JP5563161B2 - 大型基板、及びそれを均一に研磨するための研磨方法 - Google Patents

大型基板、及びそれを均一に研磨するための研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5563161B2
JP5563161B2 JP2013523093A JP2013523093A JP5563161B2 JP 5563161 B2 JP5563161 B2 JP 5563161B2 JP 2013523093 A JP2013523093 A JP 2013523093A JP 2013523093 A JP2013523093 A JP 2013523093A JP 5563161 B2 JP5563161 B2 JP 5563161B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
substrate
polishing pad
surface plate
path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013523093A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013535348A (ja
Inventor
ミン、キョン−フーン
イム、イェ−ホーン
リー、デ−ヨン
ソン、ジェ−イク
パク、ス−チャン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chem Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chem Ltd filed Critical LG Chem Ltd
Publication of JP2013535348A publication Critical patent/JP2013535348A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5563161B2 publication Critical patent/JP5563161B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005Control means for lapping machines or devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

本発明は、大型基板及びその研磨方法に関し、より詳しくは、大型基板を研磨する工程において、大型基板の中心部と周縁部との研磨量の差を最小化することができる研磨方法及びそれによって生産された大型基板に関する。
一般に、機械的な制約により、研磨機は大型基板より小さく設計される。この場合、大型基板の全面を研磨するために研磨機を移動させながら基板を研磨する。
図1を参照すれば、通常の研磨機の上定盤1が基板2の長軸方向(x方向)に移動する距離P1は上定盤1の半径の60%〜80%であり、基板2の短軸方向(y方向)に移動する距離P2は上定盤1の半径の50%〜70%である。図1で点線で示された長方形10は研磨時に上定盤1の中心が移動する経路を表す。
上定盤1が距離P1、P2ほど移動しながら大型基板2を研磨すれば、大型基板2の中心部は多めに研磨される一方、大型基板2の周縁部は少なめに研磨され、相当な研磨偏差が生じるという問題点がある。図2はこのような研磨偏差を示している。図2において、赤色側に行くほど研磨量が多いことを表し、青色側に行くほど研磨量が少ないことを表す。
前記研磨偏差は、前記経路10に沿って上定盤1が移動するとき、基板の中心部は上定盤1が常に通るのに対し、周縁部は中心部の1/4程度しか通らないために発生する。
一方、研磨パッドの研磨量は、研磨パッドの磨耗状態、研磨パッドが基板2に加える圧力などの影響を受ける。したがって、前記研磨偏差を減らすためには、研磨パッドの磨耗状態及び研磨パッドが基板2に加える圧力も考慮しなければならない。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、大型基板を研磨する工程において大型基板の中心部と周縁部との研磨量の差(研磨偏差)を最小化することができる研磨方法を提供することを目的とする。
特に、本発明は、研磨パッドの磨耗状態及び研磨パッドが基板に加える圧力も考慮し、前記研磨量の差(研磨偏差)を最小化する研磨方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、前記研磨方法によって生産された大型基板を提供することを他の目的とする。
上記の課題を達成するため、本発明の望ましい実施例による基板研磨方法は、研磨時に上定盤が方形の経路に沿って研磨工程を行い、前記上定盤が基板の長軸方向に移動する距離S1及び基板の短軸方向に移動する距離S2は、上定盤に設けられた研磨パッドの直径Dの90%〜100%である。
望ましくは、前記経路は長方形である。
より望ましくは、前記経路は正方形である。
望ましくは、前記S1及びS2は下記の数学式1、2による計算値のうち小さい値を有する。
[数学式1]
D−d
数学式1、2において、
d:研磨パッドの周縁部において磨耗された部分の半径方向長さの和。
D':研磨パッドが基板に加える圧力が基板磨耗に好適な有効圧力(Peff)以上になる部分の直径。
end:研磨パッドにおいて前記磨耗された部分を除いた他の部分のうち、最外郭で研磨パッドが基板に加える圧力。
eff:基板磨耗に好適な、研磨パッドが基板に加える圧力。
さらに、本発明は、前記研磨方法によって均一に研磨された大型基板を提供する。
以下、本発明を次の図面によって具体的に説明するが、図面は本発明の望ましい実施例を例示するものであるため、本発明の技術思想が図面だけに限定されて解釈されてはならない。
従来技術による大型基板の研磨時、研磨機の上定盤の中心が移動する経路を示した構成図である。 図1の研磨による研磨偏差を示した図である。 本発明の望ましい実施例による研磨方法において、研磨機の上定盤の中心が移動する経路を示した図である。 研磨パッドと基板とが接触した状態を示した断面図である。 図4の状態で研磨パッドが基板に加える圧力を示したグラフである。 図3の研磨による研磨偏差を示した図である。
以下、添付された図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳しく説明する。これに先立ち、本明細書及び請求範囲に使われた用語や単語は通常的や辞書的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者自らは発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義できるという原則に則して本発明の技術的な思想に応ずる意味及び概念で解釈されねばならない。したがって、本明細書に記載された実施例及び図面に示された構成は、本発明のもっとも望ましい一実施例に過ぎず、本発明の技術的な思想のすべてを代弁するものではないため、本出願の時点においてこれらに代替できる多様な均等物及び変形例があり得ることを理解せねばならない。
図3は本発明の望ましい実施例による研磨方法において研磨機の上定盤の中心が移動する経路を示した図であり、図4は研磨パッドと基板とが接触した状態を示した断面図である。
本発明による研磨方法は、研磨パッド3が設けられた上定盤1が基板2の長軸方向(x方向)に移動する距離S1、及び短軸方向(y方向)に移動する距離S2が研磨パッド3の直径Dの90%〜100%であることを特徴とする。図面で点線で示された方形は、研磨するときに上定盤1が移動する経路20を表すが、前記経路20は長方形であることが望ましく、正方形であることがより望ましい。前記経路20が正方形である場合、すなわち、S1とS2とが同じ場合に、研磨偏差が最も小さい。
前記S1、S2が前記直径Dの90%より小さければ、研磨工程時に大型基板2の中心部を上定盤1が重畳して(繰り返して)通るため、前記中心部における研磨量が周縁部における研磨量より遥かに多くなることで、研磨偏差が大きくなるという問題点がある。
前記S1、S2が前記直径Dの100%より大きければ、研磨工程時に上定盤1が大型基板2の中心部を通らない場合が生じ得る。
一方、上定盤1に設けられた研磨パッド3が基板2を研磨すれば、研磨パッド3も磨耗されるが、前記磨耗は研磨パッド3の周縁部から発生する。図4に示されたように、研磨パッド3が基板2と接触した状態では、磨耗された周縁部d/2は基板2と接触できないため基板2の研磨に寄与することができない。図4の参照符号dは、磨耗された周縁部の半径方向長さの和を表す。図4には、研磨パッド3の上面に備えられる上定盤1を図示していない。
研磨パッド3が基板2を研磨できるためには、研磨パッド3が基板2に所定圧力(以下、「有効圧力Peff」とする)以上を加えなければならない。基板2を研磨できるように研磨パッド3が基板2に加える圧力が有効圧力Peff以上になる部分の直径をD'とするとき、研磨に有効な部分の直径(以下、「研磨有効直径Deff」とする)は(D−d)とD'とのうち小さい値として定義することができる。図5は、研磨パッド3の実際直径DとD'との関係を例示的に示している。
前記研磨有効直径Deffが基板2の長軸方向(x方向)長さa及び短軸方向(y方向)長さbより大きい場合は、上定盤1を移動させなくても基板2を研磨することができるが、前記研磨有効直径Deffが前記a、bより小さい場合は、上定盤1を移動させながら研磨しなければならない。この場合、前記上定盤1の長軸方向(x方向)の移動距離S1及び短軸方向(y方向)の移動距離S2は、次の数学式1、2による計算値のうち小さい値を有することが望ましい。
[数学式1]
D−d
数学式2において、Pendは研磨パッドにおいて磨耗された部分を除いた他の部分のうち、最外郭で研磨パッドが基板に加える圧力を表す。
数学式1、2を用いれば、研磨パッド3の磨耗状態及び研磨パッド3が基板2に加える圧力も考慮してS1、S2を決定することができるため、大型基板2をより均一に研磨することができる。図6には、数学式1、2を用いて決定された移動距離S1、S2を有する場合の研磨量を示した。図6と図2とを比べると、図6が図2より研磨偏差が遥かに小さいことが分かる。
本発明の基板研磨方法によれば、大型基板の中心部と周縁部との研磨量の差(研磨偏差)を最小化することができる。
特に、本発明による基板研磨方法は、研磨量の差(研磨偏差)を最小化するとき、研磨パッドの磨耗状態及び研磨パッドが基板に加える圧力を考慮するため、大型基板を一層均一に研磨することができる。
さらに、本発明は前記研磨方法によって均一に研磨された大型基板を提供する。
1 上定盤
2 基板
3 研磨パッド
S1 上定盤の長軸方向(x方向)の移動距離
S2 上定盤の短軸方向(y方向)の移動距離
a 基板の長軸方向(x方向)長さ
b 基板の短軸方向(y方向)長さ
D 研磨パッドの直径
eff 有効圧力
D' 研磨パッドが基板に加える圧力が有効圧力(Peff)以上になる部分の直径
eff 研磨有効直径

