JP5293477B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5293477B2 JP5293477B2 JP2009168196A JP2009168196A JP5293477B2 JP 5293477 B2 JP5293477 B2 JP 5293477B2 JP 2009168196 A JP2009168196 A JP 2009168196A JP 2009168196 A JP2009168196 A JP 2009168196A JP 5293477 B2 JP5293477 B2 JP 5293477B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor chip
- resin
- wiring board
- heat
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
以下、本発明の実施の形態1に係る半導体装置の製造方法について図面を用いて説明する。
A×4/5≧BMAX
の関係を有するようにフィラーを選択する。これにより、放熱樹脂の厚みを所望の厚みを中心とした一定の範囲内に制御することができる。放熱樹脂31としては、作業性の容易さや、熱伝導率の高さから、シリコーン系の熱硬化型放熱樹脂を用いるのが好ましい。シリコーン系放熱樹脂は、シリコーンオイルを基剤に、アルミナなど熱伝導性の高い粉末を配合した樹脂である。硬化前の状態では、粘性の高いグリース状の製品であるため、治具の位置制御を利用することによって、放熱樹脂31の厚さを比較的容易に、かつ、かなり高い精度で制御することができる。放熱樹脂31の粘性としては、少なくともアンダーフィル樹脂28の注入時の粘性よりも高い物が好ましい。フィラーの最大粒径BMAXとしては、放熱樹脂の厚みAの4/5以下に限らないが、放熱樹脂の厚みが最も小さくなる部分AMINよりも、フィラーの最大粒径BMAXが小さくなる関係であることが好ましい。BMAXが、AMINと同じ、又はそれよりも大きくなると、ヒートスプレッダー32と半導体チップ22裏面との間に、フィラーが挟み込まれる可能性が高くなる。特に、本実施の形態のように、半導体チップ22の周囲に、スティフナーなど、ヒートスプレッダー32を強固に支える構造を有さない場合は、ヒートスプレッダーを貼り付ける工程において、荷重制御のみによって放熱樹脂の厚みを制御しようとすると、ヒートスプレッダー32と半導体チップ22との間に挟まれたフィラーによって、半導体チップ22裏面にクラックが入り、半導体装置の信頼性を落とす可能性がある。
図22は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置を示す断面図である。実施の形態1との相違は、配線基板10として、コア基板を用いず、径が100μm以下のスルーホールが設けられた薄い絶縁基板43a〜43dを真空プレス等により熱圧着させて一体化させたものを用いる。ただし、各絶縁基板43a〜43dは、それぞれガラスクロスに絶縁性樹脂を含浸させて板状に固形化した層を含む。その他の構成は実施の形態1と同様である。
実施の形態3では、放熱樹脂31に混入するフィラーとして実施の形態1よりも小さいものを用いて、放熱性を向上させる。具体的には、平均粒径が5.8μm、最大粒径が24μmのフィラーを用いる。
A×9/10≧C
の関係を有するようにスペーサを選択する。これにより、放熱樹脂の厚みを所望の厚みを中心とした一定の範囲内に制御することができる。
CMAX>BMAX
の関係を有するようにスペーサを選択する。これにより、フィラーではなくスペーサにより放熱樹脂の厚みを制御することができる。
C>BMAX
CMIN>B
CMIN>B90%
の何れかの関係を有するようにスペーサを選択する。これにより、スペーサの利用効率を向上することができる。
実施の形態4では、半導体チップ22とヒートスプレッダー32を接着する放熱樹脂31のフロー性を以下の値に設定する。ここで、放熱樹脂31のフロー性を、室温25℃中において10mm上方から1gの放熱樹脂を平面上に滴下させ、その放熱樹脂の広がりを測定することで決めるものとする。
11 コア基板
12a〜12d ビルドアップ基板
13,17 スルーホール
14,19 スルーホールビア
15,16,18 配線層
21a,21b,21 バンプ
22 半導体チップ
28 アンダーフィル樹脂
31 放熱樹脂
32 ヒートスプレッダー
33 保持手段
37 半田ボール
41 テストピン
42 押え治具
43a〜43d 絶縁基板
Claims (1)
- 配線基板と、
前記配線基板の上面に複数の第1バンプ電極を介してフリップチップボンドされた半導体チップと、
前記半導体チップの裏面に放熱樹脂により接着されたヒートスプレッダーと、
前記配線基板の下面に形成された複数の第2バンプ電極とを有し、
前記放熱樹脂は、
樹脂材と、前記樹脂材中に配合され、前記樹脂材よりも熱伝導性の高いフィラーとを含み、
前記フィラーは、所定の値の平均粒径を有し、
前記フィラーの最大粒径の値は、前記半導体チップの前記裏面と前記ヒートスプレッダーとの間に形成された前記放熱樹脂の厚さより小さい値であり、
前記放熱樹脂は、更に添加物として、前記半導体チップの前記裏面と前記ヒートスプレッダーとの間に形成された前記放熱樹脂の厚さを制御するためのスペーサを含有し、
前記スペーサの最大粒径の値は前記フィラーの最大粒径の値より大きく、
前記フィラーはアルミナ粉末であり、
前記スペーサは球形ジルコニアである半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009168196A JP5293477B2 (ja) | 2005-04-19 | 2009-07-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005121063 | 2005-04-19 | ||
JP2005121063 | 2005-04-19 | ||
JP2009168196A JP5293477B2 (ja) | 2005-04-19 | 2009-07-16 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006096999A Division JP4534062B2 (ja) | 2005-04-19 | 2006-03-31 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012130138A Division JP2012212900A (ja) | 2005-04-19 | 2012-06-07 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009283958A JP2009283958A (ja) | 2009-12-03 |
JP5293477B2 true JP5293477B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=41454010
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009168196A Active JP5293477B2 (ja) | 2005-04-19 | 2009-07-16 | 半導体装置 |
JP2012130138A Pending JP2012212900A (ja) | 2005-04-19 | 2012-06-07 | 半導体装置 |
JP2013142696A Active JP5974991B2 (ja) | 2005-04-19 | 2013-07-08 | 半導体装置 |
JP2015075756A Active JP6123836B2 (ja) | 2005-04-19 | 2015-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012130138A Pending JP2012212900A (ja) | 2005-04-19 | 2012-06-07 | 半導体装置 |
JP2013142696A Active JP5974991B2 (ja) | 2005-04-19 | 2013-07-08 | 半導体装置 |
JP2015075756A Active JP6123836B2 (ja) | 2005-04-19 | 2015-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (4) | JP5293477B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI596997B (zh) | 2011-09-26 | 2017-08-21 | 京瓷股份有限公司 | 配線基板及其安裝構造體,以及其等之製造方法 |
JP2013157366A (ja) | 2012-01-27 | 2013-08-15 | Kyocer Slc Technologies Corp | 配線基板およびそれを用いた実装構造体 |
KR20240048190A (ko) * | 2022-10-06 | 2024-04-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 패키지 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02278831A (ja) * | 1989-04-20 | 1990-11-15 | Fujitsu Ltd | はんだバンプの形成方法 |
JPH07221125A (ja) * | 1994-01-27 | 1995-08-18 | Toyota Autom Loom Works Ltd | 半導体部品の実装構造及び絶縁性接着剤 |
JP4295943B2 (ja) * | 1994-09-01 | 2009-07-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JPH08162455A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-06-21 | Toshiba Corp | 球状電極形成方法および形成装置 |
JPH0982882A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-03-28 | Nec Corp | マルチチップモジュール |
JP3152209B2 (ja) * | 1998-07-07 | 2001-04-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000307225A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Ibiden Co Ltd | 半田印刷用マスク、プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP4421118B2 (ja) * | 2001-01-05 | 2010-02-24 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置製造方法 |
JP2002232102A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
JP2002261214A (ja) * | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Toshiba Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、リッド部材 |
JP2002314254A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Toppan Printing Co Ltd | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
JP3905325B2 (ja) * | 2001-04-23 | 2007-04-18 | 富士通株式会社 | 多層プリント配線板 |
JP2003204171A (ja) * | 2002-01-04 | 2003-07-18 | Karentekku:Kk | ビルドアップ多層板 |
JP4393817B2 (ja) * | 2002-08-07 | 2010-01-06 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | 熱伝導性充填剤、熱伝導性シリコーンエラストマー組成物および半導体装置 |
JP2004095582A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Dainippon Printing Co Ltd | コア基板およびその製造方法 |
JP3894097B2 (ja) * | 2002-10-25 | 2007-03-14 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
JP2004158671A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Eito Kogyo:Kk | 多層基板およびその製造方法 |
JP2004179545A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-06-24 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP2004207338A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP4116911B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2008-07-09 | 富士通株式会社 | 導電性ボールの搭載治具及び導電性ボールの搭載方法 |
JP2005093556A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プリント配線基板とその製造方法 |
-
2009
- 2009-07-16 JP JP2009168196A patent/JP5293477B2/ja active Active
-
2012
- 2012-06-07 JP JP2012130138A patent/JP2012212900A/ja active Pending
-
2013
- 2013-07-08 JP JP2013142696A patent/JP5974991B2/ja active Active
-
2015
- 2015-04-02 JP JP2015075756A patent/JP6123836B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6123836B2 (ja) | 2017-05-10 |
JP2009283958A (ja) | 2009-12-03 |
JP2012212900A (ja) | 2012-11-01 |
JP5974991B2 (ja) | 2016-08-23 |
JP2015144308A (ja) | 2015-08-06 |
JP2013243380A (ja) | 2013-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4534062B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6004441B2 (ja) | 基板接合方法、バンプ形成方法及び半導体装置 | |
JP2006054360A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2003152002A (ja) | 電子デバイス及び電子デバイス封止方法及び電子デバイス接続方法 | |
JP2004335641A (ja) | 半導体素子内蔵基板の製造方法 | |
JP2008047741A (ja) | 回路基板及び半導体装置 | |
JP6123836B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2003347352A (ja) | 不導体接着材によって基板にicチップをボンディングする方法、および、この方法により形成されたアセンブリ | |
JP2003258034A (ja) | 多層配線基体の製造方法および多層配線基体 | |
JP5309472B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2003297977A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP2001185642A (ja) | 半導体実装用パッケージ基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100521 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120410 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121211 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130527 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5293477 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |