CN112662460A - 一种含有天然植物提取物的晶圆切割液 - Google Patents

一种含有天然植物提取物的晶圆切割液 Download PDF

Info

Publication number
CN112662460A
CN112662460A CN202011598217.9A CN202011598217A CN112662460A CN 112662460 A CN112662460 A CN 112662460A CN 202011598217 A CN202011598217 A CN 202011598217A CN 112662460 A CN112662460 A CN 112662460A
Authority
CN
China
Prior art keywords
natural plant
cutting fluid
acid
plant extracts
containing natural
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN202011598217.9A
Other languages
English (en)
Inventor
侯军
褚雨露
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Austrian Mstar Technology Ltd
Original Assignee
Jiangsu Austrian Mstar Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Austrian Mstar Technology Ltd filed Critical Jiangsu Austrian Mstar Technology Ltd
Priority to CN202011598217.9A priority Critical patent/CN112662460A/zh
Publication of CN112662460A publication Critical patent/CN112662460A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Dicing (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

一种含有天然植物提取物的晶圆切割液,属于光电子器件的表面精密加工领域。该切割液中含有天然植物提取物,它是一系列分子结构中具有杂环结构的化合物;杂环结构中具有一个或多个N原子或S原子,此外杂环结构中至少一个C上的H原子被‑NH2,‑NO2,‑CHO或‑COOH官能团取代,能够提高杂环结构中N或S原子的电子密度;使其更易于金属表面的电子结合成键,形成保护膜,抑制半导体晶圆表面的焊盘的电化学腐蚀。

Description

一种含有天然植物提取物的晶圆切割液
技术领域
本发明涉及一种含有天然植物提取物的晶圆切割液,属于光电子器件的表面精密加工领域。
背景技术
在半导体芯片制造流程中,半导体晶圆的切割工艺是指在半导体芯片电路制造工艺完成后,针对称之为切割道的区域进行切割而使半导体晶圆上整齐分布的芯片分隔开的一道工艺。在30倍显微镜下观察可以发现晶圆半导体是由许多个独立单元的集合体组成的。这些独立单元以行或列为单位,整齐排列且每行或每列之间有一“沟槽”状长条相间隔,这些“沟槽”称之为切割道。当切割工艺完成后,即可得到一颗颗独立的微小芯片。
通常一片半导体晶圆上集成了上千颗芯片,通过超薄金刚石刀片切割工艺将其分割成独立的芯片。在切割工艺过程中产生的残渣颗粒,例如硅残留物,会粘附到晶圆表面和晶圆侧壁上。这些残渣颗粒一旦与晶圆接触,则很难在随后的清洗工艺中去除。另外,在切割过程中,由切割产生的小的污染残渣/颗粒,通常粘附在晶圆表面,堆积在焊接区和开槽位置上。它们一旦与晶圆接触,在后续的清洗过程就难以移除,同时它们一旦被截留在深的沟槽中,就更难被移除。另外,在切割过程中,焊接区暴露会导致金属腐蚀的发生。腐蚀会破坏焊接区,从而导致差的结合性能、差的可靠性或者甚至装置失效。污染颗粒和金属腐蚀会在后续的封装操作例如引线结合中引起问题。目前,一种减小切割过程中腐蚀的方法,包括采用高纯度去离子水(DIW)作为划片刀的冷却剂。锯切区域和旋转刀通常浸在流速大的去离子水中。有人也可能认为硅残渣会被冲洗锯切区域的水冷却剂冲走。不幸的是,即使在明显冲洗下,小的硅颗粒也不会被彻底冲走。更糟的是,水冷却剂会导致静电积累,造成残渣/颗粒在焊接区的积聚,也将造成金属腐蚀。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供一种含有天然植物提取物的晶圆切割液,用于半导体晶圆切割制程,能够抑制半导体晶圆表面的焊盘的电化学腐蚀。
一种含有天然植物提取物的晶圆切割液,该切割液的组分及其质量分数如下:
Figure BDA0002868639580000011
Figure BDA0002868639580000021
余量为超纯水;
所述天然植物提取物为提取物A、提取物B或提取物C;
提取物A:
Figure BDA0002868639580000022
提取物B:
Figure BDA0002868639580000023
提取物C:
Figure BDA0002868639580000024
所述分散剂为马来酸/丙烯酸共聚物、马来酸/烯烃共聚物、改性聚丙烯酸钠盐、改性聚丙烯酸、阳离子聚乙烯胺亚胺、苯乙烯/丙烯酸共聚物、聚乙烯吡咯烷酮、羧甲基纤维素、羟丙基纤维素或羟乙基纤维素中的一种或几种。
所述渗透剂为炔二醇表面活性剂或氟碳类表面活性剂。
所述有机膦酸化合物为氨基三亚甲基膦酸、1-羟乙叉-1,1-二磷酸、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、氨基三甲叉膦酸。
所述增溶剂为乙二醇丙醚、二乙二醇甲醚、乙二醇丁醚、二乙二醇丁醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇乙醚或二乙二醇己醚。
所述抗氧化剂为水杨酸、没食子酸、多酚类、连苯三酚、抗坏血酸、茶多酚或植酸。所述pH调节剂为氢氧化钾、氨水、三乙醇胺、单乙醇胺、二甘醇胺、四甲基氢氧化铵或三乙胺。
所述炔二醇表面活性剂为2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚或2,5,8,11-四甲基-5-癸炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚,氟碳类表面活性剂其疏水端为C6或C8结构。
本发明的有益效果为:该切割液具有金属缓蚀的效果,切割液中采用的天然植物提取物是一系列分子结构中具有杂环结构的化合物,杂环结构中具有一个或多个N原子或S原子,此外杂环结构中至少一个C上的H原子被-NH2,-NO2,-CHO或-COOH官能团取代,这些取代基都具有供电子能力,能够提高杂环结构中N或S原子的电子密度,使其更易于金属表面的电子结合成键,形成保护膜,抑制半导体晶圆表面的焊盘的电化学腐蚀。
附图说明
图1是本申请中实施例1的效果图。
图2是本申请中对比例1的效果图。
具体实施方式:
下面通过具体实施例对本发明作进一步说明,但本发明并不受以下实施例所限定。
实施例1-12的制备方法为:将一定量超纯水加入反应釜中,开动搅拌;按质量比加入天然植物提取物,搅拌5分钟;按质量比加入分散剂,搅拌5分钟;按质量比加入渗透剂,搅拌5分钟;按质量比加入有机磷酸化合物,搅拌5分钟;按质量比加入增溶剂,搅拌5分钟;按质量比加入抗氧化剂,搅拌5分钟;最后按质量比加入pH调节剂,搅拌20分钟,至透明,即得晶圆切割液。
表1 实施例1-12的切割液的组分及含量
Figure BDA0002868639580000031
Figure BDA0002868639580000041
Figure BDA0002868639580000051
对比例1
Figure BDA0002868639580000052
对比例1的制备方法为在超纯水中依次按比例加入壬基酚局氧乙烯醚、氧化聚乙烯(分子量50万)、柠檬酸、乙二醇甲醚、苯氧乙醇、二甘醇胺,搅拌至透明即得。
对比例2
Figure BDA0002868639580000053
对比例2的制备方法为在超纯水中依次按比例加入仲烷基苯磺酸、羧甲基纤维素(分子量10万)、柠檬酸、乙二醇甲醚、苯氧乙醇、二甘醇胺,搅拌至透明即得。
实施例11金属腐蚀的检测
以下实施例的效果检测均采用以下方法:以Disco 6362晶圆切割机切割12寸AlDummy wafer,切割液稀释倍数为3000倍,切割后将晶圆放置于空气中,分别在8小时、12小时、24小时、36小时观察表面腐蚀情况。
表2 实施例1-10与对比例1的颗粒残留结果
Figure BDA0002868639580000061
其中:NG代表:不合格,OK:合格。
有无腐蚀对比图如图1和图2所示,图1是实施例1中切割液切割后金相显微镜观察切割后的晶圆表面,图中可见晶圆Al Pad表面无腐蚀;图2是对比例1中切割液切割后的晶圆表面,图中圈出的Al Pad部分有明显腐蚀。

Claims (8)

1.一种含有天然植物提取物的晶圆切割液,其特征在于:该切割液的组分及其质量分数如下:
Figure FDA0002868639570000011
余量为超纯水;
所述天然植物提取物为提取物A、提取物B或提取物C;
提取物A的结构式为:
Figure FDA0002868639570000012
提取物B的结构式为:
Figure FDA0002868639570000013
提取物C的结构式为:
Figure FDA0002868639570000014
2.根据权利要求1所述的一种含有天然植物提取物的晶圆切割液,其特征在于:所述分散剂为马来酸/丙烯酸共聚物、马来酸/烯烃共聚物、改性聚丙烯酸钠盐、改性聚丙烯酸、阳离子聚乙烯胺亚胺、苯乙烯/丙烯酸共聚物、聚乙烯吡咯烷酮、羧甲基纤维素、羟丙基纤维素或羟乙基纤维素中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的一种含有天然植物提取物的晶圆切割液,其特征在于:所述渗透剂为炔二醇表面活性剂或氟碳类表面活性剂。
4.根据权利要求1所述的一种含有天然植物提取物的晶圆切割液,其特征在于:所述有机膦酸化合物为氨基三亚甲基膦酸、1-羟乙叉-1,1-二磷酸、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、氨基三甲叉膦酸。
5.根据权利要求1所述的一种含有天然植物提取物的晶圆切割液,其特征在于:所述增溶剂为乙二醇丙醚、二乙二醇甲醚、乙二醇丁醚、二乙二醇丁醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、二乙二醇乙醚或二乙二醇己醚。
6.根据权利要求1所述的一种含有天然植物提取物的晶圆切割液,其特征在于:所述抗氧化剂为水杨酸、没食子酸、多酚类、连苯三酚、抗坏血酸、茶多酚或植酸。
7.根据权利要求1所述的一种含有天然植物提取物的晶圆切割液,其特征在于:所述pH调节剂为氢氧化钾、氨水、三乙醇胺、单乙醇胺、二甘醇胺、四甲基氢氧化铵或三乙胺。
8.根据权利要求1所述的一种含有天然植物提取物的晶圆切割液,其特征在于:所述炔二醇表面活性剂为2,5,8,11-四甲基-6-十二碳炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚或2,5,8,11-四甲基-5-癸炔-5,8-二醇聚氧乙烯醚,氟碳类表面活性剂其疏水端为C6或C8结构。
CN202011598217.9A 2020-12-29 2020-12-29 一种含有天然植物提取物的晶圆切割液 Withdrawn CN112662460A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011598217.9A CN112662460A (zh) 2020-12-29 2020-12-29 一种含有天然植物提取物的晶圆切割液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011598217.9A CN112662460A (zh) 2020-12-29 2020-12-29 一种含有天然植物提取物的晶圆切割液

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112662460A true CN112662460A (zh) 2021-04-16

Family

ID=75410345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011598217.9A Withdrawn CN112662460A (zh) 2020-12-29 2020-12-29 一种含有天然植物提取物的晶圆切割液

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112662460A (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102311863A (zh) * 2010-07-09 2012-01-11 气体产品与化学公司 晶片切割方法及用于该方法的组合物
CN102559354A (zh) * 2010-12-30 2012-07-11 安集微电子(上海)有限公司 一种水基玻璃磨削液
US20120196779A1 (en) * 2009-10-16 2012-08-02 Wanglin Yu Cutting Fluids with Improved Performance
CN103396875A (zh) * 2013-08-02 2013-11-20 镇江荣德新能源科技有限公司 一种用于金刚石线切割设备的冷却液及其制备方法
CN106590904A (zh) * 2016-11-14 2017-04-26 武汉宜田科技发展有限公司 一种金刚线切割单/多晶硅棒用冷却液
CN108857149A (zh) * 2018-08-29 2018-11-23 佛山朝鸿新材料科技有限公司 一种焊铝锡膏的制备方法
CN111254003A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 洛阳阿特斯光伏科技有限公司 一种切割过程中使用的冷却液及其制备方法和用途

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120196779A1 (en) * 2009-10-16 2012-08-02 Wanglin Yu Cutting Fluids with Improved Performance
CN102311863A (zh) * 2010-07-09 2012-01-11 气体产品与化学公司 晶片切割方法及用于该方法的组合物
CN102559354A (zh) * 2010-12-30 2012-07-11 安集微电子(上海)有限公司 一种水基玻璃磨削液
CN103396875A (zh) * 2013-08-02 2013-11-20 镇江荣德新能源科技有限公司 一种用于金刚石线切割设备的冷却液及其制备方法
CN106590904A (zh) * 2016-11-14 2017-04-26 武汉宜田科技发展有限公司 一种金刚线切割单/多晶硅棒用冷却液
CN108857149A (zh) * 2018-08-29 2018-11-23 佛山朝鸿新材料科技有限公司 一种焊铝锡膏的制备方法
CN111254003A (zh) * 2018-11-30 2020-06-09 洛阳阿特斯光伏科技有限公司 一种切割过程中使用的冷却液及其制备方法和用途

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
薛守庆 等: "《缓蚀剂的应用》", 30 June 2019, 哈尔滨工业大学出版社 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5628761B2 (ja) ウエハーダイシングのための方法及び当該方法に有用な組成物
CN103080382B (zh) 用于铜或铜合金的蚀刻溶液
CN101701156B (zh) 晶片划片期间抑制腐蚀和去除表面污染物的方法和其采用的组合物
CN110004449A (zh) 稳定型化学机械抛光后清洗液、其制备方法和应用
CN105039006B (zh) 一种用于太阳能级硅片的清洗剂及其制备方法
CN112708500B (zh) 一种晶圆切割液
CN110669591A (zh) 用于化学机械抛光后的非tmah碱清洗液及其制备方法
KR101521066B1 (ko) 산화구리 에칭 잔여물 제거 및 구리 전착 방지용 수성 산성 배합물
CN103113972B (zh) 一种芯片铜互连封装用高效划片液
CN112662460A (zh) 一种含有天然植物提取物的晶圆切割液
KR101512490B1 (ko) 범프 하부 도전층 식각용 조성물 및 이를 이용한 도전성 범프 구조물의 형성 방법
CN112745994B (zh) 一种双组份清洗剂及其制备方法和应用
CN112745990B (zh) 一种无磷双组份清洗剂及其制备方法和应用
CN112745982B (zh) 一种含有低聚皂化合物的晶圆切割液
CN100423202C (zh) 微电子专用螯合剂的使用方法
CN112708495A (zh) 一种GaAs晶圆切割液
TW202411414A (zh) 接著劑用洗淨劑組合物
TW202413616A (zh) 半導體基板之製造方法
CN115851363A (zh) 一种抗静电半导体晶圆切割液及其制备方法
CN108485829A (zh) 一种硅片清洗剂
KR20170056813A (ko) 웨이퍼 세정액 조성물 및 이를 이용한 웨이퍼의 세정방법
TW201116650A (en) Aqueous acidic formulations for copper oxide etch residue removal and prevention of copper electrodeposition

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20210416

WW01 Invention patent application withdrawn after publication