JP2003173026A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 放射線に対する透明性が高く、感度、解像
度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジスト
としての基本物性に優れた感放射線性樹脂組成物を提供
する。 【解決手段】 感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）下記式
（１）の化合物等で代表されるラクトン基含有複素環構
造を有する（メタ）アクリル酸エステル類と、（メタ）
アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−メチル
−２−アダマンチル、（メタ）アクリル酸２−ノルボル
ニル−２−ｎ−プロピル等で代表される酸解離性基含有
（メタ）アクリル酸エステル類との共重合体からなる樹
脂、並びに（Ｂ）１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロ
キシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシ
−１−ナフチル）テトラヒドロチオフェニウムパーフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート等で代表される感放射
線性酸発生剤を含有する。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、感放射線性樹脂組
成物に関わり、さらに詳しくは、ＫｒＦエキシマレーザ
ーあるいはＡｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線、シン
クロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線の如
き各種の放射線を使用する微細加工に有用な化学増幅型
レジストとして好適に使用することができる感放射線性
樹脂組成物に関する。 【０００２】 【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、より高い集積度を得るために、最
近では０．２０μｍ以下のレベルでの微細加工が可能な
リソグラフィー技術が必要とされている。しかし、従来
のリソグラフィープロセスでは、一般に放射線としてｉ
線等の近紫外線が用いられているが、この近紫外線で
は、サブクオーターミクロンレベルの微細加工が極めて
困難であると言われている。そこで、０．２０μｍ以下
のレベルでの微細加工を可能とするために、より波長の
短い放射線の利用が検討されている。このような短波長
の放射線としては、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、
エキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、電子線
等を挙げることができるが、これらのうち、特にＫｒＦ
エキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）あるいはＡｒＦエ
キシマレーザー（波長１９３ｎｍ）が注目されている。
このようなエキシマレーザーによる照射に適したレジス
トとして、酸解離性官能基を有する成分と放射線の照射
（以下、「露光」という。）により酸を発生する成分
（以下、「酸発生剤」という。）とによる化学増幅効果
を利用したレジスト（以下、「化学増幅型レジスト」と
いう。）が数多く提案されている。化学増幅型レジスト
としては、例えば、特公平２−２７６６０号公報には、
カルボン酸のｔ−ブチルエステル基またはフェノールの
ｔ−ブチルカーボナート基を有する重合体と酸発生剤と
を含有するレジストが提案されている。このレジスト
は、露光により発生した酸の作用により、重合体中に存
在するｔ−ブチルエステル基あるいはｔ−ブチルカーボ
ナート基が解離して、該重合体がカルボキシル基あるい
はフェノール性水酸基からなる酸性基を有するようにな
り、その結果、レジスト被膜の露光領域がアルカリ現像
液に易溶性となる現象を利用したものである。 【０００３】ところで、従来の化学増幅型レジストの多
くは、フェノール系樹脂をベースにするものであるが、
このような樹脂の場合、放射線として遠紫外線を使用す
ると、樹脂中の芳香族環に起因して遠紫外線が吸収され
るため、露光された遠紫外線がレジスト被膜の下層部ま
で十分に到達できないという欠点があり、そのため露光
量がレジスト被膜の上層部では多く、下層部では少なく
なり、現像後のレジストパターンが上部が細く下部にい
くほど太い台形状になってしまい、十分な解像度が得ら
れないなどの問題があった。その上、現像後のレジスト
パターンが台形状となった場合、次の工程、即ちエッチ
ングやイオンの打ち込みなどを行う際に、所望の寸法精
度が達成できず、問題となっていた。しかも、レジスト
パターン上部の形状が矩形でないと、ドライエッチング
によるレジストの消失速度が速くなってしまい、エッチ
ング条件の制御が困難になる問題もあった。一方、レジ
ストパターンの形状は、レジスト被膜の放射線透過率を
高めることにより改善することができる。例えば、ポリ
メチルメタクリレートに代表される（メタ）アクリレー
ト系樹脂は、遠紫外線に対しても透明性が高く、放射線
透過率の観点から非常に好ましい樹脂であり、例えば特
開平４−２２６４６１号公報には、メタクリレート系樹
脂を使用した化学増幅型レジストが提案されている。し
かしながら、この組成物は、微細加工性能の点では優れ
ているものの、芳香族環をもたないため、ドライエッチ
ング耐性が低いという欠点があり、この場合も高精度の
エッチング加工を行うことが困難であり、放射線に対す
る透明性とドライエッチング耐性とを兼ね備えたものと
は言えない。 【０００４】また、化学増幅型レジストについて、放射
線に対する透明性を損なわないで、ドライエッチング耐
性を改善する方策の一つとして、レジスト中の樹脂成分
に、芳香族環に代えて脂肪族環を導入する方法が知られ
ており、例えば特開平７−２３４５１１号公報には、脂
肪族環を有する（メタ）アクリレート系樹脂を使用した
化学増幅型レジストが提案されている。しかしながら、
このレジストでは、樹脂成分が有する酸解離性官能基と
して、従来の酸により比較的解離し易い基（例えば、テ
トラヒドロピラニル基等のアセタール系官能基）や酸に
より比較的解離し難い基（例えば、ｔ−ブチルエステル
基、ｔ−ブチルカーボネート基等のｔ−ブチル系官能
基）が用いられており、前者の酸解離性官能基を有する
樹脂成分の場合、レジストの基本物性、特に感度やパタ
ーン形状は良好であるが、組成物としての保存安定性に
難点があり、また後者の酸解離性官能基を有する樹脂成
分では、逆に保存安定性は良好であるが、レジストの基
本物性、特に感度やパターン形状が損なわれるという欠
点がある。さらに、このレジスト中の樹脂成分には脂肪
族環が導入されているため、樹脂自体の疎水性が非常に
高くなり、基板に対する接着性の面でも問題があった。
また、化学増幅型レジストを用いてレジストパターンを
形成する際には、酸解離性官能基の解離を促進するた
め、通常露光後に加熱処理されるが、普通、その加熱温
度が変化するとレジストパターンの線幅もある程度変動
するのが避けられない。しかし、近年における集積回路
素子の微細化を反映して、露光後の加熱温度の変化に対
しても線幅の変動（即ち温度依存性）が小さいレジスト
の開発も強く求められるようになってきた。 【０００５】さらに、化学増幅型レジストにおいては、
酸発生剤がレジストとしての機能に大きな影響を及ぼす
ことが知られており、今日では、露光による酸発生の量
子収率が高く、高感度であるなどの理由から、オニウム
塩化合物が化学増幅レジストの酸発生剤として広く使用
されている。前記オニウム塩化合物としては、例えば、
トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネ
ート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチ
モネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホ
ネート、シクロヘキシルメチル（２−オキソシクロヘキ
シル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等
が使用されているが、これらの従来のオニウム塩化合物
は、一般に感度の点で満足できず、また感度が比較的高
い場合でも、解像度、パターン形状等を総合したレジス
ト性能の点で未だ十分とは言えない。このような状況の
下、集積回路素子における微細化の進行に対応しうる技
術開発の観点から、遠紫外線に代表される短波長の放射
線に適応可能で、放射線に対する透明性が高く、かつ感
度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等の
レジストとしての基本物性に優れた化学増幅型レジスト
が強く求められている。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、放射
線に対する透明性が高く、感度、解像度、ドライエッチ
ング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性
に優れた化学増幅型レジストとして有用な感放射線性樹
脂組成物を提供することにある。 【０００７】 【課題を解決するための手段】本発明によると、前記課
題は、（Ａ）下記一般式（１）で表される繰返し単位お
よび下記一般式（２）で表される繰返し単位を有するア
ルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の酸解離性基含有樹
脂であって、該酸解離性基が解離したときアルカリ可溶
性となる樹脂、並びに（Ｂ）下記一般式（３）で表され
る感放射線性酸発生剤を含有することを特徴とする感放
射線性樹脂組成物、によって達成される。 【０００８】 【化３】 【０００９】〔一般式（１）において、Ｒ¹ およびＲ²
は相互に独立に水素原子またはメチル基をを示す。一般
式（２）において、Ｒ³ は水素原子またはメチル基を示
し、各Ｒ⁴ は相互に独立に炭素数１〜４の直鎖状もしく
は分岐状のアルキル基または炭素数４〜２０の１価の脂
環式炭化水素基もしくはその誘導体を示すか、あるいは
何れか２つのＲ⁴ が相互に結合して、それぞれが結合し
ている炭素原子と共に炭素数４〜２０の２価の脂環式炭
化水素基もしくはその誘導体を形成し、残りのＲ⁴ が炭
素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基または
炭素数４〜２０の１価の脂環式炭化水素基もしくはその
誘導体である。〕 【００１０】 【化４】 〔一般式（３）において、Ｒ⁵ は炭素数６〜２０の１価
の芳香族炭化水素基もしくはその誘導体を示し、ｍは１
〜８の整数であり、ｎは０〜５の整数である。〕 【００１１】以下、本発明について詳細に説明する。樹脂（Ａ） 本発明における（Ａ）成分は、前記一般式（１）で表さ
れる繰返し単位（以下、「繰返し単位（１）」とい
う。）および前記一般式（２）で表される繰返し単位
（以下、「繰返し単位（２）」という。）を有するアル
カリ不溶性またはアルカリ難溶性の酸解離性基含有樹脂
であって、該酸解離性基が解離したときアルカリ可溶性
となる樹脂（以下、「樹脂（Ａ）」という。）からな
る。ここでいう「アルカリ不溶性またはアルカリ難溶
性」とは、樹脂（Ａ）を含有する感放射線性樹脂組成物
から形成されたレジスト被膜からレジストパターンを形
成する際に採用されるアルカリ現像条件下で、当該レジ
スト被膜の代わりに樹脂（Ａ）のみを用いた被膜を現像
した場合に、当該被膜の初期膜厚の５０％以上が現像後
に残存する性質を意味する。 【００１２】繰返し単位（１）において、該繰返し単位
の主鎖炭素原子に結合しているカルボニルオキシ基は、
環中のラクトン基を形成している炭素原子および基Ｒ²
が結合している炭素原子以外の任意の炭素原子の位置で
結合することができるが、好ましい結合位置は、下記式
（４）に示される位置である。 【００１３】 【化５】 【００１４】好ましい繰返し単位（１）としては、例え
ば、Ｒ² が水素原子であり、主鎖炭素原子に結合してい
るカルボニルオキシ基が前記式（４）に示す位置に結合
しており、Ｒ¹ が水素原子であるアクリル系繰返し単
位；Ｒ² が水素原子であり、主鎖炭素原子に結合してい
るカルボニルオキシ基が前記式（４）に示す位置に結合
しており、Ｒ¹ がメチル基であるメタクリル系繰返し単
位；Ｒ² がメチル基であり、主鎖炭素原子に結合してい
るカルボニルオキシ基が前記式（４）に示す位置に結合
しており、Ｒ¹ が水素原子であるアクリル系繰返し単
位；Ｒ² がメチル基であり、主鎖炭素原子に結合してい
るカルボニルオキシ基が前記式（４）に示す位置に結合
しており、Ｒ¹ がメチル基であるメタクリル系繰返し単
位等を挙げることができる。樹脂（Ａ）において、繰返
し単位（１）は、単独でまたは２種以上が存在すること
ができる。繰返し単位（１）は、対応する（メタ）アク
リル酸エステルに由来する繰返し単位である。 【００１５】次に、繰返し単位（２）において、Ｒ⁴ の
炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基とし
ては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル
基、１−メチルプロピル基、ｔ−ブチル基等を挙げるこ
とができる。これらのアルキル基のうち、特に、メチル
基、エチル基等が好ましい。 【００１６】また、Ｒ⁴ の炭素数４〜２０の１価の脂環
式炭化水素基、および何れか２つのＲ⁴ が相互に結合し
て形成した炭素数４〜２０の２価の脂環式炭化水素基と
しては、例えば、ノルボルナン、トリシクロデカン、テ
トラシクロドデカン、アダマンタンや、シクロブタン、
シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シ
クロオクタン等のシクロアルカン類等に由来する脂環族
環からなる基；これらの脂環族環からなる基を、例え
ば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピ
ル基、ｎ−ブチル基、２−メチルプロピル基、１−メチ
ルプロピル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜４の直鎖
状、分岐状または環状のアルキル基の１種以上あるいは
１個以上で置換した基等を挙げることができる。これら
の１価または２価の脂環式炭化水素基のうち、ノルボル
ナン、トリシクロデカン、テトラシクロドデカンまたは
アダマンタンに由来する脂環族環からなる基や、これら
の脂環族環からなる基を前記アルキル基で置換した基等
が好ましい。 【００１７】また、前記１価または２価の脂環式炭化水
素基の誘導体としては、例えば、ヒドロキシル基；カル
ボキシル基；ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチ
ル基、２−ヒドロキシエチル基、１−ヒドロキシプロピ
ル基、２−ヒドロキシプロピル基、３−ヒドロキシプロ
