JP2015157334A - 研磨パッド - Google Patents
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Abstract
【課題】 被研磨物に研磨傷が生じることを抑えることのできる研磨パッドを提供することを課題とする。【解決手段】 被研磨物を研磨する研磨面を有する研磨層を備え、該研磨層は、3.58?106μm3あたりにおいて、直径が50μm〜200μmに設定される気泡が2300〜2900個形成されるとともに、隣り合う気泡同士の間の部分である壁部のそれぞれの厚みの総合計に対して、厚みが80μm以下の壁部のそれぞれの厚みの総合計の比率2.8%に設定される。【選択図】図2
Description
本発明は、半導体ウエハ等の被研磨物を研磨するための研磨パッドに関する。
従来から、表面に高い平坦性が求められる被研磨物(例えば、半導体ウエハ)を研磨するための研磨パッドが提供されている。
かかる研磨パッドは、図4に示すように、被研磨物を研磨する研磨面200を有する研磨層20を備えている(例えば、特許文献1参照)。そして、研磨パッド2によって被研磨物を研磨するには、研磨面200上にスラリーを供給しつつ、該研磨面200と被研磨物とを互いに摺動させる。
ところで、研磨パッド2の研磨層20は、複数の気泡201を有する。この種の研磨パッド2における複数の気泡201には、図5に示すように、研磨層20中に形成されているものに加えて、研磨面200上で開放しているものが含まれる。
そのため、気泡201は、研磨面200上で開放することによって、研磨面200上に開口を形成する。これに伴い、研磨層20には、研磨面200上の開口周りの部分であって、開口中心に向けて突出するとともに厚みが薄くなる部分(以下、突出部202とする)が含まれる(図6参照)。すなわち、気泡201が研磨面200上で開放することによって形成される開口は、突出部202によって画定されている。
突出部202は、初期の段階だけでなく、例えば、被研磨物の研磨や、研磨面200の研削(所謂、コンディショニング)を行うことによって研磨層20が磨耗した場合においても、研磨層20中に形成されていた気泡201が研磨面200上で開放するに伴って順次形成される。
そのため、この種の研磨パッド2は、研磨面200に摺動する被研磨物や、コンディショナー等(以下、総称して摺動物という)が研磨面200の突出部202に引っかかり、図6に示すように、突出部202が研磨面200上に起き上がることがある。従って、この種の研磨パッド2は、研磨面202上に起き上がった突出部202が被研磨物に研磨傷を付ける原因となることがある。
そこで、本発明は、かかる実情に鑑み、被研磨物に研磨傷が生じることを抑えることのできる研磨パッドを提供することを課題とする。
本発明に係る研磨パッドは、
被研磨物を研磨する研磨面を有する研磨層を備え、
該研磨層は、
3.58×106μm3あたりにおいて、直径が50μm〜200μmに設定される気泡が2300〜2900個形成されるとともに、隣り合う気泡同士の間の部分である壁部のそれぞれの厚みの総合計に対して、厚みが80μm以下の壁部のそれぞれの厚みの総合計の比率が2.8%に設定される。
被研磨物を研磨する研磨面を有する研磨層を備え、
該研磨層は、
3.58×106μm3あたりにおいて、直径が50μm〜200μmに設定される気泡が2300〜2900個形成されるとともに、隣り合う気泡同士の間の部分である壁部のそれぞれの厚みの総合計に対して、厚みが80μm以下の壁部のそれぞれの厚みの総合計の比率が2.8%に設定される。
通常、複数の気泡には、研磨層中に形成されているものに加えて、研磨面上で開放しているものが含まれる。そして、研磨パッドでは、研磨層が磨耗すると、該研磨層中に形成されていた気泡が研磨面上で順次開放する。そのため、研磨面上には、複数の開口が形成されている。
また、研磨面上で開放している気泡は、球冠状になる。そのため、研磨層には、研磨面上の開口周りの部分であって、開口中心に向けて突出するとともに厚みが薄くなる部分(以下、突出部とする)が含まれる。
すなわち、気泡が研磨面上で開放することによって形成されている開口は、突出部によって画定されている。そのため、突出部は、気泡の研磨面上で開放する位置が当該気泡の空洞中心から離れるにつれて大きくなる。
しかしながら、上記構成の研磨パッドにおける複数の気泡のそれぞれは、直径が50μm〜200μmに設定されるため、気泡の研磨面上で開放する部分が当該気泡の空洞中心に近くなる。そのため、上記構成の研磨パッドは、突出部を小さくすることができる。
従って、上記構成の研磨パッドは、突出部が研磨面上で起き上がることを抑えることができ、また、突出部が被研磨物に研磨傷を付けることを抑えることができる。
さらに、上記構成の研磨パッドは、研磨層は、3.58×106μm3あたりにおいて、直径が50μm〜200μmに設定される気泡が2300〜2900個形成されるとともに、隣り合う気泡同士の間の部分である壁部のそれぞれの厚みの総合計に対して、厚みが80μm以下の壁部のそれぞれの厚みの総合計の比率が2.8%に設定される。
そのため、上記構成の研磨パッドは、研磨層が磨耗しても、突出部が研磨面上で起き上がることを抑えることができ、また、突出部が被研磨物に研磨傷を付けることを抑えることができる。
以上のように、本発明の研磨パッドによれば、被研磨物に研磨傷が生じることを抑えることができるという優れた効果を奏し得る。
以下、本発明の第一実施形態に係る研磨パッドについて、添付図面を参照しつつ説明を行う。なお、図1乃至図3では、研磨パッド1の各構成を模式的に図示している。
本実施形態に係る研磨パッド1は、化学機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)に用いられるものである。より具体的に説明すると、研磨パッド1は、例えば、デバイス、半導体ウエハ、ガラス等の研磨に用いられるものである。そして、研磨パッド1は、図1及び図2に示すように、被研磨物を研磨する研磨面100を有する研磨層10であって、複数の気泡101を有する研磨層10を備える。
そして、研磨層10における複数の気泡101には、図1に示すように、研磨層10中に形成されているものや、研磨面100上で開口しているものが含まれる。
なお、図2に示すように、本実施形態において、研磨層10における気泡101同士の間の部分を壁部102として以下の説明を行う。
研磨層10において、複数の気泡101のそれぞれは、直径Dが約50μm〜200μmに設定される。
また、研磨層10は、3.58×106μm3あたりにおいて、直径が50μm〜200μmに設定される気泡が2300〜2900個形成される。なお、本実施形態では、3.58×106μm3を単位体積として以下の説明を行うこととする。
研磨層10では、壁部102の厚みは、80μm以下であることが好ましい。そして、研磨層10は、各壁部102の厚みの総合計が1.03×105μmに設定される。さらに、研磨層10は、厚みが80μm以下の壁部のそれぞれの厚みの総合計が0.029×105μmに設定されている。従って、研磨層10は、隣り合う気泡同士の間の部分である壁部のそれぞれの厚みの総合計に対して、厚みが80μm以下の壁部のそれぞれの厚みの総合計の比率が約2.8%に設定される。
本実施形態に係る研磨パッド1は、以上の通りである。上述のように、研磨パッド1において、複数の気泡101には、研磨層10中に形成されているものに加えて、研磨面100上で開放しているものが含まれる。
そして、研磨パッド1では、被研磨物の研磨や、研磨面100の研削(所謂、コンディショニング)に伴って研磨層10が磨耗すると、該研磨層10中に形成されていた気泡101が研磨面100上で順次開放する。
研磨面100上で開放している気泡101は、球冠状になる。そのため、研磨層10には、研磨面100上の開口周りの部分であって、開口中心に向けて突出するとともに厚みが薄くなる部分(以下、突出部103とする)が含まれる。
すなわち、気泡101が研磨面100上で開放することによって形成されている開口は、突出部103によって画定されている。そのため、突出部103は、気泡101の研磨面100上で開放する位置が当該気泡101の空洞中心から離れるにつれて大きくなる。
そのため、研磨層10は、研磨面100に摺動する被研磨物や、コンディショナー等(以下、総称し摺動物という)が延出部103に引っかかり、該延出部103が起き上がることがある。
しかしながら、研磨パッド1における複数の気泡101のそれぞれは、直径が50μm〜200μmに設定されるため、研磨面100上で開放する部分が自身の空洞中心に近くなる。そのため、研磨パッド1は、突出部103を小さくすることができる。従って、研磨パッド1は、突出部103が起き上がることを抑えることができ、また、突出部103が被研磨物に研磨傷を付けることを抑えることができる。
さらに、研磨パッド1において、研磨層10は、3.58×106μm3あたりにおいて、直径が50μm〜200μmに設定される気泡101が2300〜2900個形成される。
そして、研磨層10は、単位体積あたりにおける、各壁部102のそれぞれの厚みの総合計が1.03×105μmに設定される。また、研磨層10は、厚みが80μm以下の各壁部102のそれぞれの厚みの総合計が2900μmに設定される。
すなわち、研磨層10は、隣り合う気泡101同士の間の部分である壁部102のそれぞれの厚みの総合計に対して、厚みが80μm以下の壁部102のそれぞれの厚みの総合計の比率が2.8%に設定される。
そのため、研磨パッド1は、研磨層10が磨耗しても、突出部103が研磨面100上で起き上がったり、堆積物が形成されたりすることを抑えることができ、突出部103や、堆積物が被研磨物に研磨傷を付けることを抑えることができる。
従って、研磨パッド1は、被研磨物に研磨傷が生じることを抑えることができるという優れた効果を奏し得る。
また、研磨パッド1は、複数の気泡101のそれぞれが互いに近接した位置に形成される。すなわち、研磨パッド1は、研磨面100における隣り合う開口同士の間の部分を小さくすることができる。そのため、研磨パッド1は、研磨面100上に研磨屑やスラリーが堆積することを抑えることができる。従って、研磨パッド1は、研磨面100上に堆積したもの(以下、堆積物という)が被研磨物に研磨傷を付けることを抑えることもできる。
また、研磨パッド1の研磨層10は、研磨面100の単位面積あたりにおける隣り合う開口同士の間隔の平均値が約70μmに設定される。そのため、研磨パッド1は、複数の気泡101のそれぞれの開口が研磨面100上に偏りなく形成される。従って、研磨パッド1は、より確実に、突出部103が形成されることを抑えることができ、また、突出部103のサイズを小さくすることができる。
尚、本発明に係る研摩パッドは、上記一実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を行うことは勿論である。
上記実施形態において、研磨パッド1は、研磨層10のみを備えていたが、これに限定されるものではなく、例えば、研磨パッド1は、研磨層10と該研磨層10とは別の層とを備えていてもよい。
上記実施形態において、特に言及しなかったが、研磨面100上で開放している気泡101の直径が150μm未満である場合、研磨面100における該開口周りの部分が起き上がり難くなる。そして、研磨層10は、単位面積あたりにおいて、研磨面100上で開放する全気泡101のうちの約70%の気泡101の直径が150μm未満であることが好ましい。
1…研磨パッド、10…研磨層、100…研磨面、101…気泡、102…壁部、103…突出部
Claims (1)
- 被研磨物を研磨する研磨面を有する研磨層を備え、
該研磨層は、
3.58×106μm3あたりにおいて、直径が50μm〜200μmに設定される気泡が2300〜2900個形成されるとともに、隣り合う気泡同士の間の部分である壁部のそれぞれの厚みの総合計に対して、厚みが80μm以下の壁部のそれぞれの厚みの総合計の比率が2.8%に設定される
研磨パッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014033088A JP2015157334A (ja) | 2014-02-24 | 2014-02-24 | 研磨パッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014033088A JP2015157334A (ja) | 2014-02-24 | 2014-02-24 | 研磨パッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2015157334A true JP2015157334A (ja) | 2015-09-03 |
Family
ID=54181799
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2014033088A Pending JP2015157334A (ja) | 2014-02-24 | 2014-02-24 | 研磨パッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015157334A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11883926B2 (en) | 2018-03-13 | 2024-01-30 | Kioxia Corporation | Polishing pad, semiconductor fabricating device and fabricating method of semiconductor device |
-
2014
- 2014-02-24 JP JP2014033088A patent/JP2015157334A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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