KR102040050B1 - 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 58
- -1 isothiazolinone compound Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 13
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 5
- UEFCKYIRXORTFI-UHFFFAOYSA-N 1,2-thiazolidin-3-one Chemical compound O=C1CCSN1 UEFCKYIRXORTFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940100555 2-methyl-4-isothiazolin-3-one Drugs 0.000 claims description 3
- PORQOHRXAJJKGK-UHFFFAOYSA-N 4,5-dichloro-2-n-octyl-3(2H)-isothiazolone Chemical compound CCCCCCCCN1SC(Cl)=C(Cl)C1=O PORQOHRXAJJKGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DMSMPAJRVJJAGA-UHFFFAOYSA-N benzo[d]isothiazol-3-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)NSC2=C1 DMSMPAJRVJJAGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- BEGLCMHJXHIJLR-UHFFFAOYSA-N methylisothiazolinone Chemical compound CN1SC=CC1=O BEGLCMHJXHIJLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JPMIIZHYYWMHDT-UHFFFAOYSA-N octhilinone Chemical compound CCCCCCCCN1SC=CC1=O JPMIIZHYYWMHDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DHNRXBZYEKSXIM-UHFFFAOYSA-N chloromethylisothiazolinone Chemical compound CN1SC(Cl)=CC1=O DHNRXBZYEKSXIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VUWCWMOCWKCZTA-UHFFFAOYSA-N 1,2-thiazol-4-one Chemical class O=C1CSN=C1 VUWCWMOCWKCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 15
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 15
- 244000005700 microbiome Species 0.000 abstract description 9
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 5
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 27
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000000813 microbial effect Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- DQYBDCGIPTYXML-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;hydrate Chemical compound O.CCOCC DQYBDCGIPTYXML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 229940100484 5-chloro-2-methyl-4-isothiazolin-3-one Drugs 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical group [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000000845 anti-microbial effect Effects 0.000 description 1
- 230000009920 chelation Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 150000003333 secondary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/34—Organic compounds containing sulfur
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 아크릴산계 중합체 및 이들의 염으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 고분자 화합물, 이소티아졸리논 화합물 및 용매를 포함함으로써, 금속 패드에 대한 부식 방지력이 우수하고, 미생물 발생 방지력이 우수한 세정제 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정 중 웨이퍼의 다이싱 공정은 반도체의 적층 공정이 완료된 이후에, 각각의 나열된 디바이스를 스트리트라고 불리는 경계면을 절삭하여 분리하는 공정을 말한다. 다이싱 공정이 끝나면 칩 제조 공정에 의해 반도체의 제품이 완성된다.
이러한 웨이퍼 다이싱 공정은 반도체의 집적화에 따라 스트리트의 간격이 좁아지고 적층물들의 기계적 물성도 취약해지기 때문에 이를 반영하는 방향으로 변화하고 있다. 이러한 절삭 공정에서 블레이드에 의해서 웨이퍼가 절단될 때 많은 실리콘 파티클들이 웨이퍼 상부에 흡착하여 오염 원인이 되거나 패드에 흡착하여 디바이스의 수율을 떨어뜨린다.
이를 해결하기 위한 종래의 기술로는 다이싱 공정에서 블레이드로 웨이퍼를 절삭할 때 물을 뿌려주면서 절삭하는 방법이 있으나, 이는 실리콘 파티클에 의한 세정 성능이 미흡하고, 금속 패드의 부식을 유발할 수 있다. 또한, 물에 존재하는 미생물 등이 웨이퍼에 흡착되어 오염원이 될 문제가 있다.
상술한 문제점을 해결하기 위하여 많은 기술들이 제안되고 있으며, 이 중 일본공개특허 평3-227556호에는 산, 암모늄염 등을 이용하여 실리콘 파티클의 흡착을 막는 방법이 개시되어 있다. 이 방법을 사용하는 경우, 웨이퍼 표면에 흡착되는 실리콘 파티클을 효과적으로 제거하여 세정할 수 있으나, 알루미늄 패드를 사용할 경우에 부식문제를 일으킬 수 있다.
또한, 한국공개특허 제2012-0005987호에는 유기산, 염기 등을 포함하며 pH가 4 내지 13 범위를 만족하는 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물에 대하여 기재하고 있다. 그러나, 조성물이 산성 또는 알칼리성인 경우에는 금속 패드의 부식 문제가 있으며, 중성인 경우에는 금속 패드의 부식은 방지할 수 있으나 미생물의 발생문제에 대한 해결책은 제시하지 못하고 있다,
본 발명은 미생물 발생의 방지력이 우수한 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 금속 패드에 대한 부식 방지력이 우수한 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 다이싱 공정에서 실리콘 파티클이 웨이퍼 표면에 흡착하는 것을 방지하여 우수한 세정력을 갖는 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 세정제 조성물을 사용하여 제조된 반도체 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
1. 아크릴산계 중합체 및 그의 염으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 고분자 화합물, 이소티아졸리논 화합물 및 용매를 포함하는, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
2. 위 1에 있어서, 상기 고분자 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하는, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물:
[화학식 1]
(식 중에서, R1은 수소 원자 또는 메틸기이고,
R2는 수소 원자 또는 COOY이고,
X 및 Y는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가 양이온임).
3. 위 1에 있어서, 상기 고분자 화합물의 중량평균분자량은 1,000 내지 100,000인, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
4. 위 1에 있어서, 상기 이소티아졸리논 화합물은 이소티아졸린-3-온, 2-메틸-4-이소티아졸린-3-온, 5-클로로-2-메틸-4-이소티아졸린-3-온, 벤즈이소티아졸린-3-온, 옥틸이소티아졸리논 및 디클로로옥틸이소티아졸리논으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
5. 위 1에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여, 상기 고분자 화합물 0.1 내지 10 중량%, 상기 이소티아졸리논 화합물 0.0001 내지 0.1 중량% 및 상기 용매 잔량을 포함하는, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
6. 위 1에 있어서, 상기 용매는 물, 유기 용매 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
7. 위 6에 있어서, 상기 유기 용매는 메틸알코올, 에틸알코올, 프로필알코올, 부틸알코올, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
8. 위 1에 있어서, 폴리에틸렌글리콜을 더 포함하는, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
9. 위 8에 있어서, 상기 폴리에틸렌글리콜의 중량평균분자량은 1,000 내지 100,000인, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
10. 위 8에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여, 상기 폴리에틸렌글리콜 1 내지 20 중량%를 포함하는, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
11. 위 1 내지 10의 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물을 사용하여 제조되는 반도체 소자.
12. 위 11에 있어서, 상기 반도체 소자는 이미지 센서용 반도체 소자 또는 멤스(MEMS)공정으로 제조된 반도체 소자인 것을 특징으로 하는, 반도체 소자.
본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물은 미생물 발생 방지력이 우수하다.
본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물은 금속 패드에 대한 부식 방지력이 우수하다.
본 발명의 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물은 다이싱 공정 중 실리콘 파티클이 웨이퍼 상부에 흡착하는 것을 방지하여 세정력이 우수하다.
또한, 본 발명의 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물을 사용하여 제조된 반도체 소자는 결함이 없고, 물성이 우수하다.
본 발명은 아크릴산계 중합체 및 그의 염으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 고분자 화합물, 이소티아졸리논 화합물 및 용매를 포함함으로써, 미생물 생성 억제 효과가 우수하고 패드에 대한 부식을 방지하고 세정능력이 우수한 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 아크릴산계 중합체 및 그의 염으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 고분자 화합물은 다이싱 공정 중의 실리콘 파티클을 웨이퍼 표면으로부터 효과적으로 제거하기 위한 성분이다.
상기 고분자 화합물은 수용성으로서, 실리콘 파티클과 강력한 킬레이트 작용을 통해, 실리콘 파티클의 표면 전하를 변화시켜 세정제 조성물 내에 실리콘 파티클의 분산성을 증가시키며, 분산성이 향상된 실리콘 파티클은 웨이퍼 상부와의 흡착력이 감소하여 웨이퍼 상부로부터 효과적으로 제거될 수 있다.
또한, 상기 고분자 화합물은 중성의 성분으로서, 다이싱 공정 중 노출되는 상부 금속 패드의 부식을 방지할 수 있으며, 고분자 전해물에 의해 현탁 물질이나 부식성 물질이 반도체 웨이퍼의 상부 패드 등에 잔류하지 못하여, 이로 인한 상부 금속 패드의 부식 또한 방지할 수 있다.
상기 고분자 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함할 수 있다:
[화학식 1]
식 중에서, R1은 수소 원자 또는 메틸기이고, R2는 수소 원자 또는 COOY이고, X 및 Y는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가 양이온이다.
