是氮元素或氧元素或它们的混合物；在SiaSbbTec中，Si的含量a为10-25%原子百分比，Sb和Te的含量的原子百分比的比值为1.7≤ (b/c) ≤2.0；掺杂元素M的含量y是0-25%原子百分比。该材料在电学脉冲的作用下，可在非晶态（高阻态）和晶态（低阻态）之间进行可逆转变，从而实现信息存储。该材料与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有较高的结晶温度、较高的热稳定性和更高的晶态电阻率，使用该材料作为信息存储介质可以大大提高器件的数据保持能力，同时能保持较快的操作速度和降低的写操作功耗，提高器件的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于相变存储器的相变材料，特别涉及一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料。
背景技术
存储器在半导体市场中占有重要地位，相变存储器被认为是最具潜力的下一代非易失性存储器，其是利用相变薄膜材料作为存储介质来实现信息存储。相变存储器是基于S.R.Ovshinsky在20世纪60年代末提出的奥弗辛斯基电子效应的存储器(Ovshinsky S R.Reversible electrical switching phenomena indiscovered structure.Phys.Rev.Lett.，1968，21(20)：1450)，相变存储器的关键材料是作为存储介质的相变薄膜、加热电极材料、绝缘材料、和引出电极材料等。相变存储器的基本原理是施加电学脉冲信号于器件单元上，使相变材料在非晶态与晶态之间产生可逆转变，利用材料在高电阻值的非晶态和低电阻值的晶态之间的电阻差异来实现数据存储。利用相变薄膜作为相变存储器核心存储介质的研究可以追溯到1970年代，但由于当时微电子工艺技术的限制，并没有开发出可商用的相变存储器。Ovshinsky于1992年提出了基于电学信号的可擦写相变存储器的专利(美国专利，专利号：5166758)，以硫族化合物Ge-Sb-Te合金薄膜作为相变存储器的存储介质。直至目前为止，用于相变存储器的典型材料仍为硫系化合物合金Ge-Sb-Te薄膜，其中以Ge2Sb2Te5的应用最为广泛，其中锗-锑-碲的成分的原子百分比是2∶2∶5。
非易失性相变存储器在高密度存储器单元中必须更可靠地工作以替代传统的闪存存储器，因此要求相变材料在晶态时晶粒的分布和尺寸更均匀，在非晶态时薄膜有更高的热稳定性。虽然以Ge2Sb2Te5为存储介质的存储器在常温下其数据可以保持十年，但是由于材料从非晶态向立方结构的晶态的转变温度相对较低(约为170度)，仍然存在数据不能有效保持的危险，限制了器件的应用范围，所以提高材料的结晶温度以提高材料的热稳定性进而增强存储器的数据保持能力就成为亟待解决的问题。同时由于Ge2Sb2Te5相变材料具有较高的熔点(约620℃)，采用Ge2Sb2Te5的相变存储器在进行写操作时需要较大的电流，因此难以在便携式产品中得到广泛应用。此外，为了提高器件的操作速度，需要发展具有更高相变速度，具体地更高结晶速率的相变材料。
通过改善相变存储单元器件结构或者驱动电路的架构，可以有效地降低器件操作功耗和提高工作速度，然而这样必然会增加制造工艺的复杂度，并且降低器件特性的均匀性。因此，提供一种热稳定性高、操作功耗低且具有较快结晶速度，能够长期稳定工作的相变薄膜材料，已成为本技术领域研究人员急需解决的问题。
发明内容
本发明主要解决的技术问题在于提供一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，以提高相变存储器的热稳定性、减小其操作功耗，以及延长稳定工作期限，同时相变存储器具有较快的操作速度。
为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，其组分通式为(SiaSbbTec)1-yMy，在SiaSbbTec中，Si的含量a为10-25％原子百分比，Sb和Te的含量的原子百分比的比值为1.7≤(b/c)≤2.0；M为掺杂元素，其含量y是0-25％原子百分比。
较佳的，掺杂元素M可以为氮元素、氧元素或它们的混合物。
较佳的，优选组分可为(Si11Sb57Te32)1-yMy、(Si18Sb52Te30)1-yMy或(Si24Sb48Te28)1-yMy。
较佳的，所述材料可采用溅射法、电子束蒸发法、气相沉积法、及原子层沉积法中的一种方法形成。其中，在N2、O2或N2与O2混合气体的氛围下，可采用Si、Sb及Te三个单质靶共溅射形成，也可采用Si-Sb合金靶和Te单质靶共溅射形成、或者采用Si-Te合金靶和Sb单质靶共溅射形成、或者采用Sb-Te合金靶和Si单质靶共溅射形成，还可直接采用Si-Sb-Te的合金靶溅射形成。
本发明的有益效果在于：
经过实验研究，本发明提供的用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料能在外部能量的作用下，实现高电阻态与低电阻态之间的可逆转变；其在作为相变存储器的存储介质时，相变存储单元不仅具有相变速度快、写操作电流低等优点，而且器件的热稳定性、可靠性和循环操作次数都得到了提高。
附图说明