ピル基、１−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロキシブチ
ル基、３−ヒドロキシブチル基、４−ヒドロキシブチル
基等の炭素数１〜４のヒドロキシアルキル基；メトキシ
基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ
基、ｎ−ブトキシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メ
チルプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜４の
アルコキシル基；シアノ基；シアノメチル基、２−シア
ノエチル基、３−シアノプロピル基、４−シアノブチル
基等の炭素数２〜５のシアノアルキル基等の置換基を１
種以上あるいは１個以上有する基を挙げることができ
る。これらの置換基のうち、ヒドロキシル基、カルボキ
シル基、ヒドロキシメチル基、シアノ基、シアノメチル
基等が好ましい。 【００１８】繰返し単位（２）における基−ＣＯＯＣ
（Ｒ⁴)₃ は、酸の作用により解離してカルボキシル基を
形成する酸解離性基をなしている。以下では、この基を
酸解離性基（Ｉ）という。好ましい酸解離性基（Ｉ）の
具体例としては、ｔ−ブトキシカルボニル基や、下記式
（Ｉ-1) 〜（Ｉ-45)の基等を挙げることができる。 【００１９】 【化６】 【００２０】 【化７】 【００２１】 【化８】 【００２２】 【化９】 【００２３】 【化１０】 【００２４】 【化１１】【００２５】 【化１２】 【００２６】 【化１３】 【００２７】 【化１４】 【００２８】 【化１５】 【００２９】 【化１６】 【００３０】 【化１７】 【００３１】 【化１８】 【００３２】 【化１９】【００３３】 【化２０】 【００３４】これらの酸解離性基（Ｉ）のうち、ｔ−ブ
トキシカルボニル基や、式（Ｉ-1)、式（Ｉ-2) 、式
（Ｉ-10)、式（Ｉ-11)、式（Ｉ-13)、式（Ｉ-14)、式
（Ｉ-16)、式（Ｉ-17)、式（Ｉ-34)、式（Ｉ-35)、式
（Ｉ-40)、式（Ｉ-41)、式（Ｉ-43)または式（Ｉ-44)の
基等が好ましい。繰返し単位（２）は、対応する（メ
タ）アクリル酸エステルに由来する繰返し単位である。 【００３５】樹脂（Ａ）は、繰返し単位（１）および繰
返し単位（２）以外の繰返し単位（以下、「他の繰返し
単位」という。）を１種以上有することができる。他の
繰返し単位を与える重合性不飽和単量体としては、例え
ば、（メタ）アクリル酸ノルボルニル、（メタ）アクリ
ル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸トリシクロデカ
ニル、（メタ）アクリル酸テトラシクロデカニル、（メ
タ）アクリル酸ジシクロペンテニル、（メタ）アクリル
酸アダマンチル、（メタ）アクリル酸３−ヒドロキシア
ダマンチル、（メタ）アクリル酸アダマンチルメチル等
の有橋式炭化水素骨格を有する（メタ）アクリル酸エス
テル類；（メタ）アクリル酸カルボキシノルボルニル、
（メタ）アクリル酸カルボキシトリシクロデカニル、
（メタ）アクリル酸カルボキシテトラシクロデカニル等
の不飽和カルボン酸の有橋式炭化水素骨格を有するカル
ボキシル基含有エステル類； 【００３６】ノルボルネン（即ち、ビシクロ[ ２．２．
１] ヘプト−２−エン）、５−メチルビシクロ[ ２．
２．１ ]ヘプト−２−エン、５−エチルビシクロ[ ２．
２．１ ]ヘプト−２−エン、５−ｎ−プロピルビシクロ
[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５−ｎ−ブチルビシ
クロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５−ｎ−ペンチ
ルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５−ｎ−
ヘキシルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エン、５
−ヒドロキシビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプト−２−エ
ン、５−ヒドロキシメチルビシクロ[ ２．２．１ ]ヘプ
ト−２−エン、テトラシクロ [４．４．０．１^2,5 ．１
^7,10 ]ドデカ−３−エン、８−メチルテトラシクロ
[４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、８
−エチルテトラシクロ [４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]
ドデカ−３−エン、８−ｎ−プロピルテトラシクロ
[４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、８
−ｎ−ブチルテトラシクロ [４．４．０．１^2,5 ．１
^7,10 ]ドデカ−３−エン、８−ｎ−ペンチルテトラシク
ロ [４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、
８−ｎ−ヘキシルテトラシクロ [４．４．０．１^2,5 ．
１^7,10 ]ドデカ−３−エン、８−ヒドロキシテトラシク
ロ [４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、
８−ヒドロキシメチルテトラシクロ [４．４．０．１
^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、 【００３７】８−フルオロテトラシクロ[ ４．４．０．
１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、８−フルオロメチ
ルテトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ
−３−エン、８−ジフルオロメチルテトラシクロ[ ４．
４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、８−トリ
フルオロメチルテトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１
^7,10 ]ドデカ−３−エン、８−ペンタフルオロエチルテ
トラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３
−エン、８，８−ジフルオロテトラシクロ[ ４．４．
０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、８，９−ジフ
ルオロテトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ド
デカ−３−エン、８，８−ビス（トリフルオロメチル）
テトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−
３−エン、８，９−ビス（トリフルオロメチル）テトラ
シクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エ
ン、８−メチル−８−トリフルオロメチルテトラシクロ
[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、 【００３８】８，８，９−トリフルオロテトラシクロ[
４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、８，
８，９−トリス（トリフルオロメチル）テトラシクロ[
４．４．０．１^2,5．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、８，
８，９，９−テトラフルオロテトラシクロ[ ４．４．
０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、８，８，９，
９−テトラキス（トリフルオロメチル）テトラシクロ[
４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、８，
８−ジフルオロ−９，９−ビス（トリフルオロメチル）
テトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−
３−エン、８，９−ジフルオロ−８，９−ビス（トリフ
ルオロメチル）テトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１
^7,10 ]ドデカ−３−エン、８，８，９−トリフルオロ−
９−トリフルオロメチルテトラシクロ[ ４．４．０．１
^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、８，８，９−トリフ
ルオロ−９−トリフルオロメトキシテトラシクロ[ ４．
４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、 【００３９】８，８，９−トリフルオロ−９−ペンタフ
ルオロプロポキシテトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．
１^7,10 ]ドデカ−３−エン、８−フルオロ−８−ペンタ
フルオロエチル−９，９−ビス（トリフルオロメチル）
テトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−
３−エン、８，９−ジフルオロ−８−ヘプタフルオロイ
ソプロピル−９−トリフルオロメチルテトラシクロ[
４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、８−
クロロ−８，９，９−トリフルオロテトラシクロ[ ４．
４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、８，９−
ジクロロ−８，９−ビス（トリフルオロメチル）テトラ
シクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エ
ン、８−（２’，２’，２’−トリフルオロカルボエト
キシ）テトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ド
デカ−３−エン、８−メチル−８−（２’，２’，２’
−トリフルオロカルボエトキシ）テトラシクロ[ ４．
４．０．１^2,5 ．１^7,10 ]ドデカ−３−エン、 【００４０】ジシクロペンタジエン、トリシクロ[ ５．
２．１．０^2,6 ] デカ−８−エン、トリシクロ[ ５．
２．１．０^2,6 ] デカ−３−エン、トリシクロ[ ４．
４．０．１^2,5 ] ウンデカ−３−エン、トリシクロ[
６．２．１．０^1,8 ] ウンデカ−９−エン、トリシクロ
[ ６．２．１．０^1,8 ] ウンデカ−４−エン、テトラシ
クロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,10．０^1,6 ] ドデカ−
３−エン、８−メチルテトラシクロ[ ４．４．０．１
^2,5 ．１^7,10．０^1,6 ] ドデカ−３−エン、８−エチリ
デンテトラシクロ[ ４．４．０．１^2,5 ．１^7,12 ]ドデ
カ−３−エン、８−エチリデンテトラシクロ[ ４．４．
０．１^2,5 ．１^7,10．０^1,6 ] ドデカ−３−エン、ペン
タシクロ[ ６．５．１．１^3,6 ．０^2,7 ．０^9,13 ]ペン
タデカ−４−エン、ペンタシクロ[ ７．４．０．１
^2,5 ．１^9,12．０^8,13 ]ペンタデカ−３−エン等の有橋
式炭化水素骨格を有する他の単官能性単量体； 【００４１】（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アク
リル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メ
タ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸２−メ
チルプロピル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチ
ル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メ
タ）アクリル酸３−ヒドロキシプロピル、（メタ）アク
リル酸シクロプロピル、（メタ）アクリル酸シクロペン
チル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）ア
クリル酸４−メトキシシクロヘキシル、（メタ）アクリ
ル酸２−シクロペンチルオキシカルボニルエチル、（メ
タ）アクリル酸２−シクロヘキシルオキシカルボニルエ
チル、（メタ）アクリル酸２−（４−メトキシシクロヘ
キシル）オキシカルボニルエチル等の有橋式炭化水素骨
格をもたない（メタ）アクリル酸エステル類； 【００４２】α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、
α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキ
シメチルアクリル酸ｎ−プロピル、α−ヒドロキシメチ
ルアクリル酸ｎ−ブチル等のα−ヒドロキシメチルアク
リル酸エステル類；（メタ）アクリロニトリル、α−ク
ロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニ
トリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコ
ンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合
物；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メ
タ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミ
ド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミ
ド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物；Ｎ−（メ
タ）アクリロイルモルホリン、Ｎ−ビニル−ε−カプロ
ラクタム、Ｎ−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビ
ニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物；（メ
タ）アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、無水マレイ
ン酸、フマル酸、イタコン酸、無水イタコン酸、シトラ
コン酸、無水シトラコン酸、メサコン酸等の不飽和カル
ボン酸（無水物）類；（メタ）アクリル酸２−カルボキ
シエチル、（メタ）アクリル酸２−カルボキシプロピ
ル、（メタ）アクリル酸３−カルボキシプロピル、（メ
タ）アクリル酸４−カルボキシブチル、（メタ）アクリ
ル酸４−カルボキシシクロヘキシル等の不飽和カルボン
酸の有橋式炭化水素骨格をもたないカルボキシル基含有
エステル類； 【００４３】α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−メ
トキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）
アクリロイルオキシ−β−エトキシカルボニル−γ−ブ
チロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−
ｎ−プロポキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−
（メタ）アクリロイルオキシ−β−ｉ−プロポキシカル
ボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイ
ルオキシ−β−ｎ−ブトキシカルボニル−γ−ブチロラ
クトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−（２−
メチルプロポキシ）カルボニル−γ−ブチロラクトン、
α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−（１−メチルプ
ロポキシ）カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メ
タ）アクリロイルオキシ−β−ｔ−ブトキシカルボニル
−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキ
シ−β−シクロヘキシルオキシカルボニル−γ−ブチロ
ラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−（４
−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシ）カルボニル−γ−
ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β
−フェノキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−
（メタ）アクリロイルオキシ−β−（１−エトキシエト
キシ）カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）
アクリロイルオキシ−β−（１−シクロヘキシルオキシ
エトキシ）カルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メ
タ）アクリロイルオキシ−β−ｔ−ブトキシカルボニル
メトキシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メ
タ）アクリロイルオキシ−β−テトラヒドロフラニルオ
キシカルボニル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）ア
クリロイルオキシ−β−テトラヒドロピラニルオキシカ
ルボニル−γ−ブチロラクトン、 【００４４】α−メトキシカルボニル−β−（メタ）ア
クリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−エトキシ
カルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブ
チロラクトン、α−ｎ−プロポキシカルボニル−β−
（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−ｉ−プロポキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイ
ルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−ｎ−ブトキシカル
ボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロ
ラクトン、α−（２−メチルプロポキシ）カルボニル−
β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクト
ン、α−（１−メチルプロポキシ）カルボニル−β−
（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−ｔ−ブトキシカルボニル−β−（メタ）アクリロイル
オキシ−γ−ブチロラクトン、α−シクロヘキシルオキ
シカルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−
ブチロラクトン、α−（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル
オキシ）カルボニル−β−（メタ）アクリロイルオキシ
−γ−ブチロラクトン、α−フェノキシカルボニル−β
−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、
α−（１−エトキシエトキシ）カルボニル−β−（メ
タ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−
（１−シクロヘキシルオキシエトキシ）カルボニル−β
−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、
α−ｔ−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル−β−
（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−テトラヒドロフラニルオキシカルボニル−β−（メ
タ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−テ
トラヒドロピラニルオキシカルボニル−β−（メタ）ア
クリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン等の酸解離性基
を有する（メタ）アクリロイルオキシラクトン化合物； 【００４５】α−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブ
チロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−
フルオロ−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロ
イルオキシ−β−ヒドロキシ−γ−ブチロラクトン、α
−（メタ）アクリロイルオキシ−β−メチル−γ−ブチ
ロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−β−エ
チル−γ−ブチロラクトン、α−（メタ）アクリロイル
オキシ−β，β−ジメチル−γ−ブチロラクトン、α−
（メタ）アクリロイルオキシ−β−メトキシ−γ−ブチ
ロラクトン、β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブ
チロラクトン、α−フルオロ−β−（メタ）アクリロイ
ルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−ヒドロキシ−β−
（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−メチル−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチ
ロラクトン、α−エチル−β−（メタ）アクリロイルオ
キシ−γ−ブチロラクトン、α，α−ジメチル−β−
（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブチロラクトン、α
−メトキシ−β−（メタ）アクリロイルオキシ−γ−ブ
チロラクトン、α−（メタ）アクリロイルオキシ−δ−
メバロノラクトン等の酸解離性基をもたない（メタ）ア
クリロイルオキシラクトン化合物；前記不飽和カルボン
酸類あるいは前記不飽和カルボン酸の有橋式炭化水素骨
格をもたないカルボキシル基含有エステル類のカルボキ
シル基を、下記する酸解離性基（ｉ) に変換した化合物
等の単官能性単量体や、 【００４６】１，２−アダマンタンジオールジ（メタ）
アクリレート、１，３−アダマンタンジオールジ（メ
タ）アクリレート、１，４−アダマンタンジオールジ
（メタ）アクリレート、トリシクロデカニルジメチロー
ルジ（メタ）アクリレート等の有橋式炭化水素骨格を有
する多官能性単量体； 【００４７】メチレングリコールジ（メタ）アクリレー
ト、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロ
ピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘ
キサンジオールジ（メタ）アクリレート、２，５−ジメ
チル−２，５−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、１，８−オクタンジオールジ（メタ）アクリレー
ト、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、
１，４−ビス（２−ヒドロキシプロピル）ベンゼンジ
（メタ）アクリレート、１，３−ビス（２−ヒドロキシ
プロピル）ベンゼンジ（メタ）アクリレート等の有橋式
炭化水素骨格をもたない多官能性単量体等の多官能性単
量体を挙げることができる。 【００４８】樹脂（Ａ）において、繰返し単位（１）の
含有率は、全繰返し単位に対して、通常、１０〜８０モ
ル％、好ましくは２０〜７０モル％、さらに好ましくは
３０〜７０モル％である。この場合、繰返し単位（１）
の含有率が１０モル％未満では、レジストとしたときの
現像性や基板への接着性が低下する傾向があり、一方８
０モル％を超えると、レジストとしての解像度が低下す
る傾向がある。また、繰返し単位（２）の含有率は、全
繰返し単位に対して、通常、１０〜８０モル％、好まし
くは２０〜７０モル％、さらに好ましくは２０〜６０モ
ル％である。この場合、繰返し単位（２）の含有率が１
０モル％未満では、レジストとしての解像度が低下する
傾向があり、一方８０モル％を超えると、レジストとし
たとき現像性が低下したり、スカムが発生しやすくなる
傾向がある。また、他の繰返し単位の含有率は、全繰返
し単位に対して、通常、５０モル％以下、好ましくは４
０モル％以下である。 【００４９】樹脂（Ａ）は、例えば、その各繰返し単位
に対応する重合性不飽和単量体を、ヒドロパーオキシド
類、ジアルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシド
類、アゾ化合物等のラジカル重合開始剤を使用し、必要
に応じて連鎖移動剤の存在下、適当な溶媒中で重合する
ことにより製造することができる。前記重合に使用され
る溶媒としては、例えば、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサ
ン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デ
カン等のアルカン類；シクロヘキサン、シクロヘプタ
ン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシク
ロアルカン類；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチル
ベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類；クロロブタン
類、ブロモヘキサン類、ジクロロエタン類、ヘキサメチ
レンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水
素類；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸ｉ−ブチル、
プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類；テ
トラヒドロフラン、ジメトキシエタン類、ジエトキシエ
タン類、プロピレングリコールモノメチルエーテル等の
エーテル類や、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート、メチルエチルケトン等を挙げることがで
きる。これらの溶媒は、単独でまたは２種以上を混合し
て使用することができる。また、前記重合における反応
温度は、通常、４０〜１２０℃、好ましくは５０〜９０
℃であり、反応時間は、通常、１〜４８時間、好ましく
は１〜２４時間である。 【００５０】樹脂（Ａ）のゲルパーミエーションクロマ
トグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均
分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、通常、３，００
０〜３０，０００、好ましくは５，０００〜３０，００
０、さらに好ましくは５，０００〜２０，０００であ
る。この場合、樹脂（Ａ）のＭｗが３，０００未満で
は、レジストとしたときの耐熱性が低下する傾向があ
り、一方３０，０００を超えると、レジストとしたとき
の現像性が低下する傾向がある。また、樹脂（Ａ）のＭ
ｗとゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）
によるポリスチレン換算数平均分子量（以下、「Ｍｎ」
という。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）は、通常、１〜５、好
ましくは１〜３である。なお、樹脂（Ａ）は、ハロゲ
ン、金属等の不純物が少ないほど好ましく、それによ
り、レジストとしたときの感度、解像度、プロセス安定
性、パターン形状等をさらに改善することができる。樹
脂（Ａ）の精製法としては、例えば、水洗、液々抽出等
の化学的精製法や、これらの化学的精製法と限外ろ過、
遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等を挙げるこ
とができる。 【００５１】酸発生剤（Ｂ） 本発明における（Ｂ）成分は、前記一般式（３）で表さ
れる感放射線性酸発生剤（以下、「酸発生剤（Ｂ）」と
いう。）からなり、露光により酸を発生する化合物であ
る。酸発生剤（Ｂ）は、露光により発生した酸の作用に
よって、樹脂（Ａ）中に存在する酸解離性基を解離さ
せ、その結果レジスト被膜の露光部がアルカリ現像液に
易溶性となり、ポジ型のレジストパターンを形成する作
用を有するものである。 【００５２】一般式（３）において、Ｒ⁵ の炭素数６〜
２０の１価の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェ
ニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、
２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニ
ル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチル
フェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジ
メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル
基、４−エチルフェニル基等のフェニル基または炭素数
１〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基で置換され
たフェニル基；１−ナフチル基、２−メチル−１−ナフ
チル基、３−メチル−１−ナフチル基、４−メチル−１
−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル基、５−メチ
ル−１−ナフチル基、６−メチル−１−ナフチル基、７
−メチル−１−ナフチル基、８−メチル−１−ナフチル
基、２，３−ジメチル−１−ナフチル基、２，４−ジメ
チル−１−ナフチル基、２，５−ジメチル−１−ナフチ
ル基、２，６−ジメチル−１−ナフチル基、２，７−ジ
メチル−１−ナフチル基、２，８−ジメチル−１−ナフ
チル基、３，４−ジメチル−１−ナフチル基、３，５−
ジメチル−１−ナフチル基、３，６−ジメチル−１−ナ
フチル基、３，７−ジメチル−１−ナフチル基、３，８
−ジメチル−１−ナフチル基、４，５−ジメチル−１−
ナフチル基、５，８−ジメチル−１−ナフチル基、４−
エチル−１−ナフチル基２−ナフチル基、１−メチル−
２−ナフチル基、３−メチル−２−ナフチル基、４−メ
チル−２−ナフチル基等のナフチル基またはメチル基も
しくはエチル基で置換されたナフチル基等を挙げること
ができる。 【００５３】また、前記芳香族炭化水素基の誘導体にお
ける置換基としては、ヒドロキシル基；カルボキシル
基；ヒドロキシメチル基、１−ヒドロキシエチル基、２
−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４
−ヒドロキシブチル基等の炭素数１〜４の直鎖状もしく
は分岐状のヒドロキシアルキル基；メトキシ基、エトキ
シ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブト
キシ基、２−メチルプロポキシ基、１−メチルプロポキ
シ基、ｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜４の直鎖状もしく
は分岐状のアルコキシル基；メトキシメトキシ基、エト
キシメトキシ基、ｎ−プロポキシメトキシ基、ｉ−プロ
ポキシメトキシ基、ｎ−ブトキシメトキシ基、ｔ−ブト
キシメトキシ基等の炭素数２〜５の直鎖状もしくは分岐
状のアルコキシメトキシ基；１−メトキシエトキシ基、
１−エトキシエトキシ基、１−ｎ−プロポキシエトキシ
基、１−ｉ−プロポキシエトキシ基、１−ｎ−ブトキシ
エトキシ基、１−ｔ−ブトキシエトキシ基等の炭素数３
〜６の直鎖状もしくは分岐状の１−アルコキシエトキシ
基；２−メトキシエトキシ基、２−エトキシエトキシ
基、２−ｎ−プロポキシエトキシ基、２−ｉ−プロポキ
シエトキシ基、２−ｎ−ブトキシエトキシ基、２−ｔ−
ブトキシエトキシ基等の炭素数３〜６の直鎖状もしくは
分岐状の２−アルコキシエトキシ基；メトキシカルボニ
ルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポ
キシカルボニルオキシ基、ｉ−プロポキシカルボニルオ
キシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔ−ブトキ
シカルボニルオキシ基等の炭素数２〜５の直鎖状もしく
は分岐状のアルコキシカルボニルオキシ基；ベンジルオ
キシ基、フェネチルオキシ基等の炭素数７〜１２のアラ
ルキルオキシ基；フェニルアセトメチル基、１−ナフチ
ルアセトメチル基等の炭素数９〜１５のアリールアセト
メチル基；２−テトラヒドロフラニルオキシ基、２−テ
トラヒドロピラニルオキシ基等の酸素原子含有基や、シ
アノメチル基、２−シアノエチル基、３−シアノプロピ
ル基、４−シアノブチル基等の窒素原子含有基等を挙げ
ることができる。 【００５４】Ｒ⁵ の炭素数６〜２０の１価の芳香族炭化
水素基およびその誘導体としては、３，５−ジメチル−
４−ヒドロキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、
４−ｎ−ブトキシフェニル基、２，４−ジメトキシフェ
ニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、４−ｎ−ブト
キシ−１−ナフチル基等が好ましい。一般式（３）にお
いて、ｍとしては、特に４または８が好ましく、ｎとし
ては、特に１が好ましい。一般式（３）における基Ｃ_m
Ｆ_2m+1は、炭素数ｍのパーフルオロアルキル基である
が、該基は直鎖状もしくは分岐状であることができる。 【００５５】好ましい酸発生剤（Ｂ）としては、例え
ば、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシ
フェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４
−ヒドロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパ
ーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ｎ
−ブトキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシ
フェニル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシフェ
ニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−
オクタンスルホネート、１−（４−ヒドロキシ−１−ナ
フチル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、１−（４−ヒドロキシ−１−ナフチ
ル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、１−（４−ヒドロキシ−１−ナフチ
ル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オ
クタンスルホネート、１−（４−メトキシ−１−ナフチ
ル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、１−（４−メトキシ−１−ナフチル）テト
ラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスル
ホネート、１−（４−メトキシ−１−ナフチル）テトラ
ヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスル
ホネート、 【００５６】１−（４−エトキシ−１−ナフチル）テト
ラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、１−（４−エトキシ−１−ナフチル）テトラヒドロ
チオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、１−（４−エトキシ−１−ナフチル）テトラヒドロ
チオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、１−（４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチル）テトラヒ
ドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、
１−（４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチル）テトラヒドロ
チオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、１−（４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチル）テトラヒ
ドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホ
ネート、１−（４−メトキシメトキシ−１−ナフチル）
テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、１−（４−メトキシメトキシ−１−ナフチル）
テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタン
スルホネート、１−（４−メトキシメトキシ−１−ナフ
チル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−
オクタンスルホネート、１−（４−エトキシメトキシ−
１−ナフチル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、１−（４−エトキシメトキシ−
１−ナフチル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオ
ロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−エトキシメト
キシ−１−ナフチル）テトラヒドロチオフェニウムパー
フルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−〔４−（１
−メトキシエトキシ）−１−ナフチル〕テトラヒドロチ
オフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−
〔４−（１−メトキシエトキシ）−１−ナフチル〕テト
ラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスル
ホネート、１−〔４−（１−メトキシエトキシ）−１−
ナフチル〕テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、 【００５７】１−〔４−（２−メトキシエトキシ）−１
−ナフチル〕テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、１−〔４−（２−メトキシエトキ
シ）−１−ナフチル〕テトラヒドロチオフェニウムノナ
フルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−〔４−（２−
メトキシエトキシ）−１−ナフチル〕テトラヒドロチオ
フェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
１−（４−メトキシカルボニルオキシ−１−ナフチル）
テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、１−（４−メトキシカルボニルオキシ−１−ナ
フチル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート、１−（４−メトキシカルボニル
オキシ−１−ナフチル）テトラヒドロチオフェニウムパ
ーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−エ
トキシカルボニルオキシ−１−ナフチル）テトラヒドロ
チオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−
（４−エトキシカルボニルオキシ−１−ナフチル）テト
ラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスル
ホネート、１−（４−エトキシカルボニルオキシ−１−
ナフチル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−
ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ｎ−プロポキシ
カルボニルオキシ−１−ナフチル）テトラヒドロチオフ
ェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−
ｎ−プロポキシカルボニルオキシ−１−ナフチル）テト
ラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスル
ホネート、１−（４−ｎ−プロポキシカルボニルオキシ
−１−ナフチル）テトラヒドロチオフェニウムパーフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート、 【００５８】１−（４−ｉ−プロポキシカルボニルオキ
シ−１−ナフチル）テトラヒドロチオフェニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、１−（４−ｉ−プロポキシ
カルボニルオキシ−１−ナフチル）テトラヒドロチオフ
ェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−
（４−ｉ−プロポキシカルボニルオキシ−１−ナフチ
ル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オ
クタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシカルボニ
ルオキシ−１−ナフチル）テトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブト
キシカルボニルオキシ−１−ナフチル）テトラヒドロチ
オフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、
１−（４−ｎ−ブトキシカルボニルオキシ−１−ナフチ
ル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オ
クタンスルホネート、１−（４−ｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシ−１−ナフチル）テトラヒドロチオフェニウム
トリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｔ−ブト
キシカルボニルオキシ−１−ナフチル）テトラヒドロチ
オフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、
１−（４−ｔ−ブトキシカルボニルオキシ−１−ナフチ
ル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オ
クタンスルホネート、 【００５９】１−（４−ベンジルオキシ−１−ナフチ
ル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、１−（４−ベンジルオキシ−１−ナフチ
ル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、１−（４−ベンジルオキシ−１−ナ
フチル）テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ
−オクタンスルホネート、１−（１−ナフチルアセトメ
チル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタン
スルホネート、１−（１−ナフチルアセトメチル）テト
ラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスル
ホネート、１−（１−ナフチルアセトメチル）テトラヒ
ドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホ
ネート、１−〔４−（２−テトラヒドロフラニルオキ
シ）−１−ナフチル〕テトラヒドロチオフェニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、１−〔４−（２−テトラ
ヒドロフラニルオキシ）−１−ナフチル〕テトラヒドロ
チオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネー
ト、１−〔４−（２−テトラヒドロフラニルオキシ）−
１−ナフチル〕テトラヒドロチオフェニウムパーフルオ
ロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−〔４−（２−テト
ラヒドロピラニルオキシ）−１−ナフチル〕テトラヒド
ロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１
−〔４−（２−テトラヒドロピラニルオキシ）−１−ナ
フチル〕テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート、１−〔４−（２−テトラヒドロ
ピラニルオキシ）−１−ナフチル〕テトラヒドロチオフ
ェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート等を
挙げることができる。 【００６０】これらの好ましい酸発生剤（Ｂ）のうち、
特に、１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート、１−（３，５−ジメチル−４−ヒド
ロキシフェニル）テトラヒドロチオフェニウムパーフル
オロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ヒドロキ
シ−１−ナフチル）テトラヒドロチオフェニウムノナフ
ルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ヒドロキ
シ−１−ナフチル）テトラヒドロチオフェニウムパーフ
ルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブ
トキシ−１−ナフチル）テトラヒドロチオフェニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−
ブトキシ−１−ナフチル）テトラヒドロチオフェニウム
パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１−（１−
ナフチルアセトメチル）テトラヒドロチオフェニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（１−ナフ
チルアセトメチル）テトラヒドロチオフェニウムパーフ
ルオロ−ｎ−オクタンスルホネート等が好ましい。本発
明において、酸発生剤（Ｂ）は、単独でまたは２種以上
を混合して使用することができる。 【００６１】本発明においては、酸発生剤（Ｂ）と共
に、他の感放射線性酸発生剤（以下、「酸発生剤
（ｂ）」という。）を併用することができる。酸発生剤
（ｂ）としては、例えば、オニウム塩化合物、ハロゲン
含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、ス
ルホン酸化合物等を挙げることができる。これらの酸発
生剤（ｂ）の例としては、下記のものを挙げることがで
きる。 【００６２】オニウム塩化合物：オニウム塩化合物とし
ては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホス
ホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げ
ることができる。好ましいオニウム塩化合物としては、
例えば、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフ
ルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブ
チルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホ
ネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ
−ブチルフェニル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オ
クタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフ
ルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム
ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニル
スルホニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウム １０−カンファースル
ホネート、シクロヘキシル・２−オキソシクロヘキシル
・メチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネー
ト、ジシクロヘキシル・２−オキソシクロヘキシルスル
ホニウムトリフルオロメタンスルホネート、２−オキソ
シクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、１−ナフチルジメチルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、１−ナフチルジエチル
スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−シ
アノ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロ
メタンスルホネート、４−ニトロ−１−ナフチルジメチ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−
メチル−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、４−シアノ−１−ナフチルジエ
チルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４
−ニトロ−１−ナフチルジエチルスルホニウムトリフル
オロメタンスルホネート、４−メチル−１−ナフチルジ
エチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
４−ヒドロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート等を挙げることができ
る。 【００６３】ハロゲン含有化合物：ハロゲン含有化合物
としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合
物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等を挙げること
ができる。好ましいハロゲン含有化合物としては、例え
ば、フェニルビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジ
ン、４−メトキシフェニルビス（トリクロロメチル）−
ｓ−トリアジン、１−ナフチルビス（トリクロロメチ
ル）−ｓ−トリアジン等の（トリクロロメチル）−ｓ−
トリアジン誘導体や、１，１−ビス（４−クロロフェニ
ル）−２，２，２−トリクロロエタン等を挙げることが
できる。 ジアゾケトン化合物：ジアゾケトン化合物としては、例
えば、１，３−ジケト−２−ジアゾ化合物、ジアゾベン
ゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等を挙げる
ことができる。好ましいジアゾケトンとしては、例え
ば、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルク
ロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニ
ルクロリド、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの１，２−ナフトキノンジアジド−４−スル
ホン酸エステルまたは１，２−ナフトキノンジアジド−
５−スルホン酸エステル、１，１，１−トリス（４−ヒ
ドロキシフェニル）エタンの１，２−ナフトキノンジア
ジド−４−スルホン酸エステルまたは１，２−ナフトキ
ノンジアジド−５−スルホン酸エステル等を挙げること
ができる。 【００６４】スルホン化合物：スルホン化合物として
は、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホ
ンや、これらの化合物のα−ジアゾ化合物等を挙げるこ
とができる。好ましいスルホン化合物としては、例え
ば、４−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシ
ルスルホン、ビス（フェニルスルホニル）メタン等を挙
げることができる。 スルホン酸化合物：スルホン酸化合物としては、例え
ば、アルキルスルホン酸エステル、アルキルスルホン酸
イミド、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールス
ルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げること
ができる。好ましいスルホン酸化合物としては、例え
ば、ベンゾイントシレート、ピロガロールのトリス（ト
リフルオロメタンスルホネート）、ニトロベンジル−
９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホネー
ト、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[ ２．２．
１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、ノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルビシクロ[ ２．２．
１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミド、パ
ーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルビシクロ[ ２．
２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイミ
ド、Ｎ−ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンス
ルホネート、Ｎ−ヒドロキシスクシイミドノナフルオロ
−ｎ−ブタンスルホネート、Ｎ−ヒドロキシスクシイミ
ドパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１，８−
ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスル
ホネート、１，８−ナフタレンジカルボン酸イミドノナ
フルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１，８−ナフタレ
ンジカルボン酸イミドパーフルオロ−ｎ−オクタンスル
ホネート等を挙げることができる。 【００６５】これらの酸発生剤（ｂ）のうち、ジフェニ
ルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフ
ェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネ
ート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オク
タンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨ
ードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス（４
−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ
−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ル）ヨードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネ
ート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−
ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパ
ーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、シクロヘキシ
ル・２−オキソシクロヘキシル・メチルスルホニウムト
リフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル・２
−オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタ
ンスルホネート、２−オキソシクロヘキシルジメチルス
ルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−ヒド
ロキシ−１−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオ
ロメタンスルホネート、 【００６６】トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[
２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイ
ミド、ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルビシクロ[
２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジイ
ミド、パーフルオロ−ｎ−オクタンスルホニルビシクロ
[ ２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボジ
イミド、Ｎ−ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタ
ンスルホネート、Ｎ−ヒドロキシスクシイミドノナフル
オロ−ｎ−ブタンスルホネート、Ｎ−ヒドロキシスクシ
イミドパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、１，
８−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタン
スルホネート等が好ましい。前記酸発生剤（ｂ）は、単
独でまたは２種以上を混合して使用することができる。 【００６７】本発明の感放射線性樹脂組成物において、
酸発生剤（Ｂ）と酸発生剤（ｂ）の合計使用量は、レジ
ストとしての感度および現像性を確保する観点から、樹
脂（Ａ）１００重量部に対して、通常、０．１〜２０重
量部、好ましくは０．５〜１０重量部である。この場
合、前記合計使用量が０．１重量部未満では、感度およ
び現像性が低下する傾向があり、一方２０重量部を超え
