KR102541489B1 - 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정 설비 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정 설비에 관한 것이다. 본 발명의 기판 세정 장치는 복수의 세정면들을 갖는 다각 기둥으로 형성된 다공성 흡수 부재; 복수의 반도체 소자들을 갖는 기판을 상기 다공성 흡수 부재를 향해 이송시켜, 상기 반도체 소자들을 상기 세정면들 중 어느 하나와 접촉시키는 이송부; 및 상기 다공성 흡수 부재를 회전시키는 회전 구동부를 포함한다.

Description

기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정 설비{Apparatus for cleaning substrate and facility for cleaning substrate using the same}
본 발명은 기판 세정 장치 및 이를 이용한 기판 세정 설비에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 증착 공정, 노광 공정, 식각 공정, 소잉 공정 등과 같이 다양한 공정들이 요구된다. 각각의 공정들을 수행한 이후, 기판 상에 잔류하는 불필요한 박막, 오염물질, 파티클 등을 제거하는 세정 공정이 수행될 수 있다.
일반적으로 세정 공정은 기판으로 불산, 황산, 그리고 질산 등과 같은 약액(chemical)을 공급하여 이물질 등을 제거하는 약액 공정, 기판으로 탈이온수(deionize water)와 같은 세척액을 공급하여 기판 상에 잔류하는 약액을 제거하는 세척 공정, 그리고 기판 상에 잔류하는 세척액을 제거하는 건조 공정 등을 포함할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 반도체 소자들의 오염 물질을 제거하는 기판 세정 장치 및 이를 이용하는 기판 세정 설비를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 과제는 반도체 소자들의 오염 물질을 제거하는 다공성 흡수 부재의 수명을 연장하는 기판 세정 장치 및 이를 이용하는 기판 세정 설비를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명에 따른 기판 세정 장치는, 복수의 세정면들을 갖는 다각 기둥으로 형성된 다공성 흡수 부재; 복수의 반도체 소자들을 갖는 기판을 상기 다공성 흡수 부재를 향해 이송시켜, 상기 반도체 소자들을 상기 세정면들 중 어느 하나와 접촉시키는 이송부; 및 상기 다공성 흡수 부재를 회전시키는 회전 구동부를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 복수의 세정면들은 평평하고, 상기 이송부는 상기 반도체 소자들이 상기 세정면들 중 어느 하나와 접촉된 상태에서 상기 기판을 상기 반도체 소자들이 접촉된 세정면과 평행하게 왕복 이동시킬 수 있다.
일 실시예에서, 상기 다공성 흡수 부재의 적어도 일부가 담가지는 세정수를 수용하는 수조를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 수조 내의 상기 세정수의 수위를 감지하는 수위 감지 센서를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 수조로 상기 세정수를 공급하는 공급 배관; 및 상기 수조 내의 상기 세정수를 배수하는 배수 배관을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 세정수에 진동을 제공하여, 상기 세정수에 담가진 상기 다공성 흡수 부재의 오염 물질을 제거하는 오염 물질 제거부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 오염 물질 제거부는 초음파 진동자를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 반도체 소자들과 비접촉한 상기 세정면들 중 적어도 어느 하나에 진동을 제공하여, 상기 다공성 흡수 부재의 오염 물질을 제거하는 오염 물질 제거부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 다공성 흡수 부재의 내에 배치되는 급수관을 더 포함하되, 상기 급수관은 내부에 유동하는 세정수를 배출하는 복수의 배출 홀들을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 세정수는 초순수(DI water: DeIonized water)일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 다공성 흡수 부재는 스펀지(sponge)일 수 있다.
일 실시예에서, 기 설정된 시간마다 상기 다공성 흡수 부재가 기 설정된 각도만큼 회전하도록 상기 회전 구동부를 제어하는 컨트롤러를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 기판 세정 설비는, 기판 상의 복수의 반도체 소자들의 오염 물질을 제거하는 기판 세정 장치; 및 상기 기판 세정 장치를 통과한 상기 기판을 건조하는 건조 장치를 포함하고, 상기 기판 세정 장치는: 복수의 세정면들을 갖는 다각 기둥으로 형성된 다공성 흡수 부재; 상기 기판을 상기 다공성 흡수 부재를 향해 이송시켜, 상기 반도체 소자들을 상기 세정면들 중 어느 하나와 접촉시키는 이송부; 및 상기 다공성 흡수 부재를 회전시키는 회전 구동부를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 기판 세정 장치를 통과한 상기 반도체 소자들에 세제액을 분사하는 세제액 분사부; 및 상기 세제액 분사부를 통과한 상기 반도체 소자들에 상기 세척액을 분사하는 세척액 분사부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 기판 세정 장치는 기 설정된 시간마다 상기 다공성 흡수 부재가 기 설정된 각도만큼 회전하도록 상기 회전 구동부를 제어하는 컨트롤러를 더 포함할 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 반도체 소자들의 몰드면들에 묻은 오염 물질을 제거할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자들의 몰드면들에 발생되는 백화 현상을 방지할 수 있다. 반도체 소자들의 오염 물질 대부분을 제거함에 따라, 고객의 컴플레인을 방지할 수 있다. 반도체 소자들을 건조함에 따라, 세정수에 의한 반도체 소자들의 얼룩 발생을 방지할 수 있다. 다공성 흡수 부재의 회전을 통해 다공성 흡수 부재의 수명을 연장할 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 세정 설비를 나타낸 개략도이다.
도 2는 도 1의 기판 세정 설비를 나타낸 블록도이다.
도 3은 도 1의 세정부의 일부 구성을 나타낸 분해사시도이다.
도 4는 도 1의 세정부를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 도 1의 다공성 흡수 부재의 회전 과정을 설명하기 위한 개략도이다.