상기 ‘1가 양이온’은 COO- 기에 결합할 수 있는 1가 양이온이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 알칼리 금속 양이온일 수 있다.
상기 고분자 화합물의 함량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 10 중량%일 수 있으며, 바람직하게는 0.1 내지 5 중량%인 것이 좋다. 0.1 내지 10 중량% 범위로 포함되는 경우, 실리콘 파티클에 대한 흡착력이 높아 세정력이 뛰어나며, 다이싱 공정 후에 웨이퍼 표면에 잔류하지 않아 바람직하다.
상기 고분자 화합물의 중량평균분자량은 1,000 내지 100,000일 수 있으며, 바람직하게는 1,000 내지 3,000인 것이 좋다. 1,000 내지 100,000의 범위를 만족하는 경우, 실리콘 파티클에 효과적으로 흡착하여 분산성을 향상시켜, 웨이퍼 상부로부터 실리콘 파티클을 용이하게 제거할 수 있다.
본 발명의 이소티아졸리논 화합물은 웨이퍼 표면에 미생물의 생성을 방지하기 위해 첨가되는 성분으로, 다이싱 공정 후 본 발명의 조성물이 웨이퍼 상부에 소량 잔류하는 경우에도 미생물 생성을 방지하여, 이를 사용하여 제조된 반도체 소자의 결함을 방지할 수 있다.
상기 이소티아졸리논 화합물의 종류는 당분야에서 일반적으로 사용되는 것이라면 특별히 한정되지 않으나, 이소티아졸린-3-온, 2-메틸-4-이소티아졸린-3-온, 5-클로로-2-메틸-4-이소티아졸린-3-온, 벤즈이소티아졸린-3-온, 옥틸이소티아졸리논, 디클로로옥틸이소티아졸리논 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 이소티아졸리논 화합물의 함량은 특별히 한정되지 않으며, 조성물 총 중량에 대하여 0.0001 내지 0.1 중량%일 수 있으며, 바람직하게는 0.001 내지 0.1 중량%인 것이 좋다. 0.0001 내지 0.1 중량% 범위로 포함되는 경우, 미생물 생성의 억제 효과가 뛰어나며, 다이싱 공정 후 웨이퍼 표면에 잔류하지 않아 바람직하다.
본 발명의 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물은 총 중량이 100%가 되도록 잔량의 용매를 포함할 수 있다.
상기 용매는 물, 유기 용매 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 1종일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기 용매는 당분야에서 일반적으로 사용되는 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 메틸알코올, 에틸알코올, 프로필알코올, 부틸알코올, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 유기 용매 중에서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르가 물에 대한 혼용성이 우수하기 때문에, 물과 혼합하여 사용될 수 있으며, 혼합비에 관계없이 용해성이 우수하다는 점에서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르가 바람직하다.
물과 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트를 혼합하여 사용하는 경우, 물과의 혼합비는 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 물 100 중량부에 대하여 10 내지 20 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 범위를 벗어나는 경우, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트의 물에 대한 용해성이 저하되는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물은 폴리에틸렌글리콜을 더 포함할 수 있다.
상기 폴리에틸렌글리콜은 본 발명의 세정제 조성물과 혼합하여 사용시 세정 능력을 더욱 향상시킬 수 있으며, 다이싱 공정시 블레이드와 웨이퍼 사이에 마찰을 감소시킬 수 있다.
상기 폴리에틸렌글리콜의 중량평균분자량은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 1,000 내지 100,000일 수 있으며, 바람직하게는 1,000 내지 30,000인 것이 좋다. 1,000 내지 100,000 범위인 경우, 실리콘 파티클과 효과적으로 흡착하여 웨이퍼 상부로부터 실리콘 파티클을 효과적으로 제거할 수 있으며, 다이싱 공정시 블레이드와 웨이퍼 사이의 윤활 효과로 마찰열을 감소시켜 다이싱 공정 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 폴리에틸렌글리콜의 함량 범위는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면, 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 20 중량%일 수 있으며, 바람직하게는 5 내지 15 중량%인 것이 좋다. 1 내지 20 중량% 범위로 포함되는 경우, 세정제 조성물의 표면 장력을 감소시켜 세정 능력을 향상시킬 수 있으며, 윤활제의 기능을 최대로 할 수 있다. 또한, 조성물의 적정 점도를 유지하여 세정을 효과적으로 할 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물은 상기의 성분 외에도 성능을 향상시키기 위하여 당분야에서 일반적으로 사용되는 첨가제를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 웨이터 다이싱용 세정제 조성물은 물에 희석하여 사용할 수 있으며, 물과의 혼합비는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 세정제 조성물 : 물 = 1 : 10 내지 5000 일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물을 사용하여 제조되는 반도체 소재를 제공한다.
상기 반도체 소자의 종류는 특별히 한정되지 않으나, 이미지 센서용 반도체 소자 및 멤스(MEMES) 공정에서 제조되는 반도체 소자인 것이 바람직하다. 상기 이미지 센서용 반도체 소자 및 멤스 공정에서 제조되는 반도체 소자는 블레이드 등을 사용하여 웨이퍼를 다이싱하는 경우에도 본 발명에 의한 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물에 의하여 완벽하게 세정되고, 미생물 생성이 억제되며, 부식방지 특성도 우수하므로 디펙(defect)이 없는 상태로 제조된다.
이하, 본 발명을 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다.
실시예
및
비교예
하기 표 1에 기재된 성분 및 함량으로 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물을 제조하였다.
| 구분 | 이소티아졸리논화합물 | 아크릴산계 중합체 고분자 | 폴리에틸렌글리콜 | 염기 | 유기산 | 계면활성제 | 용매 | ||
| 중량% | 중량평균분자량 | 중량% | 중량평균분자량 | 중량% | 중량% | 중량% | 중량% | 중량% | |
| 실시예 1 | 0.005 | 1000 | 10 | - | - | - | - | - | 잔량 |
| 실시예 2 | 0.1 | 1000 | 10 | - | - | - | - | - | 잔량 |
| 실시예 3 | 0.5 | 1000 | 10 | - | - | - | - | - | 잔량 |
| 실시예 4 | 0.005 | 1000 | 10 | 3000 | 15 | - | - | - | 잔량 |
| 실시예 5 | 0.1 | 1000 | 10 | 3000 | 15 | - | - | - | 잔량 |
| 실시예 6 | 0.1 | 50000 | 0.5 | 3000 | 15 | - | - | - | 잔량 |
| 실시예 7 | 0.1 | 5000 | 5 | 1500 | 15 | - | - | - | 잔량 |
| 실시예 8 | 0.1 | 5000 | 5 | 30000 | 5 | - | - | - | 잔량 |
| 실시예 9 | 0.05 | 5000 | 3 | 10000 | 10 | - | - | - | 잔량 |
| 비교예 1 | 0.005 | - | - | - | - | - | - | - | 잔량 |
| 비교예 2 | - | - | - | 3000 | 15 | - | - | - | 잔량 |
| 비교예 3 | - | 1000 | 10 | - | - | - | - | - | 잔량 |
| 비교예 4 | - | - | - | - | - | 10 | 4 | 2 | 잔량 |
| 이소티아졸리논 화합물 : 2-메틸-4-이소티아졸린-3-온 아크릴산계 중합체 고분자 : 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하는 것으로, 식 1의 R1 및 R2는 수소 원자고, X는 나트륨양이온임. 염기 : TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 유기산 : 시트릭애씨드 계면활성제 : Tergitol 15-S-7 (secondary alcohol ethoxylate) 용매 : 탈이온수 | |||||||||
시험예
<미생물 방지 평가>
200cc 폴리에틸렌테레프탈레이트 투명병에 실시예 및 비교예의 세정제 조성물을 100cc씩 채운 후 뚜껑을 닫고 40℃의 인큐베이터에 넣고 3개월간 미생물에 의한 부유물 발생 여부를 관찰하였다.
하기의 기준에 따라 미생물 방지 능력을 평가하였다.
◎ : 3개월 동안 미발생
○ : 2개월 동안 미발생
△ : 1개월 동안 미발생
Ⅹ : 1개월이내 발생
<실리콘
파티클의
분산 평가>
200cc 폴리에틸렌테레프탈레이트 투명 병에 실리콘 파티클(평균입자 500㎚) 0.1g과 실시예 및 비교예의 세정제 조성물을 100cc를 첨가하여 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반한 후 방치하여 실리콘 파티클이 침강하는 모습을 관찰하였다.
측정 단위는 실리콘 파티클의 침전이 시작되는 시간으로 측정하였으며, 하기와 같은 기준에 따라 각 조성물의 분산성을 평가하였다.
◎ : 1시간 초과
○ : 1시간 이내 침전
△ : 10분 이내 침전
Ⅹ : 1분 이내 발생
<실리콘
파티클의
세정 평가>
실리콘 파티클(평균입자 500nm)을 물과 1:1로 혼합한 후 4 인치(inch) 산화 실리콘 기판에 1000rpm, 10초 동안 스핀 코팅한 후, 120℃에서 1분간 베이킹하여 테스트 기판을 제조하였다.
제조한 테스트 기판을 실시예 및 비교예의 세정제 조성물에 5분간 침지 시킨 후, 초순수에 1분간 린스하여 건조시켰다. 그리고 표면분석으로 파티클의 개수를 측정하였다.
측정된 파티클의 개수에 따라 하기와 같은 평가 기준으로 각 조성물의 세정성을 평가하였다.
◎ : 500개 이하
○ : 1,000개 이하
△ : 5,000개 이하
Ⅹ : 5,000개 초과
<알루미늄
식각
평가>
1000Å 두께의 알루미늄이 증착된 웨이퍼를 가로, 세로 각각 2㎝ 크기로 절단하여, 테스트 기판을 제조하였다.
각각의 테스트 기판을 4 point probe 면저항 측정기를 이용하여 저항을 측정한 후 상온에서 실시예 및 제조예의 세정제 조성물에 5분 동안 침지시킨 후 초순수물에 1분간 린스하여 건조시키고 다시 4 point probe 면저항 측정기를 이용하여 저항을 측정하여, 단위시간 동안의 면저항의 변화를 통해, 알루미늄의 식각율 (Å/min) 을 계산하였다.
상기의 시험 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
| 미생물 방지 평가 | 실리콘 파티클 분산 평가 | 실리콘 파티클 세정 평가 | 알루미늄 식각 평가 (Å/min) | |
| 실시예 1 | ◎ | ◎ | ○ | < 0.1 |
| 실시예 2 | ◎ | ◎ | ○ | < 0.1 |
| 실시예 3 | ◎ | ◎ | ○ | < 0.3 |
| 실시예 4 | ◎ | ◎ | ◎ | < 0.1 |
| 실시예 5 | ◎ | ◎ | ◎ | < 0.1 |
| 실시예 6 | ◎ | ◎ | ◎ | < 0.1 |
| 실시예 7 | ◎ | ◎ | ◎ | < 0.1 |
| 실시예 8 | ◎ | ◎ | ◎ | < 0.1 |
| 실시예 9 | ◎ | ◎ | ◎ | < 0.1 |
| 비교예 1 | ◎ | Ⅹ | Ⅹ | < 0.1 |
| 비교예 2 | Ⅹ | △ | △ | < 0.1 |
| 비교예 3 | Ⅹ | ◎ | ◎ | < 0.1 |
| 비교예 4 | ◎ | ○ | ○ | 1.4 |
표 2에 기재된 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물을 사용한 실시예는 미생물 생성을 방지하는 능력이 우수하였으며, 중성인 아크릴산염 고분자를 사용함으로써, 다이싱 공정에 노출되는 알루미늄 금속에 대한 식각율이 낮아, 부식 방지력이 우수하여 다이싱 공정용 세정제로 적합함을 확인할 수 있었다. 또한, 웨이퍼 표면으로부터 제거된 실리콘 파티클들에 대하여 우수한 분산성을 가짐으로써, 재흡착 등의 문제를 일으킬 가능성이 낮음을 확인할 수 있었다.
폴리에틸렌글리콜을 더 포함하는 실시예 4 내지 9의 경우, 실리콘 파티클의 세정성이 더욱 향상되는 것을 확인할 수 있었다.
다만, 실시예 3의 경우, 이소티아졸리논 화합물을 다소 과량으로 포함함으로써, 미생물 방지 효과는 우수하였으나, 알루미늄 금속에 대한 식각율이 다소 높아지는 것을 확인할 수 있었다.
이소티아졸리논 화합물만을 포함하는 비교예 1의 경우에는, 미생물의 방지 효과는 우수하였으며, 금속에 대한 부식성이 약하여 알루미늄에 대한 식각율도 낮은 것을 확인할 수 있었다. 그러나, 실리콘 파티클에 대한 분산력 및 세정력이 현저히 저하되어 세정제로서 적합하지 않음을 확인할 수 있었다.
