JP5628761B2 - ウエハーダイシングのための方法及び当該方法に有用な組成物 - Google Patents
ウエハーダイシングのための方法及び当該方法に有用な組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5628761B2 JP5628761B2 JP2011152026A JP2011152026A JP5628761B2 JP 5628761 B2 JP5628761 B2 JP 5628761B2 JP 2011152026 A JP2011152026 A JP 2011152026A JP 2011152026 A JP2011152026 A JP 2011152026A JP 5628761 B2 JP5628761 B2 JP 5628761B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- dicing
- solution
- group
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 105
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 98
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 87
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 53
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 48
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 46
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical group [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 41
- -1 fatty alcohol sulfate Chemical group 0.000 claims description 41
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 35
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 34
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims description 30
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 claims description 29
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 26
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 26
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 25
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 claims description 15
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 13
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 13
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 claims description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 150000003333 secondary alcohols Chemical class 0.000 claims description 7
- ALRHLSYJTWAHJZ-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropionic acid Chemical compound OCCC(O)=O ALRHLSYJTWAHJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N Pyruvic acid Chemical compound CC(=O)C(O)=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims description 6
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 6
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 claims description 6
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 6
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 6
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 5
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 5
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims description 4
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 claims description 4
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 claims description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 claims description 4
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 229940093915 gynecological organic acid Drugs 0.000 claims description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 4
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920002113 octoxynol Polymers 0.000 claims description 4
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 claims description 4
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 4
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N Diglycolic acid Chemical compound OC(=O)COCC(O)=O QEVGZEDELICMKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 3
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 229960004050 aminobenzoic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002191 fatty alcohols Chemical class 0.000 claims description 3
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 3
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N glycine betaine Chemical compound C[N+](C)(C)CC([O-])=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920000847 nonoxynol Polymers 0.000 claims description 3
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims description 3
- 150000008442 polyphenolic compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 claims description 3
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 claims description 3
- 229940107700 pyruvic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 claims description 3
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 claims description 2
- MXYOPVWZZKEAGX-UHFFFAOYSA-N 1-phosphonoethylphosphonic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(C)P(O)(O)=O MXYOPVWZZKEAGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HVYJSOSGTDINLW-UHFFFAOYSA-N 2-[dimethyl(octadecyl)azaniumyl]acetate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC([O-])=O HVYJSOSGTDINLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XPTYFQIWAFDDML-UHFFFAOYSA-N 2-aminoacetic acid;ethanol Chemical compound CCO.NCC(O)=O.NCC(O)=O XPTYFQIWAFDDML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MUHFRORXWCGZGE-KTKRTIGZSA-N 2-hydroxyethyl (z)-octadec-9-enoate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCCO MUHFRORXWCGZGE-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 2
- RFVNOJDQRGSOEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCO RFVNOJDQRGSOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LIFHMKCDDVTICL-UHFFFAOYSA-N 6-(chloromethyl)phenanthridine Chemical compound C1=CC=C2C(CCl)=NC3=CC=CC=C3C2=C1 LIFHMKCDDVTICL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- TUYRAIOYNUOFNH-UHFFFAOYSA-N CP(=O)(O)OP(=O)O Chemical compound CP(=O)(O)OP(=O)O TUYRAIOYNUOFNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000013162 Cocos nucifera Nutrition 0.000 claims description 2
- 244000060011 Cocos nucifera Species 0.000 claims description 2
- FPVVYTCTZKCSOJ-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol distearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCOC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC FPVVYTCTZKCSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 2
- LEVWYRKDKASIDU-IMJSIDKUSA-N L-cystine Chemical compound [O-]C(=O)[C@@H]([NH3+])CSSC[C@H]([NH3+])C([O-])=O LEVWYRKDKASIDU-IMJSIDKUSA-N 0.000 claims description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920001213 Polysorbate 20 Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004147 Sorbitan trioleate Substances 0.000 claims description 2
- PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N Sorbitan trioleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 claims description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 2
- BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N ammonium lauryl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940063953 ammonium lauryl sulfate Drugs 0.000 claims description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims description 2
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims description 2
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229960003237 betaine Drugs 0.000 claims description 2
- GGAUUQHSCNMCAU-UHFFFAOYSA-N butane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)C(C(O)=O)CC(O)=O GGAUUQHSCNMCAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 2
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 claims description 2
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229960003067 cystine Drugs 0.000 claims description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 2
- SYELZBGXAIXKHU-UHFFFAOYSA-N dodecyldimethylamine N-oxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)[O-] SYELZBGXAIXKHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229960001484 edetic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940013688 formic acid Drugs 0.000 claims description 2
- 229930182478 glucoside Natural products 0.000 claims description 2
- 150000008131 glucosides Chemical class 0.000 claims description 2
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 claims description 2
- 229940100608 glycol distearate Drugs 0.000 claims description 2
- MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N imidazoline Chemical compound C1CN=CN1 MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940094506 lauryl betaine Drugs 0.000 claims description 2
- DVEKCXOJTLDBFE-UHFFFAOYSA-N n-dodecyl-n,n-dimethylglycinate Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC([O-])=O DVEKCXOJTLDBFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 2
- UPHWVVKYDQHTCF-UHFFFAOYSA-N octadecylazanium;acetate Chemical compound CC(O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCCN UPHWVVKYDQHTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002114 octoxynol-9 Polymers 0.000 claims description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 claims description 2
- 235000019198 oils Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000256 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Substances 0.000 claims description 2
- 235000010486 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000244 polyoxyethylene sorbitan monooleate Substances 0.000 claims description 2
- 235000010482 polyoxyethylene sorbitan monooleate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000000249 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Substances 0.000 claims description 2
- 235000010483 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000001818 polyoxyethylene sorbitan monostearate Substances 0.000 claims description 2
- 235000010989 polyoxyethylene sorbitan monostearate Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000001816 polyoxyethylene sorbitan tristearate Substances 0.000 claims description 2
- 235000010988 polyoxyethylene sorbitan tristearate Nutrition 0.000 claims description 2
- 229920000137 polyphosphoric acid Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000053 polysorbate 80 Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000003138 primary alcohols Chemical class 0.000 claims description 2
- NJKRDXUWFBJCDI-UHFFFAOYSA-N propane-1,1,2,3-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)C(C(O)=O)C(O)=O NJKRDXUWFBJCDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000344 soap Substances 0.000 claims description 2
- 235000019337 sorbitan trioleate Nutrition 0.000 claims description 2
- 229960000391 sorbitan trioleate Drugs 0.000 claims description 2
- ACTRVOBWPAIOHC-UHFFFAOYSA-N succimer Chemical compound OC(=O)C(S)C(S)C(O)=O ACTRVOBWPAIOHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940080117 triethanolamine sulfate Drugs 0.000 claims description 2
- 235000015112 vegetable and seed oil Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000008158 vegetable oil Substances 0.000 claims description 2
- 239000002888 zwitterionic surfactant Substances 0.000 claims description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000003796 beauty Effects 0.000 claims 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical group 0.000 claims 1
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 claims 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 claims 1
- GSGDTSDELPUTKU-UHFFFAOYSA-N nonoxybenzene Chemical compound CCCCCCCCCOC1=CC=CC=C1 GSGDTSDELPUTKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims 1
- PZJDKDVITVGDLW-UHFFFAOYSA-N prop-2-enyl benzenesulfonate Chemical group C=CCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 PZJDKDVITVGDLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 210
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 68
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 24
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 16
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 15
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 15
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 14
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 14
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L sulfite Chemical compound [O-]S([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 11
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 11
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 7
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 7
- RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N anthranilic acid Chemical compound NC1=CC=CC=C1C(O)=O RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 4
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 4
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 3,5-dimethylhex-1-yn-3-ol Chemical compound CC(C)CC(C)(O)C#C NECRQCBKTGZNMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- FVRSWMRVYMPTBU-UHFFFAOYSA-M 1-hydroxypropyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC(O)[N+](C)(C)C FVRSWMRVYMPTBU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CCO KIZQNNOULOCVDM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZFDNAYFXBJPPEB-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(tripropyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCO ZFDNAYFXBJPPEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RKWGIWYCVPQPMF-UHFFFAOYSA-N Chloropropamide Chemical compound CCCNC(=O)NS(=O)(=O)C1=CC=C(Cl)C=C1 RKWGIWYCVPQPMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQISENIVVFVRSS-UHFFFAOYSA-N N(=O)[O-].C(C)(=O)[O-].[NH4+].[NH4+] Chemical compound N(=O)[O-].C(C)(=O)[O-].[NH4+].[NH4+] DQISENIVVFVRSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-O N,N,N-trimethylglycinium Chemical compound C[N+](C)(C)CC(O)=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920004890 Triton X-100 Polymers 0.000 description 1
- 239000013504 Triton X-100 Substances 0.000 description 1
- 229920004929 Triton X-114 Polymers 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005415 aminobenzoic acids Chemical class 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- STIAPHVBRDNOAJ-UHFFFAOYSA-N carbamimidoylazanium;carbonate Chemical compound NC(N)=N.NC(N)=N.OC(O)=O STIAPHVBRDNOAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229940090960 diethylenetriamine pentamethylene phosphonic acid Drugs 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003995 emulsifying agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- KVFVBPYVNUCWJX-UHFFFAOYSA-M ethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](C)(C)C KVFVBPYVNUCWJX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000031 ethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N([H])[*] 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001007 flame atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012417 linear regression Methods 0.000 description 1
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000001139 pH measurement Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229930015698 phenylpropene Natural products 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical group C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010414 supernatant solution Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021654 trace metal Inorganic materials 0.000 description 1
- GRNRCQKEBXQLAA-UHFFFAOYSA-M triethyl(2-hydroxyethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CCO GRNRCQKEBXQLAA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2075—Carboxylic acids-salts thereof
- C11D3/2082—Polycarboxylic acids-salts thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/02—Inorganic compounds ; Elemental compounds
- C11D3/04—Water-soluble compounds
- C11D3/044—Hydroxides or bases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/20—Organic compounds containing oxygen
- C11D3/2075—Carboxylic acids-salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
- C11D3/30—Amines; Substituted amines ; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
- C11D3/33—Amino carboxylic acids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D1/00—Detergent compositions based essentially on surface-active compounds; Use of these compounds as a detergent
- C11D1/02—Anionic compounds
- C11D1/12—Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof
- C11D1/14—Sulfonic acids or sulfuric acid esters; Salts thereof derived from aliphatic hydrocarbons or mono-alcohols
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02076—Cleaning after the substrates have been singulated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/03—Manufacturing methods
- H01L2224/038—Post-treatment of the bonding area
- H01L2224/0381—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Description
本出願は、これよりも前に出願した米国仮特許出願第61/362,896号(2010年7月9日付けで出願)の35U.S.C.§119(e)に基づく優先権を主張する。前記米国仮特許出願の開示内容はその全体を参照することによりここに援用される。
有機酸及びその塩からなる群より選択される少なくとも1種の第1の化合物と、
界面活性剤及び塩基からなる群より選択される少なくとも1種の第2の化合物と
を含み、残りが実質的に脱イオン化された水であり、
前記溶液が4よりも大きなpHを有する、半導体ウエハーダイシングのための溶液を提供する。
前記ダイシングの際に前記ウエハーを
有機酸及びその塩からなる群より選択される少なくとも1種の第1の化合物と、
界面活性剤及び塩基からなる群より選択される少なくとも1種の第2の化合物と
を含み、残りが実質的に脱イオン化された水であり、
4よりも大きなpHを有する溶液と接触させる工程を含む、ウエハーダイシングのための方法を提供する。
クエン酸及びシュウ酸からなる群より選択される0.001wt%〜30wt%の少なくとも1種の酸と、
0.001wt%〜20wt%の塩基及び0.001wt%〜10wt%の界面活性剤からなる群より選択される少なくとも1種の化合物と
を含み、残りが実質的に脱イオン化された水であり、
前記溶液が4よりも大きくかつ13よりも小さいpHを有し、
前記溶液が、質量比1:0〜1:10000で脱イオン水によって希釈され、
前記塩基が、水酸化カリウム(KOH)及び水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)からなる群より選択され、
前記界面活性剤が、第二アルコールエトキシレート及び第二アルカンスルホネートからなる群より選択される、半導体ウエハーダイシングのための溶液を提供する。
ダイシング過程中、静電荷がウエハー上に蓄積されることがある。このような電荷蓄積及び/又は後続の静電放電(ESD)は、ウエハー上の高感度デバイスを損傷するおそれがある。静電荷はウエハー表面に粒子を引きつけることもある。従って、ダイシング過程中のいかなる静電荷蓄積をも消散させることが重要である。静電荷の消散方法は、抵抗率が低い(導電率が高い)ダイシング流体を使用することである。導電性流体は、電荷がダイシング中に消散するための通路を提供する。ソーブレードとウエハーとの間を潤滑にするために、ダイシング流体としてDI水が一般に使用される。DI水は、ソーブレードとウエハーとの間の摩擦に起因してソーブレードが過熱するのを防ぐための冷却液としても作用する。しかし、DI水は高い抵抗率を有している(典型的には約18メガオーム)ので、これは電荷消散のための良好な導電性流体ではない。DI水の抵抗率を低下させるための一般に用いられる方法は、CO2をDI水中に注入することによるものである。このことはDI水の抵抗率を低下させるので、この流体は、電荷をより良好に消散させる。本発明において開示されたダイシング溶液の抵抗率は、CO2をスパージされたDI水よりもさらに低い。従って、このようなダイシング溶液は、ダイシング中のウエハー上の電荷蓄積をより良好に消散させることになる。
ダイシング過程中、小さな汚染残留物、普通はシリコン残留物がウエハー表面に付着し、Alボンディング・パッド及びトレンチ領域上に蓄積する。これらのシリコン粒子は、Alボンディング・パッドを機能に関して検査/試験するときに問題を引き起こすことがある。シリコン粒子は、Alボンディング・パッドに別の金属がボンディングされるワイヤボンディング中の接着力を劣化させることもある。従って、これらのSi残留物は、ウエハー表面から除去される必要がある。通常は、ダイシング過程中にダイシング溶液が使用される。ダイシング溶液は、ソーブレード及びウエハー上に噴霧される流体である。ダイシング溶液の1つの機能は、ウエハー表面からSi残留物を除去することである。粒子除去を改善するために、ダイシング溶液はしばしば界面活性剤を含有する。このことはダイシング溶液の表面張力を低下させるので、ウエハーの表面をより良好に湿潤する。より良好な表面湿潤は粒子除去を改善することになる。希釈率が高くでも、本発明において開示されたダイシング溶液の表面張力はDI水よりも著しく低い。このことは、ダイシング溶液がDI水よりも良好な粒子除去能力を有することを意味する。本発明において開示されたダイシング溶液の表面張力はまた、一般に使用されている商業的ダイシング溶液のうちのいくつかよりも低い。
ダイシング過程中にはAlボンディング・パッドがしばしば露出させられる。潤滑、冷却、粒子除去などのために、ダイシング中にダイシング溶液がしばしば使用される。ダイシング溶液としては非常にしばしばDI水が使用される。DI水の使用に伴う問題点は、そのpHが約7であり、これがAl腐食が生じるpHであることである。ウエハーをダイシングするために必要とされる典型的な時間は20〜30分である。その時間経過中、Alボンディング・パッドはDI水に曝されることになり、これはAl腐食を引き起こすおそれがある。DI水中のAl腐食を防止する1つの方法は、CO2をDI水中に注入することである。このことは、DI水のpHを約4〜4.5に低下させる。このpHでは、Al腐食は最小化される。ダイシング中のAl腐食を防止する別の方法は、DI水のpHを低下させるダイシング溶液を使用することである。DI水又は蒸留水による典型的な希釈質量比1:0〜1:10000における、本発明で開示されたダイシング溶液のpHは、4〜13である。この希釈比は質量による比である。脱イオン水と蒸留水とは取り換え可能に使用することができる。このpHでは、ダイシング溶液は、ダイシング中の露出Alボンディング・パッド上のAl腐食を最小限にする。このことは、実際のウエハーに対する評価に示されている。
Cu表面(Cuボンディング・パッド又は他のCu表面)が露出したウエハーがダイシング過程に到達したときに、Cu表面は、前のプロセス工程に起因して酸化・汚染層を有している場合がある。ダイシング後、Cu表面は、電気的機能に関してその部分をチェックするために試験/検査過程を施すことがある。試験中、プローブ・チップがCu表面上に接触する。Cu表面とプローブ・チップとの間の接触抵抗はできるだけ低いことが理想的である。しかしながら、Cu表面が厚い酸化層及び/又は汚染層を有している場合には、接触抵抗は高く、その部分が機能している部分であっても、プローブ試験が不合格となるおそれがある。これらの「誤った不合格」が生じるのを防ぐために、プローブ・チップがこれに接触するときにできる限りCu表面がきれいな状態であるように、酸化・汚染層を除去するためにCu表面をクリーニングすることができる。金属ワイヤがCu表面にボンディングされるワイヤボンディング時に、Cu表面上の厚い酸化及び/又は汚染層に起因する問題が発生するおそれもある。この場合もやはり、Cu表面が厚い酸化/汚染層を有しているならば、金属ワイヤはCu表面に良好に接着しないことがある。従って、ワイヤボンディングのためには、Cu表面をクリーニングする過程も有利である。本発明において開示されるダイシング溶液は、下側に位置するCu表面に最小限のエッチングを施すことにより、酸化Cuを除去することができる。従って、本発明において開示されたダイシング溶液がダイシング中に使用されるならば、Cu表面をダイシング過程中にクリーニングすることができる。
水(95.28wt%)、クエン酸(2wt%)、水酸化カリウム(KOH)(0.72wt%)、及びTergitol 15-S-7 (2wt%)を含むダイシング溶液38Aを製造した。
次の試験は、ダイシング過程をシミュレートするために、攪拌棒を備えたビーカーを使用して行われたものである。
この試験でテストされるウエハーはCu/熱酸化物/Siのブランケット・ウエハーであった。ビーカー内のウエハー浸漬を最後の20分に設定した。
ダイシング溶液58A、58B、58C、59C及び60Cの場合、酸化Cuエッチング速度が高かった。該当する個所(これは表2において「a」と示す)には、1、3、5、10及び30分の間隔で測定された厚さの線形回帰から、酸化Cuエッチング速度を割り出した。
[A.不希釈ダイシング溶液]
[例3]
抵抗率338.24オーム−Å/Sqの窒化チタニウム(TiN)上のAl(0.5% Cu)金属基板をSVMIから入手した。これは公称8000ÅのAl厚を有した。貯蔵中、Al基板は150Åの酸化物層まで成長することができる。エッチング速度測定前に、脱イオン水中の42.5wt% H3PO4の水溶液中に2”x2”のAl片を、2分間にわたって25℃で浸漬することにより、Al基板を前処理した。2分間の浸漬後、Al片を脱イオン水で3分間にわたって濯ぎ、N2銃で30秒間にわたって乾燥させ、次いでAl膜厚を測定した。このように前処理されたAl片を、エッチング速度測定の実施に直ちに使用した。
脱イオン水中に2.0wt% シュウ酸を含むダイシング溶液を次のように調製した:1リットルのHDPEポリボトルに、8.92wt% シュウ酸を含有する水溶液224.2gmを添加した。次いで、追加の脱イオン水775.8gmを、最終重量が1000.0gmになるようにボトルに添加した。ボトルにキャップをしてこれを震盪させた。このダイシング溶液を48Aと名付け、溶液のpHの測定値は1.04であった。
付加的なダイシング溶液50B、50E、49A、55A、及び55Bを48Aのように調製したが、但し例5〜9ではシュウ酸の濃度及び/又は最終pHをそれぞれ変化させた。エッチング速度の結果を表3にまとめた。Al及びNi金属双方のエッチング速度は、pHに対する最大値を求めた。
脱イオン水中に2.0wt% クエン酸を含むダイシング溶液を次のように調製した:1リットルのHDPEポリボトルに、29wt% シュウ酸を含有する水溶液6.9gmを添加した。次いで、追加の脱イオン水993.1gmを、最終重量が1000.0gmになるようにボトルに添加した。ボトルにキャップをしてこれを震盪させた。このダイシング溶液を48Bと名付け、溶液のpHの測定値は1.93であった。