도 6a 내지 도 6c는 도 1의 기판 세정 설비에 의해 변화되는 기판의 모습을 나타낸 도면들이다.
도 7 내지 도 11는 도 1의 기판 세정 설비가 기판을 세정, 린스 및 건조하는 과정들을 나타낸 개략도들이다.
도 12는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 세정 설비를 나타낸 개략도이다.
도 13은 도 12의 기판 세정 설비를 나타낸 블록도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자에 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명의 개념 및 이에 따른 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 세정 설비를 나타낸 개략도이다. 도 2는 도 1의 기판 세정 설비를 나타낸 블록도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 공정을 수행하는 기판 세정 설비(10)가 제공된다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판 처리 공정은 기판(S)의 세정 공정, 린스 공정 및 건조 공정을 포함할 수 있다.
기판(S)은 복수의 반도체 소자들(SD)을 가질 수 있다. 기판(S)은 반도체 기판 또는 투명 기판일 수 있다. 반도체 기판은 실리콘 기판, 게르마늄 기판, 또는 실리콘-게르마늄 기판일 수 있다.
반도체 소자들(SD)은 기판(S) 상에 배치될 수 있다. 반도체 소자들(SD)의 각각은 기판에 다수의 공정들을 반복적으로 실시하여 제조될 수 있다. 예를 들면, 반도체 소자들(SD)은 절연막이나 도전체막 등의 물질막을 증착하는 공정, 증착된 물질막을 소자 형성을 위하여 필요한 형태로 패터닝하는 공정 등을 통해 제조될 수 있다. 반도체 소자들(SD)은 MOS 트랜지스터, 캐패시터 등의 소자일 수 있다.
기판 세정 설비(10)는 기판 세정 장치(100) 및 건조 장치(300)를 포함할 수 있다. 또한, 기판 세정 설비(10)는 린스 장치(200)를 더 포함할 수 있다.
기판 세정 장치(100)는 반도체 소자들(SD) 및/또는 기판(S)을 세정하는 세정 공정을 수행할 수있다. 기판 세정 장치(100)는 이송부(110), 세정부(120, 130), 수조(140), 오염 물질 제거부(150), 감지부(160), 배관부(170), 및 컨트롤러(190)를 포함할 수 있다.
세정부(120, 130)는 반도체 소자들(SD)의 오염 물질(CM1)을 제거하는 역할을 한다. 예를 들면, 세정부(120, 130)는 반도체 소자들(SD)에 직접 접촉하여 반도체 소자들(SD)의 오염 물질(CM1)을 제거할 수 있다. 세정부(120, 130)는 다공성 흡수 부재(120), 회전 구동부(130) 및 급수관(124)을 포함할 수 있다. 세정부(120, 130)에 대한 자세한 사항은 도 3 및 도 4에서 설명하기로 한다.
이송부(110)는 복수의 반도체 소자들(SD)을 갖는 기판(S)을 X축 및 Y축 방향으로 이송시킬 수 있다. 이송부(110)는 기판(S)을 다공성 흡수 부재(120)를 향해 이송시킬 수 있다. 또한, 이송부(110)는 기판(S)을 린스 장치(200) 및 건조 장치(300)를 향해 이송시킬 수 있다. 이송부(110)는 이송 헤드(111), 이송 레일(112) 및 승강 부재(113)를 포함할 수 있다.
이송 헤드(111)는 기판 공급부(미도시)로부터 기판(S)을 픽업하는 역할을 수행할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 이송 헤드(111)는 플립된 기판(S)을 픽업할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자들(SD)은 기판(S)의 Y축 방향으로 배치될 수 있다. 이송 헤드(111)는 기판(S)을 X축 방향으로 이송하기 위해, 이송 레일(112)을 따라 X축 방향으로 이동할 수 있다.
승강 부재(113)는 기판(S)을 Y축 방향으로 이송하기 위해, 이송 헤드(111)를 Y축 방향으로 이송시킬 수 있다. 예를 들면, 이송 헤드(111)가 다공성 흡수 부재(120)의 상측에 배치될 때, 승강 부재(113)는 이송 헤드(111)를 Y축 방향으로 이동시킬 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자들(SD)은 다공성 흡수 부재(120)의 세정면들(121) 중 어느 하나와 접촉할 수 있다. 이송부에 대한 자세한 사항은 도 7 내지 도 12에서 후술한다.
수조(140)는 다공성 흡수 부재(120)의 아래에 배치될 수 있다. 수조(140)는 내부에 세정수(141)를 수용하는 수용 공간(미부호)을 가질 수 있다. 수조(140)는 상부에 수용 공간과 연통된 개구부(미부호)를 가질 수 있다. 다공성 흡수 부재(120)의 적어도 일부는 개구부를 통해 수용 공간에 배치될 수 있다. 이에 따라, 다공성 흡수 부재(120)의 적어도 일부는 세정수(141)에 담가질 수 있다.
오염 물질 제거부(150)는 간접적으로 다공성 흡수 부재(120)에 진동을 제공하여, 다공성 흡수 부재(120)의 오염 물질(CM2)을 제거할 수 있다. 오염 물질 제거부(150)는 수조(140)의 하부에 결합될 수 있다. 오염 물질 제거부(150)는 세정수(141)에 진동을 제공하여, 세정수(141)에 담가진 다공성 흡수 부재(120)의 오염 물질(CM2)을 제거할 수 있다. 오염 물질 제거부(150)는 세정수(141)에 초음파 진동을 제공하는 초음파 진동자를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않고, 세정수(141)에 진동을 제공할 수 있는 다양한 구성들을 포함할 수 있다.
