JPS5881973A - 金−ゲルマニウム合金膜のエツチング方法 - Google Patents
金−ゲルマニウム合金膜のエツチング方法Info
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- JPS5881973A JPS5881973A JP18084681A JP18084681A JPS5881973A JP S5881973 A JPS5881973 A JP S5881973A JP 18084681 A JP18084681 A JP 18084681A JP 18084681 A JP18084681 A JP 18084681A JP S5881973 A JPS5881973 A JP S5881973A
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- alloy film
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｕｎｒ−ｖ族化合物族化合物電導体エツチングに
関する。
関する。
金−ゲルマニウム（Ａｕ／Ｇｅ ３合金は、燐化ガリウ
ム（ＧａＰ） 、砒化ガリウム（ＧａＡｓ ）等のｍ−
ｖ族化合物半導体のｎ形に対して良好なオーミック性を
有するため、現在発光ダイオードや竿導体レーザ等のｎ
側電極として広く用いられている。
ム（ＧａＰ） 、砒化ガリウム（ＧａＡｓ ）等のｍ−
ｖ族化合物半導体のｎ形に対して良好なオーミック性を
有するため、現在発光ダイオードや竿導体レーザ等のｎ
側電極として広く用いられている。
このＡｕ／Ｇｅ合金を選択的にエツチングするためには
、第１図に示すように通常ホトレジスト膜１をマスクと
し、同マスクの開孔部を通じて同位置のＡｕ／Ｇｅ 合
金膜２をエツチングで除去するの２、、。
、第１図に示すように通常ホトレジスト膜１をマスクと
し、同マスクの開孔部を通じて同位置のＡｕ／Ｇｅ 合
金膜２をエツチングで除去するの２、、。
に、ヨウ素、ヨウ化カリからなるいわゆるヨードエッチ
液が用いられている。しかしながら、このヨードエッチ
液で実際にエツチングを行うとエッチ時間が長くなりサ
イドエッチが起りパターンくずれ等を引き起し精度のよ
いエツチングが困難であるという問題が生じてくる。こ
れはＡｕ／Ｇｅ合金膜２の付着時に合金組成中のゲルマ
ニウムが基板４と反応し膜２との界面に変成層３が形成
され、基板４との界面近くで付着合金膜のエツチング速
度が遅くなることに起因している。
液が用いられている。しかしながら、このヨードエッチ
液で実際にエツチングを行うとエッチ時間が長くなりサ
イドエッチが起りパターンくずれ等を引き起し精度のよ
いエツチングが困難であるという問題が生じてくる。こ
れはＡｕ／Ｇｅ合金膜２の付着時に合金組成中のゲルマ
ニウムが基板４と反応し膜２との界面に変成層３が形成
され、基板４との界面近くで付着合金膜のエツチング速
度が遅くなることに起因している。
このように、Ａｕ／Ｇｅ 合金の電極形成用膜を通常の
ヨードエッチ液で、？＃度よくエッチするこ七は極めて
難しく、かかるエツチング工程でも、しばしば、上記変
成層３が残る。このためこの部分での光の吸収が起り、
発光出立が大幅に低下する等の悪影響を与える。
ヨードエッチ液で、？＃度よくエッチするこ七は極めて
難しく、かかるエツチング工程でも、しばしば、上記変
成層３が残る。このためこの部分での光の吸収が起り、
発光出立が大幅に低下する等の悪影響を与える。
本発明はこれらの難点を解消することを目的としてなさ
れたものであり、金−ゲルマニウム合金を選択的に容易
に精度よくエッチイブするとともに、前述の変成層をも
除去出来るエツチング法を３ ・ ベーン 提供するものである。
れたものであり、金−ゲルマニウム合金を選択的に容易
に精度よくエッチイブするとともに、前述の変成層をも
除去出来るエツチング法を３ ・ ベーン 提供するものである。
以下、本発明について実施例を参考にして詳細に述べる
。ここではｎ形基板としてＧａＡｓを用いた場合につい
て述べるが、本発明は他の■−ｖ族化合物半導体１例え
ば燐化ガリウム（ＧａＰ）、砒化ガリウム嗜アルミニウ
ム（ＧａＡＩＡｓ ）等にも適用出来ることは明らかで
ある。
。ここではｎ形基板としてＧａＡｓを用いた場合につい
て述べるが、本発明は他の■−ｖ族化合物半導体１例え
ば燐化ガリウム（ＧａＰ）、砒化ガリウム嗜アルミニウ
ム（ＧａＡＩＡｓ ）等にも適用出来ることは明らかで
ある。
第２図は本発明の実施例のフローチャートで。
主要、構造を断面図で示したものである。第２図（、）
に示すように、ｎ形革板４として１．０−２ Ｘ １０
’ ８Ｃｆｉ＝のキャリア濃度を有するＧａＡｓを用い
、表面を鏡面研磨した後、硫酸゛：過酸化水素水：水（
容積比９：１ ：１ ）でエッチし、冥窒蒸着法にて、
重量比Ａｕ ： Ｇｅ層 １００ ： ２．５のＡｕ／
Ｇｅ合金膜２を付着する。蒸着条件は基板温度２５０℃
’、真空度１．６ｘ１０−６Ｔｏｒｒ 、膜厚１ｄ１．
５μである。この状態でｎ形基板表面には変成層３が生
成されている。
に示すように、ｎ形革板４として１．０−２ Ｘ １０
’ ８Ｃｆｉ＝のキャリア濃度を有するＧａＡｓを用い
、表面を鏡面研磨した後、硫酸゛：過酸化水素水：水（
容積比９：１ ：１ ）でエッチし、冥窒蒸着法にて、
重量比Ａｕ ： Ｇｅ層 １００ ： ２．５のＡｕ／
Ｇｅ合金膜２を付着する。蒸着条件は基板温度２５０℃
’、真空度１．６ｘ１０−６Ｔｏｒｒ 、膜厚１ｄ１．
５μである。この状態でｎ形基板表面には変成層３が生
成されている。
次にホトレジスト膜１をマスクとして、１４０μφの円
形パターンの選択エツチングを行う。エツチング液は第
１溶液としてヨウ素、ヨウ化カリ、水を所定の混合比例
えば６２ｙ、１００ｙ、１／ｌ！で形成したヨードエッ
チ液を用い、第２溶液として過酸化水素水（３１％容積
比）を用意する。まず。
形パターンの選択エツチングを行う。エツチング液は第
１溶液としてヨウ素、ヨウ化カリ、水を所定の混合比例
えば６２ｙ、１００ｙ、１／ｌ！で形成したヨードエッ
チ液を用い、第２溶液として過酸化水素水（３１％容積
比）を用意する。まず。
最初に第１溶液を用いて室温でエツチングする。
Ａｕ／Ｇｅ膜２は、本来、上記第１溶液でエッチされる
筈であ、るが、膜によっては全くエッチされない場合が
ある。この傾向はＡｕ／Ｇｅ 合金中のＧｅの組成が高
くなるほどよくあられれ、寺だ蒸着時の形成条件等にも
関係しており、イオンマイクロアナザイラーで解析する
と、Ａｕ／Ｇｅ膜表面にＧｅの薄い層が形成されている
のが確認された６そこで、第２溶ｉを用いて室温でこの
Ｇｏをエツチング除去する。この第２溶液ではＡｕ／Ｇ
ｅ膜自体をエッチすることは出来ないので、表面のＧｅ
層を除去後は再び第１溶液に侵す。Ａｕ ／Ｇｅ膜は約
２００λ／分の速度でスムーズにエツチングされはじめ
るが、基板と膜の界面に近ずくほど、そのエツチング速
度が遅くなる。
筈であ、るが、膜によっては全くエッチされない場合が
ある。この傾向はＡｕ／Ｇｅ 合金中のＧｅの組成が高
くなるほどよくあられれ、寺だ蒸着時の形成条件等にも
関係しており、イオンマイクロアナザイラーで解析する
と、Ａｕ／Ｇｅ膜表面にＧｅの薄い層が形成されている
のが確認された６そこで、第２溶ｉを用いて室温でこの
Ｇｏをエツチング除去する。この第２溶液ではＡｕ／Ｇ
ｅ膜自体をエッチすることは出来ないので、表面のＧｅ
層を除去後は再び第１溶液に侵す。Ａｕ ／Ｇｅ膜は約
２００λ／分の速度でスムーズにエツチングされはじめ
るが、基板と膜の界面に近ずくほど、そのエツチング速
度が遅くなる。
解析によると、界面近くの膜中にもＧｅが高濃度に存在
している。そこで、再び第２溶液に侵しこ６ ページ のＧｏ高濃度層を溶し、次に再び第１溶液でエツチング
する。
している。そこで、再び第２溶液に侵しこ６ ページ のＧｏ高濃度層を溶し、次に再び第１溶液でエツチング
する。
このように、第１．第２溶液を用いて、Ａｕ／Ｇｅ膜の
エツチングを順次くり返し行うことにより、第２図（ｂ
）のようになる。この状態では、まだ変成層３が残って
いるため、第２溶液を用い温度６０℃で除去を開始する
。変成層３には、ガリウム（Ｇａ ） 。
エツチングを順次くり返し行うことにより、第２図（ｂ
）のようになる。この状態では、まだ変成層３が残って
いるため、第２溶液を用い温度６０℃で除去を開始する
。変成層３には、ガリウム（Ｇａ ） 。
Ｇｅ が主に含まれており、室温ではエツチング速度が
遅いため、６０℃に加熱エツチングする方が望ましい。
遅いため、６０℃に加熱エツチングする方が望ましい。
通常、１分以内で第２図（Ｃ））のように変成層３は完
全に除去され、除去後の基板表面６も鏡面を保っている
。エツチング完了後、本発明のエツチング法と通常のヨ
ードエツチング法によるパターン精度を比較すると、通
常のエツチング法では６μ程度のオーバーエッチが観察
されたが、本発明では１．０μ以内におさまっていた。
全に除去され、除去後の基板表面６も鏡面を保っている
。エツチング完了後、本発明のエツチング法と通常のヨ
ードエツチング法によるパターン精度を比較すると、通
常のエツチング法では６μ程度のオーバーエッチが観察
されたが、本発明では１．０μ以内におさまっていた。
以上Ωように、本発明のエツチング法はヨードエッチ液
からなる第１溶液と過酸化水素水からなる第２溶液を用
いて、順次エツチングをくり返し行うことにより、Ａｕ
／Ｇｅ合金膜のエッチを精度６７、− よくエツチングすることを可能ならしめ、かつ上記合金
膜形成時に基板表面に発生する変成層をも確実に除去出
来るものである。
からなる第１溶液と過酸化水素水からなる第２溶液を用
いて、順次エツチングをくり返し行うことにより、Ａｕ
／Ｇｅ合金膜のエッチを精度６７、− よくエツチングすることを可能ならしめ、かつ上記合金
膜形成時に基板表面に発生する変成層をも確実に除去出
来るものである。
第１図は通常の金−ゲルマニウム合金のエツチング法を
説明するための断面図、第２図（、）〜（ｃ）Ｆｉ本発
明の一実施例にかかる金−ゲルマニウム合金のエツチン
グ法の工程断面図。 １・・・・・−ホトレジスト膜、２・・・・・−Ａｕ／
Ｇｅ 合金膜、３・・・・・・変成層、４・・・・・・
ｎ形ＧａＡｓ基板、５・・・・・・変成層除去後の基板
表面。
説明するための断面図、第２図（、）〜（ｃ）Ｆｉ本発
明の一実施例にかかる金−ゲルマニウム合金のエツチン
グ法の工程断面図。 １・・・・・−ホトレジスト膜、２・・・・・−Ａｕ／
Ｇｅ 合金膜、３・・・・・・変成層、４・・・・・・
ｎ形ＧａＡｓ基板、５・・・・・・変成層除去後の基板
表面。
Claims (1)
- ヨウ素、ヨウ化カリ、水を含む第１溶液と過酸ｒヒ水素
水を含む第２溶液とを用いて、順次もしくは交互にエツ
チングをくり返し行うことを特徴とする金−ゲルマニウ
ム合金膜のエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18084681A JPS5881973A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 金−ゲルマニウム合金膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18084681A JPS5881973A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 金−ゲルマニウム合金膜のエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5881973A true JPS5881973A (ja) | 1983-05-17 |
| JPS6233310B2 JPS6233310B2 (ja) | 1987-07-20 |
Family
ID=16090375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18084681A Granted JPS5881973A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 金−ゲルマニウム合金膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5881973A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4654116A (en) * | 1984-11-09 | 1987-03-31 | American Electronic Laboratories, Inc. | Method for producing high resolution etched circuit patterns from clad laminates |
| WO2008026542A1 (fr) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Mitsubishi Chemical Corporation | agent de gravure et processus de gravure |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0866209A (ja) * | 1994-08-16 | 1996-03-12 | Aucera Technol Corp | ウオッチバンドの構造 |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP18084681A patent/JPS5881973A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4654116A (en) * | 1984-11-09 | 1987-03-31 | American Electronic Laboratories, Inc. | Method for producing high resolution etched circuit patterns from clad laminates |
| WO2008026542A1 (fr) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Mitsubishi Chemical Corporation | agent de gravure et processus de gravure |
| JPWO2008026542A1 (ja) * | 2006-08-28 | 2010-01-21 | 三菱化学株式会社 | エッチング液及びエッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6233310B2 (ja) | 1987-07-20 |
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