ると、放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジス
トパターンを得られ難くなる傾向がある。また、酸発生
剤（ｂ）の使用割合は、酸発生剤（Ｂ）と酸発生剤
（ｂ）との合計１００重量部に対して、通常、８０重量
％以下、好ましくは６０重量％以下である。この場合、
酸発生剤（ｂ）の使用割合が８０重量％を超えると、本
発明の所期の効果が損なわれるおそれがある。 【００６８】本発明の感放射線性樹脂組成物には、露光
により酸発生剤（Ｂ）や酸発生剤（ｂ）から生じる酸の
レジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域
における好ましくない化学反応を抑制する作用を有する
酸拡散制御剤を配合することが好ましい。このような酸
拡散制御剤を配合することにより、得られる感放射線性
樹脂組成物の貯蔵安定性がさらに向上し、またレジスト
としての解像度がさらに向上するとともに、露光から現
像処理までの引き置き時間（ＰＥＤ）の変動によるレジ
ストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス
安定性に極めて優れた組成物が得られる。酸拡散制御剤
としては、レジストパターンの形成工程中の露光や加熱
処理により塩基性が変化しない含窒素有機化合物が好ま
しい。このような含窒素有機化合物としては、例えば、
下記一般式（５） 【００６９】 【化２１】 〔一般式（５）において、各Ｒ⁶ は相互に独立に水素原
子、置換もしくは非置換の直鎖状、分岐状もしくは環状
のアルキル基、置換もしくは非置換のアリール基または
置換もしくは非置換のアラルキル基を示す。〕 【００７０】で表される化合物（以下、「含窒素化合物
（イ）」という。）、同一分子内に窒素原子を２個有す
る化合物（以下、「含窒素化合物（ロ）」という。）、
窒素原子を３個以上有するポリアミノ化合物や重合体
（以下、これらをまとめて「含窒素化合物（ハ）」とい
う。）、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複
素環化合物等を挙げることができる。 【００７１】含窒素化合物（イ）としては、例えば、ｎ
−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチル
アミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、シクロ
ヘキシルアミン等のモノ（シクロ）アルキルアミン類；
ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−
ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプチルアミン、ジ−ｎ
−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニルアミン、ジ−ｎ−デ
シルアミン、シクロヘキシルメチルアミン、ジシクロヘ
キシルアミン等のジ（シクロ）アルキルアミン類；トリ
エチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−
ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−
ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ
−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、トリ−ｎ
−デシルアミン、シクロヘキシルジメチルアミン、メチ
ルジシクロヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン
等のトリ（シクロ）アルキルアミン類；アニリン、Ｎ−
メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチ
ルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリ
ン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェ
ニルアミン、ナフチルアミン等の芳香族アミン類を挙げ
ることができる。 【００７２】含窒素化合物（ロ）としては、例えば、エ
チレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ',Ｎ’−テトラメチルエチ
レンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレ
ンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、
４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジ
アミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニル
アミン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパ
ン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフ
ェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−
（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミ
ノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、１，４−ビス〔１−（４−アミノフェニル）−１−
メチルエチル〕ベンゼン、１，３−ビス〔１−（４−ア
ミノフェニル）−１−メチルエチル〕ベンゼン、ビス
（２−ジメチルアミノエチル）エーテル、ビス（２−ジ
エチルアミノエチル）エーテル等を挙げることができ
る。含窒素化合物（ハ）としては、例えば、ポリエチレ
ンイミン、ポリアリルアミン、２−ジメチルアミノエチ
ルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。 【００７３】前記アミド基含有化合物としては、例え
ば、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−オクチルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−ノニルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジ−ｎ−デシルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−１−アダマンチルア
ミン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチル−１−
アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブトキシカルボ
ニル−１−アダマンチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブト
キシカルボニル−Ｎ−メチル−１−アダマンチルアミ
ン、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−４，４’−ジアミノ
ジフェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボ
ニルヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’Ｎ’−テト
ラ−ｔ−ブトキシカルボニルヘキサメチレンジアミン、
Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，７−ジア
ミノヘプタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル
−１，８−ジアミノオクタン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブト
キシカルボニル−１，９−ジアミノノナン、Ｎ，Ｎ’−
ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１０−ジアミノデカ
ン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカルボニル−１，１２
−ジアミノドデカン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｔ−ブトキシカル
ボニル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ−ｔ
−ブトキシカルボニルベンズイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブ
トキシカルボニル−２−メチルベンズイミダゾール、Ｎ
−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベンズイミダ
ゾール等のＮ−ｔ−ブトキシカルボニル基含有アミノ化
合物のほか、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メ
チルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プ
ロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチ
ルピロリドン等を挙げることができる。 【００７４】前記ウレア化合物としては、例えば、尿
素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−
ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレ
ア、１，３−ジフェニルウレア、トリ−ｎ−ブチルチオ
ウレア等を挙げることができる。前記含窒素複素環化合
物としては、例えば、イミダゾール、ベンズイミダゾー
ル、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニ
ルイミダゾール、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フ
ェニルベンズイミダゾール等のイミダゾール類；ピリジ
ン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エ
チルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリ
ジン、４−フェニルピリジン、２−メチル−４−フェニ
ルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミ
ド、キノリン、４−ヒドロキシキノリン、８−オキシキ
ノリン、アクリジン等のピリジン類；ピペラジン、１−
（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン等のピペラジン類
のほか、ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリ
ン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、３−ピペリジノ
−１，２−プロパンジオール、モルホリン、４−メチル
モルホリン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジ
アザビシクロ [２．２．２] オクタン等を挙げることが
できる。 【００７５】これらの含窒素有機化合物のうち、含窒素
化合物（イ）、含窒素化合物（ロ）、含窒素複素環化合
物が好ましい。前記酸拡散制御剤は、単独でまたは２種
以上を混合して使用することができる。酸拡散制御剤の
配合量は、樹脂（Ａ）１００重量部に対して、通常、１
５重量部以下、好ましくは１０重量部以下、さらに好ま
しくは５重量部以下である。この場合、酸拡散制御剤の
配合量が１５重量部を超えると、レジストとしての感度
や露光部の現像性が低下する傾向がある。なお、酸拡散
制御剤の配合量が０．００１重量部未満であると、プロ
セス条件によっては、レジストとしてのパターン形状や
寸法忠実度が低下するおそれがある。 【００７６】また、本発明の感放射線性樹脂組成物に
は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接
着性等をさらに改善する作用を示す、酸解離性基を有す
る脂環族添加剤を配合することができる。このような脂
環族添加剤としては、例えば、１−アダマンタンカルボ
ン酸ｔ−ブチル、１−アダマンタンカルボン酸ｔ−ブト
キシカルボニルメチル、１，３−アダマンタンジカルボ
ン酸ジ−ｔ−ブチル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブチ
ル、１−アダマンタン酢酸ｔ−ブトキシカルボニルメチ
ル、１，３−アダマンタンジ酢酸ジ−ｔ−ブチル、２，
５−ジメチル−２，５−ジ（アダマンチルカルボニルオ
キシ）−ｎ−ヘキサン等のアダマンタン誘導体類；デオ
キシコール酸ｔ−ブチル、デオキシコール酸ｔ−ブトキ
シカルボニルメチル、デオキシコール酸２−エトキシエ
チル、デオキシコール酸２−シクロヘキシルオキシエチ
ル、デオキシコール酸３−オキソシクロヘキシル、デオ
キシコール酸テトラヒドロピラニル、デオキシコール酸
メバロノラクトンエステル等のデオキシコール酸エステ
ル類；リトコール酸ｔ−ブチル、リトコール酸ｔ−ブト
キシカルボニルメチル、リトコール酸２−エトキシエチ
ル、リトコール酸２−シクロヘキシルオキシエチル、リ
トコール酸３−オキソシクロヘキシル、リトコール酸テ
トラヒドロピラニル、リトコール酸メバロノラクトンエ
ステル等のリトコール酸エステル類等を挙げることがで
きる。これらの脂環族添加剤は、単独でまたは２種以上
を混合して使用することができる。脂環族添加剤の配合
量は、樹脂（Ａ）１００重量部に対して、通常、５０重
量部以下、好ましくは３０重量部以下である。この場
合、脂環族添加剤の配合量が５０重量部を超えると、レ
ジストとしての耐熱性が低下する傾向がある。 【００７７】また、本発明の感放射線性樹脂組成物に
は、塗布性、現像性等を改良する作用を示す界面活性剤
を配合することができる。前記界面活性剤としては、例
えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキ
シエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオ
レイルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェ
ニルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェニル
エーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリ
エチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面
活性剤のほか、以下商品名で、ＫＰ３４１（信越化学工
業（株）製）、ポリフローＮｏ．７５，同Ｎｏ．９５
（共栄社化学（株）製）、エフトップＥＦ３０１，同Ｅ
Ｆ３０３，同ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ（株）
製）、メガファックスＦ１７１，同Ｆ１７３（大日本イ
ンキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ４３０，同Ｆ
Ｃ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡ
Ｇ７１０，サーフロンＳ−３８２，同ＳＣ−１０１，同
ＳＣ−１０２，同ＳＣ−１０３，同ＳＣ−１０４，同Ｓ
Ｃ−１０５，同ＳＣ−１０６（旭硝子（株）製）等を挙
げることができる。これらの界面活性剤は、単独でまた
は２種以上を混合して使用することができる。界面活性
剤の配合量は、樹脂（Ａ）、酸発生剤（Ｂ）および酸発
生剤（ｂ）の合計１００重量部に対して、通常、２重量
部以下である。さらに、前記以外の添加剤としては、ハ
レーション防止剤、接着助剤、保存安定化剤、消泡剤等
を挙げることができる。 【００７８】組成物溶液の調製 本発明の感放射線性樹脂組成物は、普通、その使用に際
して、全固形分濃度が、通常、５〜５０重量％、好まし
くは１０〜２５重量％となるように、溶剤に溶解したの
ち、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過する
ことによって、組成物溶液として調製される。前記組成
物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、２−
ブタノン、２−ペンタノン、３−メチル−２−ブタノ
ン、２−ヘキサノン、４−メチル−２−ペンタノン、３
−メチル−２−ペンタノン、３，３−ジメチル−２−ブ
タノン、２−ヘプタノン、２−オクタノン等の直鎖状も
しくは分岐状のケトン類；シクロペンタノン、３−メチ
ルシクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−メチルシ
クロヘキサノン、２，６−ジメチルシクロヘキサノン、
イソホロン等の環状のケトン類；プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノ−ｎ−プロピルエーテルアセテート、プロピレング
リコールモノ−ｉ−プロピルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノ−ｉ−ブチルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノ−ｓｅｃ−ブチル
エーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｔ−
ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモ
ノアルキルエーテルアセテート類；２−ヒドロキシプロ
ピオン酸メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、
２−ヒドロキシプロピオン酸ｎ−プロピル、２−ヒドロ
キシプロピオン酸ｉ−プロピル、２−ヒドロキシプロピ
オン酸ｎ−ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｉ−ブ
チル、２−ヒドロキシプロピオン酸ｓｅｃ−ブチル、２
−ヒドロキシプロピオン酸ｔ−ブチル等の２−ヒドロキ
シプロピオン酸アルキル類；３−メトキシプロピオン酸
メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキ
シプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチ
ル等の３−アルコキシプロピオン酸アルキル類のほか、 【００７９】ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルア
ルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコー
ル、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、エチ
レングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジ
エチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−プロピ
ルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエー
テル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、エチレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテルア
セテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、トルエン、キ
シレン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチ
ル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−
ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチル、３−メトキシブチ
ルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテ
ート、３−メチル−３−メトキシブチルプロピオネー
ト、３−メチル−３−メトキシブチルブチレート、酢酸
エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｎ−ブチル、アセト酢
酸メチル、アセト酢酸エチル、ピルビン酸メチル、ピル
ビン酸エチル、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ベン
ジルエチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシルエーテル、ジエ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリ
コールモノエチルエーテル、カプロン酸、カプリル酸、
１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコー
ル、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチ
ル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エ
チレン、炭酸プロピレン等を挙げることができる。 【００８０】これらの溶剤は、単独でまたは２種以上を
混合して使用することができるが、就中、直鎖状もしく
は分岐状のケトン類、環状のケトン類、プロピレングリ
コールモノアルキルエーテルアセテート類、２−ヒドロ
キシプロピオン酸アルキル類、３−アルコキシプロピオ
ン酸アルキル類が好ましい。 【００８１】レジストパターンの形成方法 本発明の感放射線性樹脂組成物は、特に化学増幅型レジ
ストとして有用である。前記化学増幅型レジストにおい
ては、露光により酸発生剤（Ｂ）あるいはそれと酸発生
剤（ｂ）から発生した酸の作用によって、樹脂（Ａ）中
の酸解離性基が解離して、カルボキシル基を生じ、その
結果、レジストの露光部のアルカリ現像液に対する溶解
性が高くなり、該露光部がアルカリ現像液によって溶
解、除去され、ポジ型のレジストパターンが得られる。
本発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを
形成する際には、組成物溶液を、回転塗布、流延塗布、
ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリ
コンウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の
基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成し、
場合により予め加熱処理（以下、「ＰＢ」という。）を
行ったのち、所定のレジストパターンを形成するように
該レジスト被膜に露光する。その際に使用される放射線
としては、使用される酸発生剤の種類に応じて、可視光
線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、荷電粒子線等を適宜選定
して使用されるが、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９
３ｎｍ）あるいはＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８
ｎｍ）で代表される遠紫外線が好ましく、特にＡｒＦエ
キシマレーザー（波長１９３ｎｍ）が好ましい。本発明
においては、露光後に加熱処理（以下、「ＰＥＢ」とい
う。）を行うことが好ましい。このＰＥＢにより、樹脂
（Ａ）中の酸解離性基の解離反応が円滑に進行する。Ｐ
ＥＢの加熱条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成に
よって変わるが、通常、３０〜２００℃、好ましくは５
０〜１７０℃である。 【００８２】本発明においては、感放射線性樹脂組成物
の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば特公平６−
１２４５２号公報等に開示されているように、使用され
る基板上に有機系あるいは無機系の反射防止膜を形成し
ておくこともでき、また環境雰囲気中に含まれる塩基性
不純物等の影響を防止するため、例えば特開平５−１８
８５９８号公報等に開示されているように、レジスト被
膜上に保護膜を設けることもでき、あるいはこれらの技
術を併用することもできる。次いで、露光されたレジス
ト被膜を現像することにより、所定のレジストパターン
を形成する。現像に使用される現像液としては、例え
ば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウ
ム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモ
ニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチル
アミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、
メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエ
タノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシ
ド、ピロール、ピペリジン、コリン、１，８−ジアザビ
シクロ−［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジ
アザビシクロ−［４．３．０］−５−ノネン等のアルカ
リ性化合物の少なくとも１種を溶解したアルカリ性水溶
液が好ましい。前記アルカリ性水溶液の濃度は、通常、
１０重量％以下である。この場合、アルカリ性水溶液の
濃度が１０重量％を超えると、非露光部も現像液に溶解
するおそれがあり好ましくない。 【００８３】また、前記アルカリ性水溶液からなる現像
液には、例えば有機溶媒を添加することもできる。前記
有機溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルｉ−ブチルケトン、シクロペンタノン、シ
クロヘキサノン、３−メチルシクロペンタノン、２，６
−ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類；メチルアル
コール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、
ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｔ−
ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサ
ノール、１，４−ヘキサンジオール、１，４−ヘキサン
ジメチロール等のアルコール類；テトラヒドロフラン、
ジオキサン等のエーテル類；酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチ
ル、酢酸ｉ−アミル等のエステル類；トルエン、キシレ
ン等の芳香族炭化水素類や、フェノール、アセトニルア
セトン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができ
る。これらの有機溶媒は、単独でまたは２種以上を混合
して使用することができる。有機溶媒の使用量は、アル
カリ性水溶液に対して、１００容量％以下が好ましい。
この場合、有機溶媒の使用量が１００容量％を超える
と、現像性が低下して、露光部の現像残りが多くなるお
それがある。また、アルカリ性水溶液からなる現像液に
は、界面活性剤等を適量添加することもできる。なお、
アルカリ性水溶液からなる現像液で現像したのちは、一
般に、水で洗浄して乾燥する。 【００８４】 【発明の実施の形態】以下、実施例を挙げて、本発明の
実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明
は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。こ
こで、部は、特記しない限り重量基準である。実施例お
よび比較例における各測定・評価は、下記の要領で行っ
た。 Ｍｗ：東ソー（株）製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００HXL ２
本、Ｇ３０００HXL １本、Ｇ４０００HXL １本）を用
い、流量１．０ミリリットル／分、溶出溶媒テトラヒド
ロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリ
スチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグ
ラフィー（ＧＰＣ）により測定した。 放射線透過率：組成物溶液を石英ガラス上にスピンコー
トにより塗布し、９０℃に保持したホットプレート上で
６０秒間ＰＢを行って形成した膜厚０．４μｍのレジス
ト被膜について、波長１９３ｎｍにおける吸光度から、
放射線透過率を算出して、遠紫外線領域における透明性
の尺度とした。 感度：基板として、表面に膜厚５２０ÅのDeepUV30J(ブ
ルワー・サイエンス（BrewerScience）社製）膜を形成
したシリコーンウエハー（ＡＲＣ）を用い、組成物溶液
を、各基板上にスピンコートにより塗布し、ホットプレ
ート上にて、表２に示す条件でＰＢを行って形成した膜
厚０．４μｍのレジスト被膜に、（株）ニコン製ＡｒＦ
エキシマレーザー露光装置（レンズ開口数０．５５、露
光波長１９３ｎｍ）により、マスクパターンを介して露
光した。その後、表２に示す条件でＰＥＢを行ったの
ち、２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液（実施例１〜７）または２．３８×１／５
０重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶
液（比較例１）により、２５℃で１分間現像し、水洗
し、乾燥して、ポジ型のレジストパターンを形成した。
このとき、線幅０．１６μｍのライン・アンド・スペー
スパターン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の線幅に形成する露光
量を最適露光量とし、この最適露光量を感度とした。 【００８５】解像度：最適露光量で解像される最小のレ
ジストパターンの寸法を、解像度とした。 ドライエッチング耐性：組成物溶液をシリコーンウエハ
ー上にスピンコートにより塗布し、乾燥して形成した膜
厚０．５μｍのレジスト被膜に対して、ＰＭＴ社製ドラ
イエッチング装置（Pinnacle8000) を用い、エッチング
ガスをＣＦ₄ とし、ガス流量７５ｓｃｃｍ、圧力２．５
ｍＴｏｒｒ、出力２，５００Ｗの条件でドライエッチン
グを行って、エッチング速度を測定し、比較例１の組成
物溶液から形成したレジスト被膜のエッチング速度を
１．０として、相対エッチング速度を評価した。エッチ
ング速度が小さいほど、ドライエッチング耐性に優れる
ことを意味する。 パターン形状：線幅０．１６μｍのライン・アンド・ス
ペースパターン（１Ｌ１Ｓ）の方形状断面の下辺寸法Ｌ
₁ と上下辺寸法Ｌ₂ とを走査型電子顕微鏡により測定
し、０．８５≦Ｌ₂ ／Ｌ₁ ≦１を満足し、かつパターン
形状が裾を引いていない場合を、パターン形状が“良
好”であるとした。 【００８６】合成例１ 下記式（６）の化合物３０ｇとメタクリル酸２−メチル
−２−アダマンチル２０ｇを、テトラヒドロフラン５０
ｇに溶解して均一溶液としたのち、窒素を３０分間吹き
込み、ついで重合開始剤としてアゾビスイソブチロニト
リル３ｇを加え、６５℃に加熱した。その後、同温度に
保って６時間加熱攪拌した。反応終了後、反応溶液を室
温まで冷却し、テトラヒドロフラン５０ｇを加えて希釈
したのち、ｎ−ヘキサン１，０００ミリリットル中に投
入し、析出した白色粉体をろ別し、乾燥して、樹脂を得
た。 【００８７】 【化２２】 【００８８】この樹脂は、Ｍｗが１２，０００であり、
式（６）の化合物およびメタクリル酸２−メチル−２−
アダマンチルに由来する各繰り返し単位の含有率がそれ
ぞれ６０モル％および４０モル％の共重合体であった。
この樹脂を、樹脂（Ａ-1) とする。 【００８９】合成例２ 前記式（６）の化合物２８ｇ、メタクリル酸２−メチル
−２−アダマンチル２１ｇおよびＮ，Ｎ−ジメチルアク
リルアミド１ｇを、テトラヒドロフラン５０ｇに溶解し
て均一溶液としたのち、窒素を３０分間吹き込み、つい
で重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル３ｇを
加え、６５℃に加熱した。その後、同温度に保って６時
間加熱攪拌した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却
し、テトラヒドロフラン５０ｇを加えて希釈したのち、
ｎ−ヘキサン１，０００ミリリットル中に投入し、析出
した白色粉体をろ別し、乾燥して、樹脂を得た。この樹
脂は、Ｍｗが１３，０００であり、式（６）の化合物、
メタクリル酸２−メチル−２−アダマンチルおよびＮ，
Ｎ−ジメチルアクリルアミドに由来する各繰り返し単位
の含有率がそれぞれ５５モル％、４０モル％および５モ
ル％の共重合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ-2) と
する。 【００９０】合成例３ 前記式（６）の化合物１５ｇ、メタクリル酸２−メチル
−２−アダマンチル２０ｇおよびアクリル酸３−ヒドロ
キシアダマンチル１５ｇを、テトラヒドロフラン５０ｇ
に溶解して均一溶液としたのち、窒素を３０分間吹き込
み、ついで重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリ
ル３ｇを加え、６５℃に加熱した。その後、同温度に保
って６時間加熱攪拌した。反応終了後、反応溶液を室温
まで冷却し、テトラヒドロフラン５０ｇを加えて希釈し
たのち、ｎ−ヘキサン１，０００ミリリットル中に投入
し、析出した白色粉体をろ別し、乾燥して、樹脂を得
た。この樹脂は、Ｍｗが１１，０００であり、式（６）
の化合物、メタクリル酸２−メチル−２−アダマンチル
およびアクリル酸３−ヒドロキシアダマンチルに由来す
る各繰り返し単位の含有率がそれぞれ３０モル％、４０
モル％および３０モル％の共重合体であった。この樹脂
を、樹脂（Ａ-3) とする。 【００９１】合成例４ 前記式（６）の化合物３０ｇとアクリル酸２−ノルボル
ニル−２−ｎ−プロピル２０ｇを、テトラヒドロフラン
５０ｇに溶解して均一溶液としたのち、窒素を３０分間
吹き込み、ついで重合開始剤としてアゾビスイソブチロ
ニトリル３ｇを加え、６５℃に加熱した。その後、同温
度に保って６時間加熱攪拌した。反応終了後、反応溶液
を室温まで冷却し、テトラヒドロフラン５０ｇを加えて
希釈したのち、ｎ−ヘキサン１，０００ミリリットル中
に投入し、析出した白色粉体をろ別し、乾燥して、樹脂
を得た。この樹脂は、Ｍｗが１２，６００であり、式
（６）の化合物およびアクリル酸２−ノルボルニル−２
−ｎ−プロピルに由来する各繰り返し単位の含有率がそ
れぞれ６０モル％および４０モル％の共重合体であっ
た。この樹脂を、樹脂（Ａ-4) とする。 【００９２】合成例５ 前記式（６）の化合物２２ｇ、メタクリル酸２−メチル
−２−アダマンチル１８ｇ、無水マレイン酸４ｇおよび
ノルボルネン６ｇを、テトラヒドロフラン５０ｇに溶解
して均一溶液としたのち、窒素を３０分間吹き込み、つ
いで重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル３ｇ
を加え、６５℃に加熱した。その後、同温度に保って６
時間加熱攪拌した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷
却し、テトラヒドロフラン５０ｇを加えて希釈したの
ち、ｎ−ヘキサン１，０００ミリリットル中に投入し、
析出した白色粉体をろ別し、乾燥して、樹脂を得た。こ
の樹脂は、Ｍｗが６，３００であり、式（６）の化合
物、メタクリル酸２−メチル−２−アダマンチル、無水
マレイン酸およびノルボルネンに由来する各繰り返し単
位の含有率がそれぞれ４０モル％、３０モル％、１５モ
ル％および１５モル％の共重合体であった。この樹脂
を、樹脂（Ａ-5) とする。 【００９３】合成例６ 前記式（６）の化合物２５ｇおよびメタクリル酸２−メ
チル−２−アダマンチル２５ｇを、テトラヒドロフラン
５０ｇに溶解して均一溶液としたのち、窒素を３０分間
吹き込み、ついで重合開始剤としてアゾビスイソブチロ
ニトリル３ｇを加え、６５℃に加熱した。その後、同温
度に保って６時間加熱攪拌した。反応終了後、反応溶液
を室温まで冷却し、テトラヒドロフラン５０ｇを加えて
希釈したのち、ｎ−ヘキサン１，０００ミリリットル中
に投入し、析出した白色粉体をろ別し、乾燥して、樹脂
を得た。この樹脂は、Ｍｗが１１，０００であり、式
（６）の化合物およびメタクリル酸２−メチル−２−ア
ダマンチルに由来する各繰り返し単位の含有率がそれぞ
れ５０モル％および５０モル％の共重合体であった。こ
の樹脂を、樹脂（Ａ-6) とする。 【００９４】合成例７ 前記式（６）の化合物１５ｇ、メタクリル酸２−メチル
−２−アダマンチル２２．５ｇおよびアクリル酸３−ヒ
ドロキシアダマンチル１２．５ｇを、テトラヒドロフラ
ン５０ｇに溶解して均一溶液としたのち、窒素を３０分
間吹き込み、ついで重合開始剤としてアゾビスイソブチ
ロニトリル３ｇを加え、６５℃に加熱した。その後、同
温度に保って６時間加熱攪拌した。反応終了後、反応溶
液を室温まで冷却し、テトラヒドロフラン５０ｇを加え
て希釈したのち、ｎ−ヘキサン１，０００ミリリットル
中に投入し、析出した白色粉体をろ別し、乾燥して、樹
脂を得た。この樹脂は、Ｍｗが１１，０００であり、式
（６）の化合物、メタクリル酸２−メチル−２−アダマ
ンチルおよびアクリル酸３−ヒドロキシアダマンチルに
由来する各繰り返し単位の含有率がそれぞれ３０モル
％、４５モル％および２５モル％の共重合体であった。
この樹脂を、樹脂（Ａ-7) とする。 【００９５】合成例８ 前記式（６）の化合物２８．７５ｇ、メタクリル酸２−
メチル−２−アダマンチル２８．７５ｇおよびメタクリ
ル酸２．５ｇを、テトラヒドロフラン５０ｇに溶解して
均一溶液としたのち、窒素を３０分間吹き込み、ついで
重合開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル３ｇを加
え、６５℃に加熱した。その後、同温度に保って６時間
加熱攪拌した。反応終了後、反応溶液を室温まで冷却
し、テトラヒドロフラン５０ｇを加えて希釈したのち、
ｎ−ヘキサン１，０００ミリリットル中に投入し、析出
した白色粉体をろ別し、乾燥して、樹脂を得た。この樹
脂は、Ｍｗが１３，０００であり、式（６）の化合物、
メタクリル酸２−メチル−２−アダマンチルおよびメタ
クリル酸に由来する各繰り返し単位の含有率がそれぞれ
４７．５モル％、４７．５モル％および５モル％の共重
合体であった。この樹脂を、樹脂（Ａ-8) とする。 【００９６】実施例１〜１２および比較例１ 表１に示す成分からなる各組成物溶液について、各種評
価を行った。評価結果を、表３に示す。表１における重
合体（A-1)〜（A-8)以外の成分は、以下の通りである。 他の樹脂 ａ-1： メタクリル酸ｔ−ブチル／メタクリル酸メチル
／メタクリル酸共重合体（共重合モル比＝４０／４０／
２０）、Ｍｗ＝２０，０００） 酸発生剤（Ｂ） Ｂ-1：１−（４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチル）テトラ
ヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホ
ネート Ｂ-2：１−（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート Ｂ-3：１−（４−ｎ−ブトキシ−１−ナフチル）テトラ
ヒドロチオフェニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスル
ホネート 酸発生剤（ｂ） ｂ-1：トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート ｂ-2：トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート ｂ-3：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート ｂ-4：ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルビシクロ[
２．２．１ ]ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシ
イミド 【００９７】酸拡散制御剤 Ｃ-1：トリ−ｎ−オクチルアミン Ｃ-2：メチルジシクロヘキシルアミン Ｃ-3：３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール Ｃ-4：Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルジシクロヘキシルア
ミン Ｃ-5：Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−２−フェニルベン
ズイミダゾール 他の添加剤 Ｄ-1：デオキシコール酸ｔ−ブチル Ｄ-2：１，３−アダマンタンジカルボン酸ジ−ｔ−ブチ
ル Ｄ-3：デオキシコール酸ｔ−ブトキシカルボニルメチル 溶剤 Ｅ-1：２−ヘプタノン Ｅ-2：シクロヘキサノン Ｅ-3：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート Ｅ-4：３−エトキシプロピオン酸エチル 【００９８】 【表１】 【００９９】 【表２】【０１００】 【表３】【０１０１】 【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、活性
光線、例えばＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎ
ｍ）あるいはＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎ
ｍ）に代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジス
トとして、特に放射線に対する透明性が高いため、解像
度が高く、かつ優れたドライエッチング耐性を有すると
ともに、感度、パターン形状等にも優れており、また基
板に対する接着性も良好であり、今後さらに微細化が進
行すると予想される集積回路素子の製造に極めて好適に
使用することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 片岡 敦子 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 梶田 徹 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AA02 AA03 AA09 AB16 AC04 AC08 AD03 BE07 BE10 BG00 CB14 CB41 4J100 AL02Q AL08P AL08Q BA11P BC01Q BC53P CA03 DA01 DA39 DA61 EA01 JA38

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（１）で表される繰返
   し単位および下記一般式（２）で表される繰返し単位を
   有するアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の酸解離性
   基含有樹脂であって、該酸解離性基が解離したときアル
   カリ可溶性となる樹脂、並びに（Ｂ）下記一般式（３）
   で表される感放射線性酸発生剤を含有することを特徴と
   する感放射線性樹脂組成物。 【化１】 〔一般式（１）において、Ｒ¹ およびＲ² は相互に独立
   に水素原子またはメチル基をを示す。一般式（２）にお
   いて、Ｒ³ は水素原子またはメチル基を示し、各Ｒ⁴ は
   相互に独立に炭素数１〜４の直鎖状もしくは分岐状のア
   ルキル基または炭素数４〜２０の１価の脂環式炭化水素
   基もしくはその誘導体を示すか、あるいは何れか２つの
   Ｒ⁴ が相互に結合して、それぞれが結合している炭素原
   子と共に炭素数４〜２０の２価の脂環式炭化水素基もし
   くはその誘導体を形成し、残りのＲ⁴ が炭素数１〜４の
   直鎖状もしくは分岐状のアルキル基または炭素数４〜２
   ０の１価の脂環式炭化水素基もしくはその誘導体であ
   る。〕 【化２】 〔一般式（３）において、Ｒ⁵ は炭素数６〜２０の１価
   の芳香族炭化水素基もしくはその誘導体を示し、ｍは１
   〜８の整数であり、ｎは０〜５の整数である。〕