감지부(160)는 수위 측정 센서(161) 및 오염 측정 센서(162)를 포함할 수 있다.
수위 측정 센서(161)는 수조(140) 내에 배치될 수 있다. 수위 측정 센서(161)는 수조(140) 내의 세정수(141)의 수위를 측정할 수 있다. 수위 측정 센서(161)는 측정된 세정수(141)의 수위 정보(I1)를 컨트롤러(190)로 전송할 수 있다.
오염 측정 센서(162)는 수조(140) 내에 배치될 수 있다. 오염 측정 센서(162)는 수조(140) 내의 세정수(141)의 오염 정도를 측정할 수 있다. 예를 들면, 오염 측정 센서(162)는 세정수(141)에 포함된 오염 물질(CM3)의 농도를 측정할 수 있다. 오염 측정 센서(162)는 측정된 오염 정보(I2)의 농도를 컨트롤러(190)로 전송할 수 있다. 오염 정보(I2)는 세정수(141)에 포함된 오염 물질(CM3)의 농도 값을 포함할 수 있다.
배관부(170)는 급수 배관(171), 배수 배관(173), 급수 밸브(172), 및 배수 밸브(174)를 포함할 수 있다.
급수 배관(171)은 수조(140)와 연결되어, 수조(140) 내로 세정수(141)를 공급할 수 있다. 예를 들면, 급수 배관(171)은 수조(140)의 최상부에 연결될 수 있다. 여기서, 세정수(141)는 초순수(DI water: DeIonized water)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 배수 배관(173)은 수조(140)와 연결되어, 수조(140) 내의 세정수(141), 오염 물질(CM3) 등을 수조(140)의 외부로 배수할 수 있다. 예를 들면, 배수 배관(173)은 수조(140)의 최하부와 연결될 수 있다.
급수 밸브(172)는 급수 배관(171) 상에 배치될 수 있다. 급수 밸브(172)는 컨트롤러(190)에 의해 급수 배관(171)을 개폐할 수 있다. 배수 밸브(174)는 배수 배관(173) 상에 배치될 수 있다. 배수 밸브(174)는 컨트롤러(190)에 의해 배수 배관(173)을 개폐할 수 있다.
컨트롤러(190)는 이송부(110), 회전 구동부(130), 오염 물질 제거부(150), 급수 밸브(172), 배수 밸브(174)를 제어할 수 있다. 또한, 컨트롤러(190)는 세척 장치(200) 및 건조 장치(300)를 제어할 수 있다. 컨트롤러(190)는 기 설정된 시간마다 다공성 흡수 부재(120)가 기 설정된 각도만큼 회전하도록 회전 구동부(130)를 제어할 수 있다. 이에 대한 자세한 사항은 도 5에서 후술한다.
컨트롤러(190)는 수위 측정 센서(161) 및 오염 측정 센서(162)에서 측정한 정보들(I1, I2)을 수신할 수 있다. 컨트롤러(190)는 수위 정보(I1)를 이용하여, 급수 밸브(172)의 개폐 및/또는 배수 밸브(174)의 개폐를 제어할 수 있다. 예를 들면, 컨트롤러(190)는 급수 밸브(172)와 배수 밸브(174)를 모두 개방할 수 있다. 컨트롤러(190)는 수위 정보(I1)가 기 설정된 최고 수위보다 클 때, 급수 밸브(172)를 폐쇄할 수 있다. 이에 따라, 수조(140) 내의 세정수(141)가 넘치는 것을 방지할 수 있다. 컨트롤러(190)는 수위 정보(I1)가 기 설정된 최저 수위보다 작을 때, 배수 밸브(174)를 폐쇄할 수 있다. 이에 따라, 다공성 흡수 부재(120)가 수조(140)의 세정수(141)에 담가지지 않는 것을 방지할 수 있다.
컨트롤러(190)는 오염 정보(I2)를 이용하여, 급수 밸브(172)의 개폐 및/또는 배수 밸브(174)의 개폐를 제어할 수 있다. 예를 들면, 컨트롤러(190)는 급수 밸브(172)와 배수 밸브(174)를 모두 폐쇄할 수 있다. 컨트롤러(190)는 오염 정보(I2)가 기 설정된 오염도보다 클 때, 배수 밸브(174) 및 급수 밸브(172)를 모두 개방할 수 있다.
린스 장치(200)는 기판 세정 장치(100) 및 건조 장치(300) 사이에 배치될 수 있다. 린스 장치(200)는 이송부(110)에 의해 이송되는 기판(S)의 이송 경로 상에 배치될 수 있다. 린스 장치(200)는 반도체 소자들(SD) 및/또는 기판(S)에 잔류하는 오염 물질(CM1', 도 10 참조)을 제거할 수 있다. 린스 장치(200)는 세제액 분사부(210)와 세척액 분사부(220)를 포함할 수 있다.
세제액 분사부(210)는 기판 세정 장치(100)와 세척액 분사부(220) 사이에 배치될 수 있다. 세제액 분사부(210)은 기판 세정 장치(100)를 통과한 기판(S)을 향해 세제액을 분사할 수 있다. 세제액은 계면활성제를 포함하나, 이에 한정되지 않는다. 세제액은 반도체 소자들(SD) 및/또는 기판(S) 상의 오염 물질(CM1', 도 10 참조)을 제거할 수 있다.
