TWM549132U - 晶圓研磨結構 - Google Patents

Description

晶圓研磨結構

本創作是有關於一種晶圓研磨結構，尤指一種可運用於半導體之電漿蝕刻製程設備之使用者。

按，一般於晶圓(半導體結構)之製程中，如何使晶圓之表面平坦化係為重要的步驟之，一般而言通常係以所需之研磨機構進行，而使用時係將該晶圓設置於研磨機構之定位環中，再以研磨機構帶動定位環並配合漿料進行相關之研磨。

然，習用之定位環係為一體式之結設計，並無法依實際使用材料之需求進行部分元件(如：研磨片)之更換，導致必須更換整個定位環，造成有製作成本增加以及實用性較差之缺點。

因此，為改善上述之缺失，本案之創作人特潛心研究，開發出一種「晶圓研磨結構」，以有效改善習用之缺點。

本創作之主要目的係在於，可使各研磨塊以可分離替換之方式與環體之嵌接槽結合，進而依據研磨之需求進行各研磨塊之更換，而達到降低製作成本以及具有較佳實用性之功效。

為達上述之目的，本創作係一種晶圓研磨結構，其係包含有：一面上設有多數嵌接槽之環體；以及多數分別結合於各嵌接槽之研磨塊，且各研磨塊之間分別形成有一導引槽。

於本創作之一實施例中，該環體係為不鏽鋼之材質。

於本創作之一實施例中，各嵌接槽之底部係分別設有一固定孔。

於本創作之一實施例中，各嵌接槽係分別呈一傾斜狀。

於本創作之一實施例中，各研磨塊係分別包含有一與嵌接槽結合之對接座、及一體結合於對接座一面上之研磨片，而該對接座之底部係具有一與固定孔對接之凸出部。

於本創作之一實施例中，各研磨片之兩側係分別具有一延伸段，而各相鄰之兩研磨片之間係分別以該延伸段形成有一導引槽。

於本創作之一實施例中，各研磨塊係呈一弧形。

於本創作之一實施例中，各研磨塊係為聚苯硫醚(PPS)、矽利康(Silicon)、聚醯亞胺(Polyimide)、聚醯亞胺(PI)或聚醚醚酮(PEEK)之材質。

1‧‧‧環體

11‧‧‧嵌接槽

12‧‧‧固定孔

2‧‧‧研磨塊

20‧‧‧導引槽

21‧‧‧對接座

22‧‧‧研磨片

23‧‧‧凸出部

24‧‧‧延伸段

第1圖，係本創作之分解示意圖。

第2圖，係本創作研磨塊之示意圖。

第3圖，係本創作研磨塊之另一角度示意圖。

請參閱『第1、2及第3圖』所示，係分別為本創作之分解示意圖、本創作研磨塊之示意圖及本創作研磨塊之另一角度示意圖。如圖所示：本創作係一種晶圓研磨結構，其至少包含有一環體1以及多數研磨塊2所構成。

上述所提之環體1係不鏽鋼之材質，其一面上係設有多數嵌接槽11，各嵌接槽11之底部係分別設有一固定孔12，且各嵌接槽11係分別呈一傾斜狀。

各研磨塊2係為聚苯硫醚(PPS)、矽利康(Silicon)、聚醯亞胺(Polyimide)、聚醯亞胺(PI)或聚醚醚酮(PEEK)之材質，且各研磨塊係呈一弧形，其係分別結合於各嵌接槽11，各研磨塊2之間分別形成有一導引槽20，而各研磨塊2係分別包含有一與嵌接槽11結合之對接座21、及一體結合於對接座21一面上之研磨片22，而該對接座21之底部係具有一與固定孔12對接之凸出部23，其中各研磨片22之兩側係分別具有一延伸段24，而各相鄰之兩研磨片22之間係分別以該延伸段24形成有一導引槽20。如是，藉由上述之結構構成一全新之晶圓研磨結構。

當本創作於組裝時，係將各研磨塊2之對接座21分別結合於各嵌接槽11(可配合黏著劑或直接嵌接)，並各對接座21之凸出部23與各嵌接槽11之固定孔12對接，並使各研磨塊2藉由相鄰兩研磨片22之延伸段24而形成有一導引槽20。

當本創作於使用時，係可將該環體1與所需之研磨機構結合(圖未示)，作為半導體之研磨製程使用，而將晶圓等基板(圖未示)設置於環體1中，藉以使晶圓等基板保持於環體1，此時，便可使各研磨塊2之研磨片22與晶圓等基板進行單面研磨，且讓研磨時產生之廢液及殘屑由各導引槽20排出，而由於各研磨塊2係以可分離替換之方式與環體1之嵌接槽11結合，因此，可依據研磨之需求(例如：磨、或因應不同材質之需求)進行各研磨塊2之更換。

綜上所述，本創作晶圓研磨結構可有效改善習用之種種缺點，可使各研磨塊以可分離替換之方式與環體之嵌接槽結合，進而依據研磨之需求進行各研磨塊之更換，而達到降低製作成本以及具有較佳實用性之功效；進而使本創作之產生能更進步、更實用、更符合消費 者使用之所須，確已符合創作專利申請之要件，爰依法提出專利申請。

惟以上所述者，僅為本創作之較佳實施例而已，當不能以此限定本創作實施之範圍；故，凡依本創作申請專利範圍及新型說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本創作專利涵蓋之範圍內。

1‧‧‧環體

11‧‧‧嵌接槽

12‧‧‧固定孔

2‧‧‧研磨塊

20‧‧‧導引槽

21‧‧‧對接座

22‧‧‧研磨片

24‧‧‧延伸段

Claims (8)

1. 一種晶圓研磨結構，包括有： 一環體，其一面上係設有多數嵌接槽；以及 多數研磨塊，係分別結合於各嵌接槽，且各研磨塊之間分別形成有一導引槽。
2. 依申請專利範圍第１項所述之晶圓研磨結構，其中，該環體係為 不鏽鋼之材質。
3. 依申請專利範圍第１項所述之晶圓研磨結構，其中，各嵌接槽之 底部係分別設有一固定孔。
4. 依申請專利範圍第１項所述之晶圓研磨結構，其中，各嵌接槽係 分別呈一傾斜狀。
5. 依申請專利範圍第３項所述之晶圓研磨結構，其中，各研磨塊係 分別包含有一與嵌接槽結合之對接座、及一體結合於對接座一面上之研磨片，而該對接座之底部係具有一與固定孔對接之凸出部。
6. 依申請專利範圍第４項所述之晶圓研磨結構，其中，各研磨片之 兩側係分別具有一延伸段，而各相鄰之兩研磨片之間係分別以該延伸段形成有一導引槽。
7. 依申請專利範圍第１項所述之晶圓研磨結構，其中，各研磨塊係 呈一弧形。
8. 依申請專利範圍第１項所述之晶圓研磨結構，其中，各研磨塊係 為聚苯硫醚（PPS）、矽利康( Silicon )、聚醯亞胺(Polyimide) 、聚醯亞胺 (PI)或聚醚醚酮 (PEEK) 之材質。