JP5472655B2 - 蒸着用タブレットとその製造方法 - Google Patents
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- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
- C04B2235/786—Micrometer sized grains, i.e. from 1 to 100 micron
Description
セリウムをドーパントとして含む酸化インジウム焼結体により構成されかつ相対密度が50%以上80%以下の蒸着用タブレットにおいて、
上記酸化インジウム焼結体の破断面に現れる結晶粒についてその粒径とその個数を掛け合わせて得られる結晶粒量の分布における最大ピークを構成する粒径の結晶粒の占める比率(最多結晶粒比率と定義する)が20%以下であることを特徴とするものである。
但し、上記「最多結晶粒比率」は、酸化インジウム焼結体の破断面から以下の工程(A)〜(E)を経て求められる。
(A)酸化インジウム焼結体の破断面におけるSEM撮像図上の任意箇所に少なくとも3本の平行な直線を引くと共に、3本の各直線上に位置する結晶粒の粒界部分で区切られた長さを「結晶粒の粒径(結晶粒径)」として測定する。
(B)測定された粒径(結晶粒径)の範囲を0.34μm刻みで区切り、0.34μm刻みの各区切り内の「結晶粒の個数」を計測する。
(C)上記各区切り内の「結晶粒の粒径(結晶粒径)」の代表値として各区切りの「中心値」を用い、この「結晶粒径(中心値)」に上記「結晶粒の個数」を掛けたものを「結晶粒量」と定義する。
(D)そして、上記区切りごとに「結晶粒量」を求め、かつ、それぞれの「結晶粒量」の全体に対する比率を算出する。
(E)算出された比率の最大値を「最大ピーク」と定義し、最大ピークを構成する粒径の結晶粒が占める比率を上記「最多結晶粒比率」として求める。
酸化インジウム粉末を1300℃以上1550℃以下で熱処理して仮焼粉末を得る第一工程と、
得られた仮焼粉末に、未仮焼の酸化セリウム粉末または未仮焼の酸化インジウム粉末と酸化セリウム粉末を上記仮焼粉末の割合が50質量%以上80質量%以下となるように混合し、かつ、造粒して造粒粉末を得る第二工程と、
得られた造粒粉末を成形して成形体とし、この成形体を、1100℃以上1350℃以下でかつ上記第一工程における仮焼粉末の熱処理温度より200℃以上低い温度で焼結してセリウムをドーパントとして含む酸化インジウムの焼結体を得る第三工程、
の各工程を具備することを特徴とし、
また、本発明に係る第二の製造方法は、
酸化インジウム粉末と酸化セリウム粉末とを1300℃以上1550℃以下で熱処理して仮焼粉末を得る第一工程と、
得られた仮焼粉末に、未仮焼の酸化インジウム粉末および/または酸化セリウム粉末を上記仮焼粉末の割合が50質量%以上80質量%以下となるように混合し、かつ、造粒して造粒粉末を得る第二工程と、
得られた造粒粉末を成形して成形体とし、この成形体を、1100℃以上1350℃以下でかつ上記第一工程における仮焼粉末の熱処理温度より200℃以上低い温度で焼結してセリウムをドーパントとして含む酸化インジウムの焼結体を得る第三工程、
の各工程を具備することを特徴とするものである。
上記ICO焼結体の破断面に現れる結晶粒についてその粒径とその個数を掛け合わせて得られる結晶粒量の分布における最大ピークを構成する粒径の結晶粒の占める比率(上述したように最多結晶粒比率と定義する)が20%以下であることを特徴とするものである。
酸化インジウム粉末を1300℃以上1550℃以下で熱処理して仮焼粉末を得る第一工程と、
得られた仮焼粉末に、未仮焼の酸化セリウム粉末または未仮焼の酸化インジウム粉末と酸化セリウム粉末を上記仮焼粉末の割合が50質量%以上80質量%以下となるように混合し、かつ、造粒して造粒粉末を得る第二工程と、
得られた造粒粉末を成形して成形体とし、この成形体を、1100℃以上1350℃以下でかつ上記第一工程における仮焼粉末の熱処理温度より200℃以上低い温度で焼結してセリウムをドーパントとして含む酸化インジウムの焼結体を得る第三工程、
の各工程を具備することを特徴とし、
また、第二の製造方法は、
酸化インジウム粉末と酸化セリウム粉末とを1300℃以上1550℃以下で熱処理して仮焼粉末を得る第一工程と、
得られた仮焼粉末に、未仮焼の酸化インジウム粉末および/または酸化セリウム粉末を上記仮焼粉末の割合が50質量%以上80質量%以下となるように混合し、かつ、造粒して造粒粉末を得る第二工程と、
得られた造粒粉末を成形して成形体とし、この成形体を、1100℃以上1350℃以下でかつ上記第一工程における仮焼粉末の熱処理温度より200℃以上低い温度で焼結してセリウムをドーパントとして含む酸化インジウムの焼結体を得る第三工程、
の各工程を具備することを特徴とするものである。
本発明に係る「第一の製造方法」においては、酸化インジウム粉末を1300℃以上1550℃以下で熱処理して仮焼粉末を得、また、本発明に係る「第二の製造方法」においては、酸化インジウム粉末と酸化セリウム粉末とを1300℃以上1550℃以下で熱処理して仮焼粉末を得る。尚、仮焼温度が1300℃未満の場合、目的とするICO焼結体の密度や寸法のばらつきが大きくなるという不都合がある。また、仮焼温度が1550℃を超えると、仮焼中に粉末が強固に焼結してしまい、仮焼後に粉砕して粉末を得ることが難しくなるため好ましくない。従って、仮焼温度は、1300℃以上1550℃以下、より好ましくは1400℃〜1500℃とし、仮焼時間は15時間以上とするのが好ましい。
次に、「第一の製造方法」では、第一工程で得られた仮焼粉末に、未仮焼の酸化セリウム粉末または未仮焼の酸化インジウム粉末と酸化セリウム粉末を所望の組成となるように配合した後、また、「第二の製造方法」では、第一工程で得られた仮焼粉末に、未仮焼の酸化インジウム粉末および/または酸化セリウム粉末を所望の組成となるように配合した後、混合を行い、かつ、スプレードライヤーを用い造粒して造粒粉末とする。
次に、「第一の製造方法」および「第二の製造方法」における各第二工程で得られた造粒粉末を成形して成形体とする。造粒粉末の成形は金型プレスにて行う。この際、仮焼粉末の配合割合、後工程の焼結温度の設定条件により、焼結による収縮がコントロールされているため、タブレットの寸法はこの成形時にほぼ決定される。
上記成形体の焼結時における雰囲気は、酸素、大気、真空中のいずれでもよいが、大気中での焼結が安価にできて最も好ましい。
平均粒径0.4μmの酸化インジウム粉末中に平均粒径0.6μmの酸化セリウム粉末を酸化セリウム組成が10重量%となるように配合し、60重量%の水、0.5重量%の分散剤(ポリカルボン酸アンモニウム塩)および1.0重量%のバインダー(PVA)を添加した後、ボールミル中で混合し、スプレードライヤーを用いて仮焼前粉末を作製した。その後、大気中にて1500℃で20時間の仮焼を行い、仮焼粉末を得た。
仮焼温度を1500℃、焼結温度を1300℃とし、仮焼粉末の割合を60重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は55.4%であり、EB蒸着時にタブレットの割れは確認されず、その透明導電膜はタブレットと同組成であった。また、製造中に成膜条件の大幅な変更をしなくても、所定の膜質を得ることができた。
仮焼温度を1500℃、焼結温度を1300℃とし、仮焼粉末の割合を50重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は56.3%であり、EB蒸着時にタブレットの割れは確認されず、その透明導電膜はタブレットと同組成であった。また、製造中に成膜条件の大幅な変更をしなくても、所定の膜質を得ることができた。
仮焼温度を1500℃、焼結温度を1200℃とし、仮焼粉末の割合を80重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は53.3%であり、EB蒸着時にタブレットの割れは確認されず、その透明導電膜はタブレットと同組成であった。また、製造中に成膜条件の大幅な変更をしなくても、所定の膜質を得ることができた。
仮焼温度を1400℃、焼結温度を1200℃とし、仮焼粉末の割合を80重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は53.9%であり、EB蒸着時にタブレットの割れは確認されず、その透明導電膜はタブレットと同組成であった。また、製造中に成膜条件の大幅な変更をしなくても、所定の膜質を得ることができた。
仮焼温度を1400℃、焼結温度を1200℃とし、仮焼粉末の割合を50重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は58.0%であり、EB蒸着時にタブレットの割れは確認されず、その透明導電膜はタブレットと同組成であった。また、製造中に成膜条件の大幅な変更をしなくても、所定の膜質を得ることができた。。
仮焼温度を1400℃、焼結温度を1100℃とし、仮焼粉末の割合を80重量%とした以外は実施例1と同様にしてICO焼結体を得た。焼結体の相対密度は53.5%であり、EB蒸着時にタブレットの割れは確認されず、その透明導電膜はタブレットと同組成であった。また、製造中に成膜条件の大幅な変更をしなくても、所定の膜質を得ることができた。
仮焼温度を1300℃、焼結温度を1100℃とし、仮焼粉末の割合を80重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は54.3%であり、EB蒸着時にタブレットの割れは確認されず、その透明導電膜はタブレットと同組成であった。また、製造中に成膜条件の大幅な変更をしなくても、所定の膜質を得ることができた。
仮焼温度を1550℃、焼結温度を1350℃とし、仮焼粉末の割合を80重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は53.4%であり、EB蒸着時にタブレットの割れは確認されず、その透明導電膜はタブレットと同組成であった。また、製造中に成膜条件の大幅な変更をしなくても、所定の膜質を得ることができた。
仮焼温度を1550℃、焼結温度を1100℃とし、仮焼粉末の割合を80重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は51.6%であり、EB蒸着時にタブレットの割れは確認されず、その透明導電膜はタブレットと同組成であった。また、製造中に成膜条件の大幅な変更をしなくても、所定の膜質を得ることができた。
未仮焼粉末と仮焼粉末中の酸化セリウム組成を1重量%となるように配合し、仮焼温度を1500℃、焼結温度を1300℃とし、仮焼粉末の割合を80重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は54.2%であり、EB蒸着時にタブレットの割れは確認されず、その透明導電膜はタブレットと同組成であった。また、製造中に成膜条件の大幅な変更をしなくても、所定の膜質を得ることができた。
未仮焼粉末と仮焼粉末中の酸化セリウム組成を30重量%となるように配合し、仮焼温度を1500℃、焼結温度を1300℃とし、仮焼粉末の割合を80重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は53.2%であり、EB蒸着時にタブレットの割れは確認されず、その透明導電膜はタブレットと同組成であった。また、製造中に成膜条件の大幅な変更をしなくても、所定の膜質を得ることができた。
仮焼温度を1400℃、焼結温度を1200℃とし、仮焼粉末の割合を40重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は65.4%であり、EB蒸着時にタブレットの割れは確認されず、その透明導電膜はタブレットと同組成であった。また、製造中に成膜条件の大幅な変更をしなくても、所定の膜質を得ることができた。
酸化インジウム粉末のみを、仮焼温度1500℃として作製した仮焼粉末の割合を80重量%とし、かつ酸化インジウム粉末中に酸化セリウム粉末を酸化セリウム組成が50重量%となるように配合した未仮焼粉末を20重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は53.4%であり、EB蒸着時にタブレットの割れは確認されず、その透明導電膜はタブレットと同組成であった。また、製造中に成膜条件の大幅な変更をしなくても、所定の膜質を得ることができた。
酸化インジウム粉末中に酸化セリウム粉末を酸化セリウム組成が12.5重量%となるように配合した粉末を、仮焼温度1500℃として作製した仮焼粉末の割合を80重量%とし、かつ、未仮焼粉末として酸化インジウム粉末のみからなる粉末を20重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は53.6%であり、EB蒸着時にタブレットの割れは確認されず、その透明導電膜はタブレットと同組成であった。また、製造中に成膜条件の大幅な変更をしなくても、所定の膜質を得ることができた。
仮焼温度を1500℃、焼結温度を1400℃とし、仮焼粉末の割合を80重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は55.5%であり、EB蒸着時にタブレットの割れが発生していた。得られた透明導電膜は、タブレットと同組成であったが、製造中に成膜条件の大幅な変更を必要とした。
仮焼温度を1550℃、焼結温度を1400℃とし、仮焼粉末の割合を80重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は53.9%であり、EB蒸着時にタブレットの割れが発生していた。得られた透明導電膜は、タブレットと同組成であったが、製造中に成膜条件の大幅な変更を必要とした。
仮焼温度を1400℃、焼結温度を1400℃とし、仮焼粉末の割合を80重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は54.0%であり、EB蒸着時にタブレットの割れが発生していた。得られた透明導電膜は、タブレットと同組成であったが、製造中に成膜条件の大幅な変更を必要とした。
仮焼温度を1400℃、焼結温度を1400℃とし、仮焼粉末の割合を50重量%とした以外は実施例1と同様にしてICO焼結体を得た。焼結体の相対密度は60.5%であり、EB蒸着時にタブレットの割れが発生していた。得られた透明導電膜は、タブレットと同組成であったが、製造中に成膜条件の大幅な変更を必要とした。
仮焼温度を1400℃、焼結温度を1300℃とし、仮焼粉末の割合を60重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は57.1%であり、EB蒸着時にタブレットの割れが発生していた。得られた透明導電膜は、タブレットと同組成であったが、製造中に成膜条件の大幅な変更を必要とした。
仮焼温度を1300℃、焼結温度を1300℃とし、仮焼粉末の割合を80重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は55.0%であり、EB蒸着時にタブレットの割れが発生していた。得られた透明導電膜は、タブレットと同組成であったが、製造中に成膜条件の大幅な変更を必要とした。
仮焼温度を1300℃、焼結温度を1400℃とし、仮焼粉末の割合を80重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は55.7%であり、EB蒸着時にタブレットの割れが発生していた。得られた透明導電膜は、タブレットと同組成であったが、製造中に成膜条件の大幅な変更を必要とした。
仮焼温度を1400℃、焼結温度を1550℃とし、仮焼粉末の割合を80重量%とした以外は実施例1と同様にして蒸着用ICO焼結体タブレットを得た。得られた蒸着用ICO焼結体タブレットの相対密度は53.8%であり、EB蒸着時にタブレットの割れが発生していた。得られた透明導電膜は、タブレットと同組成であったが、製造中に成膜条件の大幅な変更を必要とした。
(1)仮焼粉末を得るときの「仮焼温度」条件より200℃以上低い「焼結温度」条件で製造された「相対密度」が50%以上80%以下の実施例1〜15に係る蒸着用ICO焼結体タブレットについては、表1の「EB蒸着後の割れ」欄および第1図のグラフ図(○印)からEB蒸着時にタブレットの割れが発生しないことが確認される。
Claims (8)
- セリウムをドーパントとして含む酸化インジウム焼結体により構成されかつ相対密度が50%以上80%以下の蒸着用タブレットにおいて、
上記酸化インジウム焼結体の破断面に現れる結晶粒についてその粒径とその個数を掛け合わせて得られる結晶粒量の分布における最大ピークを構成する粒径の結晶粒の占める比率(最多結晶粒比率)が20%以下であることを特徴とする蒸着用タブレット。
但し、上記「最多結晶粒比率」は、酸化インジウム焼結体の破断面から以下の工程(A)〜(E)を経て求められる。
(A)酸化インジウム焼結体の破断面におけるSEM撮像図上の任意箇所に少なくとも3本の平行な直線を引くと共に、3本の各直線上に位置する結晶粒の粒界部分で区切られた長さを「結晶粒の粒径(結晶粒径)」として測定する。
(B)測定された粒径(結晶粒径)の範囲を0.34μm刻みで区切り、0.34μm刻みの各区切り内の「結晶粒の個数」を計測する。
(C)上記各区切り内の「結晶粒の粒径(結晶粒径)」の代表値として各区切りの「中心値」を用い、この「結晶粒径(中心値)」に上記「結晶粒の個数」を掛けたものを「結晶粒量」と定義する。
(D)そして、上記区切りごとに「結晶粒量」を求め、かつ、それぞれの「結晶粒量」の全体に対する比率を算出する。
(E)算出された比率の最大値を「最大ピーク」と定義し、最大ピークを構成する粒径の結晶粒が占める比率を上記「最多結晶粒比率」として求める。 - セリウムをドーパントとして含む酸化インジウム焼結体により構成されかつ相対密度が50%以上80%以下の蒸着用タブレットの製造方法において、
酸化インジウム粉末を1300℃以上1550℃以下で熱処理して仮焼粉末を得る第一工程と、
得られた仮焼粉末に、未仮焼の酸化セリウム粉末または未仮焼の酸化インジウム粉末と酸化セリウム粉末を上記仮焼粉末の割合が50質量%以上80質量%以下となるように混合し、かつ、造粒して造粒粉末を得る第二工程と、
得られた造粒粉末を成形して成形体とし、この成形体を、1100℃以上1350℃以下でかつ上記第一工程における仮焼粉末の熱処理温度より200℃以上低い温度で焼結してセリウムをドーパントとして含む酸化インジウムの焼結体を得る第三工程、
の各工程を具備することを特徴とする蒸着用タブレットの製造方法。 - セリウムをドーパントとして含む酸化インジウム焼結体により構成されかつ相対密度が50%以上80%以下の蒸着用タブレットの製造方法において、
酸化インジウム粉末と酸化セリウム粉末とを1300℃以上1550℃以下で熱処理して仮焼粉末を得る第一工程と、
得られた仮焼粉末に、未仮焼の酸化インジウム粉末および/または酸化セリウム粉末を上記仮焼粉末の割合が50質量%以上80質量%以下となるように混合し、かつ、造粒して造粒粉末を得る第二工程と、
得られた造粒粉末を成形して成形体とし、この成形体を、1100℃以上1350℃以下でかつ上記第一工程における仮焼粉末の熱処理温度より200℃以上低い温度で焼結してセリウムをドーパントとして含む酸化インジウムの焼結体を得る第三工程、
の各工程を具備することを特徴とする蒸着用タブレットの製造方法。 - 上記第一工程において、1400℃以上1500℃以下で熱処理して仮焼粉末を得ることを特徴とする請求項2または3に記載の蒸着用タブレットの製造方法。
- 上記第一工程において、15時間以上熱処理して仮焼粉末を得ることを特徴とする請求項2または3に記載の蒸着用タブレットの製造方法。
- 上記第二工程において、仮焼粉末の割合が70質量%以上80質量%以下であることを特徴とする請求項2または3に記載の蒸着用タブレットの製造方法。
- 上記第三工程において、焼結時における雰囲気が大気中であることを特徴とする請求項2または3に記載の蒸着用タブレットの製造方法。
- 上記第三工程において、焼結温度に達した後の焼結温度での保持時間が15時間以上25時間以下であることを特徴とする請求項2または3に記載の蒸着用タブレットの製造方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08260134A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-08 | Toppan Printing Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JP2008001554A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 焼結体、膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2008192604A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-08-21 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 透明導電膜用材料 |
WO2011016388A1 (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、および透明導電膜 |
JP2011132593A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-07-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物蒸着材と透明導電膜および太陽電池 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2006117462A (ja) | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ZnO焼結体およびその製造方法 |
JP2007009268A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP4802655B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2011-10-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体及びそれを用いて得られる酸化物膜、並びにその酸化物膜を含む積層体 |
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JP2008001554A (ja) * | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 焼結体、膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2008192604A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-08-21 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 透明導電膜用材料 |
WO2011016388A1 (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化物焼結体とその製造方法、ターゲット、および透明導電膜 |
WO2011016387A1 (ja) * | 2009-08-05 | 2011-02-10 | 住友金属鉱山株式会社 | イオンプレーティング用タブレットとその製造方法、および透明導電膜 |
JP2011132593A (ja) * | 2009-11-30 | 2011-07-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 酸化物蒸着材と透明導電膜および太陽電池 |
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