KR20170056813A - 웨이퍼 세정액 조성물 및 이를 이용한 웨이퍼의 세정방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 (a) 하기 화학식 1로 표시되는 비이온성 계면활성제; (b) 유기산; (c) 유기알칼리; 및 (d) 초순수 를 함유하고, 또한 pH가 3 이상 8 미만인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정액 조성물, 및 이를 이용한 세정 방법에 대한 것이다.
[화학식 1]
R1-[(EO)x-(PO)y]z-R2
(상기 식에서, EO는 에틸렌옥사이드이고, 상기 PO는 프로필렌옥사이드 또는 메틸프로필렌옥사이드이며, 상기 EO와 PO는 랜덤 부가 또는 2 이상의 블록 부가에 의해 결합되고, 상기 x개의 EO와 y개의 PO의 서열 순서는 임의이며, 상기 x, y 및 z은 각각 독립적으로 1 내지 40의 정수이고, x/(x+y)는 0.1 내지 1 의 정수이며, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자(-H), 수산기(-OH), 탄소수가 1 내지 30의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 탄소수가 1 내지 30의 직쇄상 또는 분지상의 알케닐기임).

Description

웨이퍼 세정액 조성물 및 이를 이용한 웨이퍼의 세정방법{COMPOSITION FOR CLEANING WAFER AND CLEANING METHOD OF WAFER USING THE SAME}
본 발명은 웨이퍼를 세정하는 데에 사용되는 세정액 조성물 및 이를 이용한 웨이퍼의 세정방법에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼의 절삭 공정은 웨이퍼 상의 다수의 칩을 낱개의 칩으로 분리하기 위해 분리선을 따라 절단하는 공정으로서 초정밀을 요구하는 공정이다. 이러한 웨이퍼의 절삭 공정의 경우, 절삭되는 기판으로부터 미세 입자가 발생하여 웨이퍼를 오염시킬 수 있고, 이는 추후 반도체 소자의 성능 및 수율에 직접적인 영향을 미치게 된다. 그래서, 웨이퍼의 절삭 후 또는 절삭과 동시에 기판을 세정하는 공정이 수행된다.
구체적으로, 웨이퍼 절삭 공정은 프레임에 기판을 고정시켜 절삭 장치에 로딩되어 절삭될 부분을 맞추는 단계; 및 웨이퍼의 두께와 분리선에 따라 미리 프로그램된 블레이드를 이용하여 상기 고정된 웨이퍼를 절삭하는 단계를 포함한다. 여기서, 웨이퍼의 절삭으로 인해 기판으로부터 발생하는 미세 입자에 의한 웨이퍼 오염을 방지하고자, 종래에는 상기 블레이드를 이용하여 웨이퍼 절삭시 고압의 초순수나 세정 용액을 이용하여 절삭으로 인해 발생되는 미세 입자를 제거한다.
그러나, 종래 알려진 세정 용액이나 초순수의 경우, 절삭시 발생하는 미세 입자를 제대로 제거하지 못하였다. 이로 인해, 웨이퍼의 표면 또는 비아홀(via hole)에 잔류하는 미세 입자는 절단 날이 지나간 후 절단 라인의 깊은 부위에 위치하여 추후 와이어 본딩 공정에서의 본딩 불량이나 수지 성형 공정에서의 성향 불량을 초래시키는 등 여러 가지 불량 발생의 요인이 되었다.
게다가, 종래 알려진 세정 용액의 경우, 웨이퍼의 절삭시 발생하는 웨이퍼 표면 균열이나 칩핑 현상을 방지하지 못하였고, 또한 세정 용액으로 인해서 웨이퍼의 금속 배선이나 절삭 장비가 부식되는 일이 발생하였다.
반도체 디바이스 제조 공정에서의 웨이퍼 세정의 제반문제를 해결하기 위해서 상기한 바와 같은 세정법이 제안되어 있지만, 웨이퍼 표면 상의 여러가지 오염을 단시간에 충분히 제거할 수 있는 기술은 없어서, 그 확립이 요구되고 있었다.
또한, 웨이퍼의 절삭시 발생하는 웨이퍼 표면 균열이나 칩핑 현상을 방지하지 못하고, 웨이퍼의 금속 배선이나 절삭 장비가 부식되는 일이 발생하였다.
본 발명은 상기 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 웨이퍼 표면을 부식시키지 않으면서 파티클 오염, 유기물 오염 및 금속 오염을 동시에 제거할 수 있고, 또 물에 의한 린스성도 양호하며, 단시간에 웨이퍼 표면을 청정화할 수 있는 웨이퍼 세정방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 (a) 하기 화학식 1로 표시되는 비이온성 계면활성제; (b) 유기산; (c) 유기알칼리; 및 (d) 초순수 를 함유하고, 또한 pH가 3 이상 8 미만인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정액 조성물을 제공한다.
성분 (a): 하기 화학식 1로 표시되는 비이온계면활성제
[화학식 1]
R1-[(EO)x-(PO)y]z-R2
(상기 식에서, EO는 에틸렌옥사이드이고, 상기 PO는 프로필렌옥사이드 또는 메틸프로필렌옥사이드이며, 상기 EO와 PO는 랜덤 부가 또는 2 이상의 블록 부가에 의해 결합되고, 상기 x개의 EO와 y개의 PO의 서열 순서는 임의이며, 상기 x, y 및 z은 각각 독립적으로 1 내지 40의 정수이고, x/(x+y)는 0.1 내지 1 의 정수이며, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자(-H), 수산기(-OH), 탄소수가 1 내지 30의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 탄소수가 1 내지 30의 직쇄상 또는 분지상의 알케닐기임).
성분 (b): 유기산
수중에서 산성 (pH<7) 을 나타내는 유기 화합물의 총칭으로, 카르복실기 (-COOH), 술포기 (-SO3H), 페놀성 히드록실기(ArOH: Ar은 페닐기 등의 아릴기), 메르캅토기(-SH) 등의 산성 관능기를 갖는 것을 나타낸다. 사용되는 유기산은 특별히 한정되지 않지만, 관능기에 카르복실기를 갖는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 카르복실기를 1 이상 갖는 탄소수 1~10의 유기 화합물이다. 카르복실산으로는 카르복실기를 1 이상 갖는 것이면 되고, 모노카르복실산, 디카르복실산, 트리카르복실산 등을 적절히 사용할 수 있다. 단 통상, 카르복실기는 5 이하이다. 구체적으로는 예를 들어, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 이소부티르산, 발레르산, 옥살산, 숙신산, 말론산, 시트르산, 타르타르산, 말산 등을 들 수 있다. 더욱 바람직하게는 아세트산, 옥살산, 시트르산을 들 수 있다. 이들 유기산 성분은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 임의의 비율로 병용해도 된다.
성분 (c): 유기 알칼리
수 중에서 알칼리성 (pH>7) 을 나타내는 유기 화합물의 총칭이다. 사용하는 유기 알칼리 성분은 특별히 한정되지 않고, 이하의 일반식 (I) 로 표시되는 수산화 제4급 암모늄이나, 아민류, 아미노알코올류 등을 들 수 있다.
(R1)4N+OH- ···(I)
(단, R1 은 수소원자, 또는 수산기, 알콕시기 또는 할로겐으로 치환되어 있어도 되는 알킬기를 나타내고, 4개의 R1 은 모두 동일하거나 서로 달라도 된다. 단, 모두가 동시에 수소 원자인 경우를 제외한다.)
수산화 제4급 암모늄으로는, 상기 일반식 (I) 에 있어서 R1 이 수산기, 알콕시기 또는 할로겐으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~4 의 알킬기, 특히 탄소수 1~4 의 알킬기 및/또는 탄소수 1~4 의 하이드록시알킬기인 것이 바람직하다. R1 의 알킬기로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 탄소수 1~4 의 저급 알킬기를, 하이드록시알킬기로는 하이드록시메틸기, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 하이드록시부틸기 등의 탄소수 1~4 의 저급 하이드록시알킬기를 들 수 있다.
또한, 아민류로는, 트리에틸아민, 에틸렌디아민 등을 들 수 있고 아미노알코올류는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등을 들 수 있다.
