JP5457454B2 - Cu−In−Ga−Seスパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、この製造方法によって得られたCIGS四元系合金スパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲットについての重要な特性である密度、酸素濃度、バルク抵抗等については一切明らかにされていない。
しかしながら、この製造方法によって得られたCIGS四元系合金スパッタリングターゲットの特性については、密度が高かったとの定性的記載があるものの、具体的な密度の数値については一切明らかにされていない。
しかしながら、その製造方法としては、独自合成した原料粉末をホットプレス法で焼結したとの記載があるのみで、具体的な製造方法が明示されていない。また、得られた焼結体の酸素濃度やバルク抵抗についても記載されていない。
1.銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及びセレン(Se)からなる四元系合金スパッタリングターゲットにおいて、その組成がCuIn1−xGaxSe2−y(但し、x、yはそれぞれ原子比率を表す)なる組成式で表され、その組成範囲が0<x≦0.5、0≦y≦0.04であるとともに、相対密度が90%以上であることを特徴とするCu−In−Ga−Seスパッタリングターゲット、を提供する。
2.酸素濃度が200wtppm以下であることを特徴とする上記1記載のCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット、
3.バルク抵抗が50〜100Ωcmの範囲であることを特徴とする上記1又は2に記載のCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット
4.バルク抵抗のばらつきがターゲット面内で±5%以下であることを特徴とする上記1〜3のいずれか一項に記載のCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット
5.平均粒径が20〜100μmであることを特徴とする上記1〜4のいずれか一項に記載のCu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲット、を提供する。
6.相対密度が98%以上であることを特徴とする上記1〜5のいずれか一項に記載のCu−In−Ga−Seスパッタリングターゲット
7.出発原料であるショット又はバー形状のCu、In、Ga及びSeを混合して合成し、この合成原料を篩に通して粒度調整をした後に、該合成粉末をホットプレス(HP)により焼結して製造した1〜6のいずれか一項に記載のCu−In−Ga−Seスパッタリングターゲット、を提供する。
xが大きくなるとCIGSのバンドギャップが大きくなるため、太陽光スペクトルとのマッチングが良くなって行くので好ましいが、xが0.5を超えると、太陽光スペクトルを吸収するのに適切なバンドギャップを超えてしまう。
したがって、CIGS光吸収層として適切な範囲である0<x≦0.50とする。なお、各組成はICP分析法で求めることができる。
yは、いわゆるセレンの欠損量を表しており、yの値が大きい場合には、セレンの欠損量も大きくなるため、所望の組成からずれることとなり、ターゲットの相対密度も低くなる。
酸化物は金属より電気抵抗が高いために、単一組成の抵抗ばらつきの程度を超えて、ターゲット面内において抵抗差が生じることになり、高抵抗部分を起点とした異常放電やスパッタ速度の違いによる表面凹凸が生じ易く、異常放電やパーティクル発生の原因となり易い。
なお、平均粒径はターゲット表面を必要に応じて軽くエッチングをして、粒界を明確にしてからプラニメトリック法で求めることができる。
また、異常放電等の状況については、CIGS焼結体を、例えば直径6インチ、厚み6mmに加工して、バッキングプレートにインジウム等をロウ材として貼り付けて、これをスパッタリングすることにより実際にその状況を調べることができる。
CuIn1−xGaxSe2−yなる組成式において、x、yがそれぞれ0.2及び0となるように、原料であるCu、In、Ga及びSeを秤量した。なお、その際、各原料の濃度は、Cu、In、Ga及びSeがそれぞれ25%、20%、5%、50%となる。
実施例1と同様の方法で、組成を変化させたターゲットを作製し、スパッタ評価を行った結果を表1にまとめて示す。表1に示すように、実施例2〜実施例6のGaの濃度(原子数比)を示すxは、0<x≦0.5の範囲、セレンの欠損度合いを示すyは、0≦y≦0.04の範囲であった。
原料粉の合成において、100℃〜400℃までの昇温速度を1℃/minではなく、5℃/minと大きくした以外は、実施例1と同様な方法で、ターゲットを作製した。作製されたターゲットのセレン欠損量はyが0.1と非常に大きかった。相対密度は80.6%、酸素濃度は197ppm、バルク抵抗は33Ωcm、バルク抵抗のばらつきは7.8%、平均粒径は77μmであった。スパッタ時の異常放電回数は25回であった。
ホットプレス時の保持温度を750℃ではなく、650℃と低くした以外は、実施例1と同様な方法で、ターゲットを作製した。作製されたターゲットの相対密度は81.1%、酸素濃度は185ppm、バルク抵抗は38Ωcm、バルク抵抗のばらつきは9.7%、平均粒径は80μmであった。スパッタ時の異常放電回数は38回であった。
原料粉として平均粒径100〜200nmのナノ粉を用いた以外は、実施例1と同様な方法で、ターゲットを作製した。作製されたターゲットの相対密度は97.5%、酸素濃度は980ppm、バルク抵抗は93Ωcm、バルク抵抗のばらつきは5.7%、平均粒径は0.15μmであった。スパッタ時の異常放電回数は17回であった。
原料粉として平均粒径50〜150nmのナノ粉を用いた以外は、実施例1と同様な方法で、ターゲットを作製した。作製されたターゲットの相対密度は97.9%、酸素濃度は1350ppm、バルク抵抗は125Ωcm、バルク抵抗のばらつきは8.3%、平均粒径は0.08μmであった。スパッタ時の異常放電回数は45回であった。
原料粉の合成において、合成保持温度を650℃ではなく、600℃と低くした以外は、実施例1と同様な方法で、ターゲットを作製した。作製されたターゲットの相対密度は86.2%、酸素濃度は190ppm、バルク抵抗は28Ωcm、バルク抵抗のばらつきは9.5%、平均粒径は68μmであった。スパッタ時の異常放電回数は33回であった。
Claims (3)
- 銅(Cu)、インジウム(In)、ガリウム(Ga)及びセレン(Se)からなる四元系合金スパッタリングターゲットにおいて、その組成がCuIn1−xGaxSe2−y(但し、x、yはそれぞれ原子比率を表す)なる組成式で表され、その組成範囲が0<x≦0.5、0≦y≦0.04であるとともに、相対密度が90%以上、酸素濃度が200wtppm以下、平均粒径が20〜100μm、バルク抵抗が50〜100Ωcmの範囲、バルク抵抗のばらつきがターゲット面内で±5%以下であることを特徴とするCu−In−Ga−Seスパッタリングターゲット。