付加的なダイシング溶液49B、55E、及び55Fを48Bのように調製したが、但し例11〜13ではクエン酸の濃度及び/又は最終pHをそれぞれ変化させた。TMAHの量及び最終エッチング速度の結果を表4にまとめた。Al及びNi金属のエッチング速度は、5.3までの全てのpH値に対して<1Å/分であった。
脱イオン水中に2.0wt% フマル酸を含むダイシング溶液を次のように調製した:1リットルのHDPEポリボトルに、2.0gmの固形フマル酸を添加した。次いで、追加の脱イオン水998.0gmを、最終重量が1000.0gmになるようにボトルに添加した。ボトルにキャップをしてこれを震盪させた。未確定量のフマル酸結晶が溶解しないままであった。上澄み溶液を捕集し、このダイシング溶液を48Cと名付けた。溶液のpHの測定値は2.13であった。
付加的なダイシング溶液49C、55G、及び55Hを48Cのように調製したが、但し例15〜17ではフマル酸の濃度及び/又は最終pHをそれぞれ変化させた。TMAHの量及び最終エッチング速度の結果を表5にまとめた。Al及びNi金属のエッチング速度は、5.1までの全てのpH値に対して<1Å/分であった。
脱イオン水中に2.0wt% シュウ酸及び0.2wt% フマル酸を含むダイシング溶液を次のように調製した:1リットルのHDPEポリボトルに、8.92wt% シュウ酸を含有する水溶液224.4gmを添加した。同じ1リットルのHDPEポリボトルに、2.0gmの固形フマル酸を添加した。全部で679.4gmの脱イオン水をボトルに添加した。pH調節のために、94.2gmの25wt% TMAH溶液を、最終重量が1000.0gmになるように添加した。ボトルにキャップをしてこれを震盪させた。このダイシング溶液を53Bと名付け、溶液のpHの測定値は3.44であった。Al及びNiのエッチング速度を別々に割り出し、それぞれ0.6Å/分及び1.4Å/分であることが判った。表6は比較例7の結果も示しており、また、pH=3.3〜3.5で2.0wt% シュウ酸溶液に0.2wt% フマル酸を添加すると、Ni金属エッチング速度を10分の1未満だけ低減することを明らかにした。
付加的なダイシング溶液53E及び53Fを53Bのように調製したが、但しフマル酸の濃度及び/又は最終pHを変化させた。pH調節のために、25wt% TMAH混合物を使用した。フマル酸及びTMAHの量、並びに最終エッチング速度の結果を表6にまとめた。Alのエッチング速度は、事実上変化しなかった。Ni金属エッチング速度も例20及び21に関して明らかなように著しく低減されたが、しかしNiエッチング速度は、フマル酸が増大するにつれて高くなった。
脱イオン水中に2.0wt% シュウ酸及び0.5wt% クエン酸を含むダイシング溶液を次のように調製した:1リットルのHDPEポリボトルに、8.2wt% シュウ酸を含有する水溶液243.92gmを添加した。同じ1リットルのHDPEポリボトルに、29wt% クエン酸溶液17.24gmを添加した。全部で625.92gmの脱イオン水をボトルに添加した。pH調節のために、112.92gmの25wt% TMAH溶液を、最終重量が1000.0gmになるように添加した。ボトルにキャップをしてこれを震盪させた。このダイシング溶液を56Hと名付け、溶液のpHの測定値は3.48であった。Al及びNiのエッチング速度を別々に割り出し、それぞれ0.6Å/分及び0.5Å/分であることが判った。表6に結果がまとめられており、この結果は、pH=3.3〜3.5で2.0wt% シュウ酸溶液に0.5wt% クエン酸を添加すると、Ni金属エッチング速度を10分の1未満だけ低減することを明らかにした。
Al及びNi上のダイシング溶液58Aのエッチング速度を別々に割り出し、両基板に関して<1Å/分であることが判った。この結果は、TMAHの代わりにKOHを使用し得ることを明らかにし、例10〜13で見いだされた結果と一致した。
Al及びNi上のダイシング溶液58Bのエッチング速度を別々に割り出し、両基板に関して<1Å/分であることが判った。pH調節されたシュウ酸溶液に関する表3のデータと比較すると、これらの結果は、Niエッチング速度が著しく低減することを示した。この結果はさらに、シュウ酸とクエン酸とが混合された溶液中でTMAHの代わりにKOHを使用し得ることを明らかにし、この結果はpH3.48で例22に見いだされた結果と一致した。
Al及びNi上のダイシング溶液58Cのエッチング速度を別々に割り出し、両基板に関して<1Å/分であることが判った。この結果は、例22のHostapur SAS界面活性剤の代わりに、エッチング速度に著しい変化をもたらすことなしにTergitol界面活性剤を使用し得ることを明らかにする。
脱イオン水中に2.0wt% シュウ酸及び0.5wt% クエン酸を含むダイシング溶液を次のように調製した:1リットルのHDPEポリボトルに、8.2wt% シュウ酸を含有する水溶液243.3gmを添加した。同じ1リットルのHDPEポリボトルに、29wt% クエン酸溶液17.2gmを添加した。10.0gmの純粋Tergitol 15-S-7界面活性剤をボトルに添加した。全部で703.6gmの脱イオン水をボトルに添加した。pH調節のために、25.9gmの48wt% KOH溶液を、最終重量が1000.0gmになるように添加した。ボトルにキャップをしてこれを震盪させた。このダイシング溶液を58Eと名付け、溶液のpHの測定値は2.42であった。Al及びNiのエッチング速度を別々に割り出し、両金属とも<1Å/分であることが判った。この結果は、例23のHostapur SAS界面活性剤の代わりに、エッチング速度に著しい変化をもたらすことなしにTergitol界面活性剤を使用し得ることを明らかにする。
一連の付加的なダイシング溶液を、組成及びpHを変化させながら製造した。ダイシング溶液59A及び60Aは、グループIの58Aのようにクエン酸とHostapur SASとを含み;ダイシング溶液59B及び60Bは、グループIの58Bのようにシュウ酸及びクエン酸とHostapur SASとを含み;そしてダイシング溶液59D及び60Dは、例25のようにシュウ酸及びクエン酸とTergitol 15-S-7とを含んだ。
[例32]
1リットルのHDPEポリボトルに、1.0gmのダイシング溶液58Aを添加した。追加の脱イオン水1000gmをボトルに添加した。ボトルにキャップをしてこれを震盪させた。結果として生じる1:1000希釈体のpHの測定値は4.09であった。Al、Ni、及びCu金属基板、及びCu上のCuOx基板に対する試料のエッチング速度を測定した。エッチング速度を表8に示した。
同様の1:1000希釈比を用いて、追加のダイシング溶液を希釈した。これらの希釈体を表8、例33〜43に示した。希釈済溶液のそれぞれのpH値を測定し、Al、Ni、及びCu金属、及び酸化Cu上の酸化Cu(CuOx)基板に対する25℃における試料のそれぞれのエッチング速度を測定した。結果を表8に示した。
加えて、58E、59D、及び60Dの希釈比1:1000の試料を、45℃及び65℃におけるAl及びNiエッチング速度に関して試験した。下記表9にエッチング速度結果を示し、これらの結果を、それぞれのダイシング溶液に関して上記表6に既に示した結果と比較した。これら3種のダイシング溶液は全てシュウ酸及びクエン酸、並びにTergitol界面活性剤を含有しているので、エッチング速度の差は、事実上pH及び温度の差に起因した。これらの結果は、高温時に低いNiエッチング速度を維持するためには、ほぼ5.0のより高いpHであることが重要であることを示した。
ダイシング溶液60B、60C、及び60DHの試料を、1ガロン量として調製した。60DH試料は、60Dダイシング溶液の半分の濃度を含有した。従ってこれを1:500で希釈することにより、これらの結果と、1:1000で希釈された他のダイシング溶液とを並列比較した。ダイシング溶液を、DNSウエハーダイシング・ソー操作を用いたオンライン試験において、1:000相当の希釈比で試験した。ダイシング試験は、ブレード・チップが破断を被る前にダイシング・ブレードを使用できる寿命又は時間を割り出すように意図されたものであった。ダイシング・ブレードはDISCO製であり、“disco *NBC-ZH 2050 *27HEDF”とラベリングされていた。これらのダイシング・ブレードは、Niチップを備えたアルミニウム金属ハブを含んだ。Niチップにはダイアモンドが埋め込まれていた。全てのダイシング溶液を、次の同一ダイシング条件で試験した:ブレードRPM:30000;ブレード送り速度:5mm/秒;Siウエハーへの切削深さ:50%。加えて、各ダイシング溶液のうちの少量を、Ni及びCu金属、及びCu上のCuOx基板に対するエッチング速度試験で使用した。
1:1000の希釈後のpH値が約4、4.5及び5であるダイシング溶液58B、59C、及び60Cの結果を表11に示した。データは、pHの増大に伴ってブレード寿命が著しく長くなることを示した。これらのブレード寿命結果に基づいて、表4及び5のダイシング溶液48A及び48Bはブレード寿命が短いと予想された。しかし、表8で前に提示した結果はまた、pHの増大に伴ってCuOxエッチング速度が低下することを明らかにした。約5.0のpHは、低いNiエッチング速度を最適に提供し、このような速度は、長いブレード寿命と、Cuボンディング・パッドのクリーニングのための中程度のCuOxエッチング速度とをもたらすと考えられる。
ダイシング溶液はより多くの成分を含有した。表12の組成物を、約4.0のpHで調製した。62Aは2wt%のシュウ酸を含有するのに対して、62Bは2.0wt%のシュウ酸と0.5wt%のクエン酸とを含有する。対照ダイシング溶液62A及び62Bは、付加的な成分(添加剤)を含有しておらず、KOHを使用して約4.0にpH調節した。添加剤は典型的には0.5wt%濃度で存在したが、しかしグルタル酸及び酒石酸が、0.5wt% クエン酸とほぼ等モルとなるように、0.34wt%及び0.31wt%で存在した。ダイシング溶液のいずれも、Hostapur SAS又はTergitol界面活性剤を含有していなかった。結果は、添加剤を含有するこれらの不希釈ダイシング溶液が、25℃でNi金属エッチング速度を低下させ得ることを明らかにした。これらの添加剤のうち、アントラニル酸が、Niエッチング速度を低下させるのに最も効果的であると考えられる。
Claims (9)
- 汚染残留物の付着及び露出したメタライゼーション領域の腐食を抑制する半導体ウエハーダイシングのための溶液であって、
有機酸及びその塩からなる群より選択される少なくとも1種の第1の化合物と、
界面活性剤及び塩基からなる群より選択される少なくとも1種の第2の化合物と
を含み、残りが実質的に脱イオン化された水であり、
前記溶液が4〜6.58のpHを有し、
前記有機酸が、シュウ酸、クエン酸、マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、グルコン酸、グルタル酸、アスコルビン酸、蟻酸、酢酸、エチレンジアミン四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、アミノ安息香酸、フマル酸、グリシン、アラニン、シスチン、及びそれらの混合物からなる群より選択され、
前記界面活性剤が、直鎖アルキルベンゼンスルホネート(LAS)、第二アリルベンゼンスルホネート、脂肪アルコールスルフェート(FAS)、第二アルカンスルホネート(SAS)、脂肪アルコールエーテルスルフェート(FAES)、及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるアニオン性界面活性剤;カチオン性界面活性剤;オクチル及びノニルフェノールエトキシレート、第二アルコールエトキシレート、アセチレンアルコール及びそれらの組み合わせからなる群より選択される非イオン性界面活性剤;両性イオン性界面活性剤;シリコーン界面活性剤;ポリ(アルキレンオキシド)界面活性剤;フルオロケミカル界面活性剤;アセチレンジオール界面活性剤;第一アルコールエトキシレート;第二アルコールエトキシレート;アミンエトキシレート;グルコシド;グルカミド;ポリエチレングリコール;ポリ(エチレングリコール−コ−プロピレングリコール);及びそれらの組み合わせからなる群より選択され、
前記塩基が水酸化カリウム(KOH)である、半導体ウエハーダイシングのための溶液。 - 前記少なくとも1種の第1の化合物が0.001wt%〜30wt%であり、
前記界面活性剤が0.001wt%〜10wt%であり、
前記塩基が0.001wt%〜20wt%であり、
pHが4よりも大きくかつ13よりも小さく、
質量比1:0〜1:10000で脱イオン水によって希釈されている、請求項1に記載の溶液。 - クエン酸、フマル酸及びシュウ酸からなる群より選択される少なくとも1種の酸と、
水酸化カリウム(KOH)である少なくとも1種の塩基と、
第二アルコールエトキシレート及び第二アルカンスルホネートからなる群より選択される少なくとも1種の界面活性剤と
を含み、残りが実質的に脱イオン化された水である、請求項1に記載の溶液。 - アミノ安息香酸、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)、N−ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸(NHEDTA)、ニトリロ三酢酸(NTA)、ジエチレントリアミン五酢酸(DPTA)、エタノールジグリシネート、クエン酸、グルコン酸、シュウ酸、リン酸、酒石酸、メチルジホスホン酸、アミノトリスメチレンホスホン酸、エチリデン−ジホスホン酸、1−ヒドロキシエチリデン−1,1−ジホスホン酸、1−ヒドロキシプロピリデン−1,1−ジホスホン酸、エチルアミノビスメチレンホスホン酸、ドデシルアミノビスメチレンホスホン酸、ニトリロトリスメチレンホスホン酸、エチレンジアミンビスメチレンホスホン酸、エチレンジアミンテトラキスメチレンホスホン酸、ヘキサジアミンテトラキスメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、1,2−プロパンジアミンテトラメチレンホスホン酸、アンモニウム塩、有機アミン塩、マロン酸、コハク酸、ジメルカプトコハク酸、グルタル酸、マレイン酸、フタル酸、フマル酸、ポリカルボン酸、プロパン−1,1,2,3−テトラカルボン酸、ブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸、ピロメリット酸、オキシカルボン酸、β−ヒドロキシプロピオン酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、ピルビン酸、ジグリコール酸、サリチル酸、没食子酸、ポリフェノール、ピロガロール、リン酸、ポリリン酸、複素環式化合物、エチレングリコール、グリセロール及びジケトン、並びにそれらの混合物からなる群より選択される0.001wt%〜10wt%のキレート剤をさらに含む、請求項1に記載の溶液。
- 前記オキシカルボン酸が、グリコール酸、β−ヒドロキシプロピオン酸、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、ピルビン酸、ジグリコール酸、サリチル酸、没食子酸、及びそれらの混合物からなる群より選択され、
前記ポリフェノールが、カテコール、ピロガロール、リン酸、及びそれらの混合物からなる群より選択され、
前記複素環式化合物が、8−オキシキノリン、ジケトン、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項4に記載の溶液。 - シリコーン、有機ホスフェート、ポリエチレングリコールとポリプロピレングリコールのコポリマーを含有するEO又はPO系消泡剤、アルコール、ホワイトオイル、植物油、蝋、長鎖脂肪アルコール、脂肪酸石鹸、エステル、及びそれらの混合物からなる群より選択される0.001wt%〜5wt%の消泡剤と、
水溶性アニオン性分散剤、水溶性非イオン性分散剤、水溶性カチオン性分散剤、水溶性両性分散剤、共重合成分としてアクリル酸塩を含有する高分子分散剤、及びそれらの混合物からなる群より選択される0.001wt%〜5wt%の分散剤と
をさらに含む、請求項1に記載の溶液。 - 前記水溶性アニオン性分散剤が、トリエタノールアミンラウリルスルフェート、アンモニウムラウリルスルフェート、ポリオキシエチレンアルキルエーテルトリエタノールアミンスルフェート、ポリカルボン酸型高分子分散剤、及びそれらの混合物からなる群より選択され、
前記水溶性非アニオン性分散剤が、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレン高級アルコールエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン誘導体、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタンテトラオレエート、ポリエチレングリコールモノラウレート、ポリエチレングリコールモノステアレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ポリエチレングリコールモノオレエート、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、アルキルアルカノールアミド、及びそれらの混合物からなる群より選択され、
前記水溶性カチオン性分散剤が、ポリビニルピロリドン、ココナツアミンアセテート、ステアリルアミンアセテート、及びそれらの混合物からなる群より選択され、
前記水溶性両性分散剤が、ラウリルベタイン、ステアリルベタイン、ラウリルジメチルアミンオキシド、2−アルキル−N−カルボキシメチル−N−ヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、及びそれらの混合物からなる群より選択される、請求項6に記載の溶液。 - 汚染残留物の付着及び露出したメタライゼーション領域の腐食を抑制する半導体ウエハーダイシングのための溶液であって、
クエン酸、フマル酸及びシュウ酸からなる群より選択される0.001wt%〜30wt%の少なくとも1種の酸と、
0.001wt%〜20wt%の塩基及び0.001wt%〜10wt%の界面活性剤からなる群より選択される少なくとも1種の化合物と
を含み、残りが実質的に脱イオン化された水であり、
前記溶液が4〜6.58のpHを有し、
前記溶液が、質量比1:0〜1:10000で脱イオン水によって希釈され、
前記塩基が、水酸化カリウム(KOH)であり、
前記界面活性剤が、第二アルコールエトキシレート、第二アルカンスルホネート及びそれらの混合物からなる群より選択される、半導体ウエハーダイシングのための溶液。 - ウエハーダイシングのための方法であり、ボンディング・パッドを備えたウエハーをソーによりダイシングし、該ウエハーをソーイングすることにより汚染残留物が生じ、露出した全てのメタライゼーション領域に腐食が生じることがあり得るウエハーダイシングのための方法であって、
前記ダイシングの際に前記ウエハーを請求項1〜8のいずれか1項に記載の溶液と接触させる工程を含む、ウエハーダイシングのための方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US36289610P | 2010-07-09 | 2010-07-09 | |
US61/362,896 | 2010-07-09 | ||
US13/171,252 | 2011-06-28 | ||
US13/171,252 US8883701B2 (en) | 2010-07-09 | 2011-06-28 | Method for wafer dicing and composition useful thereof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012019219A JP2012019219A (ja) | 2012-01-26 |
JP5628761B2 true JP5628761B2 (ja) | 2014-11-19 |
Family
ID=44514490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011152026A Active JP5628761B2 (ja) | 2010-07-09 | 2011-07-08 | ウエハーダイシングのための方法及び当該方法に有用な組成物 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8883701B2 (ja) |
EP (1) | EP2404989B1 (ja) |
JP (1) | JP5628761B2 (ja) |
KR (1) | KR101298193B1 (ja) |
CN (1) | CN102311863B (ja) |
MY (1) | MY165517A (ja) |
SG (1) | SG177828A1 (ja) |
TW (1) | TWI546418B (ja) |
Families Citing this family (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8580656B2 (en) * | 2008-07-14 | 2013-11-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for inhibiting corrosion and removing contaminant from a surface during wafer dicing and composition useful therefor |
US20120295447A1 (en) * | 2010-11-24 | 2012-11-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers |
US8987181B2 (en) * | 2011-11-08 | 2015-03-24 | Dynaloy, Llc | Photoresist and post etch residue cleaning solution |
TW201348406A (zh) * | 2012-05-18 | 2013-12-01 | Air Prod & Chem | 紋理化矽晶圓的組合物及方法 |
KR20140099399A (ko) | 2013-02-01 | 2014-08-12 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치 |
KR102008882B1 (ko) | 2013-08-02 | 2019-08-09 | 동우 화인켐 주식회사 | 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물 |
KR102040050B1 (ko) | 2013-08-02 | 2019-11-05 | 동우 화인켐 주식회사 | 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물 |
TWI526528B (zh) * | 2013-09-27 | 2016-03-21 | 聖高拜陶器塑膠公司 | 水性線切割流體和相關的切割方法 |