图1为本发明提供的用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料中的相变材料Si18Sb52Te30、(Si18Sb52Te30)92.43N7.57、(Si18Sb52Te30)83.12N16.88、(Si18Sb52Te30)78.72N21.28(分别简记为SSTN_0、SSTN_1、SSTN_2、SSTN_4，对应图中氮气流量为0、1、2、4SCCM的结果)分别在300摄氏度退火2分钟后，由X射线衍射图谱所估算的晶粒尺寸大小。
图2为本发明提供的用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料中的SSTN_0、SSTN_1、SSTN_2、SSTN_4相变材料在非晶态和晶态时，采用四探针法测得的材料的电阻率。
图3A为本发明提供的用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料中的相变材料SSTN_0在250摄氏度退火5分钟后，由原子力显微镜所观察到的材料表面形貌及表面粗糙度。
图3B为本发明提供的用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料中的相变材料SSTN_1在250摄氏度退火5分钟后，由原子力显微镜所观察到的材料表面形貌及表面粗糙度。
图3C为本发明提供的用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料中的相变材料SSTN_2在250摄氏度退火5分钟后，由原子力显微镜所观察到的材料表面形貌及表面粗糙度。
图3D为本发明提供的用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料中的相变材料SSTN_4在250摄氏度退火5分钟后，由原子力显微镜所观察到的材料表面形貌及表面粗糙度。
图4为本发明提供的用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料中的SSTN_0、SSTN_1、SSTN_2、SSTN_4相变材料的方块电阻与退火温度的关系曲线。
图5为本发明的用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料中的SSTN_0、SSTN_1、SSTN_2、SSTN_4相变材料的数据保持能力拟合关系曲线。
图6为本发明的用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料中的SSTN_1相变材料应用在相变存储器中，所形成的器件单元电阻与所施加的脉冲电压的关系。
图7为采用本发明的用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料中的SSTN_1相变材料所形成的相变存储单元结构示意图。
具体实施方式
本发明的用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，其组分通式为(SiaSbbTec)1-yMy，在SiaSbbTec中，Si的含量a为10-25％原子百分比，Sb和Te的含量的原子百分比的比值为1.7≤(b/c)≤2.0；掺杂元素M的含量y是0-25％原子百分比；其可采用多种方法形成，例如，溅射法、电子束蒸发法、气相沉积法、原子层沉积法等。当采用溅射法形成时，采用反应溅射的方法制备氮、氧掺杂的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，材料中氮、氧元素的组分可以通过调节氮气、氧气的流量进行控制；材料中其余的元素(即Si、Sb、及Te)可分别对应不同的靶，通过在每个靶上施加不同的功率可以控制材料的成分，材料的厚度可以通过调整溅射时间得到控制；也可先制备相应成分的硫族化合物合金靶材，再通过反应溅射合金靶材得到相应成分的薄膜，即采用Si-Sb合金靶和Te单质靶共溅射形成，或者采用Si-Te合金靶和Sb单质靶共溅射形成，或者采用Sb-Te合金靶和Si单质靶共溅射形成；还可直接采用Si-Sb-Te的合金靶溅射形成。此外，也可以可采用氮、氧离子注入Si-Sb-Te相变薄膜的方法实施氮、氧掺杂。
以下将对氮掺杂的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料进行详细说明，其中采用反应溅射Si18Sb52Te30合金靶的方法实施氮掺杂，材料制备过程中总的气体流量恒定为50SCCM，氮气的流量分别为0、1、2、4SCCM，以得到不同氮含量的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料：Si18Sb52Te30、(Si18Sb52Te30)92.43N7.57、(Si18Sb52Te30)83.12N16.88、(Si18Sb52Te30)78.72N21.28(分别简记为SSTN_0、SSTN_1、SSTN_2、SSTN_4，对应氮气的流量为0、1、2、4SCCM)。
请参见图1，在经热氧化的硅衬底上采用反应共溅射的方法沉积厚度为200nm左右的SSTN_0、SSTN_1、SSTN_2、SSTN_4相变材料，样品在300摄氏度的温度下退火处理2分钟；图中所示为由X射线衍射图谱所估算的各组分材料晶粒尺寸的大小。由图可见，材料晶粒尺寸随着氮元素掺入量的增加而不断减小，这主要是因为在晶核周围有氮化物(如Sb-N)的形成，抑制了晶粒的进一步大，使薄膜中晶粒的分布更趋于均匀，有助于提高器件在晶态与非晶态可逆操作过程中的可靠性。
