JPS6038871B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents

半導体素子の製造方法

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JPS6038871B2
JPS6038871B2 JP52035360A JP3536077A JPS6038871B2 JP S6038871 B2 JPS6038871 B2 JP S6038871B2 JP 52035360 A JP52035360 A JP 52035360A JP 3536077 A JP3536077 A JP 3536077A JP S6038871 B2 JPS6038871 B2 JP S6038871B2
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JP
Japan
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cutting
dicing
silicon wafer
semiconductor devices
manufacturing semiconductor
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JP52035360A
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JPS53121458A (en
Inventor
潤一郎 堀内
辰男 志村
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体ウェハのダィシング法に係り特にダィシ
ング後の表面の汚れをきらう１．Ｃ等の半導体素子の製
造方法に関する。
半導体ウェハのダィシングに於いてブレードを使った方
法が用いられている。
この方法はブレードが高速回転し半導体ゥェハを切削す
る為冷却水が必要となる。切削方法には第１図に示す様
な途中迄切込む方法と、完全に分離される迄切込む方法
とがある。ところで、例えば第１図に示す如く、ダィシ
ング後の切込み溝２が形成されるシリコンゥヱハ１表面
には、切削屑３が固着してしまう。このようなシリコン
ウェハ１は切削屑３により表面が汚れている為、特性劣
化の原因となると共に半導体素子そのものの商品価値が
なくなる。しかしこの切削層３を取る場合、水などでは
取れず、酸、アルカリ等のエッチング液を用いなければ
取れないが、このエッチング液を用いることにより、シ
リコンウェハ１表面に露出しているコンタクト膜や配線
（図示せず）がエッチングされる為、順方向電圧降下大
及び断線等の不良が発生するという問題点を有する。又
１．Ｃ等の内アルミ配線を絶縁膜で保護してあるものに
ついても、少しのピンホールを通してエッチングされ断
線させることもある。又表面処理を施して安定な膜にし
てあったものも、これによりエッチングこれ耐圧劣化と
なることもある。本発明の目的はダィシング後の切削屑
を酸、アルカリ等のエッチング液を用いずに、水で容易
に除去してしまえる半導体素子の製造方法を提供するこ
とにある。
本発明の要点は、ダィシング時の冷却水に中性な表面活
性材を入れることにより、切削屑を半導体ウェハ表面に
固着されず、表面活性材上に切削肩が付着するようにし
、ダィシング後は水にて表面活性材ごと切削屑を取り除
くことにある。
本発明の一実施例を第２図を用いて説明する。第２図に
於いて、第１図と同一符号は同一物及び相当物を示す。
本実施例に於いては中性な表面活性材が溶解している冷
却水として、たとえば中性洗浄町皮び拡散前処理に使用
される中性なＮＣＷを用いてダィシングする。この場合
第２図の如く表面活性材４が切削屑３よりシリコンウヱ
ハ１側に浸み込むことにより、表面活性材４上に切削肩
３が付着し、シリコンウェハ１の表面には直接固着しな
くすることができる。又これら表面活性材４は水落性で
ある為ダィシング後、水中にシリコンウェハ１を入れ数
分超音波洗浄を行なうことにより表面活性材４ごと切削
屑３が除去できる。本発明は、半導体ウェハのダィシン
グのみならず、ダィシングする作業すべてに適用かつ、
役だつものである。本発明によれば半導体ウェハ等の表
面をエッチングせず、ダーィシング直前の外観及び特性
を保つことができる半導体素子の製造方法を得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来法によりダィシングされたシリコンウェハ
図、第２図は本発明によりダィシングされたシリコンウ
エハ図である。 １・…・・シリコンウェハ、２・・・・・・切込み溝、
３・・・・・・切削肩、４・…・・表面活性材。 茅ー図 券２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 冷却水を用いて半導体ウエハをダイシングする半導
    体素子の製造方法に於いて、上記冷却水として、中性な
    表面活性材が溶解している水を用いることを特徴とする
    半導体素子の製造方法。
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JPS53121458A JPS53121458A (en) 1978-10-23
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8580656B2 (en) 2008-07-14 2013-11-12 Air Products And Chemicals, Inc. Process for inhibiting corrosion and removing contaminant from a surface during wafer dicing and composition useful therefor
US8883701B2 (en) 2010-07-09 2014-11-11 Air Products And Chemicals, Inc. Method for wafer dicing and composition useful thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8580656B2 (en) 2008-07-14 2013-11-12 Air Products And Chemicals, Inc. Process for inhibiting corrosion and removing contaminant from a surface during wafer dicing and composition useful therefor
US8883701B2 (en) 2010-07-09 2014-11-11 Air Products And Chemicals, Inc. Method for wafer dicing and composition useful thereof
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