CN103484091B (zh) * | 2013-09-27 | 2015-12-23 | 桂林理工大学 | 邻香草醛缩对氨基苯甲酸席夫碱基聚乙二醇月桂酸单酯及其应用 |
JP6197545B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-09-20 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法およびダイシング装置 |
KR102134577B1 (ko) * | 2013-11-12 | 2020-07-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | 화학적 기계적 연마 후 세정용 조성물 |
JP6274926B2 (ja) * | 2014-03-17 | 2018-02-07 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
US9809891B2 (en) | 2014-06-30 | 2017-11-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Plating method |
JP6426407B2 (ja) * | 2014-09-03 | 2018-11-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2016165771A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社ディスコ | 加工液循環型加工システム |
US20160365578A1 (en) * | 2015-06-12 | 2016-12-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Sodium transition metal silicate and method of forming same |
CN105499228B (zh) * | 2015-11-25 | 2017-08-25 | 中锗科技有限公司 | 一种太阳能锗片包装用晶圆盒的清洗方法 |
CN105664784B (zh) * | 2015-12-31 | 2018-06-01 | 山东华夏神舟新材料有限公司 | 含氟表面活性剂及其制备方法 |
KR102541489B1 (ko) | 2016-02-26 | 2023-06-08 | 삼성전자주식회사 | 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정 설비 |
JP6713214B2 (ja) * | 2016-09-12 | 2020-06-24 | 株式会社ディスコ | デバイスウェーハの加工方法 |
JP6887722B2 (ja) * | 2016-10-25 | 2021-06-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法及び切削装置 |
JP2018181902A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
CN109022115A (zh) * | 2017-06-12 | 2018-12-18 | 天津工业大学 | 一种硅晶体多线锯水基切削液 |
WO2019143202A1 (ko) * | 2018-01-19 | 2019-07-25 | 주식회사 엠티아이 | 다이싱 공정용 보호코팅제 박리용 박리제 |
CN108998186A (zh) * | 2018-09-05 | 2018-12-14 | 罗粉继 | 一种用于金属加工润滑冷却的水基组合物 |
CN109576045A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-04-05 | 常州君合科技股份有限公司 | 环保型磁性材料的金刚线切割液 |
CN109652191A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-19 | 苏州市神顺新晨科技有限公司 | 一种水基玻璃切削液 |
JP7034371B2 (ja) * | 2019-03-07 | 2022-03-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体チップ製造装置および半導体チップ製造方法 |
CN110106013B (zh) * | 2019-06-10 | 2021-12-10 | 上海金兆节能科技有限公司 | 硼氮润滑剂组合物及其制备方法和该组合制备微量润滑剂 |
CN111192817B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-10-11 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种芯片镭射切割后的处理方法 |
CN112708500B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-10-11 | 江苏奥首材料科技有限公司 | 一种晶圆切割液 |
CN112680272B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-08-16 | 江苏奥首材料科技有限公司 | 一种陶瓷材料切割液 |
CN112662460A (zh) * | 2020-12-29 | 2021-04-16 | 江苏奥首材料科技有限公司 | 一种含有天然植物提取物的晶圆切割液 |
CN112745982B (zh) * | 2020-12-29 | 2022-08-09 | 江苏奥首材料科技有限公司 | 一种含有低聚皂化合物的晶圆切割液 |
CN113136144A (zh) * | 2021-03-18 | 2021-07-20 | 武汉风帆电化科技股份有限公司 | 一种用于晶硅片快速碱抛光的抛光剂及其应用方法 |
Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6038871B2 (ja) | 1977-03-31 | 1985-09-03 | 株式会社日立製作所 | 半導体素子の製造方法 |
JPS554980A (en) | 1978-06-27 | 1980-01-14 | Nec Home Electronics Ltd | Semicondutor device manufacturing method |
JPS6328608A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-06 | 日立東京エレクトロニクス株式会社 | ダイシング装置 |
JPH03227556A (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-08 | Fujitsu Ltd | ダイシング方法 |
US5466389A (en) | 1994-04-20 | 1995-11-14 | J. T. Baker Inc. | PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates |
US5461008A (en) | 1994-05-26 | 1995-10-24 | Delco Electronics Corporatinon | Method of preventing aluminum bond pad corrosion during dicing of integrated circuit wafers |
WO1999051711A1 (fr) | 1998-04-03 | 1999-10-14 | Kao Corporation | Composition pour huile de coupe |
JP2000031770A (ja) | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電部品の製造方法 |
JP4516176B2 (ja) | 1999-04-20 | 2010-08-04 | 関東化学株式会社 | 電子材料用基板洗浄液 |
US6723691B2 (en) | 1999-11-16 | 2004-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
US6627546B2 (en) | 2001-06-29 | 2003-09-30 | Ashland Inc. | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor |
TW575660B (en) | 2001-09-07 | 2004-02-11 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | Nonflammable water-based cutting fluid composition and nonflammable water-based cutting fluid |
TWI276682B (en) * | 2001-11-16 | 2007-03-21 | Mitsubishi Chem Corp | Substrate surface cleaning liquid mediums and cleaning method |
US6555477B1 (en) | 2002-05-22 | 2003-04-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for preventing Cu CMP corrosion |
JP2005179630A (ja) | 2003-03-24 | 2005-07-07 | Sanyo Chem Ind Ltd | 水系金属加工油用潤滑剤 |
US20070010406A1 (en) | 2003-03-24 | 2007-01-11 | Sanyo Chemical Industries, Ltd. | Lubricant for water-miscible metal working oil |
US7855130B2 (en) | 2003-04-21 | 2010-12-21 | International Business Machines Corporation | Corrosion inhibitor additives to prevent semiconductor device bond-pad corrosion during wafer dicing operations |
US7188630B2 (en) | 2003-05-07 | 2007-03-13 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method to passivate conductive surfaces during semiconductor processing |
TWI250202B (en) | 2003-05-13 | 2006-03-01 | Eternal Chemical Co Ltd | Process and slurry for chemical mechanical polishing |
US20050056810A1 (en) | 2003-09-17 | 2005-03-17 | Jinru Bian | Polishing composition for semiconductor wafers |
CN1918698B (zh) | 2004-02-09 | 2010-04-07 | 三菱化学株式会社 | 半导体装置用基板的洗涤液及洗涤方法 |
JP4736445B2 (ja) * | 2004-02-09 | 2011-07-27 | 三菱化学株式会社 | 半導体デバイス用基板洗浄液及び洗浄方法 |
CN1654617A (zh) * | 2004-02-10 | 2005-08-17 | 捷时雅株式会社 | 清洗用组合物和半导体基板的清洗方法及半导体装置的制造方法 |
US20050205835A1 (en) | 2004-03-19 | 2005-09-22 | Tamboli Dnyanesh C | Alkaline post-chemical mechanical planarization cleaning compositions |
JP4369284B2 (ja) | 2004-04-19 | 2009-11-18 | 東友ファインケム株式会社 | レジスト剥離剤 |
US20060073997A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Lam Research Corporation | Solutions for cleaning silicon semiconductors or silicon oxides |
KR20070035722A (ko) | 2005-09-28 | 2007-04-02 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 박리 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의제조방법 |
JP2007103463A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ポリシングスラリー、GaxIn1−xAsyP1−y結晶の表面処理方法およびGaxIn1−xAsyP1−y結晶基板 |
US7964544B2 (en) | 2005-10-31 | 2011-06-21 | Ecolab Usa Inc. | Cleaning composition and method for preparing a cleaning composition |
WO2007111694A2 (en) * | 2005-11-09 | 2007-10-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and method for recycling semiconductor wafers having low-k dielectric materials thereon |
US7534753B2 (en) | 2006-01-12 | 2009-05-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | pH buffered aqueous cleaning composition and method for removing photoresist residue |
JP2007329263A (ja) | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの切削方法 |
JP4912791B2 (ja) * | 2006-08-21 | 2012-04-11 | Jsr株式会社 | 洗浄用組成物、洗浄方法及び半導体装置の製造方法 |
JP4777197B2 (ja) | 2006-09-11 | 2011-09-21 | 富士フイルム株式会社 | 洗浄液及びそれを用いた洗浄方法 |
JP5142592B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2013-02-13 | 関東化学株式会社 | 基板の洗浄またはエッチングに用いられるアルカリ性水溶液組成物 |
JP5253765B2 (ja) | 2007-07-05 | 2013-07-31 | 株式会社Adeka | ダイシング切削水用添加剤及びそれを使用した切削加工方法 |
US20090056744A1 (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Micron Technology, Inc. | Wafer cleaning compositions and methods |
US20090120457A1 (en) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Surface Chemistry Discoveries, Inc. | Compositions and method for removing coatings and preparation of surfaces for use in metal finishing, and manufacturing of electronic and microelectronic devices |
CN101205498B (zh) | 2007-12-17 | 2010-06-09 | 辽宁奥克化学股份有限公司 | 一种硬脆性材料切削液及其应用 |
US8580656B2 (en) * | 2008-07-14 | 2013-11-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for inhibiting corrosion and removing contaminant from a surface during wafer dicing and composition useful therefor |
US8765653B2 (en) * | 2009-07-07 | 2014-07-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Formulations and method for post-CMP cleaning |
-
2011
- 2011-06-28 US US13/171,252 patent/US8883701B2/en active Active
- 2011-07-07 SG SG2011049673A patent/SG177828A1/en unknown
- 2011-07-08 EP EP11173298.8A patent/EP2404989B1/en active Active
- 2011-07-08 JP JP2011152026A patent/JP5628761B2/ja active Active
- 2011-07-08 MY MYPI2011003214A patent/MY165517A/en unknown
- 2011-07-08 TW TW100123576A patent/TWI546418B/zh active
- 2011-07-08 KR KR1020110068028A patent/KR101298193B1/ko active IP Right Grant
- 2011-07-11 CN CN201110197916.7A patent/CN102311863B/zh active Active
-
2014
- 2014-03-03 US US14/195,285 patent/US9328318B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120009762A1 (en) | 2012-01-12 |
US20140170835A1 (en) | 2014-06-19 |
EP2404989A1 (en) | 2012-01-11 |
TW201211314A (en) | 2012-03-16 |
JP2012019219A (ja) | 2012-01-26 |
TWI546418B (zh) | 2016-08-21 |
KR20120005987A (ko) | 2012-01-17 |
MY165517A (en) | 2018-04-02 |
CN102311863A (zh) | 2012-01-11 |
US8883701B2 (en) | 2014-11-11 |
EP2404989B1 (en) | 2016-11-16 |
SG177828A1 (en) | 2012-02-28 |
CN102311863B (zh) | 2015-06-24 |
US9328318B2 (en) | 2016-05-03 |
KR101298193B1 (ko) | 2013-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5628761B2 (ja) | ウエハーダイシングのための方法及び当該方法に有用な組成物 | |
JP5749457B2 (ja) | Cmp後洗浄のための配合物及び方法 | |
JP5171748B2 (ja) | ダイシング液及びウエハダイシング方法 | |
KR100913557B1 (ko) | 반도체 디바이스용 기판의 세정액 및 세정방법 | |
US20020155964A1 (en) | Cleaning agent composition, method for cleaning and use thereof | |
JP2010177702A (ja) | 化学的機械的平坦化後用のアルカリ性洗浄組成物 | |
JP2010093126A (ja) | 基板処理用アルカリ性水溶液組成物 | |
TWI467675B (zh) | 用於改善打線製程的引線架清潔方法 | |
KR100789776B1 (ko) | 세정제 조성물, 세정방법 및 그 용도 | |
JPWO2010125827A1 (ja) | 半導体用基板の洗浄方法および酸性溶液 | |
KR101521066B1 (ko) | 산화구리 에칭 잔여물 제거 및 구리 전착 방지용 수성 산성 배합물 | |
US8647445B1 (en) | Process for cleaning semiconductor devices and/or tooling during manufacturing thereof | |
JP2008277718A (ja) | レジスト、エッチング残渣、及び金属酸化物をアルミニウム及びアルミニウム銅合金を有する基板から除去する方法及び組成物 | |
TW202223074A (zh) | 助焊劑用清潔劑組合物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130502 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130509 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131203 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140228 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140603 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140902 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141002 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5628761 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |