JPH012325A - レジストの除去方法 - Google Patents
レジストの除去方法Info
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- JPH012325A JPH012325A JP62-158013A JP15801387A JPH012325A JP H012325 A JPH012325 A JP H012325A JP 15801387 A JP15801387 A JP 15801387A JP H012325 A JPH012325 A JP H012325A
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- resist
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- film
- residue
- plasma
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造工程などで適用されるフォ
トリソグラフィ技術の際に被着したレジストの除去方法
に関する。
トリソグラフィ技術の際に被着したレジストの除去方法
に関する。
従来、半導体製造工程中のフォトリソグラフィ技術のた
めに使用したレジストの除去は、０茸プラズマによるレ
ジスト灰化法により行なわれている。
めに使用したレジストの除去は、０茸プラズマによるレ
ジスト灰化法により行なわれている。
しかし、高濃度のイオン注入処理やＲＩＥ （リアク
ティブ・イオン・エツチング）処理されている場合、完
全に除去することは困難である０通常のレジスト灰化は
０．プラズマのみの処理であるが、これにＣＦＪガスを
数％添加するとレジストを除去し易（なることが知られ
ている。ところがこの場合も、レジストの処理内容によ
っては完全に除去することはできない、このため一般に
は、レジスト灰化後に（ＨｘＳＯｎ ＋ ＨｘＯｔ）液
や発煙硝酸などにより洗浄処理を行いレジスト残渣を完
全に除去している。
ティブ・イオン・エツチング）処理されている場合、完
全に除去することは困難である０通常のレジスト灰化は
０．プラズマのみの処理であるが、これにＣＦＪガスを
数％添加するとレジストを除去し易（なることが知られ
ている。ところがこの場合も、レジストの処理内容によ
っては完全に除去することはできない、このため一般に
は、レジスト灰化後に（ＨｘＳＯｎ ＋ ＨｘＯｔ）液
や発煙硝酸などにより洗浄処理を行いレジスト残渣を完
全に除去している。
上述のように０！プラズマによる灰化法で除去しきれな
いレジストを完全に除去するために（ｌｌｚｓＯ４”Ｈ
ｉｎｔ）液を用いる場合、金属配線が露出していると金
属がエツチングされる問題点がある０発煙硝酸により除
去する場合は、Ｍ＆！線に対する問題はないが、薬品の
取り扱いが面倒である。
いレジストを完全に除去するために（ｌｌｚｓＯ４”Ｈ
ｉｎｔ）液を用いる場合、金属配線が露出していると金
属がエツチングされる問題点がある０発煙硝酸により除
去する場合は、Ｍ＆！線に対する問題はないが、薬品の
取り扱いが面倒である。
本発明の目的は、上述の問題を解決し、レジスト灰化後
のレジスト残渣を、金属配線が露出している場合も含め
て容易な作業で完全に除去することのできるレジストの
除去方法を提供することにある。
のレジスト残渣を、金属配線が露出している場合も含め
て容易な作業で完全に除去することのできるレジストの
除去方法を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明の方法は、レジス
トをガスプラズマで灰化後、レジスト残渣をテトラメチ
ルアンモニウム水酸化物を含んだアルカリ性溶液で洗浄
処理することによって除去するものとする。
トをガスプラズマで灰化後、レジスト残渣をテトラメチ
ルアンモニウム水酸化物を含んだアルカリ性溶液で洗浄
処理することによって除去するものとする。
テトラメチルアンモニウム水酸化物を含むアルカリ性溶
液は金属をおかすことなく、また室温で処理できるため
取扱いに容易である。
液は金属をおかすことなく、また室温で処理できるため
取扱いに容易である。
第１図は本発明の一実施例におけるＭ配線のドライエツ
チング後の状態である。半導体基板１上の下地酸化Ｍ４
２の上に蒸着したＭ膜をフォトリングラフィ技術を用い
てパターニングする際、ドライエツチングのマスクとし
て使用したレジスト膜４がＭ配線３の上に残っている。
チング後の状態である。半導体基板１上の下地酸化Ｍ４
２の上に蒸着したＭ膜をフォトリングラフィ技術を用い
てパターニングする際、ドライエツチングのマスクとし
て使用したレジスト膜４がＭ配線３の上に残っている。
このレジスト膜４を０□プラズマにより灰化しても、Ｍ
配線３上にレジストの残渣が残る。このレジスト残渣を
除去するため、水酸化テトラメチルアンモニウム（（：
Ｈ３）＃Ｎ・ＯＨを５％含んだアルカリ性溶液に３０秒
間浸し、３分間以上の純水洗浄を行い乾燥する。
配線３上にレジストの残渣が残る。このレジスト残渣を
除去するため、水酸化テトラメチルアンモニウム（（：
Ｈ３）＃Ｎ・ＯＨを５％含んだアルカリ性溶液に３０秒
間浸し、３分間以上の純水洗浄を行い乾燥する。
この場合、水溶液の温度は室温とし特に制御する必要は
ない。
ない。
第２図は別の実施例を示すもので、Ｍ配線３上の絶縁膜
２のドライエツチング後の状態であり、多層配線の場合
の眉間絶縁膜にコンタクトホールを形成するためのドラ
イエツチング後などに相当する。Ａ７配線３上の酸化膜
２をドライエツチング後、エツチングのマスクとして使
用したレジスト膜４が酸化膜２上に残っている。このレ
ジスト膜４を０８プラズマにより灰化すると、酸化膜３
上にレジストの残渣が残る。このレジストの残渣は上記
の例と同様のアルカリ性溶液で除去することができる。
２のドライエツチング後の状態であり、多層配線の場合
の眉間絶縁膜にコンタクトホールを形成するためのドラ
イエツチング後などに相当する。Ａ７配線３上の酸化膜
２をドライエツチング後、エツチングのマスクとして使
用したレジスト膜４が酸化膜２上に残っている。このレ
ジスト膜４を０８プラズマにより灰化すると、酸化膜３
上にレジストの残渣が残る。このレジストの残渣は上記
の例と同様のアルカリ性溶液で除去することができる。
アルカリ性溶液中の水酸化テトラメチルアンモニウムの
含有量は１％以下ではレジスト残渣が完全に除去されず
、１０％を越えると配線のＭを溶かす。
含有量は１％以下ではレジスト残渣が完全に除去されず
、１０％を越えると配線のＭを溶かす。
上記の実施例の材料が変わった場合、例えば配線３にＭ
合金あるいは高融点金属を使用した場合、もしくは゛絶
縁膜２としてＰＳＧあるいは窒化膜などを使用した場合
にも同様に実施でき、配線がエツチングされることなど
はない。
合金あるいは高融点金属を使用した場合、もしくは゛絶
縁膜２としてＰＳＧあるいは窒化膜などを使用した場合
にも同様に実施でき、配線がエツチングされることなど
はない。
本発明によれば、フォトリソグラフィ技術で使用したレ
ジストの灰化後の残渣をテトラメチルアンモニウム水酸
化物を含むアルカリ性溶液で洗浄処理して除去すること
により、金属への作用がないから金属配・腺が露出して
いても問題がなく、室温で使用できるので作業も容易で
ある。
ジストの灰化後の残渣をテトラメチルアンモニウム水酸
化物を含むアルカリ性溶液で洗浄処理して除去すること
により、金属への作用がないから金属配・腺が露出して
いても問題がなく、室温で使用できるので作業も容易で
ある。
第１図は本発明の一実施例におけるレジスト被着状態で
の断面図、第２図は他の実施例におけるレジスト被着状
態での断面図である。 ｌ：半導体基板、２：酸化膜、３；Ｍ配線、４ニレジス
ト膜。 第２図
の断面図、第２図は他の実施例におけるレジスト被着状
態での断面図である。 ｌ：半導体基板、２：酸化膜、３；Ｍ配線、４ニレジス
ト膜。 第２図
Claims (1)
- （１）レジストをガスプラズマによって灰化後、レジス
ト残渣をテトラメチルアンモニウム水酸化物を含んだア
ルカリ性水溶液で洗浄処理することによって除去するこ
とを特徴とするレジストの除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-158013A JPH012325A (ja) | 1987-06-25 | レジストの除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-158013A JPH012325A (ja) | 1987-06-25 | レジストの除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS642325A JPS642325A (en) | 1989-01-06 |
| JPH012325A true JPH012325A (ja) | 1989-01-06 |
Family
ID=
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