JP5461749B2 - 高電圧発生器を有する半導体装置及びその高電圧供給方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 8
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims description 3
- 230000000779 depleting effect Effects 0.000 claims 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- HCUOEKSZWPGJIM-YBRHCDHNSA-N (e,2e)-2-hydroxyimino-6-methoxy-4-methyl-5-nitrohex-3-enamide Chemical compound COCC([N+]([O-])=O)\C(C)=C\C(=N/O)\C(N)=O HCUOEKSZWPGJIM-YBRHCDHNSA-N 0.000 description 3
- 101001109689 Homo sapiens Nuclear receptor subfamily 4 group A member 3 Proteins 0.000 description 3
- 101000598778 Homo sapiens Protein OSCP1 Proteins 0.000 description 3
- 101001067395 Mus musculus Phospholipid scramblase 1 Proteins 0.000 description 3
- 102100022673 Nuclear receptor subfamily 4 group A member 3 Human genes 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 101100539927 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) NAN1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4074—Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
- G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
- G11C11/417—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/408—Address circuits
- G11C11/4085—Word line control circuits, e.g. word line drivers, - boosters, - pull-up, - pull-down, - precharge
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
- G11C8/08—Word line control circuits, e.g. drivers, boosters, pull-up circuits, pull-down circuits, precharging circuits, for word lines
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
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- G11C2207/2227—Standby or low power modes
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Description
Claims (21)
- SRAM動作のインターフェースを行う半導体メモリ装置において、
複数のワードラインと複数のビットラインとの交差部に提供される複数のリフレッシュ
型メモリセルと、
メモリセルアクセス動作区間のみに提供される駆動制御信号に応じて、パワーソース電
圧よりも高い待機高電圧出力ノードにおける通常の高電圧よりも更に高い電圧を、前記待
機高電圧出力ノードに供給する高電圧発生器と、
前記メモリセルアクセス動作区間で前記高電圧発生器の駆動時点が前記待機高電圧出力
ノードでのチャージ消耗時点よりも早くなるようにするためアクセスコマンドバッファで
生成されるコマンド関連信号に応じて、前記駆動制御信号を生成する駆動制御信号発生部
とを有し、
前記コマンド関連信号を遅延させ、その遅延させたコマンド関連信号に応じて前記待機
高電圧出力ノードのチャージを消耗することを特徴とする半導体メモリ装置。
- 前記チャージ消耗時点は、前記ワードラインのうち選択されたワードラインがイネーブル
される時点に対応することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記コマンド関連信号はリード、ライト、及びリフレッシュコマンド関連信号であること
を特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記高電圧発生器の駆動時点よりも一定時間だけ遅延された時点において、前記ワードラ
インのうち選択されたワードラインがアクチベーションされるようにするワードライン駆
動関連内部回路をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 外部パワーソース電圧を受信して内部電源電圧を発生する内部電源電圧発生部と、
前記内部電源電圧を受信して動作する内部回路と、
前記内部回路で前記内部電源電圧のチャージが消耗され始める時点よりも前記内部電源
電圧発生部のチャージ供給時点を早くするために、前記内部電源電圧発生部に駆動制御信
号を印加する駆動制御信号発生部とを具備し、
前記内部電源電圧発生部の前記内部電源電圧は、前記外部パワーソース電圧よりも高い
前記内部電源電圧発生部の出力ノードにおける通常の高電圧よりも更に高い電圧であり、
前記内部電源電圧発生部は、前記駆動制御信号に応じて、前記内部電源電圧を発生し、
前記内部回路は、アクセスコマンドバッファで生成されるコマンド関連信号を遅延させ
、その遅延させたコマンド関連信号に応じて前記内部電源電圧のチャージを消耗し、
前記駆動制御信号発生部は、前記コマンド関連信号に応じて、前記駆動制御信号を生成
して前記内部電源電圧発生部に印加し、
前記半導体装置はDRAMセルを持ちSRAM動作インターフェースを行う半導体メモリ装置で
あることを特徴とする半導体装置。
- 前記チャージ消耗時点は、前記DRAMセルに連結されたワードラインのうち選択されたワー
ドラインがイネーブルされる時点であることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記内部電源電圧発生部の出力ノードに共通に連結される待機高電圧発生器を具備するこ
とを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 内部電源電圧発生部は、前記パワーソース電圧を高電圧でブースティングするためのポン
ピングキャパシタを複数持つことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 複数のワードラインと複数のビットラインとの交差部に連結される複数のリフレッシュ型
メモリセルを具備し、SRAM動作のインターフェースを行う半導体メモリ装置内に採用され
た高電圧発生器を制御するための方法であって、
前記メモリセルのアクセス動作区間でアクセスコマンドバッファで生成されるコマンド
関連信号を受信するステップと、
前記コマンド関連信号に基づき、前記高電圧発生器の出力ノードでチャージが消耗され
る時点より前記高電圧発生器のチャージ供給時点が早くなるようにするための駆動制御信
号を前記高電圧発生器に提供するステップとを有し、
前記高電圧発生器は、前記駆動制御信号に応じて、パワーソース電圧よりも高い前記出
力ノードにおける通常の高電圧よりも更に高い電圧を、前記出力ノードに供給し、
前記コマンド関連信号を遅延させ、その遅延させたコマンド関連信号に応じて前記出力
ノードのチャージを消耗することを特徴とする方法。
- 前記コマンド関連信号はリード、ライト、及びリフレッシュコマンド関連信号であること
を特徴とする請求項9に記載の方法。
- SRAM動作のインターフェースを行う半導体メモリ装置において、
外部電源電圧に比べて高い電位を選択的に出力ノードに供給する内部電源電圧発生装置
と、
前記内部電源電圧発生装置の動作時点を、前記出力ノードでのチャージ消耗時点よりも
前記出力ノードへの前記内部電源電圧発生装置によるチャージ供給時点が早くなるように
するワードライン駆動関連内部回路とを有し、
前記内部電源電圧発生装置は、アクセスコマンドバッファで生成されるコマンド関連信
号に応答して、パワーソース電圧よりも高い前記出力ノードにおける通常の高電圧よりも
更に高い電圧の電位を、前記高い電位として前記出力ノードに供給し、
前記ワードライン駆動関連内部回路は、前記コマンド関連信号を遅延させ、その遅延さ
せたコマンド関連信号に応じて前記出力ノードにおける前記高い電位のチャージを消耗す
ることにより、前記動作時点を前記チャージ消耗時点よりも前記チャージ供給時点が早く
なるようにするものとすることを特徴とする半導体メモリ装置。
- SRAM動作のインターフェースを行う半導体メモリ装置において、
複数のワードラインと複数のビットラインとの間に連結される複数のリフレッシュ型メ
モリセルと、
アドレス信号、チップイネーブル信号、及びライトイネーブル信号を含む外部信号を入
力してリード、ライト、及びリフレッシュコマンド関連信号を含む出力信号を出力するア
クセスコマンドバッファと、
前記出力信号のうち少なくとも一つを受信して、高電圧発生のための駆動制御信号を出
力する高電圧イネーブル回路と、
前記駆動制御信号に応じて高電圧を発生する高電圧発生器と、
前記高電圧発生器で高電圧が発生される時点より一定時間だけ遅延された時点で、前記
ワードラインのうち選択されたワードラインを前記高電圧で駆動させる内部回路とを具備
し、
前記高電圧発生器が発生する前記高電圧は、パワーソース電圧よりも高い前記高電圧発
生器の出力ノードにおける通常の高電圧よりも更に高い電圧であることを特徴とする半導
体メモリ装置。
- 前記内部回路は、
前記アクセスコマンドバッファで出力される出力信号を一定時間だけ遅延して出力する
遅延回路と、
前記遅延された出力信号を受信し、アドレスデコーディング信号を出力するアドレス選
択デコーダーと、
前記アドレスデコーディング信号とブロックアドレス信号とを受信して、行デコーディ
ング信号を出力する行デコーダー回路と、
前記行デコーディング信号に応じて、前記選択されたワードラインを前記高電圧発生器
が発生する前記高電圧で駆動するワードラインドライバとを含むことを特徴とする請求項
12に記載の半導体メモリ装置。
- 前記高電圧発生器の出力ノードに共通に連結される待機高電圧発生器を具備することを特
徴とする請求項12に記載の半導体メモリ装置。
- 前記待機高電圧発生器は待機動作のときに前記通常の高電圧と同一なレベルの電圧を発生
することを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置。
- 複数のワードラインと複数のビットラインとの交差部に連結される複数のリフレッシュ型
メモリセルを具備し、SRAM動作インターフェースを行う半導体メモリ装置内に採用された
高電圧発生器を制御するための方法であって前記メモリセルのアクセス動作区間で印加さ
れる外部コマンド信号を入力してコマンド出力信号を生成するステップと、
前記コマンド出力信号に応答して、パワーソース電圧よりも高い待機高電圧出力ノード
における通常の高電圧よりも更に高い電圧を、前記待機高電圧出力ノードに供給して、前
記更に高い電圧が内部回路に供給されるようにし、前記コマンド出力信号を遅延するステ
ップと、
前記遅延されたコマンド出力信号を、前記ワードラインを選択的に駆動するため前記内
部回路に供給するステップとを具備して、
前記ワードラインがアクチベーションされる時点が前記更に高い電圧の供給時点よりも
一定時間だけ遅延されるようにすることを特徴とする方法。
- 前記遅延されたコマンド出力信号はアドレス選択デコーダーに印加されることにより、ア
ドレスデコーディング信号が生成されるようにすることを特徴とする請求項16に記載の
方法。
- 前記内部回路は、ワードラインイネーブル回路、行デコーダー回路、及びワードラインド
ライバを含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記ワードラインイネーブル回路は、前記デコーディングアドレスと行ブロックアドレス
を受信して行アドレスコーディング信号を高電圧レベルとして出力することを特徴とする
請求項18に記載の方法。
- 前記更に高い電圧の供給時点は前記内部回路のチャージ消耗時点よりも早いことを特徴と
する請求項16に記載の方法。
- 前記チャージ消耗は前記更に高い電圧が供給されてから前記ワードラインがイネーブルさ
れる時点に前記内部回路で起こることを特徴とする請求項20に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2000-69833 | 2000-11-23 | ||
KR10-2000-0069833A KR100391152B1 (ko) | 2000-11-23 | 2000-11-23 | 조기동작 고전압 발생기를 가지는 반도체 장치 및 그에따른 고전압 공급방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002170387A JP2002170387A (ja) | 2002-06-14 |
JP5461749B2 true JP5461749B2 (ja) | 2014-04-02 |
Family
ID=19700764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001197217A Expired - Fee Related JP5461749B2 (ja) | 2000-11-23 | 2001-06-28 | 高電圧発生器を有する半導体装置及びその高電圧供給方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6504783B2 (ja) |
JP (1) | JP5461749B2 (ja) |
KR (1) | KR100391152B1 (ja) |
TW (1) | TW525161B (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100521375B1 (ko) * | 2003-02-13 | 2005-10-12 | 삼성전자주식회사 | 동작 모드에 따라 데이터 재저장 시간을 가변시킬 수 있는반도체 메모리 장치 |
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JP3705276B2 (ja) | 2003-04-21 | 2005-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体メモリ装置におけるリフレッシュ制御および内部電圧の生成 |
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KR100718046B1 (ko) | 2006-06-08 | 2007-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
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KR100776762B1 (ko) | 2006-08-11 | 2007-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
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KR100816728B1 (ko) | 2006-09-28 | 2008-03-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 |
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KR100898661B1 (ko) | 2007-08-06 | 2009-05-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래시 메모리 소자의 블럭 디코더 |
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KR100911193B1 (ko) | 2007-10-09 | 2009-08-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 집적회로의 전압 생성장치 |
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-
2000
- 2000-11-23 KR KR10-2000-0069833A patent/KR100391152B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-06-28 JP JP2001197217A patent/JP5461749B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-17 US US09/953,202 patent/US6504783B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-09-20 TW TW090123193A patent/TW525161B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100391152B1 (ko) | 2003-07-12 |
KR20020039950A (ko) | 2002-05-30 |
US20020060943A1 (en) | 2002-05-23 |
TW525161B (en) | 2003-03-21 |
US6504783B2 (en) | 2003-01-07 |
JP2002170387A (ja) | 2002-06-14 |
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