성분 (c) 로서 바람직하게는 일반식 (I) 로 표시되는 수산화 제4급 암모늄을 들 수 잇다. 이 수산화 제4급 암모늄으로는 구체적으로는, 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 트리메틸(하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드 (통칭: 콜린), 트리에틸(하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드 등을 들 수 있다.
성분 (d): 초순수
여과, 역삼투, 이온교환, 살균소독 등의 과정을 거쳐 물 속의 염분이나 미생물 등의 불순물을 제거한 최대한 순수한 화합물로 생각할 수 있는 수준에 가까운 물로서, 초정밀 제조 공정에서 사용될 수 있다.
또, 본 발명은 웨이퍼의 절삭시 또는 웨이퍼의 절삭 후, 전술한 세정액 조성물 또는 상기 세정액 조성물을 초순수로 500 ~ 5,000 배 희석시켜 제조된 용액을 이용하여, 절삭되는 또는 절삭된 웨이퍼를 세정하는 단계를 포함하는 웨이퍼의 세정방법을 제공한다.
본 발명에 따른 세정액 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 비이온성 계면활성제, 유기산, 유기 알칼리 및 초순수를 포함함으로써, 웨이퍼의 절삭 공정 중이나 절삭 공정 후 웨이퍼 표면 및/또는 비아홀 등의 깊은 부위에 잔류하는 미세 입자의 비율을 최소한도로 감소시킬 수 있다.
뿐만 아니라, 본 발명의 세정액 조성물은 웨이퍼의 절삭시 웨이퍼 표면에 발생하는 표면 균열 또는 칩핑 현상을 방지하고, 나아가 웨이퍼 상의 금속 배선 및 절삭 장비의 부식을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명에 대하여 설명한다.
본 발명에서 웨이퍼는 집적회로나 고밀도 집적회로 등의 회로가 복사되어 있는 실리콘의 단결정판을 의미한다.
본 발명에서 절삭은 연마, 절단, 절삭 등을 포함하는 의미이다.
본 발명에 따른 세정액 조성물은 웨이퍼를 세정하는데 사용하는 용액으로서, (a) 하기 화학식 1로 표시되는 비이온성 계면활성제; (b) 유기산; (c) 유기알칼리; 및 (d) 초순수 를 함유하고, 또한 pH가 3 이상 8 미만인 것을 특징으로 한다.
이러한 세정제 조성물을 웨이퍼의 절삭시 이용할 경우, 상기 세정액 조성물에 포함된 하기 화학식 1로 표시되는 비이온성 계면활성제에 의해서 용액의 표면장력이 낮아지고, 이로 인해 웨이퍼 표면에 대한 젖음성이 향상되어 웨이퍼 표면 및/또는 비아홀과 같은 부위에 부착된 미세 입자를 제거하기가 용이하고, 또한 미세 입자가 기판 표면 및/또는 비아홀 부위에 재부착되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 세정액 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 비이온성 계면활성제를 포함한다.
[화학식 1]
R1-[(EO)x-(PO)y]z-R2
(상기 식에서, EO는 에틸렌옥사이드이고, 상기 PO는 프로필렌옥사이드 또는 메틸프로필렌옥사이드이며, 상기 EO와 PO는 랜덤 부가 또는 2 이상의 블록 부가에 의해 결합되고, 상기 x개의 EO와 y개의 PO의 서열 순서는 임의이며, 상기 x, y 및 z은 각각 독립적으로 1 내지 40의 정수이고, x/(x+y)는 0.1 내지 1 의 정수이며, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자(-H), 수산기(-OH), 탄소수가 1 내지 30의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 탄소수가 1 내지 30의 직쇄상 또는 분지상의 알케닐기임).
상기 화학식 1로 표시되는 비이온성 계면활성제의 예로는, 폴리에틸렌옥사이드/폴리프로필렌옥사이드(polyethyleneoxide/polypropyleneoxide, PEO-PPO) 등이 있는데, 이에 제한되지 않는다.
이러한 비이온성 계면활성제는 계면 특성의 상호 작용이 저하되지 않도록 하면서, 용해도 저하를 방지하여 세정액 조성물의 균일성이 확보되도록 하기 위해서 중량평균분자량이 1,000 내지 10,000 범위인 것이 적절하다.
본 발명에 있어서, 성분 (b) 의 유기산이란, 수중에서 산성 (pH<7) 을 나타내는 유기 화합물의 총칭으로, 카르복실기 (-COOH), 술포기 (-SO3H), 페놀성 히드록실기(ArOH: Ar은 페닐기 등의 아릴기), 메르캅토기(-SH) 등의 산성 관능기를 갖는 것을 나타낸다. 사용되는 유기산은 특별히 한정되지 않지만, 관능기에 카르복실기를 갖는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 카르복실기를 1 이상 갖는 탄소수 1~10의 유기 화합물이다. 카르복실산으로는 카르복실기를 1 이상 갖는 것이면 되고, 모노카르복실산, 디카르복실산, 트리카르복실산 등을 적절히 사용할 수 있다. 단 통상, 카르복실기는 5 이하이다. 구체적으로는 예를 들어, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부티르산, 이소부티르산, 발레르산, 옥살산, 숙신산, 말론산, 시트르산, 타르타르산, 말산 등을 들 수 있다. 더욱 바람직하게는 아세트산, 옥살산, 시트르산을 들 수 있다. 이들 유기산 성분은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 임의의 비율로 병용해도 된다.
본 발명의 세정액 중에 있어서의 성분 (b) 의 함유량은, 오염 제거를 충분히 실시하기 위해서는 세정액에 대하여 통상 0.01중량% 이상, 바람직하게는 0.05중량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.1중량% 이상으로 한다. 단, 웨이퍼 표면을 부식시키지 않는 것이나 경제적인 면을 중시한다면, 성분 (b) 의 함유량은 통상 30중량% 이하, 바람직하게는 10중량% 이하, 더욱 바람직하게는 2중량% 이하로 한다. 농도가 지나치게 높아도 그 이상의 효과는 얻어지지 않는다.
본 발명에 있어서, 성분 (c) 의 유기 알칼리 성분이란 수 중에서 알칼리성 (pH>7) 을 나타내는 유기 화합물의 총칭이다. 사용하는 유기 알칼리 성분은 특별히 한정되지 않고, 이하의 일반식 (I) 로 표시되는 수산화 제4급 암모늄이나, 아민류, 아미노알코올류 등을 들 수 있다.
(R1)4N+OH- ···(I)
(단, R1 은 수소원자, 또는 수산기, 알콕시기 또는 할로겐으로 치환되어 있어도 되는 알킬기를 나타내고, 4개의 R1 은 모두 동일하거나 서로 달라도 된다. 단, 모두가 동시에 수소 원자인 경우를 제외한다.)
수산화 제4급 암모늄으로는, 상기 일반식 (I) 에 있어서 R1 이 수산기, 알콕시기 또는 할로겐으로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1~4 의 알킬기, 특히 탄소수 1~4 의 알킬기 및/또는 탄소수 1~4 의 하이드록시알킬기인 것이 바람직하다. R1 의 알킬기로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기 등의 탄소수 1~4 의 저급 알킬기를, 하이드록시알킬기로는 하이드록시메틸기, 하이드록시에틸기, 하이드록시프로필기, 하이드록시부틸기 등의 탄소수 1~4 의 저급 하이드록시알킬기를 들 수 있다.
또한, 아민류로는, 트리에틸아민, 에틸렌디아민 등을 들 수 있고 아미노알코올류는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등을 들 수 있다.
성분 (c) 로서 바람직하게는 일반식 (I) 로 표시되는 수산화 제4급 암모늄을 들 수 잇다. 이 수산화 제4급 암모늄으로는 구체적으로는, 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH), 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 트리메틸(하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드 (통칭: 콜린), 트리에틸(하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드 등을 들 수 있다.
상기 서술한 (c)의 유기 알칼리 성분 중에서도 세정 효과, 금속 잔류가 적은 점, 경제성, 세정액의 안정성 등의 이유에서, 유기 알칼리 성분으로는 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH), 트리메틸(하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드 (통칭: 콜린) 등이 특히 바람직하다. 이들 유기 알칼리 성분은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 임의의 비율로 병용해도 된다. 또, 암모니아는 금속 배선에 사용되는 구리와 착물을 형성하기 쉽고, 부식의 원인이 되기 때문에 바람직하지 못하다.
본 발명의 세정액 중에 있어서의 성분 (c) 의 함유량은, 물에 의한 린스성을 충분히 양호하게 하기 위해서는 세정액에 대하여 통상 0.001중량% 이상, 바람직하게는 0.01중량% 이상, 더욱 바람직하게는 0.05중량% 이상으로 한다. 단, 오염 제거 효과가 높은 것이나 경제적인 면을 중시한다면, 성분 (c) 의 함유량은 통상 30중량% 이하, 바람직하게는 10중량% 이하, 더욱 바람직하게는 2중량5 이하로 한다. 농도가 지나치게 높으면 반대로 오염 제거 효과가 저하되는 경우가 있기 때문이다.
본 발명의 세정액 조성물은 성분 (d) 로서 초순수를 포함한다. 상기 초순수는 여과, 역삼투, 이온교환, 살균소독 등의 과정을 거쳐 물 속의 염분이나 미생물 등의 불순물을 제거한 최대한 순수한 화합물로 생각할 수 있는 수준에 가까운 물로서, 초정밀 제조 공정에서 사용될 수 있다.
본 발명의 세정액에 있어서는 성분 (a)~(d) 에 추가하여, 필요에 따라서 착화제를 함유시켜도 된다. 착화제에는 웨이퍼 표면의 금속 오염을 저감시키는 효과가 있다. 착화제로는 종래 공지된 임의의 것을 사용할 수 있다. 착화제의 종류에는, 웨이퍼 표면의 오염 레벌, 금속의 종류, 웨이퍼 표면에 요구되는 청정도 레벌, 착화제 비용, 화학적 안정성 등으로부터 종합적으로 판단하여 선택하면 된다.
본 발명의 세정액은, 또한, 그 성능을 손상시키지 않는 범위에 있어서, 기타 성분을 임의의 비율로 함유하고 있어도 된다. 기타 성분으로는, 황함유 유기 화합물 (2-메르캅토디아졸린, 2-메르캅토이미다졸린, 2-메르캅토에탄올, 티오글리세롤 등), 질소함유 유기 화합물 (벤조트리아졸, 3-아미노트리아졸), 우레아, 수용성 포ㄹ리머 (폴리에틸렌글리콜, 폴리비닐알코올 등), 히드라진 등의 환원제 등을 들 수 있다.
본 발명의 웨이퍼의 절삭시 웨이퍼를 효과적으로 세정하면서, 웨이퍼의 균열 및 칩핑 발생 억제와 금속 배선 및 절삭 장치의 부식 방지를 하고자, 전술한 비이온성 계면활성제, 유기산, 유리 알칼리, 초순수의 함량을 각각 조절한다. 즉, 본 발명의 세정액 조성물은 세정액 조성물 전체 중량에 대하여 상기 화학식 1로 표시되는 비이온성 계면활성제를 약 2 내지 20 중량%의 함량으로, 유기산과 유기 알칼리를 전체의 약 0.003 내지 14 중량%의 함량으로, 초순수를 세정액 조성물의 전체 중량이 100중량%가 되도록 조절하는 잔량만큼 포함할 수 있다.
한편, 본 발명은 전술한 세정액 조성물을 이용하여 웨이퍼를 세정하는 방법을 제공할 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 웨이퍼의 절단시 상기 세정액 조성물을 이용하여 절삭되는 웨이퍼를 세정하는 단계를 포함하는 방법을 제공할 수 잇다. 또, 본 발명은 웨이퍼의 절삭 후 상기 세정액 조성물을 이용하여 절삭된 웨이퍼를 세정하는 단계를 포함하는 방법을 제공할 수 있다.
여기서, 상기 세정액 조성물은 그 자체로 이용될 수 있고, 또는 상기 세정액 조성물을 초순수로 희석하여 제조된 용액을 이용할 수 있다. 이때, 상기 초순수에 의해서 세정액은 약 500 내지 5,000 배 정도 희석될 수 있다.
이렇게 세정액 조성물 또는 세정액 조성물의 희석액을 이용하여 웨이퍼를 세정할 경우, 기판에 잔류하는 미세 입자의 비율을 최소 한도로 감소시킬 수 있고, 나아가 세정액 조성물로 인해 웨이퍼의 표면이 보호되어 균열 및 칩핑 발생이 억제되고, 금속 부식이 방지될 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 다만, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이들에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
비이온성 계면활성제로서 폴리에틸렌옥사이드/폴리프로필렌옥사이드(polyethyleneoxide/polypropyleneoxide, PEO-PPO, CAS number: 9003-11-6) 10 중량%, 시트르산 5 중량%, 모노에탄올아민 5중량% 및 초순수 80 중량%을 혼합하여 세정액 조성물을 제조하였다.
[실시예 2] ~ [실시예 5] 및 [비교예 1]
하기 표 1에서 제시한 바와 같이, 폴리에틸렌옥사이드/폴리프로필렌옥사이드(polyethyleneoxide/polypropyleneoxide, PEO-PPO), 시트르산, 모노에탄올아민 및 초순수의 함량을 변화시킨 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 세정액 조성물을 제조하였다.
PEO-PPO
(중량%)		 시트르산
(중량%)		 MEA
(중량%)		 우레아
(중량%)		 초순수
(중량%)
실시예 1 10 5 5 1 79
실시예 2 20 5 5 5 65
실시예 3 15 5 10 5 65
실시예 4 10 5 5 5 75
실시예 5 5 10 5 5 75
비교예 1 - - - - 100
[실험예 1]-CMOS 칩의 균열 발생 빈도
실시예 1~5와 비교예 1에서 제조된 각각의 세정액 조성물을 초순수로 2,000 배 희석하여 용액 1~5와 비교용액 1을 제조하였다. 이후, CMOS 칩 500 개를 절단시, 상기 용액 1~5와 비교용액 1을 이용하여 절단되는 각각의 CMOS 칩을 세정한 후, 각 CMOS 칩의 후면에 발생하는 균열 빈도를 측정하였다. 이의 결과를 표 2에 나타내었다.
후면 균열(개)
용액 1 1/500
용액 2 4/500
용액 3 3/500
용액 4 3/500
용액 5 4/500
비교용액 1 13/500
상기 표 2에서 알 수 있는 바와 같이, 용액 1을 이용하여 절단되는 CMOS 칩을 세정한 경우는 절단된 500개의 CMOS 칩 중에서 오직 1 개의 CMOS 칩에서만 균열이 발생하였다.
이로부터 본 발명에 따른 세정액 조성물이 웨이퍼의 절삭 또는 절단시 웨이퍼의 표면을 보호하여 웨이퍼에 균열 및 칩핑 발생을 방지할 수 있다는 것을 알 수 있었다.

Claims (3)

  1. (a) 하기 화학식 1로 표시되는 비이온성 계면활성제; (b) 유기산; (c) 유기알칼리; 및 (d) 초순수 를 함유하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정액 조성물
    [화학식 1]
    R1-[(EO)x-(PO)y]z-R2
    (상기 식에서, EO는 에틸렌옥사이드이고, 상기 PO는 프로필렌옥사이드 또는 메틸프로필렌옥사이드이며, 상기 EO와 PO는 랜덤 부가 또는 2 이상의 블록 부가에 의해 결합되고, 상기 x개의 EO와 y개의 PO의 서열 순서는 임의이며, 상기 x, y 및 z은 각각 독립적으로 1 내지 40의 정수이고, x/(x+y)는 0.1 내지 1 의 정수이며, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소원자(-H), 수산기(-OH), 탄소수가 1 내지 30의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 탄소수가 1 내지 30의 직쇄상 또는 분지상의 알케닐기임).
  2. 제 1항에 있어서, 상기 세정액 조성물의 pH는 3 내지 8 범위인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정액 조성물.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 비이온성 계면활성제는 중량평균분자량이 1,000 내지 10,000 범위인 것이 특징인 웨이퍼 세정액 조성물.



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