KR20100138800A - 태양전지용 세정액 조성물 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- MWNQXXOSWHCCOZ-UHFFFAOYSA-L sodium;oxido carbonate Chemical compound [Na+].[O-]OC([O-])=O MWNQXXOSWHCCOZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 12
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 36
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- -1 glycol ether compound Chemical class 0.000 claims description 13
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 8
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical group COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VTIIJXUACCWYHX-UHFFFAOYSA-L disodium;carboxylatooxy carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C(=O)OOC([O-])=O VTIIJXUACCWYHX-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940045872 sodium percarbonate Drugs 0.000 claims description 4
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 claims description 4
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 3
- BHDAXLOEFWJKTL-UHFFFAOYSA-L dipotassium;carboxylatooxy carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C(=O)OOC([O-])=O BHDAXLOEFWJKTL-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 claims description 3
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- MXYOPVWZZKEAGX-UHFFFAOYSA-N 1-phosphonoethylphosphonic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(C)P(O)(O)=O MXYOPVWZZKEAGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,4-benzodioxine-3-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2OC(C(=O)O)COC2=C1 HMBHAQMOBKLWRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 2-(ethylamino)ethanol Chemical compound CCNCCO MIJDSYMOBYNHOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- TUYRAIOYNUOFNH-UHFFFAOYSA-N CP(=O)(O)OP(=O)O Chemical compound CP(=O)(O)OP(=O)O TUYRAIOYNUOFNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 2
- 229940075419 choline hydroxide Drugs 0.000 claims description 2
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 claims description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940043237 diethanolamine Drugs 0.000 claims description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 claims description 2
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 claims description 2
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 claims description 2
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940086542 triethylamine Drugs 0.000 claims description 2
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N triisopropylamine Chemical compound CC(C)N(C(C)C)C(C)C RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 claims 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 27
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 abstract description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-O triethylammonium ion Chemical compound CC[NH+](CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010730 cutting oil Substances 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical group [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- KQIXMZWXFFHRAQ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxybutylamino)butan-2-ol Chemical compound CCC(O)CNCC(O)CC KQIXMZWXFFHRAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 159000000007 calcium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002957 persistent organic pollutant Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- SGHCDMVUHBEGQV-UHFFFAOYSA-L tetrabutylazanium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC SGHCDMVUHBEGQV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229960004418 trolamine Drugs 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/02—Inorganic compounds
- C11D7/04—Water-soluble compounds
- C11D7/06—Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/39—Organic or inorganic per-compounds
- C11D3/3947—Liquid compositions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/395—Bleaching agents
- C11D3/3956—Liquid compositions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
- C11D7/263—Ethers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
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- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3209—Amines or imines with one to four nitrogen atoms; Quaternized amines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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-
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Abstract
본 발명은 태양전지용 세정액 조성물로서, 유기알칼리 화합물, 수용성 글리콜에테르 화합물, 과탄산염, 유기인산 또는 그의 염, 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 태양전지용 세정액 조성물에 관한 것이다. 보다 상세하게는 태양전지 제작에 사용되는 실리콘 웨이퍼용 세정액 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 2009년 06월 24일에 한국특허청에 제출된 한국특허출원 10-2009-0056543호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
실리콘 태양전지는, 실리콘의 결정성을 기준으로 단결정 실리콘 태양전지, 다결정 실리콘 태양전지, 비정질 실리콘 태양전지로 분류한다.
이러한 실리콘 태양전지의 제조방법을 살펴보면 하기와 같다. 우선, 단결정 실리콘 태양전지의 경우, 결정인상법으로 형성된 단결정 잉곳(ingot)을 절단하여 웨이퍼 형상을 형성하는 절단공정을 수행한다. 이때, 절단기구로는 와이어 톱(wire saw)을 이용하는 것이 바람직하다. 이어서, 상기 웨이퍼 형상을 100~200㎛의 두께로 가공하여 웨이퍼를 형성하는 웨이퍼 형성공정을 수행한다. 이어서, 상기 웨이퍼 상에 p-n 접합, 전극, 보호막 등을 형성하는 적층공정을 수행하여, 단결정 실리콘 태양전지를 완성한다. 또한, 다결정 실리콘 태양전지의 경우, 주조에 의해 제조된 용융 실리콘을 다시 냉각하고 결정화시켜 다결정 실리콘을 제조하는 결정화 공정을 수행한다. 이어서, 상기 다결정 실리콘을 절단하여 웨이퍼 형상을 형성하는 절단공정을 수행한다. 이어서, 상기 웨이퍼 형상을 100~200㎛의 두께로 가공하여 웨이퍼를 형성하는 웨이퍼 형성공정을 수행한다. 이어서, 상기 웨이퍼 상에 p-n 접합, 전극, 보호막 등을 형성하는 적층공정을 수행하여, 다결정 실리콘 태양전지를 완성한다.
