JP5639469B2 - 重合体の製造方法 - Google Patents
重合体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5639469B2 JP5639469B2 JP2010503765A JP2010503765A JP5639469B2 JP 5639469 B2 JP5639469 B2 JP 5639469B2 JP 2010503765 A JP2010503765 A JP 2010503765A JP 2010503765 A JP2010503765 A JP 2010503765A JP 5639469 B2 JP5639469 B2 JP 5639469B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- solvent
- meth
- polymer
- acryloyloxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F2/00—Processes of polymerisation
- C08F2/04—Polymerisation in solution
- C08F2/06—Organic solvent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F6/00—Post-polymerisation treatments
- C08F6/001—Removal of residual monomers by physical means
- C08F6/003—Removal of residual monomers by physical means from polymer solutions, suspensions, dispersions or emulsions without recovery of the polymer therefrom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F6/00—Post-polymerisation treatments
- C08F6/06—Treatment of polymer solutions
- C08F6/12—Separation of polymers from solutions
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
レジスト用ポリマーは、ポジ型レジスト用ポリマーの場合も、ネガ型レジスト用ポリマーの場合も適用可能である。
一方、多層レジストの下層塗膜や反射防止膜用のポリマーとして使用する共重合体は、KrF、ArF等のエキシマレーザーを吸収できる構造を有する単量体が共重合されている場合が好ましい。例えば、スチレン、メチルスチレン、ヒドロキシスチレン、メトキシスチレン、シアノスチレン、クロロスチレン、ブロモスチレン、アセチルスチレン、α−メチルスチレン、α−クロロスチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン等のビニル化合物、フェニルアクリレート、ベンジルアクリレート、ナフチルアクリレート、アントリルアクリレート、アントリルメチルアクリレート、2−フェニルエチルアクリレート、ヒドロキシフェニルアクリレート、ブロモフェニルアクリレート等のアクリル酸エステル化合物、フェニルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、ナフチルメタクリレート、アントリルメタクリレート、アントリルメチルメタクリレート、2−フェニルエチルメタクリレート、ヒドロキシフェニルメタクリレート、ブロモフェニルメタクリレート等のメタクリル酸エステル化合物等が挙げられる。
トップコート(保護膜とも記載することがある)としては、環境アミンによるレジスト形状がT−トップなることを抑制するための保護膜、上層反射防止膜、液浸用保護膜等が挙げられる。重合体としては、レジスト膜と相互作用を有さず、外部の影響をレジストに及ぼさないように保護する機能がある材料であればどのような材料でも用いることができる。例えば、ポリビニルエーテル、ポリビニルピロリドン等の水溶性樹脂、パーフルオロアルキル化合物、フッ素系樹脂、フッ素で置換された官能基を有する単量体とカルボキシル基、スルホニル基、少なくともα位の炭素原子にフルオロアルキル基を有するアルコール性水酸基を有する繰り返し単位等の官能基を有する単量体の共重合体等が挙げられる。
・R1=H、R2=F、R3=H、R4=Hである繰り返し単位
・R1=H、R2=F、R3=H、R4=Fである繰り返し単位
・R1=H、R2=F、R3=F、R4=Fである繰り返し単位
・R1=F、R2=F、R3=F、R4=Fである繰り返し単位
・R1=H、R2=F、R3=H、R4=CF3である繰り返し単位
・R1=F、R2=F、R3=H、R4=CF3である繰り返し単位
・R1=F、R2=F、R3=F、R4=CF3である繰り返し単位
・R1=H、R2=H、R3=H、R4=OCF3である繰り返し単位
・R1=H、R2=H、R3=H、R4=OC3F7である繰り返し単位
・R1=H、R2=H、R3=H、R4=OC4F9である繰り返し単位
・R1=H、R2=H、R3=H、R4=OC8F17である繰り返し単位
・R1=H、R2=H、R3=H、R4=OCH2CF3である繰り返し単位
・R1=H、R2=H、R3=H、R4=OCH2C3F7である繰り返し単位
・R1=F、R2=F、R3=F、R4=OC3F7である繰り返し単位
・R1=F、R2=F、R3とR4が結合して隣接する2個の炭素原子とともに、テトラフルオロブタン環を形成している繰り返し単位
・R1=F、R2=F、R3とR4が結合して隣接する2個の炭素原子とともに、ヘキサフルオロペンタン環を形成している繰り返し単位
・R1=F、R2=F、R3とR4が結合して隣接する2個の炭素原子とともに、2,2−ビス(トリフルオロメチル)−1,3−ジオキソラン環を形成している繰り返し単位
・R1=H、R2=H、R3とR4が結合して隣接する2個の炭素原子とともに、2−(2,2,2−トリフルオロ−1−トリフルオロメチル−1−ヒドロキシエチル)ノルボルナン環を形成している繰り返し単位
・R1=H、R2=H、R3とR4が結合して隣接する2個の炭素原子とともに、2−(3,3,3−トリフルオロ−2−トリフルオロメチル−1−ヒドロキシプロピル)ノルボルナン環を形成している繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=CH2CF3である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=CH2CF2Hである繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=CH2CF2CF3である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=CH2CF2CF2Hである繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=CH2CF(CF3)である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=CH2CF2CFHCF3である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=CH2CF2CF2CF2CF3である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=CH2CF2CF2CF2CF2Hである繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=CH2CH2CF2CF2CF2CF3である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=CH2CF2CF2CF2CF2CF2CF2CF2CF3である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=CH2CH2CF2CF2CF2CF2CF2CF2CF3である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=4−(2,2,2−トリフルオロ−1−トリフルオロメチル−2−ヒドロキシエチル)シクロへキシル基である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=2−(2,2,2−トリフルオロ−1−トリフルオロメチル−2−ヒドロキシエチル)シクロへキシル基である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=4−(1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−12−ヒドロキシプロピル)シクロへキシル基である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=4−(1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−12−ヒドロキシプロピル)−4−ヒドロキシシクロへキシル基である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=4−(1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−12−ヒドロキシプロピル)シクロへキシル−メチル基である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=4−(1,1,3,3,3−ペンタフルオロ−12−ヒドロキシプロピル)−4−ヒドロキシシクロへキシル−メチル基である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=4−(1,1,2,2,3,3,4,4−オクタフルオブチル)シクロへキシル基である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=5−(2,2,2−トリフルオロ−1−トリフルオロメチル−1−ヒドロキシエチル)ノルボルナン−2−イル基である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=5−(3,3,3−トリフルオロ−2−トリフルオロメチル−1−ヒドロキシプロピル)ノルボルナン−2−イル基である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=5−トリフルオロメチル−5−ヒドロキシノルボルナン−2−イル基である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=6,6−ジフルオロ−5−トリフルオロメチル−5−ヒドロキシノルボルナン−2−イル基である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=6−(2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロペンチルオキシカルボニル)ノルボルナン−2−イル基である繰り返し単位
・R5=H、CH3、F又はCF3、R6=6−(2,2,3,3,4,4,5,5,5−ノナフルオロペンチルオキシカルボニル)ノルボルナン−2−イル基である繰り返し単位