再请参见图2，其为采用四探针法测得的相变材料SSTN_0、SSTN_1、SSTN_2、SSTN_4分别在非晶态与晶态时的电阻率。图中所有材料的晶态都是在250摄氏度的温度下退火处理5分钟得到。从图中可以看到，氮掺杂使得Si-Sb-Te相变薄膜的非晶态电阻率大大增加，这有助于提高器件单元的电阻开关比，减小数据的读取误差。同时氮掺杂也使得Si-Sb-Te相变薄膜晶态的电阻率有所增加，而适当地增加薄膜晶态电阻率有助于改善存储器的能力传输效率，降低器件的操作功耗。
图3A至3D分别为相变材料SSTN_0、SSTN_1、SSTN_2、SSTN_4在经过250摄氏度退火5分钟后，由原子力显微镜所观察到的材料表面形貌及表面粗糙度。从图上可以直观的看出，材料中掺入氮以后薄膜表面变得更为光滑，因为掺入的氮元素进入晶粒间界，抑制了材料的结晶过程；同时通过计算表面粗糙度可以得到相变材料SSTN_1具有最小的表面粗糙度。对于晶态的相变薄膜，更平整的表面有助于改善相变材料与电极的粘附特性，从而提高器件在循环操作过程中的可靠性。
图4为使用真空原位加热系统测得的不同N含量的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料的方块电阻与退火温度的关系曲线。当退火温度低于190度时，所有相变材料均处于高阻的非晶态，随着温度的进一步增加，所有相变材料的方块电阻开始出现明显的下降直至相变材料转变为低阻的多晶态。这个过程在相变存储器中可以通过施加电脉冲等外部能量对相变薄膜加热来实现，同时可以通过施加不同的电脉冲实现相变薄膜在非晶态和晶态之间的可逆转变。对于所有组分的薄膜，其非晶态的电阻率与晶态的电阻率相比高出了4个数量级，表明氮掺杂的Si-Sb-Te材料适合用作相变存储介质。由图可以看出，SSTN_0、SSTN_1、SSTN_2、SSTN_4相变薄膜材料的结晶温度均高于常用的Ge2Sb2Te5薄膜，因此该系列材料具有更好热稳定性和更强的数据保持能力。此外，由图可见各组分薄膜的方块电阻在结晶温度附近电阻的下降趋势基本没有差别，因此氮元素的掺入不会影响Si-Sb-Te相变材料的结晶速率。
再请参见图5，由图5可以看出随着材料中氮元素含量的增加，氮掺杂的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料的数据保持能力逐渐增强，其中相变材料SSTN_4作为存储介质时，其中存储的数据要保持十年所能承受的最高温度已经可以超过140度，大大优于常用的Ge2Sb2Te5相变材料(通常不会超过110度)。因此采用氮掺杂的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料作为相变存储器的存储介质有助于提升存储器的数据保持性能，提高数据保持的可靠性，使得器件可以在更恶劣的高温环境中使用。
图6所示为相变材料SSTN_1应用在相变存储器中，其相应器件在连续两次直流电流作用下的电流-电压特性曲线。其中，所述相变存储器的相变存储单元结构如图7所示，相变存储单元包括上电极1(如铝)、SSTN_1相变材料2、介质材料(如SiO2)3、及下电极4(如钨)。施加到器件单元的电流的最大值为100μA，且器件两端的电压被连续地测量。由图可见，对于第一次扫描，在由具有高电阻的非晶结构改变到具有低电阻晶态结构的SET操作中，存储单元呈现负电阻特性。负电阻特性表明本发明提供相变材料可以通过相变现象进行非易失性操作。因为作用于器件单元的电压超过阈值电压时产生的焦耳热使材料的晶体结构发生改变，使得相变薄膜材料的电阻迅速变化。对于第二次扫描，不再出现负电阻特性，说明此时器件单元已处于低阻的晶态，即经过第一次的电流操作材料已充分结晶处于稳定的晶态。
需要说明的是，本发明的用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料并非仅应用在上述相变存储单元结构中，而在是相变存储器的各种单元结构都可以使用。事实上，只要在特定的上下电极之间填充本发明所提供的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料就可以构成相变存储单元。上下电极材料可以采用W、Ti、TiW、TiN、TiAlN、Al、石墨或者其它导电材料。相变存储单元的结构也不限于图6所示结构，在不同的结构中，电极的结构和尺寸可以不同，关键存储介质的几何形状和尺寸也可以不同。相变存储单元中的介质材料(如SiO2)可以采用PECVD、电子束蒸发等方法制备作为电学和热学隔离层。该相变存储单元可以单独制备，也可以同MOS、FinFET、三极管、二极管等集成形成阵列或存储器。
综上所述，本发明的用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料的优势表现在如下方面：
1、在外部能量的作用下，能实现高电阻态与低电阻态之间的可逆转变，利用可逆转变前后对应的高低电阻态即可进行数据存储，其高阻态的阻值与低阻态阻值的比值在2到几个数量级之间，所述外部能量可以为热驱动、电子束驱动、电脉冲驱动、或者激光脉冲驱动中的一种或几种。
