JP5323802B2 - 半導体レーザ素子 - Google Patents
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Description
また、半導体レーザ素子の実装空間には制限があるため、光学系設計によっては従来の半導体レーザ素子での一般的なTE(Tranverse Electric)偏光だけではなく、TM(Tranverse Magnetic)偏光を実現する必要が生じる場合もある。
端面の光学損傷は、次のようにして生ずる。半導体レーザの端面(劈開面)には、多くの界面準位が存在している。電子と正孔がこの界面準位を介して非発光再結合すると、再結合に伴って放出されるエネルギーは熱となる。半導体では、温度が上がるにしたがってそのエネルギーギャップは狭くなるので、放出された熱で暖められた端面のエネルギーギャップが狭くなる。半導体レーザの内部で電子と正孔とが再結合してできた誘導放出光は、端面のエネルギーギャップが狭いため、そこで吸収されて再び熱となり、さらに端面のエネルギーギャップを狭くする。この繰り返しにより、急速に端面が高温になり、溶融して発振が停止する。
また、前記構成では、量子井戸層は、AlyGa(1−y)As(1−x3)Px3層(0<x3<1,0≦y≦0.3)からなる。AlyGa(1−y)As(1−x3)Px3は、量子井戸層として用いられる他の材料、たとえば、InGaPに比べて、バンドギャップが小さい。このため、クラッド層と活性層との間のバンドギャップ差を大きくすることができる。これにより、温度特性の良い、すなわち、温度が変化したときにしきい値電流や動作電流の変動が少ない半導体レーザ素子を実現することができる。
Asの組成に対するPの組成の比が1/9以上である理由は、その比が1/9未満では、量子井戸層に生じる引っ張り歪が不十分であるために、TEモードよりもTMモードの比率を大きくすることが困難であるからである。一方、Asの組成に対するPの組成の比が1/4以下である理由は、その比が1/4より大きくては、P組成の増大により、量子井戸層に生じる引っ張り歪が増大し、クラックやリーク電流が発生するおそれがあるからである。
前述したように、この発明の構成では、p型クラッド層およびn型クラッド層は、それぞれ燐を含む(Alx1Ga(1−x1))0.51In0.49P層からなる。したがって、亜鉛等の不純物を拡散させやすいので、端面窓構造の作製が容易である。これにより、高出力化に適した半導体レーザ素子を実現することができる。また、(Alx1Ga(1−x1))の組成に対するInの組成の比を、0.49/0.51としているので、p型クラッド層およびn型クラッド層は、GaAs基板と格子整合するため、高品質の結晶を得ることができる。この結果、信頼性の高い半導体レーザ素子が得られる。
この点について、より詳しく説明する。レーザ共振器端面部分に端面窓構造を作製すると、端面部分での活性層のバンドギャップは、ガイド層のバンドギャップと量子井戸層のバンドギャップとの平均値となる。したがって、端面窓構造を作製することによって端面部分での活性層のバンドギャップを十分に拡大するためには、ガイド層のバンドギャップが所定値(具体的には、1.8eV)以上であることが必要となる。一方、ガイド層を形成しているAlx2Ga(1−x2)As層のバンドギャップは、Alの組成X2が大きいほど、大きくなる。そして、Al組成x2を0.4以上とすることにより、ガイド層のバンドギャップを前記所定値以上とすることができる。
また、寿命の観点からは量子井戸層はAlを含んでいない方が好ましい。つまり、寿命の観点からは、y=0であることが好ましい。
また、前記半導体レーザ素子は、具体的には、発振波長が770nm以上830nm以下であり、かつ前記量子井戸層の膜厚が9nm以上14nm以下であることが好ましい。半導体レーザ素子をTMモードで発振させるためには、活性層を厚くしてTEモードとTMモードの相対発振しきい値電流を小さくすればよいからである。前記量子井戸層のAlの組成(y)が0のときには、発振波長が770nm以上830nm以下の範囲でTMモードとなる。
図1は、この発明の一実施形態に係る半導体レーザダイオードの構成を説明するための平面図であり、図2は図1のII-II線に沿う断面図であり、図3は図1のIII-III線に沿う断面図である。
この半導体レーザダイオード70は、基板1と、基板1上に結晶成長によって形成された半導体積層構造2と、基板の裏面(半導体積層構造2と反対側の表面)に接触するように形成されたn型電極3と、半導体積層構造2の表面に接触するように形成されたp型電極4を備えたファブリぺロー型のものである。
p型GaAsコンタクト層19は、p型電極4とオーミックコンタクトをとるための低抵抗層である。p型GaAsコンタクト層19は、GaAsにたとえばp型ドーパントとしてのZnをドープすることによって、p型半導体層とされている。
n側ガイド層15は、Alx2Ga(1−x2)As(0≦x2≦1)層(たとえば50nm厚)からなり、n型半導体層11上に積層されることにより構成されている。p側ガイド層16は、Alx2Ga(1−x2)As(0≦x2≦1)層(たとえば50nm厚)からなり、活性層10上に積層されることにより構成されている。
ガイド層15,16を形成しているAlx2Ga(1−x2)As層は、x2≧0.4を満たす組成を有していることが好ましい。この理由は、x2が0.4より小さいと、レーザ共振器端面部分に端面窓構造を作製したとしても、端面部分での活性層のバンドギャップを十分に拡大することができなくなるからである。これについての詳細は、後述する。
活性層10は、この実施形態では、図4に示すように、アンドープのAlyGa(1−y)As(1−x3)Px3層(0<x3<1,0≦y≦0.3)からなる量子井戸(well)層(たとえば13nm厚)221とアンドープのAlx4Ga(1−x4)As層(0≦x4≦1)層からなる障壁(barrier)層(たとえば7nm厚)222とを交互に複数周期繰り返し積層して構成された多重量子井戸構造を有している。無歪の状態でのAlGaAsP層の格子定数はGaAs基板1の格子定数より小さいので、AlyGa(1−y)Asx3P(1−x3)層からなる量子井戸層221には引っ張り応力(引っ張り歪)が生じている。これにより、半導体レーザダイオード70は、TMモードで発振することが可能となる。なお、TMモードの出力光は、光伝搬方向に対して磁界方向が垂直(光伝搬方向に対して電界方向が平行)となるTM波となる。
半導体レーザダイオード70をTEモード発振させる場合には、量子井戸層221のP組成を小さくすればよい。その場合には、製造上は、P組成を零にすることが好ましい。
半導体積層構造2は、リッジストライプ30の長手方向両端における劈開面により形成された一対の端面(劈開面)31,32を有している。この一対の端面31,32は、互いに平行である。こうして、n側ガイド層15、活性層10およびp側ガイド層16によって、前記一対の端面31,32を共振器端面とするファブリペロー共振器が形成されている。すなわち、活性層10で発生した光は、共振器端面31,32の間を往復しながら、誘導放出によって増幅される。そして、増幅された光の一部が、共振器端面31,32からレーザ光として素子外に取り出される。
n型電極3は、たとえばAuGe/Ni/Ti/Au合金からなり、そのAuGe側が基板1側に配されるように、基板1にオーミック接合されている。p型電極4は、p型コンタクト層19および電流ブロック層6の露出面を覆うように、形成されている。p型電極4は、たとえばTi/Au合金からなり、そのTi側がp型コンタクト層19に配されるように、p型コンタクト層19にオーミック接合されている。 図1および図2に示すように、共振器の端面部分には、活性層10のバンドギャップを拡大する端面窓構造40が形成されている。この端面窓構造40は、たとえば、共振器の端面部分に亜鉛(Zn)を拡散することによって形成される。
この実施形態の半導体レーザダイオード70では、活性層10内の量子井戸層221は、砒素系化合物半導体であるAlyGa(1−y)As(1−x3)Px3層(0<x3<1,0≦y≦0.3)からなる。この実施形態の半導体レーザダイオード70では、クラッド層14,17は、燐系化合物半導体((Alx1Ga(1−x1))0.51In0.49P(0.5≦x1≦1))で形成されている一方、ガイド層15,16は、燐系化合物半導体ではなく、砒素系化合物半導体(Alx2Ga(1−x2)As(0≦x2≦1))で形成されている。
前記実施形態では、共振器の端面部分には、活性層10のバンドギャップを拡大する端面窓構造40が形成されている。したがって、図6(b)に示すように、共振器の端面部分では、活性層10のバンドギャップEgは、共振器中央部の活性層10のバンドギャップEg(図6(a)参照)とガイド層15,16(障壁層222)のバンドギャップEu(図6(a)参照)との平均値となる。つまり、共振器の端面部分では、それらの中間部分に比べて、活性層10のバンドキャップEgが大きくなる。このため、内部で電子と正孔が再結合してできた誘導放出光が共振器の端面部分で吸収されにくくなるから、発熱が抑制される。これにより、端面光学損傷の発生を抑制できるので、高出力化が可能となる。
まず、図7に示すように、GaAs基板1上に、有機金属化学気相成長法(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)によって、n型GaAsバッファ層13、n型(Alx1Ga(1−x1))0.51In0.49Pクラッド層14、n側Alx2Ga(1−x2)Asガイド層15、活性層10、p側Alx2Ga(1−x2)Asガイド層16、p型(Alx1Ga(1−x1))0.51In0.49Pクラッド層17、p型InGaPバンド不連続緩和層18およびP型GaAsコンタクト層19を順に成長させる。なお、活性層10は、AlyGa(1−y)As(1−x3)Px3層からなる量子井戸層221と、Alx4Ga(1−x4)As層からなる障壁層222とを交互に複数周期繰り返し成長させることによって形成される。
この後、マスク層54を除去する。そして、電流ブロック層6およびP型GaAsコンタクト層19の露出面を覆うように、p型GaAsコンタクト層19にオーミック接触するp型電極4が形成される。また、GaAs基板1にオーミック接触するn型電極3が形成される。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲内で種々の設計変更を施すことが可能である。
2 半導体積層構造
3 n型電極
4 p型電極
10 活性層
11 n型半導体層
12 p型半導体層
13 n型GaAsバッファ層
14 n型(Alx1Ga(1−x1))0.51In0.49Pクラッド層
15 n側Alx2Ga(1−x2)Asガイド層
16 p側Alx2Ga(1−x2)Asガイド層
17 p型(Alx1Ga(1−x1))0.51In0.49Pクラッド層
18 p型InGaPバンド不連続緩和層
19 p型GaAsコンタクト層
40 端面窓構造
70 半導体レーザダイオード
221 量子井戸層
222 障壁層
Claims (4)
- 熱アシスト記録方式のハードディスク装置に用いられる半導体レーザ素子であって、
p型クラッド層およびn型クラッド層と、
前記p型クラッド層およびn型クラッド層に挟まれたp側ガイド層およびn側ガイド層と、
前記p側ガイド層およびn側ガイド層に挟まれ、少なくとも1つの量子井戸層を含む活性層とを備え、
前記p型クラッド層およびn型クラッド層は、それぞれ(Alx1Ga(1−x1))0.51In0.49P層(0≦x1≦1)からなり、
前記p側ガイド層およびn側ガイド層は、それぞれAlx2Ga(1−x2)As層(0≦x2≦1)からなり、
前記量子井戸層は、AlyGa(1−y)As(1−x3)Px3層(0<x3<1,0≦y≦0.3)からなり、
前記AlyGa(1−y)As(1−x3)Px3層は、Asの組成(1−x3)に対するPの組成X3の比X3/(1−X3)が、1/9以上1/4以下を満たす組成を有しており、
前記Alx2Ga(1−x2)As層は、x2≧0.4を満たす組成を有しており、
共振器長が、200μm以上600μm以下であり、
チップ幅が、50μm以上250μm以下であり、
チップ厚が、30μm以上150μm以下である、半導体レーザ素子。 - 発振波長が770nm以上830nm以下であり、かつ前記量子井戸層の膜厚が9nm以上14nm以下である請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- レーザ共振器の端面部分に、前記活性層のバンドギャップを拡大する端面窓構造が形成されている請求項1または2に記載の半導体レーザ素子。
- GaAs基板を含み、TMモードで発振する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
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