JPH02196426A - ヒ化アルミニウムガリウムの選択エッチング法 - Google Patents
ヒ化アルミニウムガリウムの選択エッチング法Info
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- JPH02196426A JPH02196426A JP1218763A JP21876389A JPH02196426A JP H02196426 A JPH02196426 A JP H02196426A JP 1218763 A JP1218763 A JP 1218763A JP 21876389 A JP21876389 A JP 21876389A JP H02196426 A JPH02196426 A JP H02196426A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
- H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/051—Etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/056—Gallium arsenide
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、デイフェンスアドバンストリサーチプロジェ
クトエージエンシー（Ｄｅｆｅｎｃｅ Ａｄｖａｃｅｄ
Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ａｇｅｎｃｙ）による契約番号Ｐ
２９６０１−８２−Ｒ−０２０２、および空車ライト航
空研究所（Ａｉｒ ＦｏｒｃｅＷｒｉｇｈｔ Ａｅｒｏ
ｎａｕｔｉｃａ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅ３）による契
約番号Ｆ ３３６１５−８４−Ｃ−１５７０に基づき、
米国政府援助によりなされたものである。米国政府は本
発明について一定の権利を有する。
クトエージエンシー（Ｄｅｆｅｎｃｅ Ａｄｖａｃｅｄ
Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ａｇｅｎｃｙ）による契約番号Ｐ
２９６０１−８２−Ｒ−０２０２、および空車ライト航
空研究所（Ａｉｒ ＦｏｒｃｅＷｒｉｇｈｔ Ａｅｒｏ
ｎａｕｔｉｃａ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｅ３）による契
約番号Ｆ ３３６１５−８４−Ｃ−１５７０に基づき、
米国政府援助によりなされたものである。米国政府は本
発明について一定の権利を有する。
本特許明細書は、ＲｏＥ、Ａｈｒｅｎｓ等により発明さ
れ、本発明と同一譲受人に壌渡されたｒ ＧａＡｓ集積
回路の製造」と題する特許明細書と同時に出願されたも
のである。
れ、本発明と同一譲受人に壌渡されたｒ ＧａＡｓ集積
回路の製造」と題する特許明細書と同時に出願されたも
のである。
本発明は、一般に半導体装置製造に関するものであり、
より詳しくは、かかる製造においてヒ化ガリウムに優先
してヒ化アルミニウガリウムを選択的にエツチングする
方法に関するものである。
より詳しくは、かかる製造においてヒ化ガリウムに優先
してヒ化アルミニウガリウムを選択的にエツチングする
方法に関するものである。
光学装置（例えば発光ダイオードおよび半導体レーザー
）ならびに高性能半導体装置（例えばヘテロ接合電界効
果トランジスターおよびヘテロ接合バイポーラトランジ
スター）は、異なったバンドギャップエネルギーを有す
る半導体材料をその中に有している。異なったバンドギ
ャップエネルギーやそれに付随する屈折率差は、ポテン
シャルの井戸、トンネリングおよび、導波のような所望
の量子力学的特徴と機能を装置に与える。ヒ化ガリウム
のような化合物半導体は、望ましい種々のバンドギャッ
プエネルギーを与え、正確に制御された層に容易に堆積
される。例えば、ヒ化ガリウム中のガリウムをアルミニ
ウムで置換することにより（ヒ化アルミニウムガリウム
またはＡ Ｉ ＧａＡｓの形成）、バンドギャップエネ
ルギーを増大させることができる。一般に、アルミニウ
ム添加量が増加するほど、バンドギャップエネルギーも
増加する。ＧａＡｓ ／ Ａ Ｉ ＧａＡｓ材料は、固
相（ｓｏｌｉｄ ５ｏｕｒｃｅ）分子線エピタキシィ（
ＭＢＥ） 、金属−有機ＭＢＥ、気相（ｇａｓ ５ｏｕ
ｒｃｅ） Ｍ Ｂ Ｅまたは金属−有機化学気相成長法
（ＭＯＣＶＤ）を用いて層として析出することができる
。これら２つの技術は化合物半導体結晶をほとんど原子
単位で成長させることを可能にする。
）ならびに高性能半導体装置（例えばヘテロ接合電界効
果トランジスターおよびヘテロ接合バイポーラトランジ
スター）は、異なったバンドギャップエネルギーを有す
る半導体材料をその中に有している。異なったバンドギ
ャップエネルギーやそれに付随する屈折率差は、ポテン
シャルの井戸、トンネリングおよび、導波のような所望
の量子力学的特徴と機能を装置に与える。ヒ化ガリウム
のような化合物半導体は、望ましい種々のバンドギャッ
プエネルギーを与え、正確に制御された層に容易に堆積
される。例えば、ヒ化ガリウム中のガリウムをアルミニ
ウムで置換することにより（ヒ化アルミニウムガリウム
またはＡ Ｉ ＧａＡｓの形成）、バンドギャップエネ
ルギーを増大させることができる。一般に、アルミニウ
ム添加量が増加するほど、バンドギャップエネルギーも
増加する。ＧａＡｓ ／ Ａ Ｉ ＧａＡｓ材料は、固
相（ｓｏｌｉｄ ５ｏｕｒｃｅ）分子線エピタキシィ（
ＭＢＥ） 、金属−有機ＭＢＥ、気相（ｇａｓ ５ｏｕ
ｒｃｅ） Ｍ Ｂ Ｅまたは金属−有機化学気相成長法
（ＭＯＣＶＤ）を用いて層として析出することができる
。これら２つの技術は化合物半導体結晶をほとんど原子
単位で成長させることを可能にする。
本発明の主な特徴は、アルミニウム濃度の低いＡ Ｉ
ＧａＡｓまたはＧａＡｓに優先してアルミニウム濃度の
高いＡ Ｉ ＧａＡｓをエツチングするＡ Ｉ ＧａＡ
ｓエッチャントを提供するところにある。このエッチャ
ントは比較的低温（好ましくは室温）で機能するので、
慣用のフォトレジストを使用してＡ Ｉ ＧａＡｓを選
択的にエツチングすることができる。
ＧａＡｓまたはＧａＡｓに優先してアルミニウム濃度の
高いＡ Ｉ ＧａＡｓをエツチングするＡ Ｉ ＧａＡ
ｓエッチャントを提供するところにある。このエッチャ
ントは比較的低温（好ましくは室温）で機能するので、
慣用のフォトレジストを使用してＡ Ｉ ＧａＡｓを選
択的にエツチングすることができる。
このような特徴およびその他の特徴は、Ａ Ｉ ＧａＡ
ｓ上にマスキング層を堆積させ；マスキング層をパター
ニングしてエツチングすべきＡＪｉＧａＡｓｐｌ域を露
出させ； ＾ｌ ＧａＡｓ露出領域を水酸化アンモニウ
ムで洗浄し；さらにこの＾Ｉ ＧａＡｓ領域を、希フッ
化水素酸により、該希フッ化水素酸の沸点温度でエツチ
ングすることを特徴とするウェハー上のＡ Ｉ２ Ｇａ
Ａｓの選択的エツチング法の１実施態様中に与えられる
。
ｓ上にマスキング層を堆積させ；マスキング層をパター
ニングしてエツチングすべきＡＪｉＧａＡｓｐｌ域を露
出させ； ＾ｌ ＧａＡｓ露出領域を水酸化アンモニウ
ムで洗浄し；さらにこの＾Ｉ ＧａＡｓ領域を、希フッ
化水素酸により、該希フッ化水素酸の沸点温度でエツチ
ングすることを特徴とするウェハー上のＡ Ｉ２ Ｇａ
Ａｓの選択的エツチング法の１実施態様中に与えられる
。
前記およびその他の特徴を一般的に与える別の実施態様
は、Ａ Ｉ ＧａＡｓ上にフォトレジストを堆積させ；
フォトレジストをパターニングしてエッチソゲすべきＡ
ｌＧａＡｓｊｌ域を露出させ；フォトレジストをベーキ
ングし；希フッ化水素酸溶液により、該希フッ化水素酸
の沸点以下の温度でＡ Ｉ ＧａＡｓ領域をエツチング
し、フォトレジストのベーキングによりフォトレジスの
＾ｌｌ ＧａＡｓ１ｉに対する接着力を増大させること
を特徴とするウェハー上のＡｌＧａＡｓの選択的エツチ
ング法である。
は、Ａ Ｉ ＧａＡｓ上にフォトレジストを堆積させ；
フォトレジストをパターニングしてエッチソゲすべきＡ
ｌＧａＡｓｊｌ域を露出させ；フォトレジストをベーキ
ングし；希フッ化水素酸溶液により、該希フッ化水素酸
の沸点以下の温度でＡ Ｉ ＧａＡｓ領域をエツチング
し、フォトレジストのベーキングによりフォトレジスの
＾ｌｌ ＧａＡｓ１ｉに対する接着力を増大させること
を特徴とするウェハー上のＡｌＧａＡｓの選択的エツチ
ング法である。
ヒ化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＡｓ）中のアルミ
ニウムのモル濃度は通常ＡｌＸＧａ１−ＸＡＳ中のＸで
表わされる。式中Ｘは＾（ｌ ＧａＡｓ材料に要求され
るバンドギャップエネルギーに依存して、ゼロ（０％あ
るいはアルミニウムなし）から１ （アルミニウム１０
０％あるいはガリウムなし）の範囲にある。一般に、ア
ルミニウムが多くなるＡｌＧａＡｓ材料のバンドギャッ
プエネルギーは太き（なる。
ニウムのモル濃度は通常ＡｌＸＧａ１−ＸＡＳ中のＸで
表わされる。式中Ｘは＾（ｌ ＧａＡｓ材料に要求され
るバンドギャップエネルギーに依存して、ゼロ（０％あ
るいはアルミニウムなし）から１ （アルミニウム１０
０％あるいはガリウムなし）の範囲にある。一般に、ア
ルミニウムが多くなるＡｌＧａＡｓ材料のバンドギャッ
プエネルギーは太き（なる。
本明細書においては、ヒ化ガリウムをＧａＡｓで表わし
、ヒ化アルミニウムガリウムをＡ Ｉ ＧａＡＳで表わ
す。Ａ １２ ＧａＡｓ中のアルミニウム濃度はＡ Ｉ
ＧａＡｓ中のアルミニウムの百分率で表わすものとす
る。
、ヒ化アルミニウムガリウムをＡ Ｉ ＧａＡＳで表わ
す。Ａ １２ ＧａＡｓ中のアルミニウム濃度はＡ Ｉ
ＧａＡｓ中のアルミニウムの百分率で表わすものとす
る。
低アルミニウム濃度／ｌ Ｉ ＧａＡｓ層またはＧａＡ
ｓ層の存在下で、高アルミニウム濃度層を選択的にエツ
チングする方法において、高アルミニウム濃度Ａ Ｉ
ＧａＡｓＪｉが完全にエツチング除去されたときに、エ
ツチングがほぼ停止するのが好ましい。すなわち、エッ
チャントが高アルミニウム濃度ＡρＧａＡｓのエツチン
グに対比して顕著なほど低アルミニウム濃度Ａ Ｉ Ｇ
ａＡｓまたはＧａＡｓをエツチングする効力を有してい
てはならない。Ａ Ｉ ＧａＡｓの最高アルミニウム濃
度が低い場合、例えば２０％以下の場合には、八〇−Ｇ
ａＡｓのどのようなエッチャントもＡｆｉＧａＡｓに対
しては選択性が良（ないと思われる。またエツチングに
際しエッチャントを高温にする必要がないことが望まし
く、これにより作業員の取扱いが容易で安全となり、エ
ッチャントの揮発による装置腐食も減少する。フッ化水
素酸（ＨＦ）水溶液は、アルミニウム濃度が３０％以上
ならば、Ａ Ｉ ＧａＡｓを室温でエツチングするのに
有効であることが見出された。さらに、高アルミニウム
濃度、例えば５０％ないし６０％のアルミニウムの八β
ＧａＡｓをエツチングするときは、ＨＦを希釈すること
によりエツチング速度を制御することができる。
ｓ層の存在下で、高アルミニウム濃度層を選択的にエツ
チングする方法において、高アルミニウム濃度Ａ Ｉ
ＧａＡｓＪｉが完全にエツチング除去されたときに、エ
ツチングがほぼ停止するのが好ましい。すなわち、エッ
チャントが高アルミニウム濃度ＡρＧａＡｓのエツチン
グに対比して顕著なほど低アルミニウム濃度Ａ Ｉ Ｇ
ａＡｓまたはＧａＡｓをエツチングする効力を有してい
てはならない。Ａ Ｉ ＧａＡｓの最高アルミニウム濃
度が低い場合、例えば２０％以下の場合には、八〇−Ｇ
ａＡｓのどのようなエッチャントもＡｆｉＧａＡｓに対
しては選択性が良（ないと思われる。またエツチングに
際しエッチャントを高温にする必要がないことが望まし
く、これにより作業員の取扱いが容易で安全となり、エ
ッチャントの揮発による装置腐食も減少する。フッ化水
素酸（ＨＦ）水溶液は、アルミニウム濃度が３０％以上
ならば、Ａ Ｉ ＧａＡｓを室温でエツチングするのに
有効であることが見出された。さらに、高アルミニウム
濃度、例えば５０％ないし６０％のアルミニウムの八β
ＧａＡｓをエツチングするときは、ＨＦを希釈すること
によりエツチング速度を制御することができる。
しかしＨＦ溶液は、ＨＦ溶液の沸点までの温度、例えば
１００℃以上でＡ Ｉ ＧａＡｓをエツチングするのに
使用できることがわかっている。室温ＨＦエッチャント
がさらに有利な点は、低アルミニウム濃度Ａ Ｉ Ｇａ
ＡｓまたはＧａＡｓのエツチング速度を減することであ
って、下記で説明するように、これにより低アルミニウ
ム濃度Ａ ｊ２ ＧａＡｓまたはＧａＡｓの存在下での
高アルミニウム濃度Ａ Ｉ！ＧａＡｓのエツチングが、
ＨＦエッチャントによってより選択的に行えるようにな
る。
１００℃以上でＡ Ｉ ＧａＡｓをエツチングするのに
使用できることがわかっている。室温ＨＦエッチャント
がさらに有利な点は、低アルミニウム濃度Ａ Ｉ Ｇａ
ＡｓまたはＧａＡｓのエツチング速度を減することであ
って、下記で説明するように、これにより低アルミニウ
ム濃度Ａ ｊ２ ＧａＡｓまたはＧａＡｓの存在下での
高アルミニウム濃度Ａ Ｉ！ＧａＡｓのエツチングが、
ＨＦエッチャントによってより選択的に行えるようにな
る。
大ていの場合、Ａｌ ＧａＡｓのエツチングはＧａＡｓ
の存在下で起る。そこで本明細書においては、ＡｌＧａ
Ａｓのエツチング法は、普遍性を失うことなく、ＧａＡ
ｓの存在下でＡ Ｉ ＧａＡｓをエツチングすることを
中心に説明を進めることにする。とくに、ここに開示す
るエツチング方法は、低アルミニウム濃度Ａ Ｉ Ｇａ
Ａｓの存在下における、高アルミニウムＡｌＧａＡｓの
エツチングかに対しても適用することができる。
の存在下で起る。そこで本明細書においては、ＡｌＧａ
Ａｓのエツチング法は、普遍性を失うことなく、ＧａＡ
ｓの存在下でＡ Ｉ ＧａＡｓをエツチングすることを
中心に説明を進めることにする。とくに、ここに開示す
るエツチング方法は、低アルミニウム濃度Ａ Ｉ Ｇａ
Ａｓの存在下における、高アルミニウムＡｌＧａＡｓの
エツチングかに対しても適用することができる。
第１図においては、ＡｌＧａＡｓ中のアルミニウム濃度
に対する、はぼ室温（２０℃）におけるＡｌＧａＡｓの
大体のエツチング速度（μｍ ／ｍｉｎ ）を、ＨＦの
３つの異った濃度（水で希釈して）について示したグラ
フである。曲線１ａはＨＦ水溶液濃度が約４８％におけ
るエツチング速度を表わしたものである。曲線１６はＩ
（Ｆ水溶液濃度が約２４％でのエツチング速度を表わし
ている。曲線ＩＣはＨＦ水溶液濃度が９．６％でのエツ
チング速度を表わしている。ＨＦ溶液はすべて分析試薬
品位またはそれと同等のものである。第１図に示すよう
に、アルミニウム濃度が５０％またはそれ以上のときは
、エツチング速度はＨＦのすべての濃度において非常に
速い。これに対して、アルミニウム濃度が２０％未満の
ときは、エツチング速度はＨＦのすべての濃度において
非常に遅い。ＧａＡｓ （アルミニウムなし）の約２０
℃におけるエツチング速度を測定すると、４８％ＨＦに
対して１分間当り約５ｎｍで、より濃度が薄いＨＦでは
、１分間当り５ｎｎ＋以下である。
に対する、はぼ室温（２０℃）におけるＡｌＧａＡｓの
大体のエツチング速度（μｍ ／ｍｉｎ ）を、ＨＦの
３つの異った濃度（水で希釈して）について示したグラ
フである。曲線１ａはＨＦ水溶液濃度が約４８％におけ
るエツチング速度を表わしたものである。曲線１６はＩ
（Ｆ水溶液濃度が約２４％でのエツチング速度を表わし
ている。曲線ＩＣはＨＦ水溶液濃度が９．６％でのエツ
チング速度を表わしている。ＨＦ溶液はすべて分析試薬
品位またはそれと同等のものである。第１図に示すよう
に、アルミニウム濃度が５０％またはそれ以上のときは
、エツチング速度はＨＦのすべての濃度において非常に
速い。これに対して、アルミニウム濃度が２０％未満の
ときは、エツチング速度はＨＦのすべての濃度において
非常に遅い。ＧａＡｓ （アルミニウムなし）の約２０
℃におけるエツチング速度を測定すると、４８％ＨＦに
対して１分間当り約５ｎｍで、より濃度が薄いＨＦでは
、１分間当り５ｎｎ＋以下である。
ＨＦの異なった濃度について、／ｌ ｊ！ ＧａＡｓの
エツチング速度をＧａＡｓのエツチング速度で割った比
を用いると、エッチャントの大体の選択性をプロットす
ることができる。これを第２図に示す。第１図の曲線１
ａに相当する曲線２ａは、ＨＦ水溶液濃度が約４８％の
ときのエツチング選択性を表わしている。第１図の曲線
１ｂに相当する曲線２ｂは、ＨＦ水溶液濃度が２４％の
ときのエツチング選択性を表わしている。第１図の曲線
ＩＣに相当する曲線２Ｃは、ＨＦ水溶液濃度が約９．６
％のときのエツチング選択性を表わしている。前記のと
おり、ＨＦ溶液はすべて分析試薬品位またはそれと同等
のものである。第１図に示すように、アルミニウム濃度
が５０％のＡ Ｉｔ ＧａＡｓのエツチング速度範囲は
、９．６％ＨＦに対する１分間当り約０．１μｍから、
４８％ＨＦに対する１分間当り約１０μｍまでである。
エツチング速度をＧａＡｓのエツチング速度で割った比
を用いると、エッチャントの大体の選択性をプロットす
ることができる。これを第２図に示す。第１図の曲線１
ａに相当する曲線２ａは、ＨＦ水溶液濃度が約４８％の
ときのエツチング選択性を表わしている。第１図の曲線
１ｂに相当する曲線２ｂは、ＨＦ水溶液濃度が２４％の
ときのエツチング選択性を表わしている。第１図の曲線
ＩＣに相当する曲線２Ｃは、ＨＦ水溶液濃度が約９．６
％のときのエツチング選択性を表わしている。前記のと
おり、ＨＦ溶液はすべて分析試薬品位またはそれと同等
のものである。第１図に示すように、アルミニウム濃度
が５０％のＡ Ｉｔ ＧａＡｓのエツチング速度範囲は
、９．６％ＨＦに対する１分間当り約０．１μｍから、
４８％ＨＦに対する１分間当り約１０μｍまでである。
前記したＧａＡｓエツチング速度から、＾Ｉ ＧａＡｓ
のエツチング速度は、約３５０ないし１０，０００に相
当する選択性を有している。
のエツチング速度は、約３５０ないし１０，０００に相
当する選択性を有している。
前記のように高いエツチング速度と高選択性が八ｌ Ｇ
ａＡｓを均一にエツチングするには、Ａ ｊ’ ＧａＡ
ｓの表面は出来る限りきれいでなければならない。
ａＡｓを均一にエツチングするには、Ａ ｊ’ ＧａＡ
ｓの表面は出来る限りきれいでなければならない。
Ａ Ｉ ＧａＡｓ表面を水酸化アンモニウム（水で１；
１またはそれ以下に希釈したＮＨ４ＯＨ）で洗浄すると
、Ａ １ （ｒａＡｓ表面から酸化物その他の汚染物質
が除去されることが見出された。ＮＨ，ＯＨの約２０％
水溶液中にＡ Ａ’ ＧａＡｓを３０秒間浸漬し、つい
で純粋で水洗してＡ ｉ！ ＧａＡｓをきれいにするの
が好ましい。
１またはそれ以下に希釈したＮＨ４ＯＨ）で洗浄すると
、Ａ １ （ｒａＡｓ表面から酸化物その他の汚染物質
が除去されることが見出された。ＮＨ，ＯＨの約２０％
水溶液中にＡ Ａ’ ＧａＡｓを３０秒間浸漬し、つい
で純粋で水洗してＡ ｉ！ ＧａＡｓをきれいにするの
が好ましい。
ＨＦによるエツチングに先立ち、この方法でＡｌＧａＡ
ｓをきれいにすると、はぼ均一で正確なエツチングが行
われる。
ｓをきれいにすると、はぼ均一で正確なエツチングが行
われる。
Ａ Ｉ ＧａＡｓの選択エツチング法は、フォトレジス
トともに使用することにより、エツチングを望まないＡ
Ｉ ＧａＡｓの部分を保護することができる。しかし
ながら、）（Ｆが高濃度、例えばＨＦ水溶液濃度が１５
％より大きいときは、エッチャントによりフォトレジス
トにひどいアンダーカットが起る可能性がある。これは
８０℃近辺のようにエッチャント温度が高いとき、とく
に起り易い。このようなアンダーカットを抑制するため
、フォトレジストをバクーニングした後、乾燥窒素のよ
うな非反応性雰囲気中で、フォトレジストを炉内で約１
１０℃、１５分間ベーキングすることを見出した。これ
によりフォトレジストのＡ Ａ ＧａＡｓに対する接着
力を増大し、フォトレジスト中の重合体鎖が架橋してフ
ォトレジストが強靭になる。ついでフォトレジストとＡ
Ｉ ＧａＡｓ層を洗浄し前記のようにエツチングする
。
トともに使用することにより、エツチングを望まないＡ
Ｉ ＧａＡｓの部分を保護することができる。しかし
ながら、）（Ｆが高濃度、例えばＨＦ水溶液濃度が１５
％より大きいときは、エッチャントによりフォトレジス
トにひどいアンダーカットが起る可能性がある。これは
８０℃近辺のようにエッチャント温度が高いとき、とく
に起り易い。このようなアンダーカットを抑制するため
、フォトレジストをバクーニングした後、乾燥窒素のよ
うな非反応性雰囲気中で、フォトレジストを炉内で約１
１０℃、１５分間ベーキングすることを見出した。これ
によりフォトレジストのＡ Ａ ＧａＡｓに対する接着
力を増大し、フォトレジスト中の重合体鎖が架橋してフ
ォトレジストが強靭になる。ついでフォトレジストとＡ
Ｉ ＧａＡｓ層を洗浄し前記のようにエツチングする
。
Ａ Ｉ ＧａＡｓのエツチングは、反応速度で制限され
るのではなく拡散速度で制限をうけることが見出された
。すなわち、／ｌ Ｉ ＧａＡｓのエツチング速度は、
エッチャントがいかに速くＡｌＧａＡｓと反応するかで
決められるのではなく、エッチャント液がいかに速く、
Ａ Ｉ ＧａＡｓと反応するためのエッチャント／ Ａ
ｆＧａＡｓ界面に送られるかにより決定される。
るのではなく拡散速度で制限をうけることが見出された
。すなわち、／ｌ Ｉ ＧａＡｓのエツチング速度は、
エッチャントがいかに速くＡｌＧａＡｓと反応するかで
決められるのではなく、エッチャント液がいかに速く、
Ａ Ｉ ＧａＡｓと反応するためのエッチャント／ Ａ
ｆＧａＡｓ界面に送られるかにより決定される。
アルミニウムが５０％のＡ １２ ＧａＡｓをエツチン
グするための活性化エネルギーを測定すると、１モル当
り約７ Ｋｃａｌで、アルミニウムが６０％のＡｌＧａ
Ａｓでは１モル当り約６ Ｋｃａｌで、これは反応が拡
散により制限をうけることを示している。さらに攪拌な
しでＡｌＧａＡｓのエツチングを行うと、ウェハー表面
のｆ４ ＩＩ ＧａＡｓのエツチングが全体に均一には
行われないことが見出され、これもエツチング速度が拡
散で制限されることを示している。そこで、Ａｌ２ Ｇ
ａＡｓが均一にエツチングされることを確実にするため
、ＨＦエツチング溶液またはウェハーを攪拌することが
望ましい。
グするための活性化エネルギーを測定すると、１モル当
り約７ Ｋｃａｌで、アルミニウムが６０％のＡｌＧａ
Ａｓでは１モル当り約６ Ｋｃａｌで、これは反応が拡
散により制限をうけることを示している。さらに攪拌な
しでＡｌＧａＡｓのエツチングを行うと、ウェハー表面
のｆ４ ＩＩ ＧａＡｓのエツチングが全体に均一には
行われないことが見出され、これもエツチング速度が拡
散で制限されることを示している。そこで、Ａｌ２ Ｇ
ａＡｓが均一にエツチングされることを確実にするため
、ＨＦエツチング溶液またはウェハーを攪拌することが
望ましい。
去施■
前記のエッチャントを使用する実施例を下記に示す。本
実施例は、Ｒ，Ｅ、 Ａｈｒｅｎｓ等の前記の同時に特
許出願した電界効果トランジスター（ＦＥＴ）の製造法
の一部を構成するものである。
実施例は、Ｒ，Ｅ、 Ａｈｒｅｎｓ等の前記の同時に特
許出願した電界効果トランジスター（ＦＥＴ）の製造法
の一部を構成するものである。
第３図に、選択的にドーピングされたヘテロ接合電界効
果トランジスターのエンハンスメント形（以下Ｅ−ＨＦ
ＥＴという）とデプリーション形（以下Ｄ−ＨＦＥＴと
いう）の両者を製造するために用意されたウェーハ３（
一定の比例で拡大したものではない）の部分断面図を示
す。
果トランジスターのエンハンスメント形（以下Ｅ−ＨＦ
ＥＴという）とデプリーション形（以下Ｄ−ＨＦＥＴと
いう）の両者を製造するために用意されたウェーハ３（
一定の比例で拡大したものではない）の部分断面図を示
す。
本明細書では詳細を記載しないが、層４ないし層１１は
、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）装置により半絶縁Ｇａ
Ａｓ基板２（図示せず）上に成長させたもので、基体２
（図示せず）から実質的に連続層を形成している。しか
しながら、このような層４ないし層１１は、金属−有機
化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ） 、金属−有機ＭＢＥ法
および気相ＭＢＥ法によっても生成させることができる
。層４ないし層１１は前記の特許出願明細書に詳細に記
載されているが、本明細書では、各層の機能と構成の概
略を記載する。ドーピングしていないＧａＡｓのバッフ
ァ層４は、あとで形成するＥ−ＨＦＥＴおよびＤ−ＨＦ
ＥＴの能動領域である二次元電子ガス（２−ＤＥＣ）の
チャンネルを支持している。電流はこのチャンネル内で
、Ｅ−ＨＦＥＴおよびＤ−ＨＦＥＴのそれぞれのドレー
ン電極およびソース電極間を流れる。バッファ層４の上
に一次スペーサー層５があり、ついでドナー層６、さら
に二次スペーサー層７がある。層５．６および７はすべ
てＡ ｊ２ ＧａＡｓ層であるが、層６はｎ形層６を形
成するため例えばシリコンドーパントでドーピングしで
ある。層６は前記の２−ＤＥＣを形成するため使用され
る。ついでＧａＡｓの一部キャップＮ８は、あとでより
詳細に説明するように、Ｅ−ＨＦＥＴを形成するための
主表面となる。Ａｌ１ＧａＡｓのエフチーストップ層９
上の二次キャンプ層１０は、あとでより詳細に説明する
ように、Ｄ−ＨＦＥＴを形成するための主表面となる。
、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）装置により半絶縁Ｇａ
Ａｓ基板２（図示せず）上に成長させたもので、基体２
（図示せず）から実質的に連続層を形成している。しか
しながら、このような層４ないし層１１は、金属−有機
化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ） 、金属−有機ＭＢＥ法
および気相ＭＢＥ法によっても生成させることができる
。層４ないし層１１は前記の特許出願明細書に詳細に記
載されているが、本明細書では、各層の機能と構成の概
略を記載する。ドーピングしていないＧａＡｓのバッフ
ァ層４は、あとで形成するＥ−ＨＦＥＴおよびＤ−ＨＦ
ＥＴの能動領域である二次元電子ガス（２−ＤＥＣ）の
チャンネルを支持している。電流はこのチャンネル内で
、Ｅ−ＨＦＥＴおよびＤ−ＨＦＥＴのそれぞれのドレー
ン電極およびソース電極間を流れる。バッファ層４の上
に一次スペーサー層５があり、ついでドナー層６、さら
に二次スペーサー層７がある。層５．６および７はすべ
てＡ ｊ２ ＧａＡｓ層であるが、層６はｎ形層６を形
成するため例えばシリコンドーパントでドーピングしで
ある。層６は前記の２−ＤＥＣを形成するため使用され
る。ついでＧａＡｓの一部キャップＮ８は、あとでより
詳細に説明するように、Ｅ−ＨＦＥＴを形成するための
主表面となる。Ａｌ１ＧａＡｓのエフチーストップ層９
上の二次キャンプ層１０は、あとでより詳細に説明する
ように、Ｄ−ＨＦＥＴを形成するための主表面となる。
エッチ−ストップＮ９の目的はあとで詳細に説明するが
、この層９は、−次キャップ層の主表面を露出すべき個
所をウェハー３が正確に選択エツチングされるのを援助
する。最後にＡ Ｉ ＧａＡｓの保８！層すなわち４川
により、ウェハー３が加工中に汚染したり損傷するのを
保護している。層１１および層９のアルミニウム濃度は
約５０％である。
、この層９は、−次キャップ層の主表面を露出すべき個
所をウェハー３が正確に選択エツチングされるのを援助
する。最後にＡ Ｉ ＧａＡｓの保８！層すなわち４川
により、ウェハー３が加工中に汚染したり損傷するのを
保護している。層１１および層９のアルミニウム濃度は
約５０％である。
第３図において、保護層１１のＥ−ＨＦＥＴが形成され
る個所を露出するために、ウェハー３はその上にフォト
レジスト１２を堆積してパターニングする。フォトレジ
ストとしては、例えばシソプレイ （Ｓｈｉｐｌｅｙ）
ＡＺ−１３５０Ｊが挙げられる。フォトレジストをパ
ターニングして後、前記のように必要があれば、ウェー
ハ３全体をベーキングして、フォトレジスト１２の保護
層１１に対する接着力を増大し、フォトレジスト１２を
強靭にして、エツチング中のフォトレジストのアンダー
カットを軽減させる。
る個所を露出するために、ウェハー３はその上にフォト
レジスト１２を堆積してパターニングする。フォトレジ
ストとしては、例えばシソプレイ （Ｓｈｉｐｌｅｙ）
ＡＺ−１３５０Ｊが挙げられる。フォトレジストをパ
ターニングして後、前記のように必要があれば、ウェー
ハ３全体をベーキングして、フォトレジスト１２の保護
層１１に対する接着力を増大し、フォトレジスト１２を
強靭にして、エツチング中のフォトレジストのアンダー
カットを軽減させる。
つぎにウェーハ３を前記したように約２０％のＮＨｔＯ
Ｈｆｌ液できれいにする。ついでウェハー３を水洗して
クリーニング液を除去し、前記したように、希ＨＦによ
り約２０℃でウェハー３をエツチングする。ＨＦエッチ
ャントとしては水で希釈した約２４％ＨＦが好ましい。
Ｈｆｌ液できれいにする。ついでウェハー３を水洗して
クリーニング液を除去し、前記したように、希ＨＦによ
り約２０℃でウェハー３をエツチングする。ＨＦエッチ
ャントとしては水で希釈した約２４％ＨＦが好ましい。
ＨＦエツチングにより、ホトレジスト１２（第３図）が
存在しない個所の保護層１１が取り去られる。これによ
り、二次キャップ層１０の選択部分が露出することによ
り（図示せず）。ウェーハ３を完全に洗浄する。
存在しない個所の保護層１１が取り去られる。これによ
り、二次キャップ層１０の選択部分が露出することによ
り（図示せず）。ウェーハ３を完全に洗浄する。
ついでヨウ化カリウム／ヨウ素（Ｋｌ／Ｉｆ）溶液によ
る通常のＧａＡｓウェットエツチングにより二次キャッ
プ層１０ （ＧａＡｓ）全部を除去し、エフチースト
ップ層９の選択部分を露出させて、ウェーハ３はほぼ第
４図に示すようになる。ＫＩ／１２エツチングはほとん
ど選択性がないため、！１０は実際はオーバエツチング
され、希望する個所の二次キャップ層が、エッチ−スト
ップ層９から確実に除去されるようになる。前記のよう
にエッチ−ストップ層はあとで形成するＥ−ＨＦＥＴの
一部を形成するものではないため、二次キャップ層の完
全除去は臨界的なものではない。
る通常のＧａＡｓウェットエツチングにより二次キャッ
プ層１０ （ＧａＡｓ）全部を除去し、エフチースト
ップ層９の選択部分を露出させて、ウェーハ３はほぼ第
４図に示すようになる。ＫＩ／１２エツチングはほとん
ど選択性がないため、！１０は実際はオーバエツチング
され、希望する個所の二次キャップ層が、エッチ−スト
ップ層９から確実に除去されるようになる。前記のよう
にエッチ−ストップ層はあとで形成するＥ−ＨＦＥＴの
一部を形成するものではないため、二次キャップ層の完
全除去は臨界的なものではない。
つぎにフォトレジストを除去し、ウェハー３を約２０％
のＮＨ４ＯＨ溶液が完全に洗浄する。ついでウェハー３
は、ＨＦエッチャントにより約２０℃で、露出したエッ
チ−ストップ層９全部と、残っている保護層１１全部が
除去されるように、エッチ−ストップ層９と保護層１１
を同時にエツチングする。その結果はほぼ第５図に示す
とおりになる。あとで形成するＥ−ＨＦＥＴおよびＤ−
ＨＦＥＴのゲート、ソース、ドレイン接点（図示せず）
をそれぞれ層８およびＮ１０の上に形成する。あとで形
成するＥ−ＨＦＥＴおよびＤ−ＨＦＥＴの電気的特性は
層５ないし層８ならびにＮ５ないしＭＩＯの厚さによっ
てそれぞれ決定されるので、層８および層１０をオーバ
ーエツチングすると希望する電気的特性に対し極めて重
要な悪影響を及ぼすことになる。従ってＡ Ｉ ＧａＡ
ｓエッチャントは極めて選択的なものでなければならな
い。
のＮＨ４ＯＨ溶液が完全に洗浄する。ついでウェハー３
は、ＨＦエッチャントにより約２０℃で、露出したエッ
チ−ストップ層９全部と、残っている保護層１１全部が
除去されるように、エッチ−ストップ層９と保護層１１
を同時にエツチングする。その結果はほぼ第５図に示す
とおりになる。あとで形成するＥ−ＨＦＥＴおよびＤ−
ＨＦＥＴのゲート、ソース、ドレイン接点（図示せず）
をそれぞれ層８およびＮ１０の上に形成する。あとで形
成するＥ−ＨＦＥＴおよびＤ−ＨＦＥＴの電気的特性は
層５ないし層８ならびにＮ５ないしＭＩＯの厚さによっ
てそれぞれ決定されるので、層８および層１０をオーバ
ーエツチングすると希望する電気的特性に対し極めて重
要な悪影響を及ぼすことになる。従ってＡ Ｉ ＧａＡ
ｓエッチャントは極めて選択的なものでなければならな
い。
以上本発明の好ましい実施態様を記載したが、当業者に
とって本発明概念を組込んだ他の実施態様を使用できる
ことは今や明らかであろう。従って本発明は開示した実
施態様に限定されるべきものでなく、特許請求の精神お
よび範囲によってのみ限定されるべきである。
とって本発明概念を組込んだ他の実施態様を使用できる
ことは今や明らかであろう。従って本発明は開示した実
施態様に限定されるべきものでなく、特許請求の精神お
よび範囲によってのみ限定されるべきである。
本発明自体は勿論、前記の本発明の特徴は、下記の詳細
に説明された図面によって、より十分に理解できるもの
と考える。 第１図は、Ａ Ｉ ＧａＡｓ中のアルミニウム濃度に対
する３種類のＨＦエッチャント濃度のエツチング速度を
示すグラフであり； 第２図は、Ａ Ｉ ＧａＡｓ中のアルミニウム濃度に対
する３種類のＨＦエッチャント濃度の、Ａ Ｉ ＧａＡ
ｓ対ＧａＡｓエツチング選択性を示すグラフであり；第
３図は、Ａ Ｉ ＧａＡｓおよびＧａＡｓ多重層を有す
るウェハーの断面図であり； 第４図は、ウェハーを選択エツチングした後の第３図の
ウェーハであり；さらに 第５図は、最終エツチングした後の第４図のウェハーで
ある。 第３図、第４図および第５図は一定の比例で拡大したも
のでないことに注意すべきである。 出願人 ｔ アメリカン テレフォン アンドテレグラ
フ カムパニー ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、４ Ｆｌに、５ 手続補正書 別紙の通り浄書した明細書を１通提出いたｌノますう 平ｔｉ、１年１０月 ６日 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 １、事件の表示 平成 １年特許願第２１８７６３号 ２、発明の名称 ヒ化アルミニウムガリウムの選択エツチング法３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 ５、補正の対象 「明 細 書」 ６、補正の内容 別紙の通り
に説明された図面によって、より十分に理解できるもの
と考える。 第１図は、Ａ Ｉ ＧａＡｓ中のアルミニウム濃度に対
する３種類のＨＦエッチャント濃度のエツチング速度を
示すグラフであり； 第２図は、Ａ Ｉ ＧａＡｓ中のアルミニウム濃度に対
する３種類のＨＦエッチャント濃度の、Ａ Ｉ ＧａＡ
ｓ対ＧａＡｓエツチング選択性を示すグラフであり；第
３図は、Ａ Ｉ ＧａＡｓおよびＧａＡｓ多重層を有す
るウェハーの断面図であり； 第４図は、ウェハーを選択エツチングした後の第３図の
ウェーハであり；さらに 第５図は、最終エツチングした後の第４図のウェハーで
ある。 第３図、第４図および第５図は一定の比例で拡大したも
のでないことに注意すべきである。 出願人 ｔ アメリカン テレフォン アンドテレグラ
フ カムパニー ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、４ Ｆｌに、５ 手続補正書 別紙の通り浄書した明細書を１通提出いたｌノますう 平ｔｉ、１年１０月 ６日 特許庁長官 吉 １）文 毅 殿 １、事件の表示 平成 １年特許願第２１８７６３号 ２、発明の名称 ヒ化アルミニウムガリウムの選択エツチング法３、補正
をする者 事件との関係 特許出願人 ４、代理人 ５、補正の対象 「明 細 書」 ６、補正の内容 別紙の通り
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＡｌＧａＡｓ（９）上にマスキング層（１２）を堆
積させ；前記マスキング層をパターニングして該ＡｌＧ
ａＡｓのエッチングすべき領域を露出させ；露出したＡ
ｌＧａＡｓ領域を水酸化アンモニウム（ＮＨ＿４ＯＨ）
溶液で洗浄し；該ＡｌＧａＡｓ領域を、希フッ化水素酸
（ＨＦ）溶液により、所定の温度以下でエッチングし、
該所定温度は該希ＨＦ溶液のほぼ沸点であることを特徴
とするウェハー上のＡｌＧａＡｓをエッチングすること
を含む半導体装置の製造法。 ２、前記のマスキング層がフォトレジストであって、前
記のエッチング工程に先だち、該フォトレジストをベー
キングし、該フォトレジストのベーキングが該フォトレ
ジストの ＡｌＧａＡｓへの接着力を向上させることを特徴とする
請求項１記載のＡｌＧａＡｓを選択的にエッチングする
方法。 ３、ＡｌＧａＡｓ（９）上にフォトレジストを堆積させ
；該フォトレジストをパターニングして該ＡｌＧａＡｓ
がエッチングされる個所のＡｌＧａＡｓを露出させ；該
フォトレジストをベーキングし；前記ＡｌＧａＡｓを、
希フッ化水素酸（ＨＦ）溶液により、所定の温度以下で
エッチングし；該所定温度は該ＨＦ溶液のほぼ沸点であ
り、前記フォトレジストのベーキングが該ホトレジスト
のＡｌＧａＡｓ層への接着力を向上させることを特徴と
するウェーハ上のＡｌＧａＡｓをエッチングすることを
含む半導体装置の製造法。 ４、前記ホトレジストを非反応性雰囲気中でベーキング
する請求項３記載のＡｌＧａＡｓを選択的にエッチング
する方法。 ５、ＡｌＧａＡｓの前記露出部を、水酸化アンモニウム
（ＮＨ＿４ＯＨ）溶液で洗浄し、該ＮＨ＿４ＯＨは水で
１：１またはそれ以下に希釈されることを特徴とする請
求項３記載のＡｌＧａＡｓを選択的にエッチングする方
法
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/290,774 US4943540A (en) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | Method for selectively wet etching aluminum gallium arsenide |
| US290,774 | 1988-12-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02196426A true JPH02196426A (ja) | 1990-08-03 |
| JPH0797573B2 JPH0797573B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=23117500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1218763A Expired - Lifetime JPH0797573B2 (ja) | 1988-12-28 | 1989-08-28 | ヒ化アルミニウムガリウムの選択エッチング法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4943540A (ja) |
| EP (1) | EP0376438A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0797573B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR900013612A (ko) * | 1989-02-17 | 1990-09-05 | 프레데릭 얀 스미트 | 두 물체의 연결 방법 및 장치 |
| US5256580A (en) * | 1992-04-06 | 1993-10-26 | Motorola, Inc. | Method of forming a light emitting diode |
| AU7221294A (en) * | 1993-07-30 | 1995-02-28 | Semitool, Inc. | Methods for processing semiconductors to reduce surface particles |
| US5821170A (en) * | 1996-09-30 | 1998-10-13 | Motorola, Inc. | Method for etching an insulating material |
| US6240933B1 (en) * | 1997-05-09 | 2001-06-05 | Semitool, Inc. | Methods for cleaning semiconductor surfaces |
| US10720428B2 (en) * | 2015-11-10 | 2020-07-21 | Qorvo Us, Inc. | High bandgap Schottky contact layer device |
| CN112490319B (zh) * | 2020-11-27 | 2023-03-28 | 东华理工大学 | 一种利用湿法刻蚀具有微沟槽的AlGaAs/GaAs中子探测器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS545276A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-16 | Nissan Motor Co Ltd | Automatic mounting device |
| JPS5821619A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Nobuyoshi Usuki | 粗製或は精製オリザノ−ルから各成分の濃縮法 |
| JPS6132423A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 周辺部に段差を有する半導体基板およびその製法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3959045A (en) * | 1974-11-18 | 1976-05-25 | Varian Associates | Process for making III-V devices |
| US4162337A (en) * | 1977-11-14 | 1979-07-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Process for fabricating III-V semiconducting devices with electroless gold plating |
| JPS60160663A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-12-28 US US07/290,774 patent/US4943540A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-08-24 EP EP19890308622 patent/EP0376438A3/en not_active Withdrawn
- 1989-08-28 JP JP1218763A patent/JPH0797573B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS545276A (en) * | 1977-06-13 | 1979-01-16 | Nissan Motor Co Ltd | Automatic mounting device |
| JPS5821619A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Nobuyoshi Usuki | 粗製或は精製オリザノ−ルから各成分の濃縮法 |
| JPS6132423A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 周辺部に段差を有する半導体基板およびその製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797573B2 (ja) | 1995-10-18 |
| EP0376438A2 (en) | 1990-07-04 |
| EP0376438A3 (en) | 1990-09-19 |
| US4943540A (en) | 1990-07-24 |
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