2、在作为相变存储器的存储介质时，既可以保证较快的相变速度，又可以提高相变存储器的热稳定性，同时能提高相变存储器的可靠性和循环操作次数。
3、本发明的相变材料晶态电阻率是目前常用的Ge2Sb2Te5相变材料的2到100倍，可有助于有效降低写操作功耗，同时，其热稳定性也优于Ge2Sb2Te5相变材料，因此更适于高温等恶劣环境下的应用；此外，Si-Sb-Te基硫族化合物相变薄膜材料的表面相貌得到了改善，有助于优化器件的界面特性，从而有助于提高存储器操作的可靠性和循环操作次数。
4、可应用于采用各种驱动方式的基于相变原理进行数据存储的存储器，包括激光脉冲驱动的相变光盘或电脉冲驱动的相变存储器等。
上述实施例仅列示性说明本发明的原理及功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此项技术的人员均可在不违背由权利要求界定的本发明的精神及范围下，对上述实施例进行形式和细节上的各种修改。因此，本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
Claims (3)
1.一种用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，其特征在于：其组分通式为(SiaSbbTec)1-yMy，在SiaSbbTec中，Si的含量a为10-25％原子百分比，Sb和Te的含量的原子百分比的比值为1.7≤(b/c)≤26/15；M为掺杂元素，掺杂元素M氮元素、氧元素或它们的混合物，其含量y是0-25％原子百分比；所述相变材料在N2、O2或N2与O2混合气体的氛围下，采用Si、Sb、及Te三个单质靶共溅射形成；或者采用Si-Sb合金靶和Te单质靶共溅射形成，或者采用Si-Te合金靶和Sb单质靶共溅射形成，或者采用Te-Sb合金靶和Si单质靶共溅射形成；还可直接采用Si-Sb-Te的合金靶溅射形成。
2.根据权利要求1所述用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，其特征在于：所述相变材料为(Si18Sb52Te30)1-yMy。
3.根据权利要求1所述用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料，其特征在于：所述相变材料为(Si24Sb48Te28)1-yMy。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110021620.XA CN102610745B (zh) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | 用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110021620.XA CN102610745B (zh) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | 用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102610745A CN102610745A (zh) | 2012-07-25 |
| CN102610745B true CN102610745B (zh) | 2015-05-13 |
Family
ID=46527994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110021620.XA Expired - Fee Related CN102610745B (zh) | 2011-01-19 | 2011-01-19 | 用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102610745B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110335941B (zh) * | 2019-07-03 | 2023-08-18 | 芯盟科技有限公司 | 相变存储器的结构及其形成方法 |
| CN111948507A (zh) * | 2020-07-08 | 2020-11-17 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种不同写操作下相变存储芯片热稳定性预测方法 |
| CN113161480B (zh) * | 2021-03-24 | 2022-11-25 | 华为技术有限公司 | 一种相变存储材料及其制备方法和相变存储器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101916823A (zh) * | 2010-07-27 | 2010-12-15 | 上海交通大学 | 基于碲化锑复合相变材料的相变存储装置及其制备方法 |
| CN101924180A (zh) * | 2010-05-13 | 2010-12-22 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08335317A (ja) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光情報記録方法及び光情報記録媒体 |
