JP5647616B2 - Cu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
一方、セレン化法も、産業的大量生産には適しているが、Cu−GaとInの積層膜を作製した後、水素化セレン雰囲気ガス中で熱処理を行いセレン化するという複雑かつ危険なプロセスを行っており、コストと時間を要するという欠点を有する。
しかしながら、この製造方法によって得られたCIGS四元系合金スパッタリングターゲットは、スパッタリング時に問題となるターゲット組織、成膜後の膜特性、密度、酸素濃度等については一切明らかにされていない。
しかしながら、この製造方法によって得られたCIGS四元系合金スパッタリングターゲットの特性については、密度が高かったとの定性的記載があるものの、具体的な密度の数値については一切明らかにされていない。
また、ナノ粉を使用していることから酸素濃度が高いことが推定されるが、焼結体の酸素濃度についても一切明らかにされていない。さらに、原料として高価なナノ粉を使用していることから、低コストが要求される太陽電池用材料としては不適切である。
しかし、このターゲット組織で問題となることは、Cu(In、Ga)Se2相以外の異相が多数存在することである。このような異相組織の存在は、変換効率の低下を誘発する。この非特許文献4では、それに気が付いていない。
1.銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及びセレン(Se)からなる四元系合金スパッタリングターゲットであって、各元素の構成比は、式CuxIn1−yGaySea(式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=(1/2)x+3/2)であり、EPMAにより観察した組織において、Cu2Se又はCu(In、Ga)3Se5の異相のない、Cu(In、Ga)Se2相のみからなることを特徴とするCu−In−Ga−Seからなる四元系合金スパッタリングターゲット
2.ターゲットの密度が5.5g/cm3以上であることを特徴とする上記1記載のCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット
3.EPMAにより観察した組織において、In、Ga凝集相の平均径が100μm以下であることを特徴とする上記1又は2に記載のCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット
4.酸素濃度が200wtppm以下であることを特徴とする上記1〜3のいずれか一項に記載のCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット
以上から明らかなように、本発明のスパッタリングターゲット及びこれを用いたスパッタリング膜中において、Cu2Se又はCu(In、Ga)3Se5の異相が、存在せず、Cu(In、Ga)Se2相のみからなることが、変換効率を向上させるために、極めて重要であることが分かる。
さらに、ターゲットの組織をEPMAにより観察すると、In、Ga凝集相の平均径が100μm以下であることが確認できる。これは、同様に、異常放電及びパーティクルの発生防止に効果があり、成膜の面内均一性に寄与する。
さらに、酸素濃度を200wtppm以下にすることができる。
銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及びセレン(Se)からなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1−yGaySea(式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=(1/2)x+3/2)の範囲で、表1に示す通り、Cu/(In+Ga)を0.84とした。
実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製した。すなわち、本実施例2では、銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及びセレン(Se)からなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1−yGaySea(式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=(1/2)x+3/2)の範囲で、表1に示す通り、Cu/(In+Ga)を0.9とした。
実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製した。すなわち、本実施例3では、銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及びセレン(Se)からなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1-yGaySea(式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=(1/2)x+3/2)の範囲で、表1に示す通り、Cu/(In+Ga)を0.95とした。
実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製した。すなわち、本実施例4では、銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及びセレン(Se)からなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1-yGaySea(式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=(1/2)x+3/2)の範囲で、表1に示す通り、Cu/(In+Ga)を0.98とした。
実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製した。すなわち、本比較例1では、銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及びセレン(Se)からなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1-yGaySea(式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=(1/2)x+3/2)の範囲外で、表1に示す通り、Cu/(In+Ga)を0.7とした。
実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製した。すなわち、本比較例2では、銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及びセレン(Se)からなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1−yGaySea(式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=(1/2)x+3/2)の範囲外で、表1に示す通り、Cu/(In+Ga)を0.80とした。
実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製した。すなわち、本比較例3では、銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及びセレン(Se)からなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1-yGaySea(式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=(1/2)x+3/2)の範囲外で、表1に示す通り、Cu/(In+Ga)を1.0とした。
実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製した。すなわち、本比較例4では、銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及びセレン(Se)からなる四元系合金スパッタリングターゲットの、各元素の構成比を、式CuxIn1-yGaySea(式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=(1/2)x+3/2)の範囲外で、表1に示す通り、Cu/(In+Ga)を1.1とした。