폴리에틸렌글리콜만을 포함하는 비교예 2는 금속의 부식을 일으키는 성분이 포함되지 않아 알루미늄의 식각율은 낮았으나, 미생물의 방지력이 현저히 저하되었으며, 실리콘 파티클에 대한 분산력 및 세정력도 실시예와 비교하여 저하된 것을 확인할 수 있었다.
아크릴산계 중합체 고분자만을 포함하는 비교예 3은 중성인 아크릴산계 중합체 고분자로 인해, 알루미늄의 식각율은 낮았으며, 실리콘 파티클에 대한 분산력 및 세정력은 비교적 우수하였으나, 미생물 발생 방지력은 매우 저하된 것을 확인할 수 있었다.
염기, 유기산 및 계면활성제를 포함하는 비교예 4의 경우, 강알칼리 성분을 포함함으로써 미생물 방지력은 매우 우수하였으며, 실리콘 파티클에 대한 분산력 및 세정력도 우수하였다. 그러나, 알루미늄의 식각율이 1.4로 알루미늄 패드의 부식 정도가 매우 큰 것을 확인할 수 있었다.
Claims (12)
- 아크릴산계 중합체 및 그의 염으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는 고분자 화합물;
이소티아졸리논 화합물;
폴리에틸렌글리콜; 및
용매를 포함하며,
상기 이소티아졸리논 화합물을 조성물 총 중량에 대해 0.0001 내지 0.1 중량% 포함하고,
상기 폴리에틸렌글리콜의 중량평균분자량은 1,000 내지 30,000인, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 고분자 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 반복 단위를 포함하는, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물:
[화학식 1]
(식 중에서, R1은 수소 원자 또는 메틸기이고,
R2는 수소 원자 또는 COOY이고,
X 및 Y는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가 양이온임).
- 청구항 1에 있어서, 상기 고분자 화합물의 중량평균분자량은 1,000 내지 100,000인, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 이소티아졸리논 화합물은 이소티아졸린-3-온, 2-메틸-4-이소티아졸린-3-온, 5-클로로-2-메틸-4-이소티아졸린-3-온, 벤즈이소티아졸린-3-온, 옥틸이소티아졸리논 및 디클로로옥틸이소티아졸리논으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종을 포함하는, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여, 상기 고분자 화합물 0.1 내지 10 중량%, 및 상기 용매 잔량을 포함하는, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 용매는 물, 유기 용매 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
- 청구항 6에 있어서, 상기 유기 용매는 메틸알코올, 에틸알코올, 프로필알코올, 부틸알코올, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르로 이루어진 군에서 선택된 적어도 1종인, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
- 삭제
- 삭제
- 청구항 1에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여, 상기 폴리에틸렌글리콜 1 내지 20 중량%를 포함하는, 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물.
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130091844A KR102040050B1 (ko) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130091844A KR102040050B1 (ko) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150016448A KR20150016448A (ko) | 2015-02-12 |
| KR102040050B1 true KR102040050B1 (ko) | 2019-11-05 |
Family
ID=52573264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130091844A KR102040050B1 (ko) | 2013-08-02 | 2013-08-02 | 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102040050B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6949846B2 (ja) * | 2015-12-22 | 2021-10-13 | ビーエイエスエフ・ソシエタス・エウロパエアＢａｓｆ Ｓｅ | 化学機械研磨後の洗浄組成物 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03227556A (ja) | 1990-02-01 | 1991-10-08 | Fujitsu Ltd | ダイシング方法 |
| CN101730727A (zh) * | 2007-06-19 | 2010-06-09 | 细胞生物工程有限公司 | 保护基底和从该基底去除污染物的方法 |
| JP5600117B2 (ja) * | 2008-12-20 | 2014-10-01 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | ワイヤーソー切断の間の乾燥性を向上させるための組成物 |
| KR101645036B1 (ko) * | 2009-10-29 | 2016-08-03 | 동우 화인켐 주식회사 | 웨이퍼 다이싱용 세정제 조성물 |
| US8883701B2 (en) | 2010-07-09 | 2014-11-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for wafer dicing and composition useful thereof |
-
2013
- 2013-08-02 KR KR1020130091844A patent/KR102040050B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150016448A (ko) | 2015-02-12 |
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