JP5646547B2 - 有機発光素子の製造方法およびこれによって製造された有機発光素子 - Google Patents
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Description
また、オーバーハング構造を形成するためのエッチング工程が迅速かつ単純であり、オーバーハング構造の大きさを容易に制御できるようになる。
本発明の1つの実施状態として、有機発光素子の製造方法は、本発明の1つの(a)下部電極上に絶縁層を形成するステップと、(b)前記絶縁層をエッチングし、前記絶縁層の上面から前記下部電極に至る開口部を形成するステップであり、最上側周囲よりも最下側周囲が大きいオーバーハング(overhang)構造が形成されるように開口部を形成するステップと、(c)前記開口部内部の前記下部電極上部面および前記オーバーハング構造を除いた前記絶縁層の表面に導電層を形成するステップと、(d)前記開口部内部において、前記下部電極上部面に形成された前記導電層上に有機物層を形成するステップと、(e)前記絶縁層の上部に位置した前記導電層の上部および前記有機物層上部に上部電極を形成するステップとを含む。
300 絶縁層
301 開口部
500 導電層
20 下部電極
30 酸化膜
31 オーバーハング(overhang)構造
40 シリコン絶縁層
32a、32b 開口部
50a、50b 導電層
60 有機物層
70 上部電極
80 フォトレジスト
120 下部電極
130 下部絶縁層
131 オーバーハング構造
132a 下部開口部
132b 上部開口部
140 上部絶縁層
150、150a、150b 導電層
160 有機物層
170 上部電極
Claims (10)
- (a)下部電極上に絶縁層を形成するステップと、
(b)前記絶縁層をエッチングし、前記絶縁層の上面から前記下部電極に至る開口部を形成するステップであり、最上側周囲よりも最下側周囲が大きいオーバーハング(overhang)構造が形成されるように開口部を形成するステップと、
(c)前記開口部内部の前記下部電極上部面および前記オーバーハング構造を除いた前記絶縁層の表面に導電層を形成するステップと、
(d)前記開口部内部において、前記下部電極上部面に形成された前記導電層上に有機物層を形成するステップと、
(e)前記絶縁層の上部に位置した前記導電層の上部および前記有機物層上部に上部電極を形成するステップと、
を含む有機発光素子の製造方法であって、
前記絶縁層は、前記下部電極上に形成された下部絶縁層および前記下部絶縁層上に形成されて前記下部絶縁層よりもエッチング速度が遅い上部絶縁層を含み、
前記b)ステップでは、前記上部絶縁層と前記下部絶縁層をエッチングし、前記上部絶縁層から前記下部絶縁層を経て前記下部電極に至る前記開口部を形成するステップであり、前記開口部のうちで前記上部絶縁層に形成された上部開口部の周囲よりも前記下部絶縁層に形成された下部開口部の周囲が大きい前記オーバーハング構造が形成されるように前記開口部を形成し、
前記オーバーハング構造は、直径が前記下部開口部の下部から前記下部開口部の上部に移動するにつれて徐々に増加する湾曲面を含み、
前記(b)ステップでは、
前記上部絶縁層をドライエッチングして前記上部開口部を形成した後、前記上部絶縁層と前記下部絶縁層がエッチング溶液によってエッチングされるエッチング速度が互いに異なることを利用して前記下部絶縁層をウエットエッチングすることにより、前記上部開口部の周囲よりも前記下部開口部の周囲が大きい前記オーバーハング構造を形成し、
前記(b)ステップで、ドライエッチング時のエッチングガスは、C2F6ガス、C3F8ガス、SF6ガス、NF3ガス、CHF3ガス、O2ガス、およびCF4ガスが混合された混合ガス、または、O2ガス、H2ガス、およびHeガスのうちから選択された1種以上のガスと、CF4ガスと、が混合された混合ガスであることを特徴とする有機発光素子の製造方法。 - 前記下部絶縁層は、SiON、非晶質Al2O3、およびSiO2のうちから選択されたいずれか1つで形成し、前記上部絶縁層は、Si3N4で形成することを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記エッチング溶液は、フッ酸(HF)、BOE(buffered oxide etchant)、およびBHF(Buffered HF solution)のうちから選択された1つ以上であることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子の製造方法。
- 前記(c)ステップで、前記導電層は、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズ、鉛、およびこれらの合金からなる金属グループから選択された1つ以上または導電性を有する有機物質で形成されることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光素子の製造方法。
- 下部電極と、
前記下部電極上に形成され、前記下部電極の板面に対して垂直な方向に形成された開口部を有する絶縁層であり、前記開口部の最上側周囲よりも最下側周囲が大きいオーバーハング(overhang)構造が形成された絶縁層と、
前記開口部内部の前記下部電極上部面および前記オーバーハング構造を除いた前記絶縁層の表面に形成された導電層と、
前記開口部内部において、前記下部電極上部面に形成された前記導電層上に形成された有機物層と、
前記絶縁層の上部に位置した前記導電層の上部および前記有機物層上部に形成された上部電極と、
を含む有機発光素子であって、
前記オーバーハング構造が形成された前記絶縁層は、前記下部電極上に形成された下部絶縁層および前記下部絶縁層上に形成された上部絶縁層を含み、
前記オーバーハング構造が形成されるように、前記開口部は、前記下部絶縁層に形成された下部開口部および前記下部開口部と連通するように前記上部絶縁層に形成され、前記下部開口部の周囲よりも小さい周囲を有する上部開口部を含み、
前記オーバーハング構造は、直径が前記下部開口部の下部から前記下部開口部の上部に移動するにつれて徐々に増加する湾曲面を含み、
前記オーバーハング構造は、前記上部絶縁層をドライエッチングした後、前記下部絶縁層をエッチング溶液でウエットエッチングして形成され、
前記ドライエッチングに用いられるエッチングガスは、C2F6ガス、C3F8ガス、SF6ガス、NF3ガス、CHF3ガス、O2ガス、およびCF4ガスが混合された混合ガス、または、O2ガス、H2ガス、およびHeガスのうちから選択された1種以上のガスと、CF4ガスと、が混合された混合ガスであることを特徴とする有機発光素子。 - 前記下部絶縁層は、SiON、非晶質Al2O3、およびSiO2のうちから選択されたいずれか1つで形成され、前記上部絶縁層は、Si3N4で形成されたことを特徴とする、請求項5に記載の有機発光素子。
- 前記下部絶縁層と前記上部絶縁層は、エッチング溶液によってエッチングされるエッチング速度が互いに異なり、
前記下部絶縁層は、前記上部絶縁層よりもエッチング速度が速いことを特徴とする、請求項5に記載の有機発光素子。 - 前記エッチング溶液は、フッ酸(HF)、BOE(buffered oxide etchant)、およびBHF(Buffered HF solution)のうちから選択された1つ以上であることを特徴とする、請求項5に記載の有機発光素子。
- 前記導電層は、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズ、鉛、およびこれらの合金からなる金属グループから選択された1つ以上または導電性を有する有機物質で形成されることを特徴とする、請求項5に記載の有機発光素子。
- 請求項5に係る有機発光素子を含むことを特徴とする電子装置。
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