-
2011
- 2011-01-19 CN CN201110021620.XA patent/CN102610745B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101924180A (zh) * | 2010-05-13 | 2010-12-22 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料 |
| CN101916823A (zh) * | 2010-07-27 | 2010-12-15 | 上海交通大学 | 基于碲化锑复合相变材料的相变存储装置及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102610745A (zh) | 2012-07-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Terao et al. | Electrical phase-change memory: fundamentals and state of the art | |
| EP2204851B1 (en) | Ovonic threshold switch film composition for TSLAGS material | |
| US7632456B2 (en) | Phase change material for high density non-volatile memory | |
| CN102569652B (zh) | 一种Ti-Sb2Te相变存储材料 | |
| CN102800808B (zh) | 一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用 | |
| WO2018205915A1 (zh) | 一种基于VOx选通管的相变存储单元 | |
| CN102227015B (zh) | 一种相变存储材料及其制备方法 | |
| WO2007070218A2 (en) | Chalcogenide devices and materials having reduced germanium or telluruim content | |
| JP2013008948A (ja) | ＧｅリッチなＧＳＴ−２１２相変化材料 | |
| WO2011030916A1 (ja) | 相変化材料および相変化型メモリ素子 | |
| Zhu et al. | Ga2Te3 phase change material for low-power phase change memory application | |
| US8920684B2 (en) | Al-Sb-Te phase change material used for phase change memory and fabrication method thereof | |
| CN110911557A (zh) | 一种掺杂的Ge-Sb相变材料、相变存储器及其制备方法 | |
| CN102361063A (zh) | 用于相变存储器的薄膜材料及其制备方法 | |
| CN101916823B (zh) | 基于碲化锑复合相变材料的相变存储装置及其制备方法 | |
| CN102610745B (zh) | 用于相变存储器的Si-Sb-Te基硫族化合物相变材料 | |
| KR20080016120A (ko) | 상변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 | |
| CN110635033A (zh) | 一种B-Sb-Te相变材料、相变存储单元及其制备方法 | |
| CN102544355B (zh) | 相变存储材料及其制备方法、具有相变存储材料的存储器及其制备方法 | |
| Ji-Lin et al. | Electrical properties of Ag-doped Ge2Sb2Te5 films used for phase change random access memory | |
| US8049202B2 (en) | Phase change memory device having phase change material layer containing phase change nano particles | |
| CN101924180A (zh) | 用于相变存储器的富锑Si-Sb-Te硫族化合物相变材料 | |
| CN206834207U (zh) | 一种基于VOx选通管的相变存储单元 | |
| JP6598166B2 (ja) | 相変化材料および相変化型メモリ素子 | |
| Park et al. | Phase transition characteristics and nonvolatile memory device performance of ZnxSb100-x alloys |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20150513 |