JPS6242532A - 化合物半導体の表面処理方法 - Google Patents
化合物半導体の表面処理方法Info
- Publication number
- JPS6242532A JPS6242532A JP18204485A JP18204485A JPS6242532A JP S6242532 A JPS6242532 A JP S6242532A JP 18204485 A JP18204485 A JP 18204485A JP 18204485 A JP18204485 A JP 18204485A JP S6242532 A JPS6242532 A JP S6242532A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- etching liquid
- clean
- gaalas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、種々の電子機器に用いられる化合物半導体装
置の作製に使われる表面処理方法に関するものである。
置の作製に使われる表面処理方法に関するものである。
従来の技術
近年、化合物半導体の表面処理方法は、化合物半導体装
置作製の重要なプロセスとして多用されている。表面処
理を施された化合物半導体の表面状態は、電気的・光学
的特性を決定づける要因である。また、表面に凹凸を付
けて、素子特性を設計することも多く、−例として、Ｇ
ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ 単結晶上のＧ ａＡｓ単結晶薄
膜の一部を選択的にエツチングすることがある。その時
、選択的なエッチャントとして、ＮＨ４ＯＨ系エツチン
グ液がよく使われる。例えば、ダブリュー・カーン著”
ケミ゛カルエツチング オブ シリコン、ゲルマニウム
、 カ！Ｊ ウムアルセナイド、アンド ガリウム フ
ォスファイト″ＲＣＡレビュー３９巻（１９７８）（Ｗ
、Ｋｅｒｎ；ＣｈｅｍｆｃａｌＥｔｃｈｉｎｇ ｏｆ
５ｉｌｉｃｏｎ、Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ、Ｇａｌｌｉｕｍ
Ａｒｓｅｎｉｄｅ 、 ａｎｄ Ｇａｌ ｌ ｉｕｍ
Ｐｈｏｇｐｈｉｄｅ −ＲＣＡＲｅｖｉｅｗ ｖｏｌ、
３９ （１９７８） ）発明が解決しようとする問
題点 しかしながら、ＮＨ４ＯＨ系エツチング液は、Ｇ ａ
Ａ ｇ層とＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ層との選択性は良い
が、Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ層表面に〜３，０ＯＯＡ未
満の層厚の酸化膜などの変成層を形成することが多（、
ＧａＡｌＡｓ層表面を偏光顕微鏡、ノマルスキー顕微鏡
で観察すると、モザイク状の模様が観察される。エツチ
ング後のＧａＡｌＡｓ層表面を用いる素子および表面上
への素子形成の際に、問題を有していた。例えばこの表
面に結晶成長を行ない半導体レーザを作製しても発振に
紋らない事が多い。これは、表面にＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ
ｓ 層の酸化した変成層が部分的に形成されたり、表
面の微視的な凹凸により、エビ層に結晶欠陥が導入され
る結果と考えられる。
置作製の重要なプロセスとして多用されている。表面処
理を施された化合物半導体の表面状態は、電気的・光学
的特性を決定づける要因である。また、表面に凹凸を付
けて、素子特性を設計することも多く、−例として、Ｇ
ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ 単結晶上のＧ ａＡｓ単結晶薄
膜の一部を選択的にエツチングすることがある。その時
、選択的なエッチャントとして、ＮＨ４ＯＨ系エツチン
グ液がよく使われる。例えば、ダブリュー・カーン著”
ケミ゛カルエツチング オブ シリコン、ゲルマニウム
、 カ！Ｊ ウムアルセナイド、アンド ガリウム フ
ォスファイト″ＲＣＡレビュー３９巻（１９７８）（Ｗ
、Ｋｅｒｎ；ＣｈｅｍｆｃａｌＥｔｃｈｉｎｇ ｏｆ
５ｉｌｉｃｏｎ、Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ、Ｇａｌｌｉｕｍ
Ａｒｓｅｎｉｄｅ 、 ａｎｄ Ｇａｌ ｌ ｉｕｍ
Ｐｈｏｇｐｈｉｄｅ −ＲＣＡＲｅｖｉｅｗ ｖｏｌ、
３９ （１９７８） ）発明が解決しようとする問
題点 しかしながら、ＮＨ４ＯＨ系エツチング液は、Ｇ ａ
Ａ ｇ層とＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ層との選択性は良い
が、Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ層表面に〜３，０ＯＯＡ未
満の層厚の酸化膜などの変成層を形成することが多（、
ＧａＡｌＡｓ層表面を偏光顕微鏡、ノマルスキー顕微鏡
で観察すると、モザイク状の模様が観察される。エツチ
ング後のＧａＡｌＡｓ層表面を用いる素子および表面上
への素子形成の際に、問題を有していた。例えばこの表
面に結晶成長を行ない半導体レーザを作製しても発振に
紋らない事が多い。これは、表面にＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ
ｓ 層の酸化した変成層が部分的に形成されたり、表
面の微視的な凹凸により、エビ層に結晶欠陥が導入され
る結果と考えられる。
本発明は上記欠点に鑑み、Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ 層
の変成層を除去し、清浄かつ滑らかな表面を形成するこ
とができる化合物半導体の表面処理方法を与えるもので
ある。
の変成層を除去し、清浄かつ滑らかな表面を形成するこ
とができる化合物半導体の表面処理方法を与えるもので
ある。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために、本発明の化合物半導体の
表面処理方法は、ＧａＡＪＡｓ 単結晶上のＧ ａ Ａ
ｓ単結晶薄膜の一部を選択的にエツチングする際に、
ＮＨ４ＯＨ系エツチング液を用いてエツチングした後Ｈ
２ＳＯ４係エツチング液で表面をエツチングすることか
ら構成されている。
表面処理方法は、ＧａＡＪＡｓ 単結晶上のＧ ａ Ａ
ｓ単結晶薄膜の一部を選択的にエツチングする際に、
ＮＨ４ＯＨ系エツチング液を用いてエツチングした後Ｈ
２ＳＯ４係エツチング液で表面をエツチングすることか
ら構成されている。
作 用
この構成により、Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ 単結晶上の
Ｇ ａ、 Ａ ｓ層の一部を選択的に除去した際に生じ
るＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ層の変成層を除去し清浄かつ
滑らかな表面が得られる。
Ｇ ａ、 Ａ ｓ層の一部を選択的に除去した際に生じ
るＧ ａ Ａ Ｉ Ａ ｓ層の変成層を除去し清浄かつ
滑らかな表面が得られる。
実施例
以下、本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
本発明の化合物半導体の表面処理方法は、第１図に示す
半導体レーザの内部ストライプ構造形成に用いる事がで
きる。即ち、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１上にｎ型Ｇ ａ
Ａ ｓバッフ ７層２、ｎ型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ
クラッド層３、Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ 活性層４、
ｐ型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｇクラッド層５、ｎ型Ｇ ａ
Ａ ｓ電流阻止層６を順次、結晶成長させる。ここで
はｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層６の層厚は、Ｏ，Ｂｐ
ｍ １ｐ型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ クラッド層６の層
厚は０．３μｍである。ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層
６上にフォトレジスト膜アを塗布し、第２図に示すよう
に〈１１０〉方向に平行にフォトレジストにストライプ
状の窓を開ける。第２図の状態で、Ｈ２Ｏ２：ＮＨ４＝
２０：１液１０６ ｃｃ 中でウェハのエツチングを
行なう。このときのＧ ａ Ａ ｓ層６ ： ＡＩ Ｇ
ａ Ａｓ 層６（ｘ≧０．３）のエッチＸ
１−Ｘ ングレートの比は１０：１以上であり、約１分のエツチ
ングによりＧ ａ Ａ ｓ層θが除去される。このあと
、有機溶剤によりフォトレジスト膜了を除去する。次に
フォトレジスト膜７除去後の表面を、Ｈ２ＢＯ３：Ｈ２
Ｏ２：Ｈ２０＝１：８：１液１００ｃｃ中で約１秒エツ
チングし、水洗する。このとき表面を観察したところ、
滑らかな表面が得られた。
半導体レーザの内部ストライプ構造形成に用いる事がで
きる。即ち、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板１上にｎ型Ｇ ａ
Ａ ｓバッフ ７層２、ｎ型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ
クラッド層３、Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ 活性層４、
ｐ型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｇクラッド層５、ｎ型Ｇ ａ
Ａ ｓ電流阻止層６を順次、結晶成長させる。ここで
はｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層６の層厚は、Ｏ，Ｂｐ
ｍ １ｐ型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ クラッド層６の層
厚は０．３μｍである。ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層
６上にフォトレジスト膜アを塗布し、第２図に示すよう
に〈１１０〉方向に平行にフォトレジストにストライプ
状の窓を開ける。第２図の状態で、Ｈ２Ｏ２：ＮＨ４＝
２０：１液１０６ ｃｃ 中でウェハのエツチングを
行なう。このときのＧ ａ Ａ ｓ層６ ： ＡＩ Ｇ
ａ Ａｓ 層６（ｘ≧０．３）のエッチＸ
１−Ｘ ングレートの比は１０：１以上であり、約１分のエツチ
ングによりＧ ａ Ａ ｓ層θが除去される。このあと
、有機溶剤によりフォトレジスト膜了を除去する。次に
フォトレジスト膜７除去後の表面を、Ｈ２ＢＯ３：Ｈ２
Ｏ２：Ｈ２０＝１：８：１液１００ｃｃ中で約１秒エツ
チングし、水洗する。このとき表面を観察したところ、
滑らかな表面が得られた。
また、このエツチングは、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止
層ら上のフォトレジスト膜７の付着界面の清浄化をも兼
ねている。
層ら上のフォトレジスト膜７の付着界面の清浄化をも兼
ねている。
この後、第３図に示す様に、ｐ型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ
ｓ クラッド層８、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層を
結晶成長し、ｐ側とｎ側にそれぞれオーミック電極１０
゜１１を形成した。ウェハごとに再現性良く発振する半
導体レーザが得られた。
ｓ クラッド層８、ｐ型Ｇ ａ Ａ ｓコンタクト層を
結晶成長し、ｐ側とｎ側にそれぞれオーミック電極１０
゜１１を形成した。ウェハごとに再現性良く発振する半
導体レーザが得られた。
発明の効果
本発明の化合物半導体の表面処理方法により、Ａ Ｉ
Ｇ ａ Ａ ｓ 層上のＧａ Ａ ｓ層の選択エツチン
グ後においても、清浄かつ滑らかな表面が得られ、半導
体装置作製上、大なる効果を奏す。
Ｇ ａ Ａ ｓ 層上のＧａ Ａ ｓ層の選択エツチン
グ後においても、清浄かつ滑らかな表面が得られ、半導
体装置作製上、大なる効果を奏す。
第１図は、本発明の一実施例における内部ストライプを
形成した半導体レーザ装置の断面図、第２図は、その作
製過程を示す断面図、第３図は、本発明を用いて作製し
た半導体レーザ装置の断面図である。 Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ活性層、５−・−＝ ｐ型Ａ
Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ クラッド層、６・・・・・・ｎ
型Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層、了・・・・・・フォトレ
ジスト膜、８・・・・・・ｐ型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ
クラッド層、９・・・・・・ｐ型Ｇ ａ Ａ ｇコ
ンタクト層、１０・・・・・・ｐ側オーミック電極、１
１・・・・・・ｎ側オーミック電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
形成した半導体レーザ装置の断面図、第２図は、その作
製過程を示す断面図、第３図は、本発明を用いて作製し
た半導体レーザ装置の断面図である。 Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ活性層、５−・−＝ ｐ型Ａ
Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ クラッド層、６・・・・・・ｎ
型Ｇ ａ Ａ ｓ電流阻止層、了・・・・・・フォトレ
ジスト膜、８・・・・・・ｐ型Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ
クラッド層、９・・・・・・ｐ型Ｇ ａ Ａ ｇコ
ンタクト層、１０・・・・・・ｐ側オーミック電極、１
１・・・・・・ｎ側オーミック電極。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
Claims (1)
- ＧａＡｌＡｓ層上のＧａＡｓ層の一部をＮＨ＿４ＯＨ系
エッチング液を用いて選択的にエッチングした後、Ｈ＿
２ＳＯ＿４系エッチング液で表面処理をすることを特徴
とする化合物半導体の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18204485A JPS6242532A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 化合物半導体の表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18204485A JPS6242532A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 化合物半導体の表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242532A true JPS6242532A (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=16111358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18204485A Pending JPS6242532A (ja) | 1985-08-20 | 1985-08-20 | 化合物半導体の表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242532A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5346854A (en) * | 1991-11-07 | 1994-09-13 | Goldstar Co., Ltd. | Method of making a semiconductor laser |
| JPH06291147A (ja) * | 1991-10-22 | 1994-10-18 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 集積回路または離散デバイスおよびその製造方法 |
| US5374328A (en) * | 1993-03-25 | 1994-12-20 | Watkins Johnson Company | Method of fabricating group III-V compound |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55111192A (en) * | 1979-02-13 | 1980-08-27 | Philips Nv | Semiconductor laser and method of fabricating same |
| JPS5867078A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | Toshiba Corp | 化合物半導体素子製造方法 |
| JPS60138911A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-20 JP JP18204485A patent/JPS6242532A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55111192A (en) * | 1979-02-13 | 1980-08-27 | Philips Nv | Semiconductor laser and method of fabricating same |
| JPS5867078A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | Toshiba Corp | 化合物半導体素子製造方法 |
| JPS60138911A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06291147A (ja) * | 1991-10-22 | 1994-10-18 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 集積回路または離散デバイスおよびその製造方法 |
| US5346854A (en) * | 1991-11-07 | 1994-09-13 | Goldstar Co., Ltd. | Method of making a semiconductor laser |
| US5374328A (en) * | 1993-03-25 | 1994-12-20 | Watkins Johnson Company | Method of fabricating group III-V compound |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5665612A (en) | Method for fabricating a planar buried heterostructure laser diode | |
| JPS6242532A (ja) | 化合物半導体の表面処理方法 | |
| JP4537549B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| US4943540A (en) | Method for selectively wet etching aluminum gallium arsenide | |
| JP2830414B2 (ja) | Ｍｅｓ構造電極の形成方法 | |
| JPS61199666A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH06120163A (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
| US6699778B2 (en) | Masking method for producing semiconductor components, particularly a BH laser diode | |
| JPS63140591A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPS6233310B2 (ja) | ||
| JPH0669599A (ja) | 半導体レーザダイオード及びその製造方法 | |
| JPH06196473A (ja) | 半導体装置の表面処理方法 | |
| JPS62108591A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JP3887473B2 (ja) | 半導体素子の製造方法およびこの方法に使用されるエッチング液 | |
| JPS60245187A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05234982A (ja) | 化合物半導体基板のエッチング方法 | |
| JPH0123955B2 (ja) | ||
| JPS60213072A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 | |
| JPS5850789A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 | |
| JPH06163515A (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JPS59152632A (ja) | 半導体の表面浄化法 | |
| JPH02215160A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03177016A (ja) | 選択エピタキシャル成長法 | |
| JPH0575213A (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS6369288A (ja) | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |