JPH08162455A - 球状電極形成方法および形成装置 - Google Patents
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- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/11—Vacuum
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、パッケージ上の電極パッドにボール
電極を形成するボール電極形成方法および形成装置にお
いて、半田ボールと電極パッドとの位置合わせを高精度
化でき、処理の省力化が図れるようにすることを最も主
要な特徴とする。 【構成】たとえば、半田ボールHBを真空吸着して支持
するボール用治具11を、透明な耐熱ガラスを用いて形
成する。このボール用治具11を透かして、半田ボール
HBとパッケージ15上の電極パッドとを位置合わせし
て接触させる。この後、ボール用治具11を通して、光
ビーム照射筒16から光ビームを照射して、電極パッド
上の半田ペーストを順に溶融させる。こうして、半田ボ
ールHBと電極パッドとを固着させることで、ボール電
極を形成する構成となっている。
電極を形成するボール電極形成方法および形成装置にお
いて、半田ボールと電極パッドとの位置合わせを高精度
化でき、処理の省力化が図れるようにすることを最も主
要な特徴とする。 【構成】たとえば、半田ボールHBを真空吸着して支持
するボール用治具11を、透明な耐熱ガラスを用いて形
成する。このボール用治具11を透かして、半田ボール
HBとパッケージ15上の電極パッドとを位置合わせし
て接触させる。この後、ボール用治具11を通して、光
ビーム照射筒16から光ビームを照射して、電極パッド
上の半田ペーストを順に溶融させる。こうして、半田ボ
ールHBと電極パッドとを固着させることで、ボール電
極を形成する構成となっている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば半導体基板
上の電極パッドにボール形状の球状電極を形成する球状
電極形成方法および形成装置に関するもので、特にBG
A(BallGrid Array)タイプの半導体外
囲器における外部電極の形成に用いられるものである。
上の電極パッドにボール形状の球状電極を形成する球状
電極形成方法および形成装置に関するもので、特にBG
A(BallGrid Array)タイプの半導体外
囲器における外部電極の形成に用いられるものである。
【0002】
【従来の技術】従来、BGAタイプの外囲器におけるボ
ール電極の形成方法としては、たとえば図7に示すよう
に、グラファイト材で形成される治具1に、真空吸着に
より半田ボール2を支持させるとともに、パッド上に半
田ペースト3の塗布された外囲器4を治具5を用いてセ
ットする。この場合、治具1と外囲器4との外形を基準
に位置合わせが行われて、治具5が治具1上に固定され
る。
ール電極の形成方法としては、たとえば図7に示すよう
に、グラファイト材で形成される治具1に、真空吸着に
より半田ボール2を支持させるとともに、パッド上に半
田ペースト3の塗布された外囲器4を治具5を用いてセ
ットする。この場合、治具1と外囲器4との外形を基準
に位置合わせが行われて、治具5が治具1上に固定され
る。
【0003】そして、これらを、図示していないコンベ
ア炉内に入れ、熱処理によって上記半田ペースト3を溶
融させ、さらに、そのまま冷却することにより、上記半
田ボール2をパッドに固着させるようになっていた。
ア炉内に入れ、熱処理によって上記半田ペースト3を溶
融させ、さらに、そのまま冷却することにより、上記半
田ボール2をパッドに固着させるようになっていた。
【0004】しかしながら、上記した従来の形成方法に
おいては、次のような問題点があった。たとえば、治具
1は不透明なグラファイト材により構成されるものであ
ったため、実際に、半田ボール2とパッドとの位置が正
しく合わされたかを確認することができない。
おいては、次のような問題点があった。たとえば、治具
1は不透明なグラファイト材により構成されるものであ
ったため、実際に、半田ボール2とパッドとの位置が正
しく合わされたかを確認することができない。
【0005】特に、上記半田ボール2は、外囲器4のパ
ッドに対応する位置にそれぞれ設けられた、真空供給用
の孔1aにつながる治具1の表面に形成されたテーパ部
1bに真空吸着により支持されるようになっている(図
8参照)が、外囲器4をセットした後においては真空吸
着が停止される、つまり半田ボール2は治具1に支持さ
れる際には真空吸着されるが、コンベア炉に送られる際
には真空吸着が停止されるため、熱処理時に半田ボール
2が動き、パッドに対する半田ボール2の位置精度が悪
化する。
ッドに対応する位置にそれぞれ設けられた、真空供給用
の孔1aにつながる治具1の表面に形成されたテーパ部
1bに真空吸着により支持されるようになっている(図
8参照)が、外囲器4をセットした後においては真空吸
着が停止される、つまり半田ボール2は治具1に支持さ
れる際には真空吸着されるが、コンベア炉に送られる際
には真空吸着が停止されるため、熱処理時に半田ボール
2が動き、パッドに対する半田ボール2の位置精度が悪
化する。
【0006】なお、半田ボールを支持することなく、半
田ペーストの表面張力によるセルフアライメントで半田
ボールとパッドとの位置を合わせる方法も提案されてい
るが、この方法の場合、位置精度はさらに悪く、また、
外囲器の反りの影響で半田ボールの平坦性(高さ位置)
を確保するのが難しい。
田ペーストの表面張力によるセルフアライメントで半田
ボールとパッドとの位置を合わせる方法も提案されてい
るが、この方法の場合、位置精度はさらに悪く、また、
外囲器の反りの影響で半田ボールの平坦性(高さ位置)
を確保するのが難しい。
【0007】また、上記図7に示した従来方法の場合、
治具1と外囲器4とを位置合わせし、治具5がずれない
ように固定し、また、溶融された半田ペースト3が冷却
した後にコンベア炉内から治具1,5を取り出し、治具
1,5より外囲器4を取り外すといった、人手と時間と
を要する。
治具1と外囲器4とを位置合わせし、治具5がずれない
ように固定し、また、溶融された半田ペースト3が冷却
した後にコンベア炉内から治具1,5を取り出し、治具
1,5より外囲器4を取り外すといった、人手と時間と
を要する。
【0008】さらには、コンベア炉内で、熱容量の大き
い治具1,5ごと加熱および冷却処理を行うようになっ
ているため、大きな炉が必要であり、加熱および冷却処
理に時間がかかる。
い治具1,5ごと加熱および冷却処理を行うようになっ
ているため、大きな炉が必要であり、加熱および冷却処
理に時間がかかる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
においては、半田ボールとパッドとの位置が正しく合わ
されたかを確認することができない、治具の着脱などに
人手と時間とを要する、大型の設備が必要で、処理に時
間がかかるなどの問題があった。
においては、半田ボールとパッドとの位置が正しく合わ
されたかを確認することができない、治具の着脱などに
人手と時間とを要する、大型の設備が必要で、処理に時
間がかかるなどの問題があった。
【0010】そこで、この発明は、球状電極を形成する
ための球状体と半導体基板上の電極パッドとの位置合わ
せを高精度化でき、それを容易に確認できるとともに、
自動化および設備の縮小化が図れて、球状電極の形成に
要する人手や時間さらには経費を大幅に軽減することが
可能な球状電極形成方法および形成装置を提供すること
を目的としている。
ための球状体と半導体基板上の電極パッドとの位置合わ
せを高精度化でき、それを容易に確認できるとともに、
自動化および設備の縮小化が図れて、球状電極の形成に
要する人手や時間さらには経費を大幅に軽減することが
可能な球状電極形成方法および形成装置を提供すること
を目的としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明の球状電極形成装置にあっては、あらか
じめボール形状に形成された球状体を真空圧により吸着
して支持する支持体を有し、この支持体によって支持さ
れた前記球状体を半導体基板上の電極パッドに固着する
ことによって球状電極を形成するものにおいて、前記支
持体を透光性を有する部材によって構成し、この支持体
を透視した状態で、前記支持体により支持された前記球
状体と前記電極パッドとの位置合わせ、および前記支持
体を介して、前記球状体の前記電極パッドへの固着を行
う構成とされている。
めに、この発明の球状電極形成装置にあっては、あらか
じめボール形状に形成された球状体を真空圧により吸着
して支持する支持体を有し、この支持体によって支持さ
れた前記球状体を半導体基板上の電極パッドに固着する
ことによって球状電極を形成するものにおいて、前記支
持体を透光性を有する部材によって構成し、この支持体
を透視した状態で、前記支持体により支持された前記球
状体と前記電極パッドとの位置合わせ、および前記支持
体を介して、前記球状体の前記電極パッドへの固着を行
う構成とされている。
【0012】また、この発明の球状電極形成装置にあっ
ては、あらかじめボール形状に形成された球状体を真空
圧により吸着し、その位置にて前記球状体を支持する、
透光性を有する部材からなる支持体と、この支持体を透
視した状態で、前記支持体により支持された前記球状体
を、半導体基板上の電極パッドとの位置合わせを行って
後、前記半導体基板上の電極パッドにあらかじめ設けら
れた固着剤に接触させる接触機構と、この接触機構によ
って前記球状体の接触された前記固着剤を、前記支持体
を介して溶融する熱源とから構成されている。
ては、あらかじめボール形状に形成された球状体を真空
圧により吸着し、その位置にて前記球状体を支持する、
透光性を有する部材からなる支持体と、この支持体を透
視した状態で、前記支持体により支持された前記球状体
を、半導体基板上の電極パッドとの位置合わせを行って
後、前記半導体基板上の電極パッドにあらかじめ設けら
れた固着剤に接触させる接触機構と、この接触機構によ
って前記球状体の接触された前記固着剤を、前記支持体
を介して溶融する熱源とから構成されている。
【0013】さらに、この発明の球状電極の形成方法に
あっては、透光性を有する部材からなる支持体によっ
て、あらかじめボール形状に形成された球状体を真空吸
着して、その位置で支持させ、前記支持体を透視した状
態で、前記支持体により支持された前記球状体を、半導
体基板上の電極パッドとの位置合わせを行って後、前記
半導体基板上の電極パッドにあらかじめ設けられた固着
剤に接触させ、その球状体の接触された前記固着剤を、
前記支持体を介して熱源により溶融するようになってい
る。
あっては、透光性を有する部材からなる支持体によっ
て、あらかじめボール形状に形成された球状体を真空吸
着して、その位置で支持させ、前記支持体を透視した状
態で、前記支持体により支持された前記球状体を、半導
体基板上の電極パッドとの位置合わせを行って後、前記
半導体基板上の電極パッドにあらかじめ設けられた固着
剤に接触させ、その球状体の接触された前記固着剤を、
前記支持体を介して熱源により溶融するようになってい
る。
【0014】
【作用】この発明は、上記した手段により、球状体を支
持体に吸着させたままの状態で、電極パッドとの位置合
わせを可視しながら行うことができるとともに、溶融す
べき電極パッド上の固着剤を直接的に加熱できるように
なるため、処理の高精度化および省力化が可能となるも
のである。
持体に吸着させたままの状態で、電極パッドとの位置合
わせを可視しながら行うことができるとともに、溶融す
べき電極パッド上の固着剤を直接的に加熱できるように
なるため、処理の高精度化および省力化が可能となるも
のである。
【0015】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照して説明する。図1は、本発明にかかるボール電極形
成装置の概略構成を示すものである。すなわち、支持体
としてのボール用治具11は、ボール容器12内にあら
かじめ収容された多数の半田ボールHBのうち、所定数
(本実施例では16個)の半田ボールHBを真空吸着し
て支持するようになっている。
照して説明する。図1は、本発明にかかるボール電極形
成装置の概略構成を示すものである。すなわち、支持体
としてのボール用治具11は、ボール容器12内にあら
かじめ収容された多数の半田ボールHBのうち、所定数
(本実施例では16個)の半田ボールHBを真空吸着し
て支持するようになっている。
【0016】上記ボール用治具11は、透光性を有する
部材、たとえば耐熱ガラスによって形成されている。こ
のボール用治具11には、たとえば図2に示すように、
上記半田ボールHBを支持するための16個のテーパ部
11aと、それぞれのテーパ部11aを接続する真空圧
供給用の供給路11bとが設けられている。
部材、たとえば耐熱ガラスによって形成されている。こ
のボール用治具11には、たとえば図2に示すように、
上記半田ボールHBを支持するための16個のテーパ部
11aと、それぞれのテーパ部11aを接続する真空圧
供給用の供給路11bとが設けられている。
【0017】ボール用治具11に設けられる上記各テー
パ部11aは、たとえば、後述するBGA(Ball
Grid Array)タイプの半導体パッケージにお
ける外部電極の形成位置、つまりボール電極を形成する
電極パッドの位置にそれぞれ対応されている。
パ部11aは、たとえば、後述するBGA(Ball
Grid Array)タイプの半導体パッケージにお
ける外部電極の形成位置、つまりボール電極を形成する
電極パッドの位置にそれぞれ対応されている。
【0018】ボール用治具11は、X−θロボット13
のアーム13aの先端に、上記テーパ部11aを下向き
にして取り付けられている。X−θロボット13は、上
記アーム13aをX,Y軸平面に沿う図示矢印A方向に
回動することにより、上記ボール用治具11の、上記ボ
ール容器12とX−Yロボット14との間での水平移動
を制御できるようになっている。
のアーム13aの先端に、上記テーパ部11aを下向き
にして取り付けられている。X−θロボット13は、上
記アーム13aをX,Y軸平面に沿う図示矢印A方向に
回動することにより、上記ボール用治具11の、上記ボ
ール容器12とX−Yロボット14との間での水平移動
を制御できるようになっている。
【0019】また、X−θロボット13は、Z軸方向の
上下(垂直)移動を制御できるようになっており、上記
ボール用治具11と上記ボール容器12との間の距離、
および上記ボール用治具11と上記X−Yロボット14
との間の距離を調整することが可能となっている。
上下(垂直)移動を制御できるようになっており、上記
ボール用治具11と上記ボール容器12との間の距離、
および上記ボール用治具11と上記X−Yロボット14
との間の距離を調整することが可能となっている。
【0020】上記X−θロボット13には、上記ボール
用治具11に真空圧を供給するための供給装置(図示し
ていない)が設けられている。一方、上記ボール容器1
2には、その半田ボールHBを収容するための受け皿に
振動を与えるための振動機構(図示していない)が設け
られている。
用治具11に真空圧を供給するための供給装置(図示し
ていない)が設けられている。一方、上記ボール容器1
2には、その半田ボールHBを収容するための受け皿に
振動を与えるための振動機構(図示していない)が設け
られている。
【0021】すなわち、半田ボールHBの吸着時には、
たとえば上記ボール容器12に振動を与えることによっ
て半田ボールHBの位置を少しずつ変え、その際に、上
記ボール用治具11に真空圧を与えることにより、半田
ボールHBがそれぞれのテーパ部11aに吸い付けられ
て、各々の位置で支持される。
たとえば上記ボール容器12に振動を与えることによっ
て半田ボールHBの位置を少しずつ変え、その際に、上
記ボール用治具11に真空圧を与えることにより、半田
ボールHBがそれぞれのテーパ部11aに吸い付けられ
て、各々の位置で支持される。
【0022】上記X−Yロボット14には、BGAタイ
プのパッケージ15をセットするための外囲器用治具1
4aと、この外囲器用治具14aの、たとえばX方向へ
の移動が可能なアーム14bとが設けられている。この
アーム14bは、レール14c上を自由に移動できるよ
うになっている。
プのパッケージ15をセットするための外囲器用治具1
4aと、この外囲器用治具14aの、たとえばX方向へ
の移動が可能なアーム14bとが設けられている。この
アーム14bは、レール14c上を自由に移動できるよ
うになっている。
【0023】上記アーム14bには、上記外囲器用治具
14a上にセットされたパッケージ15に、このパッケ
ージ15上に移動された上記ボール用治具11を介して
光ビームを照射する光ビーム照射筒(熱源)16が設け
られている。この光ビーム照射筒16は、上記アーム1
4bに沿う方向、つまり上記アーム14bの移動方向と
直交する上記外囲器用治具14aのY方向に移動自在に
設けられている。
14a上にセットされたパッケージ15に、このパッケ
ージ15上に移動された上記ボール用治具11を介して
光ビームを照射する光ビーム照射筒(熱源)16が設け
られている。この光ビーム照射筒16は、上記アーム1
4bに沿う方向、つまり上記アーム14bの移動方向と
直交する上記外囲器用治具14aのY方向に移動自在に
設けられている。
【0024】光ビーム照射筒16は、たとえば光ビーム
を発生するハロゲンランプおよびこのランプからの光を
集光する凸レンズ(いずれも図示していない)を収納し
てなり、これに接続された光源17によって駆動される
ようになっている。
を発生するハロゲンランプおよびこのランプからの光を
集光する凸レンズ(いずれも図示していない)を収納し
てなり、これに接続された光源17によって駆動される
ようになっている。
【0025】上記外囲器用治具14a上にセットされる
パッケージ15はセラミックやガラスエポキシなどによ
って構成されてなり、その上面には、たとえば図3に示
すように、複数(ここでは、4×4の16個)の電極パ
ッド15aが配置されている。各電極パッド15a上に
は、固着剤としての、たとえば半田ペースト18があら
かじめ塗布されている。
パッケージ15はセラミックやガラスエポキシなどによ
って構成されてなり、その上面には、たとえば図3に示
すように、複数(ここでは、4×4の16個)の電極パ
ッド15aが配置されている。各電極パッド15a上に
は、固着剤としての、たとえば半田ペースト18があら
かじめ塗布されている。
【0026】この半田ペースト18は、上記光ビーム照
射筒16からの光ビームによって加熱されて溶融され、
冷却される際に、上記パッケージ15上の電極パッド1
5aと上記ボール用治具11によって支持されている半
田ボールHBとを固着するようになっている。
射筒16からの光ビームによって加熱されて溶融され、
冷却される際に、上記パッケージ15上の電極パッド1
5aと上記ボール用治具11によって支持されている半
田ボールHBとを固着するようになっている。
【0027】上記ボール容器12と上記X−Yロボット
14との間の、上記ボール用治具11の移動経路の途中
には、上記ボール用治具11における全テーパ部11a
での半田ボールHBの吸着不良をチェックする検査装置
19が設けられている。
14との間の、上記ボール用治具11の移動経路の途中
には、上記ボール用治具11における全テーパ部11a
での半田ボールHBの吸着不良をチェックする検査装置
19が設けられている。
【0028】この検査装置19は、たとえば上記ボール
容器12上より回動されてきた上記ボール用治具11を
撮像するカメラ19aと、このカメラ19aで撮像され
た画像をもとに、上記ボール用治具11のすべてのテー
パ部11aに半田ボールHBが支持されているかを画像
処理により検査する検査機19bとからなっている。
容器12上より回動されてきた上記ボール用治具11を
撮像するカメラ19aと、このカメラ19aで撮像され
た画像をもとに、上記ボール用治具11のすべてのテー
パ部11aに半田ボールHBが支持されているかを画像
処理により検査する検査機19bとからなっている。
【0029】この検査装置19の検査によって、上記ボ
ール用治具11による半田ボールHBの吸着不良が確認
された場合、上記ボール容器12での半田ボールHBの
再吸着が行われる。この動作は、上記ボール用治具11
の全テーパ部11aで半田ボールHBが支持されるま
で、繰り返される。
ール用治具11による半田ボールHBの吸着不良が確認
された場合、上記ボール容器12での半田ボールHBの
再吸着が行われる。この動作は、上記ボール用治具11
の全テーパ部11aで半田ボールHBが支持されるま
で、繰り返される。
【0030】次に、上記したボール電極形成装置による
ボール電極の形成動作について説明する。まず、X−θ
ロボット13のアーム13aの先端に取り付けられたボ
ール用治具11が、ボール容器12のところに移動され
る。そして、ボール容器12内の半田ボールHBとの距
離が調整された後、上記ボール用治具11に上記X−θ
ロボット13から真空圧が与えられる。
ボール電極の形成動作について説明する。まず、X−θ
ロボット13のアーム13aの先端に取り付けられたボ
ール用治具11が、ボール容器12のところに移動され
る。そして、ボール容器12内の半田ボールHBとの距
離が調整された後、上記ボール用治具11に上記X−θ
ロボット13から真空圧が与えられる。
【0031】このとき、上記ボール容器12の受け皿が
振動されて、そこに収容されている半田ボールHBのい
くつかが上記ボール用治具11のそれぞれのテーパ部1
1aで吸い付けられる。こうして、上記ボール用治具1
1の各テーパ部11aで半田ボールHBが真空吸着され
て、それぞれに支持される。
振動されて、そこに収容されている半田ボールHBのい
くつかが上記ボール用治具11のそれぞれのテーパ部1
1aで吸い付けられる。こうして、上記ボール用治具1
1の各テーパ部11aで半田ボールHBが真空吸着され
て、それぞれに支持される。
【0032】半田ボールHBの吸着を終えた上記ボール
用治具11は、真空圧による吸着を継続したまま、上記
X−θロボット13のアーム13aの上昇および回動に
よって検査装置19の位置に移動される。そして、ここ
での検査によって、半田ボールHBの吸着不良が確認さ
れた場合には、上記ボール用治具11が上記ボール容器
12の位置に戻されて、再度、上記した吸着動作が行わ
れる。
用治具11は、真空圧による吸着を継続したまま、上記
X−θロボット13のアーム13aの上昇および回動に
よって検査装置19の位置に移動される。そして、ここ
での検査によって、半田ボールHBの吸着不良が確認さ
れた場合には、上記ボール用治具11が上記ボール容器
12の位置に戻されて、再度、上記した吸着動作が行わ
れる。
【0033】全テーパ部11aでの半田ボールHBの支
持が確認されると、上記ボール用治具11は、上記X−
θロボット13のアーム13aの回動によって、X−Y
ロボット14上の外囲器用治具14aにセットされたパ
ッケージ15の上に移動される。また、上記アーム13
aの降下によって、上記ボール用治具11に支持されて
いる半田ボールHBと上記パッケージ15上の電極パッ
ド15aとの間の距離が2mm程度となる位置で、上記
ボール用治具11が停止される。
持が確認されると、上記ボール用治具11は、上記X−
θロボット13のアーム13aの回動によって、X−Y
ロボット14上の外囲器用治具14aにセットされたパ
ッケージ15の上に移動される。また、上記アーム13
aの降下によって、上記ボール用治具11に支持されて
いる半田ボールHBと上記パッケージ15上の電極パッ
ド15aとの間の距離が2mm程度となる位置で、上記
ボール用治具11が停止される。
【0034】そして、たとえば上記ボール用治具11上
からの目視によって、上記ボール用治具11の各半田ボ
ールHBと上記パッケージ15上の各電極パッド15a
との位置を確認しつつ、さらに、上記ボール用治具11
の位置が下げられて、上記ボール用治具11の各半田ボ
ールHBが上記電極パッド15aのそれぞれにあらかじ
め塗布されている半田ペースト18に接触される。
からの目視によって、上記ボール用治具11の各半田ボ
ールHBと上記パッケージ15上の各電極パッド15a
との位置を確認しつつ、さらに、上記ボール用治具11
の位置が下げられて、上記ボール用治具11の各半田ボ
ールHBが上記電極パッド15aのそれぞれにあらかじ
め塗布されている半田ペースト18に接触される。
【0035】この後、上記X−Yロボット14のアーム
14bがレール14cに沿って移動され、また、そのア
ーム14b上を光ビーム照射筒16が移動される。これ
により、上記光ビーム照射筒16が、上記パッケージ1
5上に位置する上記ボール用治具11の上部に移動され
る。
14bがレール14cに沿って移動され、また、そのア
ーム14b上を光ビーム照射筒16が移動される。これ
により、上記光ビーム照射筒16が、上記パッケージ1
5上に位置する上記ボール用治具11の上部に移動され
る。
【0036】そして、上記光ビーム照射筒16から光ビ
ームを照射しつつ、上記光ビーム照射筒16の位置を移
動させることにより、上記光ビーム照射筒16からの光
ビームによって、上記パッケージ15上の電極パッド1
5aのすべてが順にスキャンされる。
ームを照射しつつ、上記光ビーム照射筒16の位置を移
動させることにより、上記光ビーム照射筒16からの光
ビームによって、上記パッケージ15上の電極パッド1
5aのすべてが順にスキャンされる。
【0037】この場合、たとえば図4に示すように、上
記ボール用治具11を介して、上記パッケージ15上の
電極パッド15aまたはその周辺に、上記光ビーム照射
筒16からの光ビーム16aが照射される。この光ビー
ム16aの照射によって、上記各電極パッド15a上の
半田ペースト18は溶融され、しばらくして後、冷えて
固まる。
記ボール用治具11を介して、上記パッケージ15上の
電極パッド15aまたはその周辺に、上記光ビーム照射
筒16からの光ビーム16aが照射される。この光ビー
ム16aの照射によって、上記各電極パッド15a上の
半田ペースト18は溶融され、しばらくして後、冷えて
固まる。
【0038】こうして、一旦は溶融された半田ペースト
18が冷えて固まることにより、上記ボール用治具11
に支持されている半田ボールHBと上記パッケージ15
上の電極パッド15aとがそれぞれ固着されて、各電極
パッド15a上に半田ボールHBを固着してなるボール
電極が形成される。
18が冷えて固まることにより、上記ボール用治具11
に支持されている半田ボールHBと上記パッケージ15
上の電極パッド15aとがそれぞれ固着されて、各電極
パッド15a上に半田ボールHBを固着してなるボール
電極が形成される。
【0039】ボール電極を形成した後においては、上記
X−θロボット13から上記ボール用治具11への真空
圧の供給が停止され、さらに、上記ボール用治具11が
上記ボール容器12の位置に移動されて、次のボール電
極の形成にそなえられる。
X−θロボット13から上記ボール用治具11への真空
圧の供給が停止され、さらに、上記ボール用治具11が
上記ボール容器12の位置に移動されて、次のボール電
極の形成にそなえられる。
【0040】図5は、上記ボール電極形成時の、上記ボ
ール用治具11のガラス厚と上記光ビーム照射筒16に
よるスキャン速度との関係を示すものである。ここで、
上記ガラス厚とは、ボール用治具11の真空圧供給用の
供給路11bから下の厚さであり、ボール電極を形成す
るための他の条件は下記の表1に示す通りである。
ール用治具11のガラス厚と上記光ビーム照射筒16に
よるスキャン速度との関係を示すものである。ここで、
上記ガラス厚とは、ボール用治具11の真空圧供給用の
供給路11bから下の厚さであり、ボール電極を形成す
るための他の条件は下記の表1に示す通りである。
【0041】
【表1】
【0042】すなわち、パッケージ15の反り(100
μm程度)を補償すべく半田ペースト18を150μm
の厚さで塗布し、これに径が0.7mmとされた半田ボ
ールHBを1.5mmのピッチ間隔で固着する場合にお
いては、上記表1に示した条件のもとでは、ガラス厚が
2mmのときには約10mm/secのスキャン速度
で、ガラス厚が3mmのときには約4mm/secのス
キャン速度で、ガラス厚が6mmのときには約1mm/
secのスキャン速度で、それぞれボール電極を形成す
ることができた。
μm程度)を補償すべく半田ペースト18を150μm
の厚さで塗布し、これに径が0.7mmとされた半田ボ
ールHBを1.5mmのピッチ間隔で固着する場合にお
いては、上記表1に示した条件のもとでは、ガラス厚が
2mmのときには約10mm/secのスキャン速度
で、ガラス厚が3mmのときには約4mm/secのス
キャン速度で、ガラス厚が6mmのときには約1mm/
secのスキャン速度で、それぞれボール電極を形成す
ることができた。
【0043】この場合、径が0.5mmの光ビームを照
射するようにしたが、もっと小径の光ビームを照射する
ようにした場合にも、処理の効果からいって、上記ボー
ル用治具11は2mm程度の厚さをもって形成するのが
望ましい。
射するようにしたが、もっと小径の光ビームを照射する
ようにした場合にも、処理の効果からいって、上記ボー
ル用治具11は2mm程度の厚さをもって形成するのが
望ましい。
【0044】上記のような構成のボール電極形成装置に
よれば、上記ボール用治具11に支持された半田ボール
HBと上記パッケージ15上の電極パッド15aとの位
置合わせを目視により直接的に行うことが可能になると
ともに、上記電極パッド15aに固着されるまで、上記
半田ボールHBは上記ボール用治具11に真空吸着によ
り支持されるようになっている。このため、両者を高い
精度をもって固着することが可能となり、パッドピッチ
の20%あった位置ずれを5%以下にまで低下できた。
よれば、上記ボール用治具11に支持された半田ボール
HBと上記パッケージ15上の電極パッド15aとの位
置合わせを目視により直接的に行うことが可能になると
ともに、上記電極パッド15aに固着されるまで、上記
半田ボールHBは上記ボール用治具11に真空吸着によ
り支持されるようになっている。このため、両者を高い
精度をもって固着することが可能となり、パッドピッチ
の20%あった位置ずれを5%以下にまで低下できた。
【0045】また、半田ペースト18の近傍だけを短時
間に加熱して溶融させることで、ワークの昇温が小さ
く、すぐに室温に戻せるようになるために冷却時間が短
くて済む。これにより、ワークの自動搬送を容易に実現
し得、かつ次工程への連続した投入が可能となる。
間に加熱して溶融させることで、ワークの昇温が小さ
く、すぐに室温に戻せるようになるために冷却時間が短
くて済む。これにより、ワークの自動搬送を容易に実現
し得、かつ次工程への連続した投入が可能となる。
【0046】さらに、人手による治具の着脱が不要とな
るなど、ボール電極形成の自動化や省力化が容易に可能
となるものである。なお、上記実施例においては、半田
ボールを半田ペースト(共晶半田)を用いて固着する場
合を例に説明したが、これに限らず、たとえば図6に示
すように、パッケージ15上の電極パッド15aと半田
ボールHBとをフラックス21を用いて固着するように
してもよい。この場合、半田ボールHBの底部はソルダ
レジスト15bの表面に露出する上記電極パッド15a
の全面にとけて広がるが、その表面張力で丸くなり、半
田ペーストを用いる場合と同様にボール電極を形成する
ことができる。
るなど、ボール電極形成の自動化や省力化が容易に可能
となるものである。なお、上記実施例においては、半田
ボールを半田ペースト(共晶半田)を用いて固着する場
合を例に説明したが、これに限らず、たとえば図6に示
すように、パッケージ15上の電極パッド15aと半田
ボールHBとをフラックス21を用いて固着するように
してもよい。この場合、半田ボールHBの底部はソルダ
レジスト15bの表面に露出する上記電極パッド15a
の全面にとけて広がるが、その表面張力で丸くなり、半
田ペーストを用いる場合と同様にボール電極を形成する
ことができる。
【0047】半田ボールとしては、半田ペースト中の半
田よりも融点が高ければ他の組成のものも使用できる。
また、鉄−ニッケル合金や銅合金など、半田にわずかに
しかとけない金属製のボールを作り、この表面に半田メ
ッキや錫メッキまたは貴金属メッキなどの半田易溶性の
表面処理を施したものを、半田ボールの代替品として使
用することも可能である。
田よりも融点が高ければ他の組成のものも使用できる。
また、鉄−ニッケル合金や銅合金など、半田にわずかに
しかとけない金属製のボールを作り、この表面に半田メ
ッキや錫メッキまたは貴金属メッキなどの半田易溶性の
表面処理を施したものを、半田ボールの代替品として使
用することも可能である。
【0048】また、熱源としては、ハロゲンランプの
他、キセノンランプやレーザなどを用いることも可能で
ある。また、ボール用治具は、必ずしもテーパ部を形成
しなくともある程度の効果は期待できる。また、耐熱ガ
ラス以外の、たとえば石英を用いて形成することも可能
である。
他、キセノンランプやレーザなどを用いることも可能で
ある。また、ボール用治具は、必ずしもテーパ部を形成
しなくともある程度の効果は期待できる。また、耐熱ガ
ラス以外の、たとえば石英を用いて形成することも可能
である。
【0049】また、光ビームをスキャンさせる代わり
に、外囲器用治具をX−Yステージ上に搭載し、パッケ
ージを自由に移動できるように構成することも可能であ
る。また、電極パッドと半田ボールとの位置合わせを画
像処理を用いて光学的に行うことが、自動化にとっては
より望ましい。
に、外囲器用治具をX−Yステージ上に搭載し、パッケ
ージを自由に移動できるように構成することも可能であ
る。また、電極パッドと半田ボールとの位置合わせを画
像処理を用いて光学的に行うことが、自動化にとっては
より望ましい。
【0050】さらには、半田ペーストを電極パッド上に
塗布した後、ホットエアーを吹き付けてプレヒートを施
すとフラックス中の溶媒が揮発し、電極パッドと半田ボ
ールとの固着を良好に行うことができるが、プレヒート
はヒータブロックを用いて行うようにした場合にも同等
の効果が期待できる。その他、この発明の要旨を変えな
い範囲において、種々変形実施可能なことは勿論であ
る。
塗布した後、ホットエアーを吹き付けてプレヒートを施
すとフラックス中の溶媒が揮発し、電極パッドと半田ボ
ールとの固着を良好に行うことができるが、プレヒート
はヒータブロックを用いて行うようにした場合にも同等
の効果が期待できる。その他、この発明の要旨を変えな
い範囲において、種々変形実施可能なことは勿論であ
る。
【0051】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、球状電極を形成するための球状体と半導体基板上の
電極パッドとの位置合わせを高精度化でき、それを容易
に確認できるとともに、自動化および設備の縮小化が図
れて、球状電極の形成に要する人手や時間さらには経費
を大幅に軽減することが可能な球状電極形成方法および
形成装置を提供できる。
ば、球状電極を形成するための球状体と半導体基板上の
電極パッドとの位置合わせを高精度化でき、それを容易
に確認できるとともに、自動化および設備の縮小化が図
れて、球状電極の形成に要する人手や時間さらには経費
を大幅に軽減することが可能な球状電極形成方法および
形成装置を提供できる。
【図1】この発明の一実施例にかかるボール電極形成装
置を概略的に示す構成図。
置を概略的に示す構成図。
【図2】同じく、ボール用治具の概略を示す構成図。
【図3】同じく、パッケージの一例を示す構成図。
【図4】同じく、ボール電極の形成動作について説明す
るために示す要部の断面図。
るために示す要部の断面図。
【図5】同じく、ボール用治具のガラス厚と光ビームの
スキャン速度との関係を説明するために示す図。
スキャン速度との関係を説明するために示す図。
【図6】この発明の他の実施例を説明するために示す要
部の断面図。
部の断面図。
【図7】従来技術とその問題点を説明するために示すボ
ール電極形成装置の要部の断面図。
ール電極形成装置の要部の断面図。
【図8】同じく、従来のボール電極形成装置で用いられ
るボール用治具の概略を示す構成図。
るボール用治具の概略を示す構成図。
11…ボール用治具(支持体)、12…ボール容器、1
3…X−θロボット、13a…アーム、14…X−Yロ
ボット、14a…外囲器用治具、14b…アーム、14
c…レール、15…BGAタイプのパッケージ(半導体
基板)、15a…電極パッド、16…光ビーム照射筒
(熱源)、17…光源、18…半田ペースト(固着
剤)、19…検査装置、19a…カメラ、19b…検査
機、HB…半田ボール(球状体)。
3…X−θロボット、13a…アーム、14…X−Yロ
ボット、14a…外囲器用治具、14b…アーム、14
c…レール、15…BGAタイプのパッケージ(半導体
基板)、15a…電極パッド、16…光ビーム照射筒
(熱源)、17…光源、18…半田ペースト(固着
剤)、19…検査装置、19a…カメラ、19b…検査
機、HB…半田ボール(球状体)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/12
Claims (5)
- 【請求項1】 あらかじめボール形状に形成された球状
体を真空圧により吸着して支持する支持体を有し、この
支持体によって支持された前記球状体を半導体基板上の
電極パッドに固着することによって球状電極を形成する
球状電極形成装置において、 前記支持体を透光性を有する部材によって構成し、この
支持体を透視した状態で、前記支持体により支持された
前記球状体と前記電極パッドとの位置合わせ、および前
記支持体を介して、前記球状体の前記電極パッドへの固
着を行うようにしたことを特徴とする球状電極形成装
置。 - 【請求項2】 あらかじめボール形状に形成された球状
体を真空圧により吸着し、その位置にて前記球状体を支
持する、透光性を有する部材からなる支持体と、 この支持体を透視した状態で、前記支持体により支持さ
れた前記球状体を、半導体基板上の電極パッドとの位置
合わせを行って後、前記半導体基板上の電極パッドにあ
らかじめ設けられた固着剤に接触させる接触機構と、 この接触機構によって前記球状体の接触された前記固着
剤を、前記支持体を介して溶融する熱源とを具備したこ
とを特徴とする球状電極形成装置。 - 【請求項3】 前記支持体は、前記球状体の真空圧によ
る吸着を、前記球状体の電極パッドへの固着が完了する
まで継続することを特徴とする請求項2に記載の球状電
極形成装置。 - 【請求項4】 前記熱源は、溶融すべき固着剤とその近
傍のみを加熱するものであることを特徴とする請求項2
に記載の球状電極形成装置。 - 【請求項5】 透光性を有する部材からなる支持体によ
って、あらかじめボール形状に形成された球状体を真空
吸着して、その位置で支持させ、 前記支持体を透視した状態で、前記支持体により支持さ
れた前記球状体を、半導体基板上の電極パッドとの位置
合わせを行って後、前記半導体基板上の電極パッドにあ
らかじめ設けられた固着剤に接触させ、 その球状体の接触された前記固着剤を、前記支持体を介
して熱源により溶融するようにしたことを特徴とする球
状電極の形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30222794A JPH08162455A (ja) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | 球状電極形成方法および形成装置 |
US08/568,281 US5741410A (en) | 1994-12-06 | 1995-12-06 | Apparatus for forming spherical electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30222794A JPH08162455A (ja) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | 球状電極形成方法および形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08162455A true JPH08162455A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17906483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30222794A Pending JPH08162455A (ja) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | 球状電極形成方法および形成装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5741410A (ja) |
JP (1) | JPH08162455A (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US5741410A (en) | 1998-04-21 |
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