また、密度が98%以上であり、酸素濃度が200wtppm以下であるため、異常放電低下に寄与し、膜組成の面内均一性の優れた膜を得ることができるので、特に薄膜太陽電池の光吸収層材として、さらに高変換効率のCIGS四元系合金薄膜の材料として有用である。
Claims (1)
- 銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及びセレン(Se)からなる四元系合金スパッタリングターゲットであって、各元素の構成比は、式CuxIn1-yGaySea(式中、0.84≦x≦0.98、0<y≦0.5、a=(1/2)x+3/2)であり、EPMAにより観察した組織において、Cu2Se又はCu(In、Ga)3Se5の異相のない、Cu(In、Ga)Se2相のみからなり、ターゲットの密度が5.5g/cm 3 以上であり、EPMAにより観察した組織において、In、Ga凝集相の平均径が100μm以下であり、酸素濃度が200wtppm以下であることを特徴とするCu−In−Ga−Seからなる四元系合金スパッタリングターゲット。
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JP2013253308A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Futek Furnace Inc | Cigsスパッタリングターゲットの製造方法 |
TW201425620A (zh) * | 2012-11-05 | 2014-07-01 | Mitsubishi Materials Corp | 濺鍍靶及其之製造方法 |
CN103014623A (zh) * | 2012-12-11 | 2013-04-03 | 中国科学院电工研究所 | 一种铜铟硒基太阳能薄膜电池光吸收层用陶瓷靶材制备方法 |
US9994951B2 (en) * | 2013-03-15 | 2018-06-12 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Photovoltaic sputtering targets fabricated from reclaimed materials |
CN103409724A (zh) * | 2013-08-16 | 2013-11-27 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 一种铜铟镓硒合金的制备工艺 |
US10889887B2 (en) * | 2016-08-22 | 2021-01-12 | Honeywell International Inc. | Chalcogenide sputtering target and method of making the same |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008163367A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Mitsubishi Materials Corp | Cu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
CN101260513A (zh) * | 2008-04-23 | 2008-09-10 | 王东生 | 太阳能电池铜铟镓硒薄膜关键靶材及其制备方法 |
CN101397647A (zh) * | 2008-11-03 | 2009-04-01 | 清华大学 | 铜铟镓硒或铜铟铝硒太阳能电池吸收层靶材及其制备方法 |
JP2009287092A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Mitsubishi Materials Corp | カルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
CN101667610A (zh) * | 2009-09-09 | 2010-03-10 | 柳州百韧特先进材料有限公司 | 薄膜太阳能电池吸收层用关键材料的制备方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070099332A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-05-03 | Honeywell International Inc. | Chalcogenide PVD components and methods of formation |
JP4811660B2 (ja) | 2006-11-30 | 2011-11-09 | 三菱マテリアル株式会社 | 高Ga含有Cu−Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
TW200832727A (en) | 2007-01-17 | 2008-08-01 | Solar Applied Mat Tech Corp | Target and thin film fabricated by the target |
CN101245443B (zh) | 2007-02-17 | 2011-05-25 | 光洋应用材料科技股份有限公司 | 靶材以及该靶材所制造的薄膜 |
JP5201446B2 (ja) | 2008-02-26 | 2013-06-05 | 三菱マテリアル株式会社 | ターゲット材およびその製造方法 |
CN101519764A (zh) | 2008-02-27 | 2009-09-02 | 威奈联合科技股份有限公司 | Cis系薄膜的溅镀方法 |
WO2011058828A1 (ja) | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Cu-In-Ga-Se四元系合金スパッタリングターゲット |
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Patent Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JP2008163367A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Mitsubishi Materials Corp | Cu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
CN101260513A (zh) * | 2008-04-23 | 2008-09-10 | 王东生 | 太阳能电池铜铟镓硒薄膜关键靶材及其制备方法 |
JP2009287092A (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-10 | Mitsubishi Materials Corp | カルコパイライト型半導体膜成膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
CN101397647A (zh) * | 2008-11-03 | 2009-04-01 | 清华大学 | 铜铟镓硒或铜铟铝硒太阳能电池吸收层靶材及其制备方法 |
CN101667610A (zh) * | 2009-09-09 | 2010-03-10 | 柳州百韧特先进材料有限公司 | 薄膜太阳能电池吸收层用关键材料的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6013057842; NING, Zhang et al.: 'An investigation on preparation of CIGS targets by sintering process' Materials Science and Engineering B Vol.166, Issue 1, pp.34-40, 20100115, ELSEVIER * |
JPN6013057844; SURYANARAYANA,C et al.: 'Synthesis and processing of a Cu-In-Ga-Se sputtering target' Thin Solid Films Vol.332, Issues 1-2, pp.340-344, 19981102, ELSEVIER * |
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