JPS5838935B2 - ハンドウタイハクヘンノセイゾウホウホウ - Google Patents
ハンドウタイハクヘンノセイゾウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5838935B2 JPS5838935B2 JP50016109A JP1610975A JPS5838935B2 JP S5838935 B2 JPS5838935 B2 JP S5838935B2 JP 50016109 A JP50016109 A JP 50016109A JP 1610975 A JP1610975 A JP 1610975A JP S5838935 B2 JPS5838935 B2 JP S5838935B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- wafer
- laser
- scribed
- debris
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Dicing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体薄片の製造方法、詳しく（マダイシング
ソーなど、特にレーザースクライバ−等によりスクライ
ブされた半導体装置用ウェハーの後処理方法に関するも
のである。
ソーなど、特にレーザースクライバ−等によりスクライ
ブされた半導体装置用ウェハーの後処理方法に関するも
のである。
こ＼では代表的材料であるシリコンを例にとって説明す
る。
る。
従来シリコンウェハーをレーザースクライブすると、導
電体であるシリコン溶融クズがスクライブされた溝の中
、スクライブラインの周辺、ウェハー表面等に飛着し、
簡単には除去できないため半導体装置の良品率、電気的
特性や信頼性に悪影響を与えていた。
電体であるシリコン溶融クズがスクライブされた溝の中
、スクライブラインの周辺、ウェハー表面等に飛着し、
簡単には除去できないため半導体装置の良品率、電気的
特性や信頼性に悪影響を与えていた。
この対策としてレーザースクライブ後、ウェハー状態の
まＮで超音波振動を加えた純水中で洗浄したり、シリコ
ンの腐蝕液（主に弗酸と硝酸の混合液が用いられる。
まＮで超音波振動を加えた純水中で洗浄したり、シリコ
ンの腐蝕液（主に弗酸と硝酸の混合液が用いられる。
これを以後単にシリコンエツチング液と呼ぶ）中に浸漬
させたりなどが試用されている。
させたりなどが試用されている。
しかし、これらはいずれも完全にはシリコンクズがとれ
ないとか、ベレット分割までの良品率が低下するとか、
作業が複雑すぎるとか、除去目的物以外の材料（例えば
シリコン酸化膜）までかなりエツチングされてしまう、
などの欠点かあり、十分な対策となり得なかった。
ないとか、ベレット分割までの良品率が低下するとか、
作業が複雑すぎるとか、除去目的物以外の材料（例えば
シリコン酸化膜）までかなりエツチングされてしまう、
などの欠点かあり、十分な対策となり得なかった。
本発明の目的（１、レーザーやグイシングツ−などによ
りウェハーをスクライブした時に発生付着するシリコン
クズを先に述べた様な種々の欠点なしに除去する方法を
提供することにある。
りウェハーをスクライブした時に発生付着するシリコン
クズを先に述べた様な種々の欠点なしに除去する方法を
提供することにある。
本発明の主要素はスクライブしたウェハーを通称プラズ
マエツチング装置の反応容器中に入れ、プラズマガスに
よりシリコンを選別エッチ処理することである。
マエツチング装置の反応容器中に入れ、プラズマガスに
よりシリコンを選別エッチ処理することである。
上記の如く適邑な時間と条件でプラズマ処理することに
より、付着シリコンクズは簡単な作業により、はゾ完全
に除去できるため半導体装置の薄片内配線間の電気的異
常短絡事故や信頼性低下を防止でき、半導体装置として
組立てられた後に配線引出しリードと落選周辺部との電
気的異常短絡事故も防止できる。
より、付着シリコンクズは簡単な作業により、はゾ完全
に除去できるため半導体装置の薄片内配線間の電気的異
常短絡事故や信頼性低下を防止でき、半導体装置として
組立てられた後に配線引出しリードと落選周辺部との電
気的異常短絡事故も防止できる。
又特にレーザースクライバ−を用いた場合にζ１、従来
技術でＣ′ｉスクライブした溝中にシリコンクズが相変
らず多量に残り、ウェハーを小片に分割する際に障害と
なるが、本発明で＋１、シリコンクズがはゾ完全に除去
できるため小片分割成功率が大巾に向上する。
技術でＣ′ｉスクライブした溝中にシリコンクズが相変
らず多量に残り、ウェハーを小片に分割する際に障害と
なるが、本発明で＋１、シリコンクズがはゾ完全に除去
できるため小片分割成功率が大巾に向上する。
以下に実施例を図を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図に従来技術を示す。第１図ａ）の様なレーザース
クライブ直後のウェハー（１はシリコン基板、２は表面
カバー酸化膜、３はレーザースクライブされた溝、４は
レーザースクライブにより溶融飛散したシリコンくず）
は超音波振動つき水洗によりｂ）の様にシリコンクズは
かなり落ちるが完全ではない。
クライブ直後のウェハー（１はシリコン基板、２は表面
カバー酸化膜、３はレーザースクライブされた溝、４は
レーザースクライブにより溶融飛散したシリコンくず）
は超音波振動つき水洗によりｂ）の様にシリコンクズは
かなり落ちるが完全ではない。
第２図に本発明の実施例を示す。
第１図ａ）と同様なレーザースクライブ直後のウェハで
ａをフロロカーボンガス（ＣＦ、 ”）で充満されたプ
ラズマガスエツチング装置の反応容器中に入れ、電力２
００Ｗで５分反応させるとシリコンはＣＦ４ガスプラズ
マと反応しｂ）図の様にシリコンクズは完全にエツチン
グ除去され、かつ表面の酸化膜２目殆んどエツチングさ
れないので元のまへ残る。
ａをフロロカーボンガス（ＣＦ、 ”）で充満されたプ
ラズマガスエツチング装置の反応容器中に入れ、電力２
００Ｗで５分反応させるとシリコンはＣＦ４ガスプラズ
マと反応しｂ）図の様にシリコンクズは完全にエツチン
グ除去され、かつ表面の酸化膜２目殆んどエツチングさ
れないので元のまへ残る。
こうして本発明の目的は完全に達せられる。
この原理（まレーザースクライブに限らずダイシングソ
ーで切ったウェハーにも、又ガリウムひ素（ＧａＡｓ）
の様な化合物半導体材料のウェハーにも同様に広く適用
できる。
ーで切ったウェハーにも、又ガリウムひ素（ＧａＡｓ）
の様な化合物半導体材料のウェハーにも同様に広く適用
できる。
第１図は従来技術を示す図、第２図（ま本発明の一実施
例を示す図である。 図において、１はウェハー、３はスクライブ溝、４はシ
リコンぐずである。
例を示す図である。 図において、１はウェハー、３はスクライブ溝、４はシ
リコンぐずである。
Claims (1)
- １ 半導体ウェハーにスクライブ加工を施こした後、該
半導体ウェハーを腐蝕するガスプラズマによりウェハー
を腐蝕加工することを特徴とした半導体薄片の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50016109A JPS5838935B2 (ja) | 1975-02-07 | 1975-02-07 | ハンドウタイハクヘンノセイゾウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50016109A JPS5838935B2 (ja) | 1975-02-07 | 1975-02-07 | ハンドウタイハクヘンノセイゾウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5191662A JPS5191662A (ja) | 1976-08-11 |
| JPS5838935B2 true JPS5838935B2 (ja) | 1983-08-26 |
Family
ID=11907336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50016109A Expired JPS5838935B2 (ja) | 1975-02-07 | 1975-02-07 | ハンドウタイハクヘンノセイゾウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5838935B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008098228A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS607730A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 集積型光起電力装置の製造方法 |
| JPS6066872A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPS60103623A (ja) * | 1983-11-10 | 1985-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | レ−ザ加工方法 |
| JPS60110178A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPH0693518B2 (ja) * | 1984-04-05 | 1994-11-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置作製方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933574A (ja) * | 1972-07-26 | 1974-03-28 |
-
1975
- 1975-02-07 JP JP50016109A patent/JPS5838935B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933574A (ja) * | 1972-07-26 | 1974-03-28 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008098228A (ja) * | 2006-10-06 | 2008-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップの製造方法 |
| US7767551B2 (en) | 2006-10-06 | 2010-08-03 | Panasonic Corporation | Method for fabricating semiconductor chip |
| JP4544231B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2010-09-15 | パナソニック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5191662A (ja) | 1976-08-11 |
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