상기 실리콘 태양전지의 제조방법 중에서, 절단공정을 수행할 때에 절단면의 손상 및 절단면의 반사율을 줄이기 위하여, 염기나 산 용액을 이용해 절단면의 표면에 요철구조를 만드는 텍스처링(texturing) 공정을 수행하는 것이 바람직하다. 하지만, 상기 텍스처링 공정을 수행할 때에, 절단공정에서 사용되는 절삭유(sawing oil)나 윤활유와 작업자의 핸들링 과정에서 발생하는 지문 등의 유기오염물, 장갑자국 혹은 파티클성 오염물, 컨베이어 벨트로부터 잔사되는 벨트 자국들에 의해 균일한 텍스쳐링이 이루어지지 못할 수도 있다. 만약 균일한 텍스쳐링 공정이 이루어지지 못한다면, 태양전지 제조 수율이 급격하게 감소되어 공정성이 떨어지게 된다.
따라서, 태양전지 제조업계에서는 유기오염물과 파티클성 오염물 등에 대한 문제를 해결하고자, 반도체 세정에 사용되는 RCA 세정을 도입하였다. 보다 상세하게 설명하면, 태양전지 제조업계에서는 RCA 세정 중에서도 SC-1(=SPM 과수: 암모니아수:순수)만을 태양전지 웨이퍼의 초기세정에 도입하거나, RCA 세정을 텍스쳐링 전세정 공정에 그대로 적용하기도 하였다. 하지만, SC-1이나 RCA 세정법을 사용할 경우, 파티클 제거력 외에 다른 오염물을 세정하기 어렵다. 또한, 태양전지의 제조공정에서 여러 단계가 추가되어 공정비용이 상승된다. 또한, 공정온도도 70~100℃이므로 작업하기 어렵다.
따라서, SC-1 또는 RCA 세정이 갖는 단점을 보안하기 위하여 다양한 연구가 진행되고 있다. 예를 들면 대한민국 공개특허 제2007-0023954호에서는 SC-1의 성분 중 과산화수소를 오존수로 대체한 기판의 세정방법이 개시되어 있다. 상술한 기판의 세정방법을 이용하면 환경에 무해하고 과산화수소보다 강력한 산화제를 사용하여 유기오염물 제거효과를 높일 수 있다. 하지만, SC-1의 공정온도를 그대로 적용해야 하고, 오존 발생기에 대한 추가 투자를 해야만 하는 단점이 있다. 또한, 일본특개 평5-275405호와 일본특개 2003-221600호에서는 SC-1에 포스폰산계 혹은 축합 인산 화합물과 같은 착화제를 추가하거나 에틸렌옥사이드 부가형 계면활성제나 착화제를 추가한 기판표면 세정액이 개시되어 있다. 상기 기판표면 세정액은 금속입자를 제거할 수 있으나, 유기오염물, 파티클성 오염물, 장비에 기인하는 오염물을 효과적으로 제거할 수 없다. 또한, 대한민국 공개특허 제2005-0103953호에서는 4차 암모늄 수산화물에 특정 계면활성제를 필수 성분으로 하는 반도체 세정제 조성물을 개시하고 있다. 하지만, 상기 반도체 세정제 조성물은 탈지성능 및 파티클성 오염물질의 제거성능이 우수하지 못하다.
본 발명의 목적은 습윤, 침투효과가 우수하여 태양전지용 기판 위에 존재하는 오염물질에 대한 세정효과가 우수한 세정액 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 후공정인 텍스쳐링에 악영향을 미치지 않으며 태양전지 제조 수율을 향상시킬 수 있는 세정액 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 태양전지용 세정액 조성물로서, 유기알칼리 화합물, 수용성 글리콜에테르 화합물, 과탄산염, 유기인산 또는 그의 염, 및 잔량의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 세정액 조성물로 세정된 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기 태양전지를 포함하는 태양전지 모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 세정액 조성물은 습윤, 침투효과가 우수하여 태양전지용 기판 위에 존재하는 오염물질에 대한 세정효과가 우수하다. 또한, 본 발명의 세정액 조성물은 후 공정인 텍스쳐링에 악영향을 미치지 않으므로, 태양전지 제조 수율을 향상시키는 효과가 있다.
이하 본 발명을 구체적으로 설명한다.
본 발명은 태양전지에 사용되는 실리콘 웨이퍼용 세정액 조성물로서, 유기알칼리 화합물, 수용성 글리콜에테르 화합물, 과탄산염, 유기인산 또는 그의 염 및 물을 포함하는 세정액 조성물에 관한 것이다.
상기 세정액 조성물은 태양전지 제조공정 중 텍스쳐링 전-후의 기판 세척에 있어서, 우수한 세정력을 발휘하며, 텍스쳐링에 악영향을 미치지 않는 장점이 있다. 특히, 상기 세정액 조성물은 태양전지용 단결정, 다결정 실리콘 웨이퍼의 세정에 유용하게 사용될 수 있다.
상기 세정액 조성물은 조성물 총 중량에 대하여, 유기알칼리 화합물 0.1중량%~15중량%, 수용성 글리콜에테르 화합물 0.1중량%~40중량%, 과탄산염 0.1중량%~20중량%, 유기인산 또는 그의 염 0.01중량%~10중량% 및 물 잔량을 포함하는 함량비로 이루어질 수 있다.
상기 세정액 조성물에 있어서, 유기알칼리화합물의 바람직한 예로는 아민류 및 알칸올 아민류가 있다. 상기 유기알칼리 화합물의 보다 바람직한 예로는 메틸 아민, 에틸 아민, 이소프로필 아민, 모노이소프로필 아민 등의 1급 아민, 디에틸 아민, 디이소프로필 아민, 디부틸 아민 등의 2급 아민, 트리메틸 아민, 트리에틸 아민, 트리이소프로필 아민, 트리부틸 아민 등의 3급 아민, 테트라메틸암모늄 히드록시드, 테트라에틸암모늄 히드록시드, 테트라프로필암모늄 히드록시드, 테트라부틸암모늄 히드록시드 등의 4급 암모늄 히드록시드, 수산화 콜린, 모노에탄올 아민, 디에탄올 아민, ２-아미노 에탄올, ２-(에틸 아미노)에탄올, ２-(메틸 아미노)에탄올, Ｎ-메틸 디에탄올 아민, 디메틸아미노에탄올, 디에틸아미노에탄올, ２-(２-아미노 에톡시)에탄올, １-아미노-２-프로판올, 트리에탄올 아민, 모노프로판올 아민, 디부탄올 아민 등의 알칸올 아민 등이 있다.
이들 가운데 테트라메틸암모늄 히드록시드, 테트라에틸암모늄 히드록시드, 테트라프로필암모늄 히드록시드, 테트라부틸암모늄 히드록시드, 모노에탄올 아민 및 １-아미노-２-프로판올 등이 더욱 더 바람직하다.
상기 유기알칼리 화합물의 함량은 조성물 총 중량에 대하여 0.1~15중량%가 바람직하며, 0.5중량% 내지 10중량%가 보다 바람직하다. 상기 함량이 0.1중량% 미만일 경우, 미세입자 및 유/무기 오염물에 대한 충분한 세정력을 기대하기가 어렵다. 상기 함량이 15중량%를 초과할 경우, 높은 알칼리도로 인하여 기판표면에 발생한 에칭효과에 의해 후 공정인 텍스쳐링에 악영향을 미칠 수 있다.
상기 수용성 글리콜에테르 화합물은 유기알칼리 화합물로 이루어진 수용액만으로는 제거하기 어려운 기판 표면에 잔류하는 윤활유, 절삭유 및 지문 등의 오일성분을 제거한다. 또한, 상기 수용성 글리콜에테르 화합물은 물에 대한 용해력을 향상시키는 역할을 한다. 상기 수용성 글리콜에테르 화합물 중에서도 C1~C10의 수용성 글리콜에테르가 바람직하게 사용된다. C1-C10의 수용성 글리콜에테르의 예로는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르(MG), 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르(MDG), 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르(MTG), 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르(MPG), 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르(EG), 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르(EDG), 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르(BG), 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르(BDG), 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르(BTG), 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(MFG), 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(MFDG) 등이 있다. 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 수용성 글리콜에테르 화합물의 함량은 0.1 내지 40중량%가 바람직하며, 1 내지 20중량%가 보다 바람직하다. 상기 함량이 0.1중량% 미만일 경우, 기판 표면의 오일성분을 제거하기 어려워진다. 상기 함량이 40중량%를 초과할 경우, 세정액의 점도 상승으로 인하여 세정시 기판으로의 습윤 침투력에 악영향을 미치게 되어 오히려 세정효과를 기대하기 어려워 진다.
상기 과탄산염은 물에 쉽게 용해되어 활성산소를 발생함으로써 기판 표면에 존재하는 입자성 및 유기 오염물을 산화시켜 쉽게 분해/용해될 수 있도록 도와주는 역할을 한다. 상기 과탄산염은 과탄산나트륨, 과탄산칼륨 등을 예로 들 수 있으며, 공업적 생산성 및 가격을 고려하였을 때 과탄산나트륨이 가장 바람직하다.
상기 과탄산염의 함량은 0.1중량% 내지 20중량%가 바람직하며, 1 내지 10중량%가 보다 바람직하다. 상기 함량이 0.1중량% 미만일 경우, 기판 표면에 대한 세정력을 기대하기 어렵다. 상기 함량이 20중량%를 초과할 경우, 물에 대한 용해도가 한계에 달하게 되고, 함량이 증가한다고 하여 산화에 의한 세정효과가 선형으로 증가하지는 않는다.
상기 유기인산 또는 그의 염은 무기이온과 강력하게 결합하고 불순물 입자들이 서로 응집되지 않게 분산시키는 특성이 있다. 따라서 상기 유기인산 또는 그의 염은 공정 중에 발생 할 수 있는 유/무기 오염물에 대한 제거력이 뛰어나다. 또한. 상기 유기인산 또는 그의 염은 과탄산염과 같은 산화제의 안정제로써의 역할을 함으로써 산화제가 조기에 분해되어 세정제로서의 성능을 발휘하지 못하는 현상을 방지해준다.
상기 유기인산 또는 그의 염은 당 업계에서 사용되는 물질이라면 특별히 제한되지 않는다. 하지만 상기 유기인산 또는 그의 염은 메틸디포스폰산, 아미노트리(메틸렌포스폰산), 에틸리덴디포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 1-히드록시프로필리덴-1,1-디포스폰산, 1-히드록시부틸리덴-1,1-디포스폰산, 에틸아미노비스(메틸렌포스폰산), 1,2-프로필렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 도데실아미노비스(메틸렌포스폰산), 니트로트리스(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민비스(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 헥센디아민테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산) 및 시클로헥산디아민테트라(메틸렌포스폰산)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종의 유기인산 또는 그의 염 인 것이 바람직하다. 여기서, 상기 유기인산의 염은 칼슘염 또는 나트륨염인 것이 바람직하다.
상기 유기인산 또는 그의 염의 함량은 0.01중량% 내지 10중량%가 바람직하며, 0.1중량% 내지 5중량%가 보다 바람직하다. 상기 함량이 0.01중량% 미만일 경우, 세정효과 및 안정화제로써의 효과를 기대하기 어렵다. 상기 함량이 10중량%를 초과할 경우, 함량과 선형적으로 세정 및 안정 효과가 증가하지는 않는다.
본 발명의 수계 세정액 조성물에 포함되는 물은 특별히 한정되는 것은 아니나 반도체 공정용의 물로서, 비저항값이 18MΩ/㎝ 이상인 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 물의 함량은 다른 구성성분의 함량에 따라 조정될 수 있다.
본 발명의 수계 세정액 조성물은 세정 성능을 향상시키기 위하여 당업계에 공지되어 있는 통상의 첨가제, 예를 들어, 방식제, 습윤침투제, 분산제, 표면개질제 등을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 세정액 조성물로 세정된 태양전지를 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 태양전지를 포함하는 태양전지 모듈을 제공한다.
이하에서, 본 발명을 실시예 등을 통하여 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예 등은 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해 제공되는 것이며, 이들에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
실시예 1~8 및 비교예 1~4: 세정액 조성물의 제조
하기 표 1에 기재된 성분을 정해진 함량에 따라 교반기가 설치되어 있는 혼합조에 넣고 상온에서 1시간 동안 500rpm의 속도로 교반하여 세정액 조성물을 제조하였다.
시험예: 세정력 및 텍스쳐링 영향성
1. 절삭유 제거성
용량 250ml의 비이커에 상기 실시예 1~8 및 비교예 1~4에서 제조된 세정액 조성물 100ml를 넣고, 절삭유를 한 방울 떨어뜨린 태양전지용 실리콘 웨이퍼 기판(2 x 2 cm)을 5분간 담지시켜 세정을 실시하였다. 일정 시간 세정 후 상기 기판을 꺼내어 1분 동안 초순수에 수세하여 린스를 실시하였다. 질소가스로 기판 표면의 액체를 제거한 후 육안으로 관찰하고 업계에서 통상으로 사용하는 텍스쳐링 케미컬을 이용하여 텍스쳐링 후 기판 표면을 육안 및 광학현미경, 주사전자현미경(SEM: 히다찌사, 모델명 S-4700)으로 검사하여 기판의 표면에 남아있는 이물로 인하여 후공정 잘 이루어졌는지를 확인하여 세정력 및 텍스쳐링 영향성을 평가하였다. 그 결과는 하기 표 1 에 나타내었다.
2. 지문 제거성
용량 250ml의 비이커에 상기 실시예 1~8 및 비교예 1~4에서 제조된 세정액 조성물 100ml를 넣고, 지문을 찍어 일정시간 방치한 태양전지용 실리콘 웨이퍼 기판(2 x 2 cm)을 5분간 담지시켜 세정을 실시하였다. 일정 시간 세정 후 상기 기판을 꺼내어 1분 동안 초순수에 수세하여 린스를 실시하였다. 질소가스로 기판 표면의 액체를 제거한 후 육안으로 관찰하고 업계에서 통상으로 사용하는 텍스쳐링 케미컬을 이용하여 텍스쳐링 후 기판 표면을 육안 및 광학현미경, 주사전자현미경(SEM: 히다찌사, 모델명 S-4700)으로 검사하여 기판의 표면에 남아있는 이물로 인하여 후 공정 잘 이루어졌는지를 확인하여 세정력 및 텍스쳐링 영향성을 평가하였다. 그 결과는 하기 표 1 에 나타내었다.
| 유기 알칼리 (중량%) |
글리콜 에테르 (중량%) |
과탄산염 (중량%) |
유기 인산염 (중량%) |
물 (중량%) |
절삭유 제거성 |
지문 제거성 |
텍스쳐링 상태 |
|
| 실시예 1 | TMAH 5 |
MDG 15 |
SPC 5 |
HEDP 5 |
잔량 | ◎ | ◎ | ○ |
| 실시예 2 | TMAH 5 |
MDG 20 |
PPC 5 |
ATMP 5 |
잔량 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실시예 3 | TMAH 10 |
BDG 15 |
SPC 5 |
HEDP 5 |
잔량 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실시예 4 | TMAH 10 |
BDG 20 |
PPC 5 |
ATMP 5 |
잔량 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실시예 5 | TEAH 5 |
MDG 15 |
SPC 5 |
HEDP 5 |
잔량 | ◎ | ◎ | ○ |
| 실시예 6 | TEAH 5 |
MDG 20 |
PPC 5 |
ATMP 5 |
잔량 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실시예 7 | TEAH 10 |
BDG 15 |
SPC 5 |
HEDP 5 |
잔량 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 실시예 8 | TEAH 10 |
BDG 20 |
PPC 5 |
ATMP 5 |
잔량 | ◎ | ◎ | ◎ |
| 비교예 1 | TMAH 5 |
- | - | - | 잔량 | X | X | X |
| 비교예 2 | - | BDG 20 |
- | - | 잔량 | △ | X | X |
| 비교예 3 | TMAH 5 |
MDG 15 |
SPC 5 |
- | 잔량 | ○ | ○ | X |
| 비교예 4 | TEAH 5 |
- | - | - | 잔량 | X | X | X |
[세정 성능] ◎: 매우양호, ○: 양호, △: 보통, X: 불량
TMAH: 테트라메틸암모늄 히드록시드
TEAH: 테트라에틸암모늄 히드록시드
MDG: 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르
BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르
SPC: 과탄산나트륨(sodium percarbonate)
PPC: 과탄산칼륨(potassium percarbonate)
HEDP: 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산
ATMP: 아미노트리(메틸렌포스폰산)
상기 표 1에 나타난 결과로부터, 본 발명의 실시예 1~8의 세정액 조성물은 모두 우수한 세정력을 나타내며, 텍스쳐링에 악영향을 미치지 않는 것으로 확인되었다.
반면, 비교예 1~4의 세정액 조성물은 지문 혹은 절삭유 등의 유기오염물 제거력이 떨어져 오염물이 표면에 잔류할 뿐만 아니라 잔류하는 오염물로 인하여 얼룩이 형성되어 텍스쳐링에 불량이 발생하여 사용이 불가능 하였다.
Claims (10)
- 태양전지용 세정액 조성물로서, 유기알칼리 화합물, 수용성 글리콜에테르 화합물, 과탄산염, 유기인산 또는 그의 염, 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 세정액 조성물은 조성물 총 중량에 대하여 유기알칼리 화합물 0.1중량%~15중량%; 수용성 글리콜에테르 화합물 0.1중량%~40중량%; 과탄산염 0.1중량%~20중량%; 유기인산 또는 그의 염 0.01중량%~10중량%; 및 물 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 유기알칼리 화합물은 4급 암모늄 히드록시드, 1 내지 3급 아민류 및 알칸올 아민류로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 청구항 3에 있어서, 상기 유기알칼리 화합물은 메틸 아민, 에틸 아민, 이소프로필 아민, 모노이소프로필 아민, 디에틸 아민, 디이소프로필 아민, 디부틸 아민, 트리메틸 아민, 트리에틸 아민, 트리이소프로필 아민, 트리부틸 아민, 테트라메틸암모늄 히드록시드, 테트라에틸암모늄 히드록시드, 테트라프로필암모늄 히드록시드, 테트라부틸암모늄 히드록시드, 수산화 콜린, 모노에탄올 아민, 디에탄올 아민, ２-아미노 에탄올, ２-(에틸 아미노)에탄올, ２-(메틸 아미노)에탄올, Ｎ-메틸 디에탄올 아민, 디메틸아미노에탄올, 디에틸아미노에탄올, ２-(２-아미노 에톡시)에탄올, １-아미노-２-프로판올, 트리에탄올 아민, 모노프로판올 아민 및 디부탄올 아민으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 수용성 글리콜에테르는 C1~C10의 수용성 글리콜에테르인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 청구항 5에 있어서, 상기 수용성 글리콜에테르는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르(MG), 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르(MDG), 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르(MTG), 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르(MPG), 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르(EG), 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르(EDG), 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르(BG), 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르(BDG), 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르(BTG), 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(MFG), 및 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(MFDG)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 과탄산염은 과탄산나트륨, 과탄산칼륨으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 청구항 1에 있어서, 상기 유기인산 또는 그의 염은 메틸디포스폰산, 아미노트리(메틸렌포스폰산), 에틸리덴디포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 1-히드록시프로필리덴-1,1-디포스폰산, 1-히드록시부틸리덴-1,1-디포스폰산, 에틸아미노비스(메틸렌포스폰산), 1,2-프로필렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 도데실아미노비스(메틸렌포스폰산), 니트로트리스(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민비스(메틸렌포스폰산), 에틸렌디아민테트라(메틸렌포스폰산), 헥센디아민테트라(메틸렌포스폰산), 디에틸렌트리아민펜타(메틸렌포스폰산), 시클로헥산디아민테트라(메틸렌포스폰산) 및 이들의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 유기인산 또는 그의 염인 것을 특징으로 하는 세정액 조성물.
- 청구항 1 내지 8 중 어느 한 항의 세정액 조성물로 세정된 태양전지.
- 청구항 9의 태양전지를 포함하는 태양전지 모듈.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020090056543 | 2009-06-24 | ||
| KR20090056543 | 2009-06-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20100138800A true KR20100138800A (ko) | 2010-12-31 |
Family
ID=43387043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100059132A KR20100138800A (ko) | 2009-06-24 | 2010-06-22 | 태양전지용 세정액 조성물 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8614175B2 (ko) |
| JP (1) | JP2012531489A (ko) |
| KR (1) | KR20100138800A (ko) |
| CN (1) | CN102482627B (ko) |
| TW (1) | TW201107463A (ko) |
| WO (1) | WO2010151045A2 (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102703256B (zh) * | 2012-06-15 | 2013-10-16 | 东莞优诺电子焊接材料有限公司 | 多功能水基清洗剂 |
| CN103911237A (zh) * | 2013-01-04 | 2014-07-09 | 深圳市鼎力源科技有限公司 | 一种电池清洗剂的制作方法 |
| TW201511854A (zh) | 2013-09-30 | 2015-04-01 | Saint Gobain Ceramics | 清潔太陽能板的方法 |
| JP5824706B1 (ja) * | 2014-05-14 | 2015-11-25 | 大同化学工業株式会社 | シリコンウエーハの表面処理組成物 |
| CN105199874B (zh) * | 2014-06-20 | 2018-07-27 | 惠州Tcl金能电池有限公司 | 电池表面清洗剂及其制备方法 |
| KR101641660B1 (ko) | 2014-11-25 | 2016-07-21 | 이호규 | 배터리 클리너 조성물 |
| CN105762223A (zh) * | 2014-12-17 | 2016-07-13 | 浙江鸿禧能源股份有限公司 | 一种改善多晶硅酸制绒后硅片表面晶格发亮的方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69231971T2 (de) | 1991-01-24 | 2002-04-04 | Purex Co., Ltd. | Lösungen zur Oberflächenbehandlung von Halbleitern |
| US6010994A (en) * | 1995-06-07 | 2000-01-04 | The Clorox Company | Liquid compositions containing N-alkyl ammonium acetonitrile salts |
| JP3980162B2 (ja) * | 1998-03-31 | 2007-09-26 | 株式会社日本触媒 | 電子部品の樹脂汚れ用洗浄剤 |
| JP2002113431A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法 |
| TWI276682B (en) | 2001-11-16 | 2007-03-21 | Mitsubishi Chem Corp | Substrate surface cleaning liquid mediums and cleaning method |
| BRPI0407674B1 (pt) | 2003-02-24 | 2015-01-06 | Vaelinge Innovation Ab | Método de fabricação de tábuas de assoalho |
| JP4359754B2 (ja) * | 2003-07-03 | 2009-11-04 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 基板の洗浄剤 |
| US7887641B2 (en) * | 2004-01-09 | 2011-02-15 | Ecolab Usa Inc. | Neutral or alkaline medium chain peroxycarboxylic acid compositions and methods employing them |
| JP2005223030A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 半導体基体の洗浄剤とその洗浄方法 |
| DE102004032810B4 (de) | 2004-07-07 | 2009-01-08 | Saint-Gobain Glass Deutschland Gmbh | Photovoltaische Solarzelle mit einer Schicht mit Licht streuenden Eigenschaften und Solarmodul |
| WO2006005889A1 (fr) | 2004-07-07 | 2006-01-19 | Saint-Gobain Glass France | Cellule solaire photovoltaique et module solaire |
| KR20070023954A (ko) | 2005-08-25 | 2007-03-02 | 세메스 주식회사 | 기판의 세정 방법 |
-
2010
- 2010-06-22 KR KR1020100059132A patent/KR20100138800A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-06-23 CN CN201080028674.2A patent/CN102482627B/zh active Active
- 2010-06-23 JP JP2012517380A patent/JP2012531489A/ja active Pending
- 2010-06-23 US US13/380,389 patent/US8614175B2/en active Active
- 2010-06-23 WO PCT/KR2010/004074 patent/WO2010151045A2/ko active Application Filing
- 2010-06-24 TW TW099120710A patent/TW201107463A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102482627A (zh) | 2012-05-30 |
| JP2012531489A (ja) | 2012-12-10 |
| CN102482627B (zh) | 2014-01-15 |
| WO2010151045A2 (ko) | 2010-12-29 |
| US20120090670A1 (en) | 2012-04-19 |
| TW201107463A (en) | 2011-03-01 |
| US8614175B2 (en) | 2013-12-24 |
| WO2010151045A3 (ko) | 2011-04-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20100622 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |