CN103052467B - 大型板以及用于均匀地抛光大型板的方法 - Google Patents

大型板以及用于均匀地抛光大型板的方法 Download PDF

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Abstract

根据本发明,在用于抛光大型板的方法中能够将大型板的中心与边缘的抛光量的差异减到最小。

Description

大型板以及用于均匀地抛光大型板的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2010年8月2日在韩国提交的韩国专利申请第10-2010-0074710号的优先权,其公开内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开涉及一种大型板及其抛光方法,尤其涉及一种在板的抛光工艺期间能够将大型板的中心部分与边缘部分之间的抛光量的差异减到最小的抛光方法,以及一种用此方法生产的大型板。
背景技术
一般而言,由于机械的限制,将抛光机设计为比大型板小。在这种情况下,为了抛光大型板的整个表面,抛光机在抛光基板时进行移动。
参照图1,一般的抛光机的上板1在基板2的纵向(X轴方向)上移动的行程范围(travel range)P1是上板1的半径的60%到80%,并且上板1在基板2的横向(Y轴方向)上移动的行程范围P2是上板1的半径的50%到70%。在图1中,用点绘示的矩形表示在抛光工艺期间上板1的中心的移动路径。
如果上板1在移动了达到行程范围P1和P2的同时抛光大型板2,则大型板2的中心部分被较多抛光,而大型板2的边缘部分被较少抛光,这导致严重的抛光偏差。图2示出了抛光偏差,其中用红色绘示较多抛光量,并且用蓝色绘示较少抛光量。
由于当上板1沿着路径10移动时,上板1总是经过整个中心部分但经过仅仅是与中心部分的1/4相当的边缘部分的一部分,所以产生抛光偏差。
同时,抛光垫的抛光量受抛光垫的磨损状况和抛光垫施加到基板2的压力的影响。因此,为了减少抛光偏差,应该共同考虑抛光垫的磨损状况和抛光垫施加到基板2的压力。
发明内容
技术问题
本公开被设计为解决现有技术的问题,因此本公开的一个目的是提供一种在抛光大型板时能够将大型板的中心部分与边缘部分之间的抛光量的差异(或抛光偏差)减到最小的抛光方法。
尤其是,本公开的一个目的是提供一种通过共同考虑抛光垫的磨损状况和抛光垫施加到基板的压力能够将抛光量的差异(抛光偏差)减到最小的抛光方法。
本公开的另一个目的是提供一种用此抛光方法生产的大型板。
技术方案
为了实现上述目的,本公开提供一种用于抛光基板的方法,其中上板沿着四边形路径执行抛光工艺,并且其中上板在基板的纵向上移动的距离S1和上板在基板的横向上移动的距离S2是被安装在上板上的抛光垫的直径D的90%到100%。
优选地,路径形成矩形。
更优选地,路径形成正方形。
优选地,S1和S2具有由以下公式1和2计算的值中的最小值:
公式1
D-d
公式2
D ′ + D - D ′ 2 - ( P end P eff )
其中,
d:抛光垫的边缘部分中的磨损部分的径向长度的总和;
D':抛光垫施加到基板的压力等于或大于适合磨损基板的有效压力(Peff)的部分的直径;
Pend:在抛光垫除了磨损部分之外的部分中的最外面的点处,抛光垫施加到基板的压力;以及
Peff:抛光垫施加到基板的适合磨损基板的压力。
另外,本公开还提供了一种用此抛光方法均匀地抛光的大型板。
附图说明
参照附图,从以下实施例的说明中,本公开的其它目的和方面将变得显而易见,其中:
图1是示出根据现有技术的当抛光大型板时抛光机的上板的中心的移动路径的示意图;
图2是示出在图1的抛光期间产生的抛光偏差的示意图;
图3是示出根据本公开的优选实施例的在抛光方法期间抛光机的上板的中心的移动路径的示意图;
图4是示出抛光垫与基板之间的接触状态的剖视图;
图5是示出在图4的状态下抛光垫施加到基板的压力的曲线图;以及
图6是示出在图3的抛光期间产生的抛光偏差的示意图。
附图标记
1:上板           2:基板
3:抛光垫
S1:上板在纵向(X轴方向)上的行程范围
S2:上板在横向(Y轴方向)上的行程范围
a:基板在纵向(X轴方向)上的长度
b:基板在横向(Y轴方向)上的长度
D:抛光垫的直径     Peff:有效压力
D':抛光垫施加到基板的压力等于或大于有效压力(Peff)的部分的直径;
Deff:有效抛光直径
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细描述本公开的优选实施例。在描述之前,应该理解的是,在说明书和所附权利要求书中使用的术语不应被解释为限于一般意义和字典意义,而是在允许发明人适当地定义术语以获得最佳解释的这一原则的基础上,基于与本公开的技术方面的相对应的含义和概念来解释这些术语。因此,这里提出的描述仅仅是为了说明的目的而优选的实例,并不 意在限制本公开的范围,因此应该理解,在不脱离本公开的精神和范围的情况下,可以对其进行其它的等效变化或修改。
图3是示出根据本公开的优选实施例的在抛光方法期间抛光机的上板的中心的移动路径的示意图,并且图4是示出抛光垫与基板之间的接触状态的剖视图。
在根据本公开的抛光方法中,上板1在基板2的纵向(X轴方向)上移动的行程范围S1和上板1在横向(Y轴方向)上移动的行程范围S2是抛光垫3的直径D的90%到100%,其中抛光垫3被安装在上板1上。在附图中用点绘示的矩形表示在抛光工艺期间上板1的移动路径20。路径20优选地是矩形,更优选地是正方形。如果路径20是正方形,即如果S1等于S2,则抛光偏差最小。
如果S1和S2小于D的90%,则在抛光工艺期间,上板1移动经过大型板2的中心部分并与其路径部分重叠(全部重叠)。因此,中心部分处的抛光量比边缘部分处的抛光量大得多,这增加了抛光偏差。
如果S1和S2大于D的100%,则在抛光工艺期间,上板1可能不经过大型板2的中心部分。
同时,如果安装到上板1上的抛光垫3抛光基板2,则抛光垫3开始磨损,特别地从其边缘部分开始磨损。如图4所示,在抛光垫3接触基板2的状态下,被磨损的边缘部分(d/2)不能接触基板2,这使得不能对基板的抛光起作用。图4的附图标记d表示被磨损的边缘部分的径向长度的总和。在图4中,没有绘示设置在抛光垫3的上表面处的上板1。
为了允许抛光垫3抛光基板2,则抛光垫3必须对基板2施加预定的压力(在下文中,称为“有效压力Peff”)。假设抛光垫3施加到基板2的压力等于或大于有效压力Peff以确保抛光基板2的部分的直径是D',则对于抛光有效的直径(在下文中,称为“有效抛光直径Deff”)可以被限定为在D-d与D'之间的较小的值。图5示范性地示出抛光垫3的实际直径D与D'的关系。
如果有效抛光直径Deff大于基板2在纵向(X轴方向)上的长度(a)和在横向(Y轴方向)上的长度(b),则可以抛光基板2而不移动上板1。然而,如果有效抛光直径(Deff)小于(a)和(b),则抛光时应该移动上板1。在这种情况下,上板1在纵向(X轴方向)上的行程范围S1和在横向(Y轴方向) 上的行程范围S2优选地具有由以下公式1和2计算的值中的较小值。
公式1
D-d
公式2
D ′ + D - D ′ 2 - ( P end P eff )
在公式2中,Pend表示在抛光垫除了磨损部分之外的部分中的最外面的点处,抛光垫施加到基板的压力。
如果使用公式1和公式2,则由于可以通过共同考虑抛光垫3的磨损状况和抛光垫3施加的基板2的压力来确定S1和S2,从而可以更均匀地抛光大型板2。图6示出当通过使用公式1和2确定行程范围S1和S2时的抛光量。比较图6和图2,可以理解图6的抛光偏差比图2的抛光偏差小得多。
工业实用性 
根据本公开的基板抛光方法可以将大型板的中心部分与边缘部分之间的抛光量的差异减到最小。
特别地,由于根据本公开的基板抛光方法在将抛光量的差异(抛光偏差)减到最小时,共同考虑抛光垫的磨损状况和抛光垫施加到基板的压力,所以可以更均匀地抛光大型板。
此外,本公开提供了一种用此抛光方法均匀地抛光的大型板。
已经详细地描述了本公开。然而,应该理解的是,当详细描述和具体例子示出本公开的优选实施例的同时,仅仅通过说明的方式来给出详细描述和具体例子,这是由于从这些详细描述中,在本公开的精神和范围内的各种变型和修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的。

Claims (4)

1.一种用于抛光基板的方法,所述方法通过移动安装有抛光垫的上板来进行,
其中,所述上板沿着四边形路径执行抛光工艺,以及
其中,所述上板在所述基板的纵向上移动的行程范围S1和所述上板在所述基板的横向上移动的行程范围S2是被安装在所述上板上的所述抛光垫的直径(D)的90%到100%,
其中,所述S1和所述S2具有由以下公式1和2计算的值中的最小值:
公式1
D-d
公式2
D ′ + D - D ′ 2 - ( P end P eff )
其中,
d:所述抛光垫的边缘部分中的磨损部分的径向长度的总和;
D':所述抛光垫施加到所述基板的压力等于或大于适合磨损所述基板的有效压力(Peff)的部分的直径;
Pend:在所述抛光垫除了所述磨损部分之外的部分中的最外面的点处,所述抛光垫施加到所述基板的压力;以及
Peff:所述抛光垫施加到所述基板的适合磨损所述基板的压力。
2.根据权利要求1所述的用于抛光基板的方法,其中所述路径形成矩形。
3.根据权利要求2所述的用于抛光基板的方法,其中,所述路径形成正方形。
4.一种通过在权利要求1-3的任一个权利要求中限定的方法生产的大型板。
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