還流管、撹拌子、3方コックを備えた500ml丸底フラスコに、窒素雰囲気下、シクロヘキサノン(CHO、20℃における粘性率:2.01mPa・s)51.0gを入れ、温度を75℃に保ち、撹拌しながら、BzMA9.9g(56.2mmol)、HEMA3.6g(27.7mmol)、MNBL16.5g(74.2mmol)、開始剤(和光純薬工業製、商品名「AIBN」)0.60g及びCHO119gを混合したモノマー溶液を5時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、さらに2時間撹拌を続けた。重合反応終了後、得られた反応液を仕込モノマー濃度が12wt%となるように、テトラヒドロフラン(THF、20℃における粘性率:0.49mPa・s)50gで希釈して均一溶液とした。得られた希釈反応溶液をヘプタンと酢酸エチルの8:2(重量比)混合液1400g中に撹拌しながら滴下した。滴下中に析出するポリマーはきれいな粉状であり、撹拌を停止して沈殿させて24時間放置しても粒子の凝集等は確認されなかった。生じた沈殿物を濾別し、減圧乾燥(25℃)することによりすることにより、所望の樹脂25.5gを得た。回収したポリマーをGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)分析したところ、重量平均分子量(Mw)が20400、分子量分布(Mw/Mn)が2.0であった。また、得られた重合体中に含まれる残存モノマーを液体クロマトグラフィーにより分析したところ、BzMA=0.03(wt%)、HEMA=N.D.(不検出)、MNBL=0.17(wt%)であった。
還流管、撹拌子、3方コックを備えた500ml丸底フラスコに、窒素雰囲気下、CHO36gを入れ、温度を75℃に保ち、撹拌しながら、BzMA9.9g(56.2mmol)、HEMA3.6g(27.7mmol)、MNBL16.5g(74.2mmol)、開始剤「AIBN」1.9g及びCHO84gを混合したモノマー溶液を5時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、さらに2時間撹拌を続けた。重合反応終了後、得られた反応液を仕込モノマー濃度が10wt%となるように、メチルイソブチルケトン(MIBK、20℃における粘性率:0.61mPa・s)150gで希釈して均一溶液とした。得られた希釈反応溶液をヘプタンと酢酸エチルの8:2(重量比)混合液1400g中に撹拌しながら滴下した。滴下中に析出するポリマーはきれいな粉状であり、撹拌を停止して沈殿させて24時間放置しても粒子の凝集等は確認されなかった。生じた沈殿物を濾別し、減圧乾燥(25℃)することによりすることにより、所望の樹脂27.0gを得た。回収したポリマーをGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)分析したところ、重量平均分子量(Mw)が22300、分子量分布(Mw/Mn)が2.0であった。また、得られた重合体中に含まれる残存モノマーを液体クロマトグラフィーにより分析したところ、BzMA=0.03(wt%)、HEMA=N.D.、MNBL=0.16(wt%)であった。
還流管、撹拌子、3方コックを備えた500ml丸底フラスコに、窒素雰囲気下、CHO41.0gを入れ、温度を75℃に保ち、撹拌しながら、BzMA9.9g(56.2mmol)、HEMA3.6g(27.7mmol)、MNBL16.5g(74.2mmol)、開始剤「AIBN」1.5g及びCHO95.7gを混合したモノマー溶液を5時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、さらに2時間撹拌を続けた。重合反応終了後、得られた反応液を仕込モノマー濃度が11wt%となるように、CHO106gで希釈して均一溶液とした。得られた希釈反応溶液をヘプタンと酢酸エチルの8:2(重量比)混合液1400g中に撹拌しながら滴下した。滴下中に析出するポリマーはきれいな粉状であり、撹拌を停止して沈殿させて24時間放置しても粒子の凝集等は確認されなかった。生じた沈殿物を濾別し、減圧乾燥(25℃)することによりすることにより、所望の樹脂26.4gを得た。回収したポリマーをGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)分析したところ、重量平均分子量(Mw)が20400、分子量分布(Mw/Mn)が2.0であった。また、得られた重合体中に含まれる残存モノマーを液体クロマトグラフィーにより分析したところ、BzMA=0.05(wt%)、HEMA=0.02(wt%)、MNBL=0.40(wt%)であった。
還流管、撹拌子、3方コックを備えた500ml丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME、20℃における粘性率:1.81mPa・s)51gを入れ、温度を75℃に保ち、撹拌しながら、BzMA9.9g(56.2mmol)、HEMA3.6g(27.7mmol)、MNBL16.5g(74.2mmol)、開始剤「AIBN」0.5g及びPGME119gを混合したモノマー溶液を5時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、さらに2時間撹拌を続けた。重合反応終了後、得られた反応液を仕込モノマー濃度が12wt%となるように、THF50gで希釈して均一溶液とした。得られた希釈反応溶液をヘプタンと酢酸エチルの8:2(重量比)混合液1400g中に撹拌しながら滴下した。滴下中に析出するポリマーはきれいな粉状であり、撹拌を停止して沈殿させて24時間放置しても粒子の凝集等は確認されなかった。生じた沈殿物を濾別し、減圧乾燥(25℃)することにより、所望の樹脂25.2gを得た。回収したポリマーをGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)分析したところ、重量平均分子量(Mw)が18000、分子量分布(Mw/Mn)が2.0であった。また、得られた重合体中に含まれる残存モノマーを液体クロマトグラフィーにより分析したところ、BzMA=0.03(wt%)、HEMA=N.D.、MNBL=0.16(wt%)であった。
還流管、撹拌子、3方コックを備えた500ml丸底フラスコに、窒素雰囲気下、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート (PGMEA、20℃における粘性率:1.30mPa・s)73.1gを入れ、温度を80℃に保ち、撹拌しながら、OFPMA21.6g(72.0mmol)、MAA5.4g(62.8mmol)、MNBL3.0g(13.5mmol)、開始剤ジメチル−2、2‘−アゾビス(2−メチルプロピオネート(和光純薬工業製、商品名「V−601」)2.4g及びPGMEA96.9gを混合したモノマー溶液を5時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、さらに2時間撹拌を続けた。重合反応終了後、得られた反応液を仕込モノマー濃度が12wt%となるように、テトラヒドロフラン(THF、20℃における粘性率:0.49mPa・s)50gで希釈して均一溶液とした。得られた希釈反応溶液をヘプタンと酢酸エチルの8:2(重量比)混合液1600g中に撹拌しながら滴下した。滴下中に析出するポリマーはきれいな粉状であり、撹拌を停止して沈殿させて24時間放置しても粒子の凝集等は確認されなかった。生じた沈殿物を濾別し、減圧乾燥(25℃)することによりすることにより、所望の樹脂27.0gを得た。回収したポリマーをGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)分析したところ、重量平均分子量(Mw)が10200、分子量分布(Mw/Mn)が1.9であった。また、得られた重合体中に含まれる残存モノマーを液体クロマトグラフィーにより分析したところ、OFPMA=N.D.、MAA=0.05(wt%)、MNBL=0.13(wt%)であった。
還流管、撹拌子、3方コックを備えた500ml丸底フラスコに、窒素雰囲気下、PGMEA73.1gを入れ、温度を80℃に保ち、撹拌しながら、OFPMA24.0g(80.0mmol)、MAA6.0g(69.8mmol)、開始剤「V−601」2.4g及びPGMEA96.9gを混合したモノマー溶液を5時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、さらに2時間撹拌を続けた。重合反応終了後、得られた反応液を仕込モノマー濃度が12wt%となるように、PGMEA50gで希釈して均一溶液とした。得られた希釈反応溶液をヘプタン1600g中に撹拌しながら滴下した。滴下中に析出するポリマーはきれいな粉状であり、撹拌を停止して沈殿させて24時間放置しても粒子の凝集等は確認されなかった。生じた沈殿物を濾別し、減圧乾燥(25℃)することによりすることにより、所望の樹脂26.4gを得た。回収したポリマーをGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)分析したところ、重量平均分子量(Mw)が9800、分子量分布(Mw/Mn)が1.9であった。また、得られた重合体中に含まれる残存モノマーを液体クロマトグラフィーにより分析したところ、OFPMA=N.D.、MAA=0.10(wt%)であった。
還流管、撹拌子、3方コックを備えた500ml丸底フラスコに、窒素雰囲気下、CHO73.1gを入れ、温度を80℃に保ち、撹拌しながら、OFPMA24.0g(80.0mmol)、MAA6.0g(69.8mmol)、開始剤「V−601」2.4g及びPGMEA96.9gを混合したモノマー溶液を5時間かけて一定速度で滴下した。滴下終了後、さらに2時間撹拌を続けた。重合反応終了後、得られた反応液を仕込モノマー濃度が12wt%となるように、THF50gで希釈して均一溶液とした。得られた希釈反応溶液をヘプタン1600g中に撹拌しながら滴下した。滴下中に析出するポリマーはきれいな粉状であり、撹拌を停止して沈殿させて24時間放置しても粒子の凝集等は確認されなかった。生じた沈殿物を濾別し、減圧乾燥(25℃)することによりすることにより、所望の樹脂26.7gを得た。回収したポリマーをGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)分析したところ、重量平均分子量(Mw)が10000、分子量分布(Mw/Mn)が1.8であった。また、得られた重合体中に含まれる残存モノマーを液体クロマトグラフィーにより分析したところ、OFPMA=N.D.、MAA=0.04(wt%)であった。
重合終了後、溶媒希釈しない他は実施例1と同じ方法で実施した。未希釈ではモノマー濃度は15wt%に相当する。未希釈の反応液をヘプタンと酢酸エチルの8:2(重量比)混合液1400g中に撹拌しながら滴下した。滴下中に析出するポリマーは大きな粒子であり、急速に沈降していった。沈降したポリマーを24時間放置すると粒子の凝集が確認された。生じた沈殿物を濾別し、減圧乾燥(25℃)することによりすることにより、樹脂26.0gを得た。回収したポリマーをGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)分析したところ、重量平均分子量(Mw)が19800、分子量分布(Mw/Mn)が2.2であった。また、得られた重合体中に含まれる残存モノマーを液体クロマトグラフィーにより分析したところ、BzMA=0.31(wt%)、HEMA=0.12(wt%)、MNBL=0.82(wt%)であった。
重合終了後、溶媒希釈しない他は実施例5と同じ方法で実施した。未希釈ではモノマー濃度は15wt%に相当する。未希釈の反応液をヘプタンと酢酸エチルの8:2(重量比)混合液1600g中に撹拌しながら滴下した。滴下中に析出するポリマーは大きな粒子であり、急速に沈降していった。沈降したポリマーを24時間放置すると粒子の凝集が確認された。生じた沈殿物を濾別し、減圧乾燥(25℃)することによりすることにより、樹脂27.2gを得た。回収したポリマーをGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)分析したところ、重量平均分子量(Mw)が10000、分子量分布(Mw/Mn)が2.0であった。また、得られた重合体中に含まれる残存モノマーを液体クロマトグラフィーにより分析したところ、OFPMA=0.12(wt%)、MAA=0.34(wt%)、MNBL=0.60(wt%)であった。
重合終了後、溶媒希釈しない他は実施例6と同じ方法で実施した。未希釈ではモノマー濃度は15wt%に相当する。未希釈の反応液をヘプタン1600g中に撹拌しながら滴下した。滴下中に析出するポリマーは大きな粒子であり、急速に沈降していった。沈降したポリマーを24時間放置すると粒子の凝集が確認された。生じた沈殿物を濾別し、減圧乾燥(25℃)することによりすることにより、樹脂26.5gを得た。回収したポリマーをGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)分析したところ、重量平均分子量(Mw)が9500、分子量分布(Mw/Mn)が2.1であった。また、得られた重合体中に含まれる残存モノマーを液体クロマトグラフィーにより分析したところ、OFPMA=0.08(wt%)、MAA=0.35(wt%)であった。
重合終了後、溶媒希釈しない他は実施例7と同じ方法で実施した。未希釈ではモノマー濃度は15wt%に相当する。未希釈の反応液をヘプタン1600g中に撹拌しながら滴下した。滴下中に析出するポリマーは大きな粒子であり、急速に沈降していった。沈降したポリマーを24時間放置すると粒子の凝集が確認された。生じた沈殿物を濾別し、減圧乾燥(25℃)することによりすることにより、樹脂26.8gを得た。回収したポリマーをGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)分析したところ、重量平均分子量(Mw)が9600、分子量分布(Mw/Mn)が2.0であった。また、得られた重合体中に含まれる残存モノマーを液体クロマトグラフィーにより分析したところ、OFPMA=0.06(wt%)、MAA=0.42(wt%)であった。
Claims (1)
- 溶媒中で単量体を反応させて得られる重合体溶液を貧溶媒に接触させて重合体を析出させることにより不純物を除去する重合体の製造において、得られる重合体溶液に溶媒を添加して希釈した後に貧溶媒と接触させて沈殿させる重合体の製造方法であって、
重合に用いる溶媒がシクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートからなる群から選択される少なくとも1種の溶媒であり、
沈殿に用いる貧溶媒がヘプタン及び酢酸エチルを含む混合溶媒であり、
重合体溶液を希釈するための溶媒がシクロヘキサノン又はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであることを特徴とする重合体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010503765A JP5639469B2 (ja) | 2008-03-17 | 2009-03-13 | 重合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008067048 | 2008-03-17 | ||
JP2008067048 | 2008-03-17 | ||
PCT/JP2009/001125 WO2009116253A1 (ja) | 2008-03-17 | 2009-03-13 | 重合体の製造方法 |
JP2010503765A JP5639469B2 (ja) | 2008-03-17 | 2009-03-13 | 重合体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009116253A1 JPWO2009116253A1 (ja) | 2011-07-21 |
JP5639469B2 true JP5639469B2 (ja) | 2014-12-10 |
Family
ID=41090668
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010503765A Active JP5639469B2 (ja) | 2008-03-17 | 2009-03-13 | 重合体の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110040056A1 (ja) |
JP (1) | JP5639469B2 (ja) |
KR (1) | KR101562079B1 (ja) |
CN (1) | CN101965370A (ja) |
WO (1) | WO2009116253A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011225846A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-11-10 | Fujifilm Corp | ハードコート層形成用組成物、光学フィルム、光学フィルムの製造方法、偏光板、及び画像表示装置 |
JP2011252074A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 半導体フォトリソグラフィ用重合体の精製方法 |
JP5821317B2 (ja) * | 2011-06-22 | 2015-11-24 | 三菱レイヨン株式会社 | リソグラフィー用重合体の製造方法、レジスト組成物の製造方法、およびパターンが形成された基板の製造方法 |
CN102838760B (zh) * | 2012-08-06 | 2014-06-04 | 清华大学 | 一种聚合物纳米颗粒的制备方法 |
KR102041328B1 (ko) * | 2015-11-27 | 2019-11-06 | 주식회사 엘지화학 | 폴리알킬렌 카보네이트의 제조 방법 |
JP7222674B2 (ja) | 2017-12-15 | 2023-02-15 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜、反射防止膜の製造方法、及び眼鏡型ディスプレイ |
CN116462795B (zh) * | 2023-04-06 | 2024-04-02 | 华中科技大学 | 一种成膜树脂、化学增幅型紫外正性光刻胶及其使用方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999050322A1 (fr) * | 1998-03-27 | 1999-10-07 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Copolymere, son procede de preparation et composition de produit de reserve |
JP2002229220A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 化学増幅型レジスト用樹脂の精製方法および化学増幅型レジスト用樹脂 |
JP2003173026A (ja) * | 2001-01-18 | 2003-06-20 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2003335826A (ja) * | 2002-05-20 | 2003-11-28 | Jsr Corp | 共重合体とその製造方法および感放射線性樹脂組成物 |
JP2006274276A (ja) * | 2002-04-01 | 2006-10-12 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用高分子化合物の製造法 |
JP2008127462A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Fujifilm Corp | 樹脂の製造方法、その製造方法によって製造された樹脂、その樹脂を含有するポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0632817A (ja) * | 1992-07-17 | 1994-02-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用バインダーの製造方法 |
JP2001098009A (ja) * | 1999-09-21 | 2001-04-10 | Shipley Co Llc | 水酸基が保護されたフェノール性化合物の精製方法及びこれを用いた感放射線組成物 |
JP4190141B2 (ja) * | 1999-10-29 | 2008-12-03 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
KR100788806B1 (ko) * | 1999-10-29 | 2007-12-27 | 후지필름 가부시키가이샤 | 포지티브 포토레지스트 조성물 |
JP4601103B2 (ja) * | 1999-11-30 | 2010-12-22 | 三菱レイヨン株式会社 | 共重合体およびその製造方法 |
US6838225B2 (en) * | 2001-01-18 | 2005-01-04 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
JP4016765B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2007-12-05 | Jsr株式会社 | パターン形成方法およびパターン形成用多層膜 |
US7244549B2 (en) * | 2001-08-24 | 2007-07-17 | Jsr Corporation | Pattern forming method and bilayer film |
KR100979871B1 (ko) * | 2002-04-01 | 2010-09-02 | 다이셀 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | ArF 엑시머 레이저 레지스트용 중합체 용액의 제조 방법 |
JP2003342319A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Jsr Corp | 脂環式炭化水素系重合体の含有金属除去方法および感放射線性組成物 |
US7910282B2 (en) * | 2004-04-30 | 2011-03-22 | Maruzen Petrochemical Co., Ltd. | Copolymer for semiconductor lithography and producing method thereof, and composition |
JP2006233140A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Asahi Glass Co Ltd | 精製された含フッ素重合体の製造方法、ペリクルおよび露光処理方法 |
-
2009
- 2009-03-13 JP JP2010503765A patent/JP5639469B2/ja active Active
- 2009-03-13 WO PCT/JP2009/001125 patent/WO2009116253A1/ja active Application Filing
- 2009-03-13 CN CN2009801075746A patent/CN101965370A/zh active Pending
- 2009-03-13 US US12/933,038 patent/US20110040056A1/en not_active Abandoned
- 2009-03-13 KR KR1020107020861A patent/KR101562079B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999050322A1 (fr) * | 1998-03-27 | 1999-10-07 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Copolymere, son procede de preparation et composition de produit de reserve |
JP2003173026A (ja) * | 2001-01-18 | 2003-06-20 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
JP2002229220A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 化学増幅型レジスト用樹脂の精製方法および化学増幅型レジスト用樹脂 |
JP2006274276A (ja) * | 2002-04-01 | 2006-10-12 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用高分子化合物の製造法 |
JP2003335826A (ja) * | 2002-05-20 | 2003-11-28 | Jsr Corp | 共重合体とその製造方法および感放射線性樹脂組成物 |
JP2008127462A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Fujifilm Corp | 樹脂の製造方法、その製造方法によって製造された樹脂、その樹脂を含有するポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101965370A (zh) | 2011-02-02 |
KR101562079B1 (ko) | 2015-10-20 |
US20110040056A1 (en) | 2011-02-17 |
JPWO2009116253A1 (ja) | 2011-07-21 |
WO2009116253A1 (ja) | 2009-09-24 |
KR20110007106A (ko) | 2011-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5639469B2 (ja) | 重合体の製造方法 | |
KR101438844B1 (ko) | 환상 아세탈 구조를 갖는 불소 함유 단량체, 고분자 화합물, 레지스트 보호막 재료, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법 | |
TWI383996B (zh) | 高分子化合物、光阻保護膜材料及圖型之形成方法 | |
JP4571598B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4895030B2 (ja) | 高分子化合物、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法 | |
JP5247035B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4822028B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP5617810B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
KR101343962B1 (ko) | 함불소 중합성 단량체, 함불소 중합체, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 그리고 반도체 장치 | |
JP4482760B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP2007241053A (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP2009037108A (ja) | フォトレジスト用樹脂溶液の製造方法、フォトレジスト組成物およびパターン形成方法 | |
JP4743452B2 (ja) | 高分子化合物、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法 | |
JP2011257713A (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP5075516B2 (ja) | レジスト保護膜用重合体溶液の製造方法 | |
JP4799316B2 (ja) | レジスト保護膜形成用樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP2018044034A (ja) | 含フッ素単量体およびその含フッ素重合体、それを用いたレジストおよびパターン形成方法 | |
JP5589999B2 (ja) | レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 | |
JP4842795B2 (ja) | レジスト保護膜形成用樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
US8753793B2 (en) | Method for producing resin solution for photoresist, photoresist composition, and pattern-forming method | |
JP7236830B2 (ja) | 単量体、フォトレジスト用樹脂、フォトレジスト用樹脂組成物、及びパターン形成方法 | |
JP5553488B2 (ja) | リソグラフィー用重合体並びにその製造方法 | |
JP5562651B2 (ja) | 化学増幅型フォトレジスト用樹脂及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141021 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141024 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5639469 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |