JPH06163515A - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置の製造方法Info
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- JPH06163515A JPH06163515A JP31893892A JP31893892A JPH06163515A JP H06163515 A JPH06163515 A JP H06163515A JP 31893892 A JP31893892 A JP 31893892A JP 31893892 A JP31893892 A JP 31893892A JP H06163515 A JPH06163515 A JP H06163515A
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- etching
- hcl
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、エッチング工程の終了後に基板等
の表面上に気泡の跡が残留しない化合物半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明に係る化合物半導体装置の製造方法
は、Ｇａx Ｉｎ1-x Ａｓ（０．３≦ｘ≦０．７）の層若
しくはＩｎＰの層と、Ａｌy Ｉｎ1-y Ａｓ（０．３≦ｙ
≦０．７）の層とを、ＨＣｌ−、Ｈ2 Ｏ2 と、Ｈ2 Ｏと
の混合液に界面活性剤を添加したエッチング液でウエッ
トエッチングする工程を有することを特徴とする。
の表面上に気泡の跡が残留しない化合物半導体装置の製
造方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明に係る化合物半導体装置の製造方法
は、Ｇａx Ｉｎ1-x Ａｓ（０．３≦ｘ≦０．７）の層若
しくはＩｎＰの層と、Ａｌy Ｉｎ1-y Ａｓ（０．３≦ｙ
≦０．７）の層とを、ＨＣｌ−、Ｈ2 Ｏ2 と、Ｈ2 Ｏと
の混合液に界面活性剤を添加したエッチング液でウエッ
トエッチングする工程を有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体装置の製
造方法におけるエッチング工程、とくに、ウエットエッ
チングを行うものに関するものである。
造方法におけるエッチング工程、とくに、ウエットエッ
チングを行うものに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体装置の製造プロセス中で用
いられるエッチング方法には、ドライエッチングとウエ
ットエッチングとがある。一般にウエットエッチングは
ドライエッチングに比べてエッチングの選択性や均一性
などに優れ、また実用性にも富むといわれている。
いられるエッチング方法には、ドライエッチングとウエ
ットエッチングとがある。一般にウエットエッチングは
ドライエッチングに比べてエッチングの選択性や均一性
などに優れ、また実用性にも富むといわれている。
【０００３】このウエットエッチングは、半導体基板の
表面に形成された膜を化学薬品であるエッチング液によ
って溶融させて除去するものである。従来の技術とし
て、Ｈ2 Ｏ2 とＨ2 Ｏとを１：３０の割合で混合した液
で酸化した半導体基板の表面を、、ＨＣｌとＨ2 Ｏとを
１：１０の割合で混合した液で酸化膜を除去するウエッ
トエッチングの技術が開示されている（特開平４−４５
５３２）。
表面に形成された膜を化学薬品であるエッチング液によ
って溶融させて除去するものである。従来の技術とし
て、Ｈ2 Ｏ2 とＨ2 Ｏとを１：３０の割合で混合した液
で酸化した半導体基板の表面を、、ＨＣｌとＨ2 Ｏとを
１：１０の割合で混合した液で酸化膜を除去するウエッ
トエッチングの技術が開示されている（特開平４−４５
５３２）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＨＣｌと、Ｈ
2 Ｏ2 と、Ｈ2 Ｏとを組合わせたエッチング液を用いて
Ａｌy Ｉｎ1-y Ａｓ（０．３≦ｙ≦０．７）の層とＧａ
x Ｉｎ1-x Ａｓ（０．３≦ｘ≦０．７）との層を有する
多層構造の表面若しくは、Ａｌy Ｉｎ1-y Ａｓ（０．３
≦ｙ≦０．７）の層とＩｎＰとの層を有する多層構造の
表面をエッチングする際、エッチング中に液内で発生し
た気泡がエッチングを行った層の表面などに付着して、
エッチング工程の終了後に基板等の表面上に気泡の跡が
残留するということがあった。
2 Ｏ2 と、Ｈ2 Ｏとを組合わせたエッチング液を用いて
Ａｌy Ｉｎ1-y Ａｓ（０．３≦ｙ≦０．７）の層とＧａ
x Ｉｎ1-x Ａｓ（０．３≦ｘ≦０．７）との層を有する
多層構造の表面若しくは、Ａｌy Ｉｎ1-y Ａｓ（０．３
≦ｙ≦０．７）の層とＩｎＰとの層を有する多層構造の
表面をエッチングする際、エッチング中に液内で発生し
た気泡がエッチングを行った層の表面などに付着して、
エッチング工程の終了後に基板等の表面上に気泡の跡が
残留するということがあった。
【０００５】そこで、本発明は、エッチング工程の終了
後に基板等の表面上に気泡の跡が残留しない化合物半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
後に基板等の表面上に気泡の跡が残留しない化合物半導
体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明に係る化合物半導体装置の製造方法は、Ｇ
ａx Ｉｎ1-x Ａｓ（０．３≦ｘ≦０．７）の層若しくは
ＩｎＰの層と、ＡｌyＩｎ1-y Ａｓ（０．３≦ｙ≦０．
７）の層とを、ＨＣｌと、Ｈ2 Ｏ2 と、Ｈ2 Ｏとの混合
液に界面活性剤を添加したエッチング液でウエットエッ
チングする工程を有することを特徴とする。
めに、本発明に係る化合物半導体装置の製造方法は、Ｇ
ａx Ｉｎ1-x Ａｓ（０．３≦ｘ≦０．７）の層若しくは
ＩｎＰの層と、ＡｌyＩｎ1-y Ａｓ（０．３≦ｙ≦０．
７）の層とを、ＨＣｌと、Ｈ2 Ｏ2 と、Ｈ2 Ｏとの混合
液に界面活性剤を添加したエッチング液でウエットエッ
チングする工程を有することを特徴とする。
【０００７】
【作用】上記の方法によれば、半導体基板の表面に形成
された膜をＨＣｌと、Ｈ2 Ｏ2と、Ｈ2 Ｏとの混合液に
界面活性剤を添加したエッチング液でウエットエッチン
グしているので、エッチング終了後の基板表面に気泡の
跡を残すことがない。
された膜をＨＣｌと、Ｈ2 Ｏ2と、Ｈ2 Ｏとの混合液に
界面活性剤を添加したエッチング液でウエットエッチン
グしているので、エッチング終了後の基板表面に気泡の
跡を残すことがない。
【０００８】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例に
ついて説明する。なお、図面の説明において同一要素に
は同一符号を付し、重複する説明は省略する。
ついて説明する。なお、図面の説明において同一要素に
は同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００９】本実施例にかかる半導体装置の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１０】まず、ＩｎＰを用いた半絶縁性の半導体基
板１１上に、アンドープＩｎＰをエピタキシャル結晶成
長させ、バッファ層１２を形成する。
板１１上に、アンドープＩｎＰをエピタキシャル結晶成
長させ、バッファ層１２を形成する。
【００１１】次に、このバッファ層１２上に、アンドー
プＧａ0.47Ｉｎ0.53Ａｓをエピタキシャル成長させ、チ
ャネル層１３を形成する。
プＧａ0.47Ｉｎ0.53Ａｓをエピタキシャル成長させ、チ
ャネル層１３を形成する。
【００１２】次に、このチャネル層１３上に、アンドー
プＡｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓをエピタキシャル成長させ、ス
ペーサ層１４を形成する、次に、スペーサ層１４上に、
ｎ型ドーパントを添加したＡｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓの第１
のキャリア供給層１５を形成し、次に、第１のキャリア
供給層１５上にアンドープＧａ0.47Ｉｎ0.53Ａｓをエピ
タキシャル成長させ、エッチストッパ層１６を形成す
る。
プＡｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓをエピタキシャル成長させ、ス
ペーサ層１４を形成する、次に、スペーサ層１４上に、
ｎ型ドーパントを添加したＡｌ0.48Ｉｎ0.52Ａｓの第１
のキャリア供給層１５を形成し、次に、第１のキャリア
供給層１５上にアンドープＧａ0.47Ｉｎ0.53Ａｓをエピ
タキシャル成長させ、エッチストッパ層１６を形成す
る。
【００１３】次に、エッチストッパ層１６上に、ｎ型ド
ーパントを添加したＡｌ0.48Ｉｎ0. 52Ａｓの第２のキャ
リア供給層１７を形成する。
ーパントを添加したＡｌ0.48Ｉｎ0. 52Ａｓの第２のキャ
リア供給層１７を形成する。
【００１４】次に、この第２のキャリア供給層１７上
に、一対のオーミック電極１８をｎ型オーミック接合し
て形成する。
に、一対のオーミック電極１８をｎ型オーミック接合し
て形成する。
【００１５】次に、この一対のオーミック電極１８の間
で第２のキャリア供給層１７の上部をエッチングで除去
し、ここにショットキー接合するゲート電極１９を形成
する。 そして、以上の工程を経ることで変調ドープ構
造の構造のＦＥＴを作成する。
で第２のキャリア供給層１７の上部をエッチングで除去
し、ここにショットキー接合するゲート電極１９を形成
する。 そして、以上の工程を経ることで変調ドープ構
造の構造のＦＥＴを作成する。
【００１６】このとき使用するエッチング液としては、
ＨＣｌ、Ｈ2 Ｏ2 およびＨ2 Ｏの混合液（以下単に、
「混合液」という）に、フッ素系界面活性剤を添加した
ものを用いる。フッ素系界面活性剤としては例えば、住
友スリーエム社製のフロラード（商品名）を用いる。
ＨＣｌ、Ｈ2 Ｏ2 およびＨ2 Ｏの混合液（以下単に、
「混合液」という）に、フッ素系界面活性剤を添加した
ものを用いる。フッ素系界面活性剤としては例えば、住
友スリーエム社製のフロラード（商品名）を用いる。
【００１７】本発明者が行った本発明の効果を試す実験
は、４００ｃｃの混合液に、２ｃｃの界面活性剤を添加
し、エッチング温度を２５℃で行った。また、この実験
で使用したエッチング液には体積比の異なる２種類のも
のを用意した。これらエッチング液のそれぞれの体積比
は、 ＨＣｌ（重量百分率で３６％水溶液）：Ｈ2 Ｏ2 （重量
百分率で３０％水溶液）：Ｈ2 Ｏ：界面活性剤＝１６
０：１０：２３０：２ ＨＣｌ（重量百分率で３６％水溶液）：Ｈ2 Ｏ2 （重量
百分率で３０％水溶液）：Ｈ2 Ｏ：界面活性剤＝１０：
１０：３８０：２ であった。
は、４００ｃｃの混合液に、２ｃｃの界面活性剤を添加
し、エッチング温度を２５℃で行った。また、この実験
で使用したエッチング液には体積比の異なる２種類のも
のを用意した。これらエッチング液のそれぞれの体積比
は、 ＨＣｌ（重量百分率で３６％水溶液）：Ｈ2 Ｏ2 （重量
百分率で３０％水溶液）：Ｈ2 Ｏ：界面活性剤＝１６
０：１０：２３０：２ ＨＣｌ（重量百分率で３６％水溶液）：Ｈ2 Ｏ2 （重量
百分率で３０％水溶液）：Ｈ2 Ｏ：界面活性剤＝１０：
１０：３８０：２ であった。
【００１８】エッチング液として上記に示すこれらの体
積比で、混合液にさらに界面活性剤を添加したところエ
ッチング終了後の第２のキャリア供給層１７の表面上に
は気泡の跡が見られなくなった。従って、第２のキャリ
ア供給層１７の表面を平滑なエッチング面とすることが
可能となった。また、パターン部分の不整も大幅に改善
できたことはいうまでもない。
積比で、混合液にさらに界面活性剤を添加したところエ
ッチング終了後の第２のキャリア供給層１７の表面上に
は気泡の跡が見られなくなった。従って、第２のキャリ
ア供給層１７の表面を平滑なエッチング面とすることが
可能となった。また、パターン部分の不整も大幅に改善
できたことはいうまでもない。
【００１９】なお、上記実施例においては、エッチスト
ッパ層１６としてＧａ0.47Ｉｎ0.53Ａｓの薄膜を堆積さ
せているが、エッチストッパ層１６としてＧａ0.47Ｉｎ
0.53Ａｓの薄膜の替わりにＩｎＰの薄膜を堆積させた場
合においても同様の効果が確認された。
ッパ層１６としてＧａ0.47Ｉｎ0.53Ａｓの薄膜を堆積さ
せているが、エッチストッパ層１６としてＧａ0.47Ｉｎ
0.53Ａｓの薄膜の替わりにＩｎＰの薄膜を堆積させた場
合においても同様の効果が確認された。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｇａx Ｉｎ1-x Ａｓ(0.3≦ｘ≦0.7)の層若しくはＩｎＰ
の層と、Ａｌy Ｉｎ1-y Ａｓ（０．３≦ｙ≦０．７）の
層とをＨＣｌと、Ｈ2 Ｏ2 と、Ｈ2 Ｏとの混合液に界面
活性剤を添加したエッチング液でウエットエッチングし
ているので、エッチング終了後の基板表面に気泡を残す
ことがない。従って、基板表面を平滑なエッチング面と
することができ、また、パターン部分の不整も大幅に改
善することができる。
Ｇａx Ｉｎ1-x Ａｓ(0.3≦ｘ≦0.7)の層若しくはＩｎＰ
の層と、Ａｌy Ｉｎ1-y Ａｓ（０．３≦ｙ≦０．７）の
層とをＨＣｌと、Ｈ2 Ｏ2 と、Ｈ2 Ｏとの混合液に界面
活性剤を添加したエッチング液でウエットエッチングし
ているので、エッチング終了後の基板表面に気泡を残す
ことがない。従って、基板表面を平滑なエッチング面と
することができ、また、パターン部分の不整も大幅に改
善することができる。
【図１】本発明の製造方法により作成された半導体装置
の断面図である。
の断面図である。
１１…半導体基板、１２…バッファ層、１３…チャネル
層、１４…スペーサ層、１５…第１のキャリア供給層、
１６…エッチストッパ層、１７…第２のキャリア供給
層、１８…オーミック電極、１９…ゲート電極。
層、１４…スペーサ層、１５…第１のキャリア供給層、
１６…エッチストッパ層、１７…第２のキャリア供給
層、１８…オーミック電極、１９…ゲート電極。
Claims (1)
- 【請求項１】 化合物半導体装置の製造方法において、 Ｇａx Ｉｎ1-x Ａｓ（０．３≦ｘ≦０．７）の層若しく
はＩｎＰの層と、Ａｌy ｌｎ1-y Ａｓ（０．３≦ｙ≦
０．７）の層とを、ＨClと、Ｈ2 Ｏ2 と、Ｈ2 Ｏとの混
合液に界面活性剤を添加したエッチング液でウエットエ
ッチングする工程を有することを特徴とする化合物半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31893892A JPH06163515A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31893892A JPH06163515A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163515A true JPH06163515A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=18104668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31893892A Pending JPH06163515A (ja) | 1992-11-27 | 1992-11-27 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100612985B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
-
1992
- 1992-11-27 JP JP31893892A patent/JPH06163515A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100612985B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
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