JP5550051B2 - エポキシ化合物の製造方法 - Google Patents
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Description
しかしながら、ジオレフィン類の特定の位置の1つの二重結合のみを選択的にエポキシ化する技術は、低生産性(低反応性、低選択性)であり、その技術の適用範囲は、ある種の構造体のみに制限される場合が多い。
従来、ジオレフィン類の選択的エポキシ化剤として過酸が用いられてきたが(例えば、Chem.Ber.,1985,118,1267−1270を参照のこと)、この手法では副生成物としてジエポキシドが多量に生成し、また酸化剤由来の酸が当量生成するため、装置の腐食などの問題がある。
ケトン触媒下におけるオキソンを酸化剤としたジオレフィンの選択的エポキシ化方法も知られているが(例えば、J.Org.Chem.,1998,63,2948−2953を参照のこと)、この反応では触媒のケトンがかなり多量に必要(ジオレフィン類に対し20−30モル%)とされるほか、反応中のオキソンの分解を抑制する為に反応溶液のpHや反応温度等の反応条件を厳密にコントロールする必要があるといった問題がある。
一方、過酸化水素水は、安価で腐食性がなく、反応後の副生物は皆無であるか又は水であるために環境負荷が小さく、工業的に利用するには優れた酸化剤である。
過酸化水素水をエポキシ化剤としてオレフィン類からエポキシ化合物を製造する方法としては、従来、(1)塩化第4級アンモニウム、リン酸類、タングステン金属塩の存在下、過酸化水素によりエポキシ化する方法(特開2003−192679号公報(以下、特許文献1)、及び特開2004−115455号公報(以下、特許文献2)を参照のこと)、(2)有機溶媒中、第4級アンモニウム塩のような相間移動触媒とタングステン酸類とα−アミノメチルホスホン酸を触媒に用いてエポキシ化する方法(特開H8−27136号公報(以下、特許文献3)を参照のこと)、(3)トルエン溶媒中、タングステン化合物と過酸化水素とを反応せしめてなるタングステン酸化物、第四級アンモニウム硫酸水素塩及びリン酸類の存在下にエポキシ化する方法(特開2004−59573号公報(以下、特許文献4)を参照のこと)、(4)トルエンのような有機溶媒の存在下に、タングステン化合物、第四級アンモニウム塩、リン酸類及び/又はホウ酸類、及び硫酸水素塩を含んでなる多成分系酸化触媒を用いてエポキシ化する方法(特開2005−169363号公報(以下、特許文献5)を参照のこと)、(5)ヘテロポリ酸のセチルピリジニウム塩のような相間移動能とエポキシ化能を両方具備する触媒を用いてクロロホルム溶媒中でエポキシ化する方法(J.Org.Chem.,第53巻15号2587−3593(1988)(以下、非特許文献1)を参照のこと)などが知られているが、これらは何れも有機溶媒と相間移動能のみならず高い界面活性能を有する第4級アンモニウム塩を使用しており、反応効率、反応後の有機層と水層の分離性が良くない。
また、有機溶媒を使用せずに反応を実行する反応系も報告されている(特開2006−316034号公報(以下、特許文献6)参照のこと)が、この系でも第4級アンモニウム塩のような強い相間移動能を有する触媒を使用する必要があり、相間移動触媒が界面活性を有するため、反応終了後の相分離が容易ではない。
また、相分離が容易でないばかりでなく、有機層に4級アンモニウム塩が混入しそのまま使用しようとすると電気特性等に重大な悪影響を及ぼすし、蒸留等の精製を行う場合には加熱により4級アンモニウム塩が分解するために、蒸留収率が悪くなる等の問題があった。
タングステン以外の触媒を用いる方法としては、(6)無機酸化物担体にメチルトリオキソレニウム(CH3ReO3)と有機強塩基化合物を担持した触媒を用いて、過酸化水素によりエポキシ化する方法(特開2001−25665号公報(以下、特許文献7)を参照のこと)、(7)チタン含有ゼオライト触媒、及び3級アミン、3級アミンオキサイド又はそれらの混合物を含む添加剤の存在下、過酸化水素によりエポキシ化する方法(特表2002−526483号公報(以下、特許文献8)を参照のこと)、(8)フルオロアルキルケトン触媒下、過酸化水素によりエポキシ化する方法(Chem.Commun.,263−264(1999)(以下、非特許文献2)を参照のこと)などが知られているが、これらの方法は触媒効率が悪く過剰の過酸化水素が必要であったり、小さな基質にしか適用できないなどの制約が多い方法である。
具体的には、本発明は、以下の[1]〜[12]である。
[1]炭素−炭素二重結合を有する有機化合物と過酸化水素水溶液中の過酸化水素とを反応させて、該二重結合をエポキシ化して対応のエポキシ化合物を製造する方法であって、反応触媒としてタングステン化合物と3級アミンとを使用することを特徴とするエポキシ化合物の製造方法。
[2]炭素−炭素二重結合を有する有機化合物と過酸化水素水溶液中の過酸化水素とを反応させて、該二重結合をエポキシ化して対応のエポキシ化合物を製造する方法であって、反応溶媒として有機溶媒を使用せず、かつ、反応触媒として、タングステン化合物と3級アミンとを使用することを特徴とするエポキシ化合物の製造方法。
[3]助触媒として、鉱酸及び/又はその部分中和塩をさらに使用する、前記[1]又は[2]に記載のエポキシ化合物の製造方法。
[4]助触媒として、以下の構造式:
{式中、R1は水素原子又はアシル基であり、そしてR2とR3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜18のアルキル基又はアリール基を表す。}で表されるα−アミノメチルホスホン酸化合物をさらに使用する、前記[1]〜[3]のいずれかに記載のエポキシ化合物の製造方法。
[5]前記炭素−炭素二重結合を有する有機化合物が、以下の:
{式中、R4、R5、R6、R7、及びR8は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基であり、R9は、水素原子、メチル基、フェニル基又は以下のR12:
(式中、R13は、炭素数2〜8のアルキレン又はシクロアルキレン基であり、R14は、炭素数が1〜10のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基又はシクロアルケニル基であり、そして、mは0〜5の整数である。)で表される基であり、R10は、炭素数2〜8のアルキレン又はシクロアルキレン基であり、R11は、炭素数が1〜10のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基又はシクロアルケニル基であり、そしてnは、0〜5の整数である。}で表される化合物である、前記[1]〜[4]のいずれかに記載のエポキシ化合物の製造方法。
[6]前記炭素−炭素二重結合を有する有機化合物が、複数の炭素−炭素二重結合を有し、かつ、該複数の炭素−炭素二重結合の内の1つだけが、選択的にエポキシ化される、前記[1]〜[5]のいずれかに記載のエポキシ化合物の製造方法。
[7]前記複数の炭素−炭素二重結合を有する有機化合物が、シクロヘキセン誘導体と末端ビニル又はビニリデン基との組合せからなる化合物であり、そして該シクロヘキセン誘導体の炭素−炭素二重結合部分がエポキシ化される、前記[6]に記載のエポキシ化合物の製造方法。
[8]前記複数の炭素−炭素二重結合を有する有機化合物が、以下の式:
{式中、R15とR16は、水素原子又はメチル基を表す。}で表される化合物である、前記[6]又[7]に記載のエポキシ化合物の製造方法。
[9]前記複数の炭素−炭素二重結合を有する有機化合物が、以下の式:
{式中、R17、R18、R19、R20、R21、及びR25は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基であり、R23は、水素原子、メチル基又はフェニル基であり、R24は、炭素数2〜8のアルキレン又はシクロアルキレン基であり、そしてnは、0〜5の整数である。}で表される化合物である、前記[6]又は[7]に記載のエポキシ化合物の製造方法。
[10]前記タングステン化合物が、タングステン酸ナトリウムであり、かつ、前記3級アミンが、炭素数の合計が6以上であるアルキル基を有する3級アミンである、前記[1]〜[9]のいずれかに記載のエポキシ化合物の製造方法。
[11]鉱酸及び/又はその部分中和塩が、リン酸、硫酸、及びホウ酸及び/又はその部分中和塩から成る群から選ばれる少なくとも1種である、前記[3]〜[10]のいずれかに記載のエポキシ化合物の製造方法。
[12]前記3級アミンのアルキル基の炭素数の合計が12以上40以下である、前記[1]〜[11]のいずれか1項に記載のエポキシ化合物の製造方法。
[13]前記複数の炭素−炭素二重結合を有する有機化合物が、3−シクロヘキセニルメチル(メタ)アクリレート及び/又は3−シクロヘキセン−1−カルボン酸アリルである、前記[6]に記載のエポキシ化合物の製造方法。
過酸化水素水溶液の使用量についても、特に制限はないが、エポキシ化しようとするオレフィン類に対して、0.8〜10当量、好ましくは1〜3当量の範囲から選ばれる。
無論、工業的な生産性の観点からは過酸化水素は高濃度のほうが好ましいが、無用に高濃度の過酸化水素を用いないほうが良いことは言うまでもない。
触媒として用いるタングステン酸化合物としては、水中でタングステン酸アニオンを生成する化合物であり、例えば、タングステン酸、三酸化タングステン、三硫化タングステン、六塩化タングステン、リンタングステン酸、タングステン酸アンモニウム、タングステン酸カリウム二水和物、タングステン酸ナトリウム二水和物等が挙げられるが、タングステン酸、三酸化タングステン、リンタングステン酸、タングステン酸ナトリウム二水和物等が好ましい。これらタングステン化合物類は単独で使用しても、2種以上を混合使用してもよい。その使用量は基質のオレフィン類に対して0.0001〜20モル%、好ましくは0.01〜20モル%の範囲から選ばれる。
3級有機アミンとしては、その有機アルキル基の炭素数の合計が6以上、好ましくは12以上の3級アミンを触媒として用いたほうが、エポキシ化反応の活性が高くて好ましい。このような3級アミンとしては、トリブチルアミン、トリ−n−オクチルアミン、トリ−(2−エチルヘキシル)アミン、N,N−ジメチルラウリルアミン、N,N−ジメチルミリスチルアミン、N,N−ジメチルパルミチルアミン、N,N−ジメチルステアリルアミン、N.N−ジメチルベヘニルアミン、N,N−ジメチルココアルキルアミン、N,N−ジメチル牛脂アルキルアミン、N,N−ジメチル硬化牛脂アルキルアミン、N,N−ジメチルオレイルアミン、N,N−ジイソプロピル−2−エチルヘキシルアミン、N,N−ジブチル−2−エチルヘキシルアミン、N−メチルジオクチルアミン、N−メチルジデシルアミン、N−メチルジココアルキルアミン、N−メチル硬化牛脂アルキルアミン、N−メチルジオレイルアミンなどが挙げられる。有機アルキル基の炭素数の合計は40以下であることができる。これら3級有機アミン類は単独で使用しても、2種以上を混合使用してもよい。その使用量は基質のオレフィン類に対して0.0001〜10モル%、好ましくは0.01〜10モル%の範囲から選ばれる。
また、助触媒として、鉱酸及び/又はその部分中和塩をさらに使用することができる。鉱酸は、リン酸、硫酸、及びホウ酸及び/又はその部分中和塩から成る群から選ばれる少なくとも1種であることができる。これらの使用量は基質のエポキシ化しようとする二重結合1モルに対して、鉱酸類のプロトンがモル比で0.001〜20モル%、好ましくは0.1〜20モル%の範囲から選ばれる。一例として、基質のオレフィンとして一分子中に二つの二重結合を持つもの、鉱酸としてリン酸を使用する場合で両者の使用割合は、リン酸は1分子中に3つのプロトンを持っているので、一分子中に二つの二重結合を持つオレフィンに対するリン酸の使用割合は0.001×2/3〜20×2/3モル%、好ましくは0.1×2/3〜20×2/3モル%となる。
また、鉱酸の部分中和塩は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、有機アミン等の塩基性化合物によって、一部、部分的に中和されていてもよい。これら鉱酸の中でも特にリン酸、硫酸、あるいは両者を併用することが特に好ましい。
さらに、助触媒として、以下の構造式:
{式中、R1は水素原子又はアシル基であり、そしてR2とR3は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜18のアルキル基又はアリール基を表す。}で表されるα−アミノメチルホスホン酸化合物をさらに使用することにより、エポキシ化反応の効率をさらに高めることができる。
このようなα−アミノメチルホスホン酸は、例えば、特開平5−112586号公報に開示されている方法で合成することができる。このようなα−アミノメチルホスホン酸としては、α−アミノメチルホスホン酸、α−アミノエチルホスホン酸、α−アミノプロピルホスホン酸、α−アミノブチルホスホン酸、α−アミノペンチルホスホン酸、α−アミノヘキシルホスホン酸、α−アミノヘプチルホスホン酸、α−アミノオクチルホスホン酸、α−アミノノニルホスホン酸、α−アミノ−α−フェニルメチルホスホン酸、N−アセチル−α−アミノメチルホスホン酸、N−プロピオニル−α−アミノメチルホスホン酸、N−ベンゾイル−α−アミノメチルホスホン酸、N−(4−メトキシベンゾイル)−α−アミノメチルホスホン酸などが挙げられる。これらのα−アミノメチルホスホン酸は、単独で使用しても、2種以上を混合使用してもよい。その使用量は基質のオレフィン類に対して0.0001〜5モル%、好ましくは0.01〜5モル%の範囲から選ばれる。
本発明に係る方法においては、反応は、通常、30〜120℃の範囲で、好ましくは40〜100℃の範囲で行われる。
本発明に係る方法においては、炭素−炭素二重結合を1つ有する有機化合物を用いる場合その炭素−炭素二重結合をエポキシ化することができるが、複数の炭素−炭素二重結合を有する有機化合物を用いる場合に、その二重結合の環境が違う場合には、複数の炭素−炭素二重結合の内の1つだけを、選択的にエポキシ化させることができる。特に、一分子内にシクロヘキセン骨格と末端ビニル又はビニリデン基を有する場合には、該シクロヘキセン骨格の二重結合を選択的にエポキシ化させることができる。
本発明に係る方法においてエポキシ化される基質としては、以下の:
(式中、R13は、炭素数2〜8のアルキレン又はシクロアルキレン基であり、R14は、炭素数が1〜10のアルキル基、アリール基又はアルケニル基であり、そして、mは0〜5の整数である。)で表される基であり、R10は、炭素数2〜8のアルキレン又はシクロアルキレン基であり、R11は、炭素数が1〜10のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基又はシクロアルケニル基であり、そしてnは、0〜5の整数である。}で表される化合物が挙げられる。
同様に、本発明に係る方法においてエポキシ化される基質としては、以下の:
同様に、本発明に係る方法においてエポキシ化される基質としては、以下の:
これらの基質は、通常、溶媒を用いずに(無溶媒で)、これらの基質と過酸化水素水溶液と触媒とを混合するだけでエポキシ化反応を進行させることができる。
また、エポキシ化を行う方法としては工業的に安定に生産を行うことを考えると、触媒と基質を最初に反応器に仕込み、反応温度を極力一定に保ちつつ、過酸化水素については反応で消費されているのを確認しながら、徐々に加えていったほうが良い。このような方法をとれば、反応器内で過酸化水素が異常分解して酸素ガスが発生したとしても、過酸化水素の蓄積量が少なく圧力上昇を最小限にとどめることができる。
反応温度としては、あまりに高いと副反応が多くなるし、低すぎる場合には過酸化水素の消費速度が遅くなり、反応系内に蓄積することがあるので、−10〜120℃、より好ましくは10℃〜90℃の範囲で選択することが好ましい。
前記[化7]で表される化合物としては、例えば、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸メチル、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸エチル、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸フェニル、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸ベンジル、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸シクロヘキシル、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸アリル、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸−2’−アリロキシエチル、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸−2’−メチル−2’−プロペニル、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸−1’−メチル−2’−プロペニル、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸−1’−エチル−2’−プロペニル、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸−1’−フェニル−2’−プロペニル、1−メチル−3−シクロヘキセン−1−カルボン酸メチル、1−メチル−3−シクロヘキセン−1−カルボン酸エチル、1−メチル−3−シクロヘキセン−1−カルボン酸フェニル、1−メチル−3−シクロヘキセン−1−カルボン酸ベンジル、1−メチル−3−シクロヘキセン−1−カルボン酸シクロヘキシル、1−メチル−3−シクロヘキセン−1−カルボン酸アリル、1−メチル−3−シクロヘキセン−1−カルボン酸−2’−アリロシキエチル、3−シクロヘキセン−6−フェニル−1−カルボン酸メチル、3−シクロヘキセン−6−フェニル−1−カルボン酸エチル、3−シクロヘキセン−6−フェニル−1−カルボン酸フェニル、3−シクロヘキセン−6−フェニル−1−カルボン酸ベンジル、3−シクロヘキセン−6−フェニル−1−カルボン酸アリル、3−シクロヘキセン−3−メチル−1−カルボン酸メチル、3−シクロヘキセン−3−メチル−1−カルボン酸エチル、3−シクロヘキセン−3−メチル−1−カルボン酸フェニル、3−シクロヘキセン−3−メチル−1−カルボン酸ベンジル、3−シクロヘキセン−3−メチル−1−カルボン酸アリル、3−シクロヘキセン−4−メチル−1−カルボン酸メチル、3−シクロヘキセン−4−メチル−1−カルボン酸エチル、3−シクロヘキセン−4−メチル−1−カルボン酸フェニル、3−シクロヘキセン−4−メチル−1−カルボン酸ベンジル、3−シクロヘキセン−4−メチル−1−カルボン酸アリル、3−シクロヘキセン−1,6−ジカルボン酸ジメチル、3−シクロヘキセン−1,6−ジカルボン酸ジエチル、3−シクロヘキセン−1,6−ジカルボン酸ジフェニル、3−シクロヘキセン−1,6−ジカルボン酸ジベンジル、3−シクロヘキセン−1,6−ジカルボン酸ジアリル、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸−3−シクロヘキセニルなどが挙げられる。
また、前記[化9]で表される化合物としては、ビニルシクロヘキセン、リモネンなどが挙げられ、前記[化10]で表される化合物としては、3−シクロヘキセニルメチル(メタ)アクリレート、2−(3−シクロヘキセニルメトキシ)エチル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
前記[化7]及び[化9]で表される化合物の内、以下の式:
{式中、R26、R27、R28、R29、及びR30は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基であり、R31は水素原子、メチル基、フェニル基又は以下のR34:
(式中、R35は、炭素数2〜8のアルキレン又はシクロアルキレン基であり、R36は、水素原子又はメチル基であり、そしてmは0〜5の整数である。)で表される基であり、R32は、炭素数2〜8のアルキレン又はシクロアルキレン基であり、R33は、水素又はメチル基であり、そしてnは0〜5の整数である。}で表される化合物とビニルシクロヘキセン、3−シクロヘキセニルメチル(メタ)アクリレート、およびリモネンは、エポキシ化後も、変性に利用できる二重結合を残すことができるので、特に好ましい。
また、特に、前記[化9]で表される化合物の場合には、反応液を直接タングステン化合物の含まれた水層と、生成物と原料が含まれた有機層とが二層に分離するため、それをそのまま分離することにより、反応終了後に特に抽出溶媒等を使用せずに次の精製工程に持っていくことが可能である。
前記[化7]で表される化合物の場合には、水層と有機層の比重差がほとんど無い場合があるが、その場合にも水層に無機化合物の飽和水溶液を混合して、有機層と比重差をつけることにより有機抽出溶媒を使用しなくても二層分離を行うことができる。特にタングステン化合物の比重は重いので、水層を下層に持って来るために、本来触媒として必要な前記した使用量を超えるタングステン化合物を用いてもよい。この場合、水層からのタングステン化合物を再使用して、タングステン化合物の効率を高めることが望ましい。また、逆に基質によっては有機層の比重が1.2近くあるものもあるので、このような場合には水をさらに添加して、水層の比重を1に近づけることにより、上層に水層、下層に有機層を持ってくることもできる。
なお、本発明に係る方法においては、反応溶媒ではなく、抽出溶媒としてシクロヘキサンやヘキサンのような有機溶媒を用いて抽出を実施することもでき、状況に応じて最適な分離方法を選択することができる。
このようにして水層と分離した有機層を濃縮後、再結晶や蒸留、昇華等の通常の方法によって、得られたエポキシ化合物を取り出すことができる。
以下実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はかかる実施例にのみ制限されるものではない。
滴下ロート、ジムロート冷却管を備えた300mLの三ツ口フラスコに、50%硫酸水溶液0.360g(1.84mmol)、トリオクチルアミン(TNOA)5.18g(14.7mmol)、アミノメチルホスホン酸0.815g(7.34mmol)、タングステン酸ナトリウム2水和物4.61g(14.7mmol)、リモネン100g(0.734mol)、及び35%過酸化水素水溶液3.57g(36.7mmol)を、三ッ口丸底フラスコに入れ、反応液を55℃に調節し、撹拌しながら、更に35%過酸化水素水溶液67.8g(0.697mol)を、反応温度が60℃を超えないようにして、4〜5時間かけて滴下した。滴下終了後、1時間、攪拌を継続し、反応液を室温まで冷却した。撹拌を止めると反応液は速やかに二層分離し、上層が有機層、下層が水層として分離した。上層の有機層を分析した結果、リモネンの転化率は73%であり、そしてリモネンモノオキサイドへの選択率は80%であった。
なお、転化率、選択率はガスクロにより分析した結果を元に、以下の計算式により計算した。
転化率(%)=(1−残存した原料のモル数/使用した原料のモル数)×100
選択率(%)=(目的化合物のモル数/使用した原料のモル数)×10000/転化率(%)
実施例2
滴下ロート、ジムロート冷却管を備えた300mLの三ツ口フラスコに、50%硫酸水溶液0.391g(2.0mmol)トリオクチルアミン0.707g(2.0mmol)、DATHP(テトラヒドロフタル酸ジアリル)50g(0.20mol)、タングステン酸ナトリウム2水和物1.320g(4.0mmol)、アミノメチルホスホン酸0.222g(2.0mmol)、及び35%過酸化水素水溶液0.969g(9.97mmol)を入れ、マグネチックスターラーで撹拌しながら、オイルバスで60℃に加温した後、35%過酸化水素水溶液20.38g(0.210mol)を、反応温度が65℃を超えないように滴下した。滴下終了後、1時間、攪拌を継続し、反応液を室温まで冷却した。この後、純水100gを添加して、上層が水層、下層が有機層となるようにして、有機層を分離した。この有機層を分析した結果、テトラヒドロフタル酸ジアリルの転化率は95%であり、そして4,5−エポキシシクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸ジアリルへの選択率は93%であった。
実施例3
滴下ロート、ジムロート冷却管を備えた300mLの三ツ口フラスコに、50%硫酸水溶液1.44g(7.34mmol)、トリオクチルアミン(TNOA)5.18g(14.7mmol)、アミノメチルホスホン酸0.815g(7.34mmol)、タングステン酸ナトリウム2水和物4.61g(14.7mmol)、3−シクロヘキセンカルボン酸アリル122g(0.734mol)、及び35%過酸化水素水溶液3.57g(36.7mmol)を、三ッ口丸底フラスコに入れ、反応液を55℃に調節し、撹拌しながら、更に35%過酸化水素水溶液67.8g(0.697mol)を反応温度が60℃を超えないようにして、4〜5時間かけて滴下した。滴下終了後、1時間、攪拌を継続し、反応液を室温まで冷却した。反応終了後、ヘキサン50gを添加して、上層が有機層、下層が水層となるように二層分離させた。上層の有機層を分析した結果、3−シクロヘキセンカルボン酸アリルの転化率は87%であり、そして3,4−エポキシシクロヘキサンカルボン酸アリルへの選択率は93%であった。
実施例4
滴下ロート、ジムロート冷却管を備えた300mLの三ツ口フラスコに、50%硫酸水溶液0.439g(2.24mmol)トリオクチルアミン(TNOA)3.17g(14.7mmol)、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸メチル31.4g(0.224mol)、タングステン酸ナトリウム2水和物1.48g(4.48mmol)、アミノメチルホスホン酸0.249g(2.24mmol)、を入れ、マグネチックスターラーで撹拌しながら、オイルバスで60℃に加温した後、35%過酸化水素水溶液47.9g(0.492mol)を、反応温度が65℃を超えないように滴下した。滴下終了後、1時間、攪拌を継続し、反応液を室温まで冷却した。この後、酢酸エチル50gを添加して、上層が有機層、下層が水層となるようにして、有機層を分離した。この有機層を分析した結果、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸メチルの転化率は95%であり、そして3,4−エポキシシクロヘキサンカルボン酸メチルへの選択率は82%であった。
実施例5
滴下ロート、ジムロート冷却管を備えた300mLの三ツ口フラスコに、50%硫酸水溶液0.439g(2.24mmol)、アーミンM210D(N−メチルジデシルアミン:ライオンアクゾ(株)製)3.29g(8.95mmol)、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸−3−シクロヘキセニル50g(0.224mol)、タングステン酸ナトリウム2水和物1.48g(4.48mmol)、アミノメチルホスホン酸0.249g(2.24mmol)、を入れ、マグネチックスターラーで撹拌しながら、オイルバスで60℃に加温した後、35%過酸化水素水溶液47.9g(0.492mol)を、反応温度が65℃を超えないように滴下した。滴下終了後、1時間、攪拌を継続し、反応液を室温まで冷却した。この後、酢酸エチル50gを添加して、上層が有機層、下層が水層となるようにして、有機層を分離した。この有機層を分析した結果、3−シクロヘキセン−1−カルボン酸−3−シクロヘキセニルの転化率は96%であり、そして3′,4′−エポキシシクロヘキサンカルボン酸3,4−エポキシシクロヘキシルメチルへの選択率は51%であり、中間体のモノエポキシ体も27%生成していた。
実施例6
滴下ロート、ジムロート冷却管を備えた300mLの三ツ口フラスコに、50%硫酸水溶液0.268g(1.37mmol)、トリオクチルアミン0.483g(1.37mmol)、3−シクロヘキセニルメチルメタアクリレート50g(0.273mol)、タングステン酸ナトリウム2水和物0.902g(2.73mmol)、アミノメチルホスホン酸0.152g(1.37mmol)、を入れ、マグネチックスターラーで撹拌しながら、オイルバスで50℃に加温した後、35%過酸化水素水溶液23.9g(0.246mol)を、反応温度が55℃を超えないように滴下した。滴下終了後、1時間、攪拌を継続し、反応液を室温まで冷却した。この後、酢酸エチル50gを添加し、上層が有機層、下層が水層となるようにして、有機層を分離した。この有機層を分析した結果、3−シクロヘキセニルメチルメタアクリレートの転化率は52%であり、そして3,4−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリレートへの選択率は98%であった。
実施例7
予め、タングステン酸ナトリウム20.0g(60.6mmmol)、50%硫酸水溶液5.95g(30.3mmol)、純水34g、35%過酸化水素水溶液5.90g(60.7mmol)を溶解した。
滴下ロート、ジムロート冷却管を備えた2000mLの三ツ口フラスコに、先に調製したタングステン酸水溶液25.7g、トリオクチルアミン(TNOA)4.26g(12.0mmol)、88%リン酸1.34g(12.0mmol)、3−シクロヘキセンカルボン酸アリル400g(2.41mol)を入れ、反応液を70℃に調節し、撹拌しながら更に35%過酸化水素水溶液210g(2.17mol)を反応温度が75℃を超えないようにして、8時間かけて滴下した。滴下終了後、1時間、攪拌を継続し、反応液を室温まで冷却した。反応終了後、酢酸エチル400gを添加して、上層が有機層、下層が水層となるように二層分離させた。上層の有機層を分析した結果、3−シクロヘキセンカルボン酸アリルの転化率は83%であり、そして3,4−エポキシシクロヘキサンカルボン酸アリルへの選択率は91%であった。
上層の有機層を飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液50gを2回(全使用量100g)用いて洗浄し、更に純水50gで洗浄した後エバポレーターにより、酢酸エチルを留去した後、減圧蒸留により、原料の3−シクロヘキセンカルボン酸アリル64g、生成物の3,4−エポキシシクロヘキサンカルボン酸アリル282gを回収した。釜残は粘稠ではあったがゲル化はしておらず、ヘキサンにより抽出行い、ガスクロ分析により抽出液中に生成物の3,4−エポキシシクロヘキサンカルボン酸アリル28gを確認した。
比較例1
予め、タングステン酸ナトリウム20.0g(60.6mmol)、50%硫酸水溶液5.95g(30.3mmol)、純水34g、35%過酸化水素水溶液5.90g(60.7mmol)を溶解した。
滴下ロート、ジムロート冷却管を備えた2000mLの三ツ口フラスコに、先に調製したタングステン酸水溶液25.7g、トリオクチルメチルアンモニウムクロライド4.86g(12.0mmol)、アミノメチルホスホン酸1.34g(12.0mmol)、3−シクロヘキセンカルボン酸アリル400g(2.41mol)を入れ、反応液を70℃に調節し、撹拌しながら更に35%過酸化水素水溶液210g(2.17mol)を反応温度が75℃を超えないようにして、8時間かけて滴下した。滴下終了後、1時間、攪拌を継続し、反応液を室温まで冷却した。反応終了後、酢酸エチル400gを添加して、上層が有機層、下層が水層となるように二層分離させた。上層の有機層を分析した結果、3−シクロヘキセンカルボン酸アリルの転化率は80%であり、そして3,4−エポキシシクロヘキサンカルボン酸アリルへの選択率は98%であった。
上層の有機層を飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液50gを2回(全使用量100g)用いて洗浄し、更に純水50gで洗浄した後エバポレーターにより、酢酸エチルを留去した後、減圧蒸留を行ったが、原料の3−シクロヘキセンカルボン酸アリル66g、生成物の3,4−エポキシシクロヘキサンカルボン酸アリル168gしか回収できなかった。また、釜残はゲル化しており、ここから生成物を回収することはできない状態であった。
Claims (9)
- 炭素−炭素二重結合を有する有機化合物と過酸化水素水溶液中の過酸化水素とを反応させて、該二重結合をエポキシ化して対応のエポキシ化合物を製造する方法であって、反応溶媒として有機溶媒を使用せず、かつ、反応触媒として、タングステン化合物と3級アミンとを使用し、前記炭素−炭素二重結合を有する有機化合物が、複数の炭素−炭素二重結合を有し、かつ、該複数の炭素−炭素二重結合の内の1つだけが、選択的にエポキシ化され、前記複数の炭素−炭素二重結合を有する有機化合物が、シクロヘキセン誘導体と末端ビニル又はビニリデン基との組合せからなる化合物であり、そして該シクロヘキセン誘導体の炭素−炭素二重結合部分がエポキシ化されることを特徴とするエポキシ化合物の製造方法。
- 助触媒として、鉱酸及び/又はその部分中和塩をさらに使用する、請求項1に記載のエポキシ化合物の製造方法。
- 前記炭素−炭素二重結合を有する有機化合物が、以下の:
- 前記タングステン化合物が、タングステン酸ナトリウムであり、かつ、前記3級アミンが、炭素数の合計が6以上であるアルキル基を有する3級アミンである、請求項1〜5のいずれか1項に記載のエポキシ化合物の製造方法。
- 鉱酸及び/又はその部分中和塩が、リン酸、硫酸、及びホウ酸及び/又はその部分中和塩から成る群から選ばれる少なくとも1種である、請求項2〜6のいずれか1項に記載のエポキシ化合物の製造方法。
- 前記3級アミンのアルキル基の炭素数の合計が12以上40以下である、請求項1〜7のいずれか1項に記載のエポキシ化合物の製造方法。
- 前記複数の炭素−炭素二重結合を有する有機化合物が、3−シクロヘキセニルメチル(メタ)アクリレート及び/又は3−シクロヘキセン−1−カルボン酸アリルである、請求項1に記載のエポキシ化合物の製造方法。
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