Claims (4)

  1. 研磨パッドが設けられた上定盤を移動させて基板を研磨する方法において、
    研磨時に前記上定盤は方形の経路に沿って研磨工程を行い、
    前記上定盤が基板の長軸方向に移動する距離S1及び基板の短軸方向に移動する距離S2は、上定盤に設けられた研磨パッドの直径Dの90%〜100%であり、
    前記S1及び前記S2が、下記の数学式1、2による計算値のうち小さい値を有することを特徴とする基板研磨方法;
    D−d …[数学式1]
    …[数学式2]
    数学式1、2において、
    d:研磨パッドの周縁部において磨耗された部分の半径方向長さの和、
    D':研磨パッドが基板に加える圧力が基板磨耗に好適な有効圧力(P eff )以上になる部分の直径、
    end :研磨パッドにおいて前記磨耗された部分を除いた他の部分のうち、最外郭で研磨パッドが基板に加える圧力、
    eff :基板磨耗に好適な、研磨パッドが基板に加える圧力
  2. 前記経路が、長方形であることを特徴とする請求項1に記載の基板研磨方法。
  3. 前記経路が、正方形であることを特徴とする請求項に記載の基板研磨方法。
  4. 請求項1からのうちいずれか1項に記載の基板研磨方法によって生産された大型基板。
JP2013523093A 2010-08-02 2011-08-01 大型基板、及びそれを均一に研磨するための研磨方法 Active JP5563161B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2010-0074710 2010-08-02
KR1020100074710A KR101504221B1 (ko) 2010-08-02 2010-08-02 대형기판 및 대형기판의 균일한 연마를 위한 연마 방법
PCT/KR2011/005657 WO2012018215A2 (ko) 2010-08-02 2011-08-01 대형기판 및, 대형기판의 균일한 연마를 위한 연마 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013535348A JP2013535348A (ja) 2013-09-12
JP5563161B2 true JP5563161B2 (ja) 2014-07-30

Family

ID=45559920

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013523093A Active JP5563161B2 (ja) 2010-08-02 2011-08-01 大型基板、及びそれを均一に研磨するための研磨方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8888560B2 (ja)
EP (1) EP2602057B1 (ja)
JP (1) JP5563161B2 (ja)
KR (1) KR101504221B1 (ja)
CN (1) CN103052467B (ja)
WO (1) WO2012018215A2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106670944A (zh) * 2016-12-31 2017-05-17 上海合晶硅材料有限公司 硅片抛光方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1865284A (en) * 1931-04-21 1932-06-28 Charleston Dry Dock & Machine Metal plate construction and method of forming the same
DE1151196B (de) * 1958-11-03 1963-07-04 Battista De Zordo Vorrichtung zum Polieren von Marmorplatten u. dgl.
GB8522441D0 (en) * 1985-09-10 1985-10-16 Lindsey A F Flat glass
JP2657655B2 (ja) * 1988-01-18 1997-09-24 八千代マイクロサイエンス株式会社 航空機窓研磨装置
JP3444715B2 (ja) * 1996-03-15 2003-09-08 日立造船株式会社 研磨装置およびこの研磨装置を用いた研磨方法
JPH1058317A (ja) * 1996-05-16 1998-03-03 Ebara Corp 基板の研磨方法及び装置
US6413156B1 (en) 1996-05-16 2002-07-02 Ebara Corporation Method and apparatus for polishing workpiece
WO2002047139A2 (en) 2000-12-04 2002-06-13 Ebara Corporation Methode of forming a copper film on a substrate
JP2002217143A (ja) * 2001-01-18 2002-08-02 Fujitsu Ltd 研磨方法及び研磨装置
CN101306512A (zh) * 2002-12-27 2008-11-19 株式会社荏原制作所 基片抛光设备
JP4384954B2 (ja) * 2004-08-30 2009-12-16 篤暢 宇根 加工方法、加工装置およびこの加工方法により加工された矩形平板状の加工物
JP2006278977A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法および研磨方法
JP2007260783A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Shiba Giken:Kk 研磨定盤、平面研磨装置及び研磨方法
JP5428171B2 (ja) * 2008-03-12 2014-02-26 東ソー株式会社 研磨方法
JP2010064196A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Ebara Corp 基板研磨装置および基板研磨方法
JP5388212B2 (ja) * 2009-03-06 2014-01-15 エルジー・ケム・リミテッド フロートガラス研磨システム用下部ユニット
KR101383600B1 (ko) * 2010-03-11 2014-04-11 주식회사 엘지화학 유리판 연마 상황을 모니터링하는 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP2602057B1 (en) 2020-02-19
JP2013535348A (ja) 2013-09-12
WO2012018215A3 (ko) 2012-03-29
KR101504221B1 (ko) 2015-03-20
EP2602057A4 (en) 2017-07-05
CN103052467A (zh) 2013-04-17
WO2012018215A2 (ko) 2012-02-09
US8888560B2 (en) 2014-11-18
EP2602057A2 (en) 2013-06-12
KR20120012631A (ko) 2012-02-10
US20130149939A1 (en) 2013-06-13
CN103052467B (zh) 2015-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8485864B2 (en) Double-side polishing apparatus and method for polishing both sides of wafer
JP6447332B2 (ja) 両面研磨装置用のキャリアの製造方法およびウェーハの両面研磨方法
CN105448797A (zh) 晶片装置和用于加工晶片的方法
JP5563161B2 (ja) 大型基板、及びそれを均一に研磨するための研磨方法
US10456891B2 (en) Grinding wheel
JP5605260B2 (ja) インサート材及び両面研磨装置
WO2018012097A1 (ja) 両面研磨装置
JP6384277B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TW202241643A (zh) 一種晶圓研磨設備
JP6840639B2 (ja) 両面研磨装置用キャリア
CN109844909A (zh) 晶片的制造方法及晶片
KR101592095B1 (ko) Cmp 헤드용 리테이너링
JP2015500151A (ja) ウェハーの研磨装置及びウェハーの研磨方法
KR101377654B1 (ko) 대형기판 및 대형기판의 균일한 연마를 위한 연마 방법
JP2015174164A (ja) ツルーイング用砥石
KR100722967B1 (ko) 양면 연마장치
JP2008279553A (ja) 研磨パッド
JP2008080428A (ja) 両面研磨装置および両面研磨方法
JP2012240189A (ja) 研磨装置、研磨方法および研磨パッド
JP2007305745A (ja) 研磨体、研磨装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス
JP2015157334A (ja) 研磨パッド
TWM549132U (zh) 晶圓研磨結構
TWI604919B (zh) 固定環及研磨設備
WO2018163721A1 (ja) 両面研磨装置用キャリア
JP2016196056A (ja) 保持パッドおよび保持具

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140121

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140418

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140513

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140611

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5563161

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250