세척액 분사부(220)는 세제액 분사부(210)과 건조 장치(300) 사이에 배치될 수 있다. 세척액 분사부(220)는 세제액 분사부(210)를 통과한 기판(S)을 향해 세척액을 분사할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자들(SD) 및/또는 기판(S)에 잔류한 세제액을 제거할 수 있다. 세척액은 초순수일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
건조 장치(300)는 린스 장치(200)를 통과한 기판(S)을 건조할 수 있다. 건조 장치(300)는 이송부(110)에 의해 이송되는 기판(S)의 이송 경로 상에 배치될 수 있다. 건조 장치(300)는 기판(S)을 향해 고온의 건조 공기를 분사할 수 있다. 건조 공기에 의해 기판(S) 및/또는 반도체 소자들(SD)에 잔류한 세척액은 증발될 수 있다. 즉, 잔류한 세척액은 제거될 수 있다. 이에 따라, 건조 장치(300)는 반도체 소자들(SD)에 세척액에 의한 얼룩 발생을 방지할 수 있다.
이와 달리, 다른 실시예에서, 기판 세정 설비(10)는 린스 장치(200)가 생략될 수 있다. 이 때, 건조 장치(300)는 기판 세정 장치(100)를 통과한 기판(S)을 향해 고온의 건조 공기를 분사할 수 있다. 이에 따라, 건조 장치(300)는 반도체 소자들(SD)에 세정수에 의한 얼룩 발생을 방지할 수 있다.
도 3은 도 1의 세정부의 일부 구성을 나타낸 분해사시도이다. 도 4는 도 1의 세정부를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 세정부(120, 130)는 다공성 흡수 부재(120), 회전 구동부(130) 및 급수관(124)을 포함할 수 있다. 또한, 세정부(120, 130)는 지지 부재(125), 및 충격 흡수 부재(126)를 더 포함할 수 있다.
다공성 흡수 부재(120)는 복수의 세정면들(121)을 갖는 다각 기둥으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 다공성 흡수 부재(120)는 양끝단면들이 정다각형일 수 있다. 다공성 흡수 부재(120)의 세정면들(121)은 양끝단면들의 각각을 연결할 수 있다. 즉, 세정면들(121)은 다공성 흡수 부재(120)의 둘레면을 형성할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 다공성 흡수 부재(120)는 6개의 세정면들(121)을 갖는 육각 기둥일 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예들에서, 다공성 흡수 부재(120)는 삼각 기둥, 사각 기둥, 오각 기둥, 팔각 기둥 등으로 형성될 수 있다. 세정면들(121)은 평평하게 형성될 수 있다. 세정면들(121)의 각각은 반도체 소자들(SD)의 오염 물질(CM1)을 제거하는 과정에서, 오염 물질(CM2)이 묻을 수 있다.
다공성 흡수 부재(120)는 흡습성, 보수성, 내구성, 내화성 등이 우수한 PVA 스펀지(Polyvinyl Alcohol Sponge)일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 다공성 흡수 부재(120)는 세정면들(121) 중 어느 하나가 반도체 소자들(SD)과 접촉하여 상기 오염 물질(CM1)을 제거할 수 있다. 이에 대한 자세한 사항은 도 7 내지 도 12에서 후술한다.
다공성 흡수 부재(120)는 내부에 급수관(124)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 다공성 흡수 부재(120)는 내부에 급수관(124)이 삽입되는 삽입되는 삽입 홈(122)을 가질 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 삽입 홈(122)은 다공성 흡수 부재(120)의 일단으로부터 다공성 흡수 부재(120)의 장방향을 따라 길게 형성될 수 있다. 삽입 홈(122)은 다공성 흡수 부재(120)의 가상의 회전 축(C) 상에 배치될 수 있다. 이와 달리, 다른 실시예들에서, 다공성 흡수 부재(120)는 내부에 급수관(124)이 관통되는 관통 홀(미도시)을 가질 수 있다.
회전 구동부(130)는 다공성 흡수 부재(120)를 소정의 각도만큼 회전시킬 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 회전 구동부(130)는 기 설정된 시간(예를 들면, 2개월)마다 육각 기둥의 다공성 흡수 부재를 60도만큼 회전시킬 수 있다. 회전 구동부(130)는 모터(131)와 연결 부재(132, 133)를 포함할 수 있다.
연결 부재(132, 133)는 다공성 흡수 부재(120)와 모터(131)를 연결할 수 있다. 또한, 연결부재(132, 133)는 다공성 흡수 부재(120)와 지지 부재(125)를 연결할 수 있다. 본 발명의 일 실시에에 따르면, 연결 부재(132, 133)는 다공성 흡수 부재(120)의 일단과 연결되는 제1 연결 부재(133) 및 다공성 흡수 부재(120)의 타단과 연결되는 제2 연결 부재(132)를 포함할 수 있다.
제1 연결 부재(133)는 제1 베이스부(1331)와 제1 측벽부(1332)를 포함할 수 있다. 제1 연결 부재(133)는 원통형일 수 있다. 제1 베이스부(1331)는 원판형의 플레이트일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제1 베이스부(1331)는 급수관(124)이 관통되는 관통 홀(1331a)을 가질 수 있다. 관통 홀(1331a)은 제1 베이스부(1331)의 중심에 배치될 수 있다. 제1 측벽부(1332)는 제1 베이스부(1331)의 가장 자리로부터 다공성 흡수 부재(120)의 일단을 향해 연장될 수 있다. 제1 측벽부(1332)는 다공성 흡수 부재(120)의 일단에 형성된 연결 홈(123)에 삽입될 수 있다. 이에 따라, 제1 연결 부재(133)는 다공성 흡수 부재(120)의 일단에 연결될 수 있다.
제2 연결 부재(132)는 제2 베이스부(1321)와 제2 측벽부(1322)를 포함할 수 있다. 제2 연결 부재(132)는 원통형일 수 있다. 제2 베이스부(1321)는 원판형의 플레이트일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 제2 측벽부(1322)는 제2 베이스부(1321)의 가장 자리로부터 다공성 흡수 부재(120)의 타단을 향해 연장될 수 있다. 제2 측벽부(1322)는 다공성 흡수 부재(120)의 타단에 형성된 연결 홈(123)에 삽입될 수 있다. 이에 따라, 제2 연결 부재(132)는 다공성 흡수 부재(120)의 타단에 연결될 수 있다.
모터(131)는 제2 연결 부재(132)와 연결될 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 모터(131)는 제2 베이스부(1321)의 중심과 연결되어, 제2 연결 부재(132)를 회전시킬 수 있다. 이에 따라, 다공성 흡수 부재(120)는 회전될 수 있다. 모터(131)는 컨트롤러(190)에 의해 구동할 수 있다. 모터(131)는 컨트롤러(190)에 의해 다공성 흡수 부재(120)의 회전 각도를 조절할 수 있다.
급수관(124)은 다공성 흡수 부재(120)의 내부에 배치될 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 급수관(124)은 다공성 흡수 부재(120)의 삽입 홈(122)에 삽입될 수 있다. 급수관(124)은 원형의 관일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 급수관(124)은 삽입 홈(122)에 삽입될 때, 제1 연결 부재(133)의 관통 홀(1331a)을 관통할 수 있다. 급수관(124)과 관통 홀(1331a) 사이에 볼 베어링(미도시)이 배치될 수 있다. 볼 베어링(미도시)은 다공성 흡수 부재(120)가 회전할 때, 급수관(124)이 회전되는 것을 방지할 수 있다.
급수관(124)은 내부에 세정수가 유동할 수 있다. 여기서, 세정수는 초순수(DI water: DeIonized water)일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 급수관(124)은 내부에 유동하는 세정수를 배출하는 복수의 배출 홀들(124a)을 가질 수 있다. 복수의 배출 홀들(124a)은 급수관(124)의 둘레면에 배치될 수 있다. 예를 들면, 배출 홀들(124a)은 세정수가 사방으로 배출될 수 있도록 급수관(124)의 둘레를 따라 일정 간격으로 배치될 수 있다. 이에 따라, 급수관(124)에서 배출된 세정수는 다공성 흡수 부재(120)에 골고루 흡수될 수 있다.
다공성 흡수 부재(120)가 세정수를 흡수함으로써, 세정면들(121)은 세정될 수 있다. 이에 따라, 세정수를 흡수한 다공성 흡수 부재(120)는 세정수를 흡수하지 않은 다공성 흡수 부재보다 상기 오염 물질(CM1)을 더 많이 제거할 수 있다.
지지 부재(125)는 다공성 흡수 부재(120)를 지지할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 지지 부재(125)는 제1 및 제2 연결 부재들(132, 133)의 하부를 지지함으로써, 다공성 흡수 부재(120)를 지지할 수 있다.
충격 흡수 부재(126)는 지지 부재(125)의 하부와 연결될 수 있다. 충격 흡수 부재(126)는 지지 부재(125)를 통해 다공성 흡수 부재(120)에 제공된 외력을 제공받을 수 있다. 충격 흡수 부재(126)는 소정의 외력을 제공받을 때, 변형될 수 있다. 충격 흡수 부재(126)는 스프링(Spring) 등과 같은 탄성체일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
충격 흡수 부재(126)가 다공성 흡수 부재(120)에 제공된 외력을 흡수하는 과정을 예를 들어 설명한다.
승강 부재(113)는 기판(S)을 Y축 방향으로 이송시켜, 반도체 소자들(SD)을 다공성 흡수 부재(120)의 세정면들(121) 중 어느 하나에 접촉시킬 수 있다. 이하, 반도체 소자들(SD)과 접촉한 세정면을 제1 접촉 세정면(121a, 도 1 참조)이라 지칭한다. 반도체 소자들(SD)이 제1 접촉 세정면(121a)에 접촉될 때, 다공성 흡수 부재(120)는 반도체 소자들(SD)로부터 외력을 제공받을 수 있다. 또한, 반도체 소자들(SD)는 반작용에 의해 제1 접촉 세정면(121a)으로부터 동일한 외력을 제공받을 수 있다. 승강 부재(113)는 반도체 소자들(SD)이 제1 접촉 세정면(121a)에 접촉한 상태에서 기판(S)을 Y축 방향으로 이동시킬 수 있다. 이때, 다공성 흡수 부재(120) 및 반도체 소자들(SD)에 제공되는 외력이 증가할 수 있다. 일정 이상(예를 들면, 약 20N 이상)의 외력이 반도체 소자들(SD)에 제공될 때, 반도체 소자들(SD)은 파손될 수 있다. 그러나, 충격 흡수 부재(126)는 다공성 흡수 부재(120)에 제공된 외력의 일부를 흡수하여, 압축 변형될 수 있다. 이에 따라, 다공성 흡수 부재(120)는 미세하게 Y축 방향으로 이동하고, 반도체 소자들(SD)에 제공되는 외력은 감소될 수 있다. 즉, 충격 흡수 부재(126)는 반도체 소자들(SD)의 파손을 방지할 수 있다.
도 5a 및 도 5b는 도 1의 다공성 흡수 부재의 회전 과정을 설명하기 위한 개략도이다.
도 1 내지 도 5b를 참조하면, 이송부(110)의 승강 부재(113)는 반도체 소자들(SD)이 기 설정된 기준 높이(Hs)에 위치되도록 이송 헤드(111)를 Y축 방향으로 이송할 수 있다. 반도체 소자들(SD)는 상기 기준 높이(Hs)에 위치될 때, 제1 접촉 세정면(121a)과 접촉할 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 제1 접촉 세정면(121a)는 세정면들 중 최상측에 위치될 수 있다.
제1 접촉 세정면(121a)은 상기 기준 높이(Hs)에 대응되게 배치될 수 있다. 여기서, 기준 높이(Hs)에 대응되게 배치된다는 것은 기준 높이(Hs)와 동일 또는 위에 배치되는 것을 의미할 수 있다.
반도세 소자들(SD)과 제1 접촉 세정면(121a)과 접촉될 때, 제1 접촉 세정면(121a)은 반도체 소자들(SD)로부터 외력(대략 20N 미만)을 제공받을 수 있다. 제1 접촉 세정면(121a)은 반도체 소자들(SD)로부터 외력을 제공받을 때, 기준 높이(Hs)보다 아래에 배치될 수 있다. 또한, 제1 접촉 세정면(121a)은 반도체 소자들(SD)로부터 외력이 제공되지 않을 때, 다공성 흡수 부재(120)의 복원력에 의해 신속하게 기준 높이(Hs)와 대응되게 배치될 수 있다. 그러나, 반복적으로 외력을 제공받은 제1 접촉 세정면(121a)은 다공성 흡수 부재(120)의 복원력에 의해 신속하게 기준 높이(Hs)와 대응되게 배치되지 않을 수 있다. 이때, 반도체 소자들(SD)은 제1 접촉 세정면(121a)과 비접촉될 수 있다. 이에 따라, 상기 오염 물질(CM1)은 제1 접촉 세정면(121a)에 의해 제거되지 않을 수 있다.
회전 구동부(130)는 기 설정된 시간마다 다공성 흡수 부재(120)를 소정의 각도만큼 회전시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 접촉 세정면(121a) 이외의 다른 세정면들 중 어느 하나(이하, 제2 접촉 세정면, 121b)가 세정면들(121) 중 최상측에 배치될 수 있다. 제2 접촉 세정면(121b)은 반도체 소자들(SD)로부터 외력을 일정 시간 이상 제공받지 않아, 상기 기준 높이(Hs)와 대응되게 배치될 수 있다. 이에 따라, 제2 접촉 세정면(121b)이 반도체 소자들(SD)과 접촉하여, 상기 오염 물질(CM1)을 제거할 수 있다.
다공성 흡수 부재(120)가 소정의 각도만큼 회전함으로써, 제1 접촉 세정면(121a)은 반도체 소자들(SD)로부터 외력을 제공받지 않을 수 있다. 이에 따라, 제1 접촉 세정면(121a)은 다공성 흡수 부재(120)의 복원력에 의해 천천히 원상태로 복귀될 수 있다. 또한, 제1 접촉 세정면(121a)은 오염 물질 제거부(150)에 의해 오염 물질(CM2)이 제거된 후, 다시 반도체 소자들(SD)과 접촉할 수 있다. 즉, 다공성 흡수 부재(120)는 반영구적으로 사용할 수 있다.
도 6a 내지 도 6c는 도 1의 기판 세정 설비에 의해 변화되는 기판의 모습을 나타낸 도면들이다. 도 6a는 기판 세정 장치를 통과하기 전의 기판을 나타낸다. 도 6b는 기판 세정 장치를 통과한 후의 기판을 나타낸다. 도 6c는 기판 세정 장치와 비세정부를 통과한 후의 기판을 나타낸다.
도 1 내지 도 6c를 참조하면, 반도체 소자들(SD)은 기판(S) 상에 배치될 수 있다. 반도체 소자들(SD)은 기판(S) 상에 배치된 후, 몰딩 처리될 수 있다. 몰딩 처리된 반도체 소자들(SD)의 각각은 소우 소터(saw sorter, 미도시)에 의해 소잉(sawing)될 수 있다. 소잉 공정 등을 통해 오염 물질(CM1)이 반도체 소자들(SD)에 묻을 수 있다. 또한, 반도체 소자들(SD)에 마크가 표시될 수 있다. 이 때, 오염 물질(CM1)인 그을음(soot)이 반도체 소자들(SD) 에 묻을 수 있다.
도 6a를 참조하면, 오염 물질(CM1)은 반도체 소자들(SD)의 가장자리를 따라 위치될 수 있다. 오염 물질(CM1)은 반도체 소자들(SD)의 외관 품질이 저하시키고, 반도체 소자들(SD)의 불량을 야기할 수 있다.
도 1 내지 도 6b를 참조하면, 반도체 소자들(SD)은 다공성 흡수 부재(120)의 세정면들(121) 중 어느 하나와 접촉하여, 오염 물질(CM1)을 대부분 제거할 수 있다. 예를 들면, 기판 세정 장치(100)는 대략 90%의 오염 물질(CM1)을 제거할 수 있다. 그러나, 대략 10%의 오염 물질(CM1')이 반도체 소자들(SD)에 잔류할 수 있다.
도 1 내지 도 6c를 참조하면, 반도체 소자들(SD)은 세제액 분사부(210)에서 분사된 세제액에 의해, 잔류된 오염 물질(CM1')을 거의 제거할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자들(SD)의 외관 품질이 향상될 수 있다. 또한, 오염 물질(CM1)에 의한 반도체 소자들(SD)의 불량률이 감소할 수 있다.
이하, 상술한 기판 세정 설비(10)를 이용한 기판 처리 방법에 대해 설명한다.
도 7 내지 도 11은 도 1의 기판 세정 설비가 기판을 세정, 린스 및 건조하는 과정들을 나타낸 개략도들이다.
도 1 내지 도 4, 도 7 내지 도 8를 참조하면, 이송부(110)는 반도체 소자들(SD)을 갖는 기판(S)을 기판 공급부(미도시)로부터 픽업할 수 있다. 기판(S)을 픽업한 이송부(110)는 다공성 흡수 부재(120)를 향해 이송할 수 있다. 이송부(110)는 반도체 소자들을 다공성 흡수 부재(120)의 세정면들(121) 중 어느 하나와 접촉시킬 수 있다.
도 9를 참조하면, 이송부(110)는 반도체 소자들(SD)이 제1 접촉 세정면(121a)과 접촉한 상태에서 기판(S)을 제1 접촉 세정면(121a)과 평행하게 왕복 운동할 수 있다. 즉, 이송부(110)는 반도체 소자들(SD)을 제1 접촉 세정면(121a)에 문지를 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자들(SD)의 오염 물질(CM1)이 1차적으로 제거될 수 있다. 이때, 상기 오염 물질(CM1)이 제1 접촉 세정면(121a)에 묻을 수 있다.
도 10을 참조하면, 이송부(110)는 기판 세정 장치(100)를 통과한 후, 기판(S)을 세제액 분사부(210)를 향해 이송시킬 수 있다. 세제액 분사부(210)는 기판(S)의 반도체 소자들(SD)을 향해 세제액을 분사할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자들(SD)에 잔류된 오염 물질(CM1')이 2차적으로 제거될 수 있다.
이송부(110)는 세제액 분사부(210)를 통과한 후, 기판(S)을 세척액 분사부(220)를 향해 이송시킬 수 있다. 세척액 분사부(220)는 기판(S)을 향해 세척액을 분사할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자들(SD) 및/또는 기판(S)에 잔류된 세제액은 세척액에 의해 제거될 수 있다.
도 11을 참조하면, 이송부(110)는 세척액 분사부(220)를 통과한 기판(S)을 건조 장치(300)를 향해 이송시킬 수 있다. 건조 장치(300)는 기판(S)을 행해 건조 공기를 분사할 수 있다. 이에 따라, 반도체 소자들(SD) 및/또는 기판(S)에 잔류된 세척액을 제거할 수 있다.
또한, 회전 구동부(130)는 다공성 흡수 부재(120)를 회전시켜, 제1 접촉 세정면(121a)을 수조(140) 내에 배치시킨다. 이에 따라, 제1 접촉 세정면(121a)은 세정수(141)에 담가질 수 있다. 제1 접촉 세정면(121a)은 세정수(141)를 통해 진동을 제공받을 수 있다. 이에 따라, 제1 접촉 세정면(121a)에 묻은 오염 물질(CM2)이 제거될 수 있다. 제1 접촉 세정면(121a)에서 제거된 오염 물질(CM3)는 배수 배관(173)을 통해 수조(140) 외부로 배출될 수 있다.
도 12는 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 세정 설비를 나타낸 개략도이다. 도 13은 도 12의 기판 세정 설비를 나타낸 블록도이다. 설명의 간결함을 위해, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한 실시예와 실질적으로 동일한 구성요소에 대한 설명은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 기판 세정 설비(11)는 기판 세정 장치(100'), 린스 장치(200) 및 건조 장치(300)를 포함할 수 있다.
기판 세정 장치는 이송부(110), 세정부(120', 130), 수조(140), 오염 물질 제거부(150'), 배관부(170'), 감지부(160') 및 컨트롤러(190')를 포함할 수 있다.
세정부(120', 130)는 다공성 흡수 부재(120'), 급수관(124), 및 회전 구동부(130)를 포함할 수 있다. 다공성 흡수 부재(120')는 8개의 세정면들(121)을 갖는 8각 기둥으로 형성될 수 있다. 다공성 흡수 부재(120')는 내부에 배치된 급수관(124)을 통해 세정수를 공급받을 수 있다. 다공성 흡수 부재(120')는 기판(S)의 이송 경로 상에 배치될 수 있다. 세정면들(121) 중 어느 하나는 이송 중인 기판(S)의 반도체 소자들(SD)과 접촉하여, 반도체 소자들(SD)의 오염 물질(CM1)을 제거할 수 있다.
오염 물질 제거부(150')는 반도체 소자들(SD)과 비접촉하는 세정면들 중 어느 하나에 진동을 직접 제공할 수 있다. 본 발명의 실시예들에 따르면, 오염 물질 제거부(150')는 접촉 플레이트(151)와, 접촉 플레이트(151)를 왕복 운동시키는 구동부(152)를 포함할 수 있다. 접촉 플레이트(151)는 반도체 소자들(SD)과 비접촉하는 세정면들 중 어느 하나(이하, 가압 세정면, 121c)와 평행하게 배치될 수 있다. 구동부(152)는 유압 실린더일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 구동부(152)는 접촉 플레이트(151)를 왕복 운동시킴으로써, 가압 세정면(121c)에 진동을 제공할 수 있다. 이에 따라, 세정면들(121)의 오염 물질(CM2)이 세정면들(121)로부터 떨어질 수 있다. 또한, 다공성 흡수 부재(120')에 흡수된 세정수도 다공성 흡수 부재(120')로부터 배출될 수 있다.
수조(140)는 다공성 흡수 부재(120')의 아래에 배치될 수 있다. 수조(140)는 중력 및/또는 오염 물질 제거부(150')에 의해 세정면들(121)로부터 떨어지는 오염 물질(CM2)을 수용할 수 있다. 또한, 수조(140)는 중력 및/또는 오염 물질 제거부(150')에 의해 다공성 흡수 부재(120')로부터 배출되는 세정수를 수용할 수 있다.
배관부(170')는 수조(140)의 하부와 연결된 배수 배관(173)과, 배수 배관(173)을 개폐하는 배수 밸브(174)를 포함할 수 있다.
감지부(160')는 수조(140)에 수용된 세정수(141)의 수위를 감지하는 수위 측정 센서(161), 및 반도체 소자들(SD)과 접촉되는 제1 접촉 세정면(121a)의 높이를 측정하는 높이 측정 센서(163)을 포함할 수 있다. 높이 측정 센서(163)는 측정된 제1 접촉 세정면(121a)의 높이 정보(I3)를 컨트롤러(190)로 전송할 수 있다. 높이 측정 센서(163)는 레이저 센서일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
컨트롤러(190')는 이송부(110), 회전 구동부(130), 오염 물질 제거부(150'), 배수 밸브(174)를 제어할 수 있다. 또한, 컨트롤러(190)는 린스 장치(200) 및 건조 장치(300)를 제어할 수 있다.
컨트롤러(190')는 수위 측정 센서(161)로부터 수위 정보(I1)를 수신할 수 있다. 컨트롤러(190)는 높이 측정 센서(163)으로부터 제1 접촉 세정면(121a)의 높이 정보(I3)를 수신할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 컨트롤러(190')는 높이 정보(I3)와 기 설정된 기준 높이(Hs)를 이용하여, 회전 구동부(130)의 구동을 제어할 수 있다. 예를 들면, 컨트롤러(190)은 제1 접촉 세정면(121a)이 기준 높이(Hs)보다 일정 이상 아래에 위치할 때, 다공성 흡수 부재(120')가 일정 각도(예를 들면, 45도)만큼 회전하도록 회전 구동부(130)를 제어할 수 있다. 이에 따라, 제1 접촉 세정면(121a) 외의 세정면들(121) 중 어느 하나(121b)가 반도체 소자들(SD)과 접촉될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안될 것이다.
10, 11: 기판 세정 설비 100, 101: 기판 세정 장치
110: 이송부 111: 이송 헤드
112: 이송 레일 113: 승강 부재
120: 다공성 흡수 부재 121: 세정면들
122: 삽입 홈 123: 연결 홈
124: 급수관 124a: 배수 홀들
130: 회전 구동부 131: 모터
132: 제1 연결 부재 133: 제2 연결 부재
140: 수조 141: 세정수
150, 151: 오염 물질 제거부 160: 감지부
161: 수위 측정 센서 162: 오염 측정 센서
163: 높이 측정 센서 170: 배관부
171: 급수 배관 172: 급수 밸브
173: 배수 배관 174: 배수 밸브
200: 린스 장치 210: 세제액 분사부
220: 세척액 분사부 300: 건조 장치

Claims (10)

  1. 복수의 세정면들을 갖는 다각 기둥으로 형성된 다공성 흡수 부재;
    복수의 반도체 소자들을 갖는 기판을 상기 다공성 흡수 부재를 향해 이송시켜, 상기 반도체 소자들을 상기 세정면들 중 어느 하나와 접촉시키는 이송부;
    상기 다공성 흡수 부재를 회전 시키는 회전 구동부;
    세정수를 수용하며, 감지부를 포함하는 수조; 및
    상기 감지부의 정보를 전송받는 컨트롤러를 포함하되,
    상기 컨트롤러는 상기 감지부에서 측정된 정보를 통해 상기 수조의 상기 세정수의 수위를 일정하게 유지하는 기판 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 세정면들은 평평하고,
    상기 이송부는 상기 반도체 소자들이 상기 세정면들 중 어느 하나와 접촉된 상태에서 상기 기판을 상기 반도체 소자들이 접촉된 세정면과 평행하게 왕복 이동시키는 기판 세정 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 감지부는 수위 측정 센서 및 오염 측정 센서를 포함하는 기판 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 세정수에 진동을 제공하여, 상기 세정수에 담가진 상기 다공성 흡수 부재의 오염 물질을 제거하는 오염 물질 제거부를 더 포함하는 기판 세정 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 소자들과 비접촉한 상기 세정면들 중 적어도 어느 하나에 진동을 제공하여, 상기 다공성 흡수 부재의 오염 물질을 제거하는 오염 물질 제거부를 더 포함하는 기판 세정 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 다공성 흡수 부재의 내에 배치되는 급수관을 더 포함하되,
    상기 급수관은 내부에 유동하는 세정수를 배출하는 복수의 배출 홀들을 갖는 기판 세정 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 다공성 흡수 부재는 스펀지(sponge)인 기판 세정 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 기 설정된 시간마다 상기 다공성 흡수 부재가 기 설정된 각도만큼 회전하도록 상기 회전 구동부를 제어하는 기판 세정 장치.
  9. 기판 상의 복수의 반도체 소자들의 오염 물질을 제거하는 기판 세정 장치; 및
    상기 기판 세정 장치를 통과한 상기 기판을 건조하는 건조 장치를 포함하고,
    상기 기판 세정 장치는:
    복수의 세정면들을 갖는 다각 기둥으로 형성된 다공성 흡수 부재;
    상기 기판을 상기 다공성 흡수 부재를 향해 이송시켜, 상기 반도체 소자들을 상기 세정면들 중 어느 하나와 접촉시키는 이송부;
    상기 다공성 흡수 부재를 회전시키는 회전 구동부;
    세정수를 수용하며, 감지부를 포함하는 수조; 및
    상기 감지부의 정보를 전송받는 컨트롤러를 포함하되,
    상기 컨트롤러는 상기 감지부에서 측정된 정보를 통해 상기 수조의 상기 세정수의 수위를 일정하게 유지하는 기판 세정 설비.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 기판 세정 장치를 통과한 상기 반도체 소자들에 세제액을 분사하는 세제액 분사부; 및
    상기 세제액 분사부를 통과한 상기 반도체 소자들에 세척액을 분사하는 세척액 분사부를 더 포함하는 기판 세정 설비.
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