JP2008279553A - 研磨パッド - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウェハ3の表面に研磨液を供給しながら化学的機械的研磨を行う研磨パッド21であって、ウェハ3のエッジ部31に対応する外周部21bの厚みを残余の部分に対して薄くしたことを特徴とする。
【選択図】図3
Description
図1〜10を用いて第1の実施形態について説明する。
図15,16を用いて第3の実施形態について説明する。
図17,18を用いて第4の実施形態について説明する。
21,22 研磨パッド
21a,22a 研磨面
21b,22b 外周部
22c 中央部
3 シリコンウェハ(被研磨物)
31 エッジ部
4 研磨ヘッド
Claims (6)
- 被研磨物の表面に研磨液を供給しながら化学的機械的研磨を行う研磨パッドであって、
前記被研磨物のエッジ部に対応する外周部の厚みを残余の部分に対して薄くしたことを特徴とする研磨パッド。 - 請求項1の研磨パッドにおいて、
全周に亘って外周部の厚みを残余の部分に対して薄くしたことを特徴とする研磨パッド。 - 請求項1または2の研磨パッドにおいて、
外周端方向に向かって徐々に厚みを薄くしたことを特徴とする研磨パッド。 - 請求項1〜3の研磨パッドにおいて、
さらに前記被研磨物のエッジ部に対応する中央部の厚みを前記残余の部分に対して薄くしたことを特徴とする研磨パッド。 - 請求項1〜4の研磨パッドにおいて、
前記エッジ部とは、前記被研磨物の外周端から内方へ1〜5mmの範囲であることを特徴とする研磨パッド。 - 請求項1〜5の研磨パッドにおいて、
研磨時に前記被研磨物が押し付けられた際の被研磨物周辺部における研磨面が、被研磨物表面と平行な平坦面に対して前記被研磨物側に膨出しないように、最も厚みの厚い部分と最も厚みの薄い部分との差を設定したことを特徴とする研磨パッド。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012222311A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 板状物の研磨方法 |
US10600634B2 (en) | 2015-12-21 | 2020-03-24 | Globalwafers Co., Ltd. | Semiconductor substrate polishing methods with dynamic control |
US11081359B2 (en) | 2018-09-10 | 2021-08-03 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods for polishing semiconductor substrates that adjust for pad-to-pad variance |
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2007
- 2007-05-11 JP JP2007126367A patent/JP5057325B2/ja active Active
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JP5057325B2 (ja) | 2012-10-24 |
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