- 相対密度が98%以上であることを特徴とする請求項1記載のCu−In−Ga−Seスパッタリングターゲット。
- 出発原料であるCu、In、Ga及びSeを混合して合成し、この合成原料を篩に通して粒度調整した後に、該合成粉末をホットプレス(HP)により焼結して、請求項1又は2に記載のターゲットを製造することを特徴とするCu−In−Ga−Seスパッタリングターゲットの製造方法。
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JP2013253308A (ja) * | 2012-06-08 | 2013-12-19 | Futek Furnace Inc | Cigsスパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2014034730A (ja) * | 2012-08-10 | 2014-02-24 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 焼結体およびスパッタリングターゲット |
KR101441942B1 (ko) * | 2012-12-07 | 2014-09-25 | 한국생산기술연구원 | 플렉시블 박막형 태양전지 및 그 제조방법 |
CN103215541A (zh) * | 2013-03-26 | 2013-07-24 | 无锡舒玛天科新能源技术有限公司 | 一种平面铜铟镓硒溅射靶材的制备方法 |
CN104919080B (zh) * | 2013-07-08 | 2018-10-16 | Jx日矿日石金属株式会社 | 溅射靶及其制造方法 |
GB2544012A (en) * | 2014-10-14 | 2017-05-03 | Landmark Graphics Corp | Automated fracture planning methods for multi-well fields |
CN104561913B (zh) * | 2014-12-15 | 2017-09-15 | 昆明贵金属研究所 | 一种低电阻率铜铟镓硒四元合金溅射靶材及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008138232A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | 高Ga含有Cu−Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2008163367A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Mitsubishi Materials Corp | Cu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2009020349A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Ricoh Co Ltd | トナーの製造方法、トナーおよび現像剤 |
CN101397647A (zh) * | 2008-11-03 | 2009-04-01 | 清华大学 | 铜铟镓硒或铜铟铝硒太阳能电池吸收层靶材及其制备方法 |
JP2009203499A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Mitsubishi Materials Corp | ターゲット材およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070099332A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-05-03 | Honeywell International Inc. | Chalcogenide PVD components and methods of formation |
TW200832727A (en) * | 2007-01-17 | 2008-08-01 | Solar Applied Mat Tech Corp | Target and thin film fabricated by the target |
CN101260513B (zh) * | 2008-04-23 | 2011-04-06 | 王东生 | 太阳能电池铜铟镓硒薄膜关键靶材的制备方法 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008138232A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | 高Ga含有Cu−Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
JP2008163367A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Mitsubishi Materials Corp | Cu−In−Ga−Se四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2009020349A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Ricoh Co Ltd | トナーの製造方法、トナーおよび現像剤 |
JP2009203499A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Mitsubishi Materials Corp | ターゲット材およびその製造方法 |
CN101397647A (zh) * | 2008-11-03 | 2009-04-01 | 清华大学 | 铜铟镓硒或铜铟铝硒太阳能电池吸收层靶材及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6010063452; 海野貴洋,外1名: '化合物太陽電池用スパッタターゲット' 電子材料 11月号, 20091101, p.42-44 * |
JPN6010063456; C.SURYANARAYANA,et al.: 'Synthesis and processing of a Cu-In-Ga-Se sputtering target' Thin Solid Films vol.332, 1998, p.340-344 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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