JP2003309139A - バンプ形成方法、リペア方法及び装置 - Google Patents
バンプ形成方法、リペア方法及び装置Info
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプ形成に際して、歩留まりの向上を図る
とともに、確実に半田ボールの搭載ミスや不良バンプを
なくす。 【解決手段】 半田ボール４をワーク１の各バンプ形成
位置２上に一括搭載した後、検査を行い、搭載ミスのあ
ったバンプ形成位置２ごとに半田ボール４の再搭載を行
うリペア工程を経て、各バンプ形成位置２上に搭載され
た半田ボール４を溶融させ、冷却固化させてバンプを形
成する。半田ボール４を再搭載するリペア工程では、搭
載ミスのあったバンプ形成位置２上に半田ボール４を新
たに載せるとともに、そのバンプ形成位置２上に新たに
載せられた半田ボール４にレーザ光を照射して溶融させ
て仮止めする。
とともに、確実に半田ボールの搭載ミスや不良バンプを
なくす。 【解決手段】 半田ボール４をワーク１の各バンプ形成
位置２上に一括搭載した後、検査を行い、搭載ミスのあ
ったバンプ形成位置２ごとに半田ボール４の再搭載を行
うリペア工程を経て、各バンプ形成位置２上に搭載され
た半田ボール４を溶融させ、冷却固化させてバンプを形
成する。半田ボール４を再搭載するリペア工程では、搭
載ミスのあったバンプ形成位置２上に半田ボール４を新
たに載せるとともに、そのバンプ形成位置２上に新たに
載せられた半田ボール４にレーザ光を照射して溶融させ
て仮止めする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半田ボールを用い
て半導体ウェハ等のワークのバンプ形成位置上にバンプ
を形成するためのバンプ形成方法、半田ボールの搭載ミ
スや不良バンプをリペアするためのリペア方法及び装置
に関する。
て半導体ウェハ等のワークのバンプ形成位置上にバンプ
を形成するためのバンプ形成方法、半田ボールの搭載ミ
スや不良バンプをリペアするためのリペア方法及び装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体チップの電気的接続に半田
ボール等の微小金属球を使用した万夫形成技術が用いら
れるようになっている。この場合、一般的には、半導体
ウェハのバンプ形成位置に電気的接続の信頼性を確保す
るためバンプ下地金属を形成し、さらに多数の半田ボー
ルを各バンプ下地金属上に一括搭載した後、半田ボール
をリフローして溶融させ、冷却固化させてバンプを形成
する。その後、半導体ウェハを個々のチップに切断する
ダイシング工程を経て、バンプが形成された半導体チッ
プが完成する。
ボール等の微小金属球を使用した万夫形成技術が用いら
れるようになっている。この場合、一般的には、半導体
ウェハのバンプ形成位置に電気的接続の信頼性を確保す
るためバンプ下地金属を形成し、さらに多数の半田ボー
ルを各バンプ下地金属上に一括搭載した後、半田ボール
をリフローして溶融させ、冷却固化させてバンプを形成
する。その後、半導体ウェハを個々のチップに切断する
ダイシング工程を経て、バンプが形成された半導体チッ
プが完成する。
【０００３】ところで、すべての半田ボールが各バンプ
形成位置（すなわちバンプ下地金属）上に正しく搭載さ
れるとは限らず、搭載ミスが生じることがある。例え
ば、図７（ａ）に示すように、半田ボール４が一部のバ
ンプ下地金属２上に搭載されなかったり、図７（ｂ）に
示すように、余剰半田ボール４´がバンプ下地金属２上
に搭載されたり、図７（ｃ）に示すように、半田ボール
４がバンプ下地金属２からずれたりすること等がある。
形成位置（すなわちバンプ下地金属）上に正しく搭載さ
れるとは限らず、搭載ミスが生じることがある。例え
ば、図７（ａ）に示すように、半田ボール４が一部のバ
ンプ下地金属２上に搭載されなかったり、図７（ｂ）に
示すように、余剰半田ボール４´がバンプ下地金属２上
に搭載されたり、図７（ｃ）に示すように、半田ボール
４がバンプ下地金属２からずれたりすること等がある。
【０００４】特開平９−８１７２号公報には、多数の半
田ボールをワークの各バンプ下地金属上に一括搭載した
後に、上記のような搭載ミスがあった場合、正しく搭載
された半田ボールを含むすべての半田ボールを回収して
再搭載を行い、搭載ミスがなくなったならば、半田ボー
ルを溶融させ、冷却固化させてバンプを形成することが
開示されている。
田ボールをワークの各バンプ下地金属上に一括搭載した
後に、上記のような搭載ミスがあった場合、正しく搭載
された半田ボールを含むすべての半田ボールを回収して
再搭載を行い、搭載ミスがなくなったならば、半田ボー
ルを溶融させ、冷却固化させてバンプを形成することが
開示されている。
【０００５】また、特開平９−６４０４６号公報には、
半田ボールを溶融させ、冷却固化させてバンプを形成し
た後に、上記のような半田ボールの搭載ミス等による不
良バンプを除去して良品のバンプを新たに形成するリペ
ア作業について開示されている。具体的には、不良バン
プがある場合に、ヒータにより加熱されたノズルを不良
バンプに接近させ、その不良バンプを溶融させて吸引除
去する。次に、不良バンプが除去されたバンプ下地金属
上にフラックスをスポット的に塗付して半田ボールを搭
載し、その半田ボールを溶融させ、冷却固化させること
により新たなバンプを形成する。
半田ボールを溶融させ、冷却固化させてバンプを形成し
た後に、上記のような半田ボールの搭載ミス等による不
良バンプを除去して良品のバンプを新たに形成するリペ
ア作業について開示されている。具体的には、不良バン
プがある場合に、ヒータにより加熱されたノズルを不良
バンプに接近させ、その不良バンプを溶融させて吸引除
去する。次に、不良バンプが除去されたバンプ下地金属
上にフラックスをスポット的に塗付して半田ボールを搭
載し、その半田ボールを溶融させ、冷却固化させること
により新たなバンプを形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平９−８１７
２号公報に開示された従来例では、搭載ミスがあった場
合、正しく搭載された半田ボールを含むすべての半田ボ
ールを回収して再搭載を行うようにしている。しかしな
がら、すべての半田ボールを回収して再搭載を行うので
は、搭載ミスが続くと、半田ボールの回収及び再搭載を
繰り返さなければならなくなるため効率的とはいえな
い。特に、バンプ下地金属の配線ピッチの微細化、半田
ボールの微小化が進み、一括搭載する半田ボールの数が
増加する傾向にある今日では、半田ボールの回収及び再
搭載を繰り返さなければならなくなる可能性が高く、歩
留まりの低下につながってしまう。
２号公報に開示された従来例では、搭載ミスがあった場
合、正しく搭載された半田ボールを含むすべての半田ボ
ールを回収して再搭載を行うようにしている。しかしな
がら、すべての半田ボールを回収して再搭載を行うので
は、搭載ミスが続くと、半田ボールの回収及び再搭載を
繰り返さなければならなくなるため効率的とはいえな
い。特に、バンプ下地金属の配線ピッチの微細化、半田
ボールの微小化が進み、一括搭載する半田ボールの数が
増加する傾向にある今日では、半田ボールの回収及び再
搭載を繰り返さなければならなくなる可能性が高く、歩
留まりの低下につながってしまう。
【０００７】一方、上記特開平９−６４０４６号公報に
開示された従来例では、バンプ形成後に、不良バンプを
除去して良品のバンプを新たに形成するようにしてい
る。しかしながら、バンプ形成前に不良バンプの最大の
原因となる半田ボールの搭載ミスを検査せずに、バンプ
形成後に不良バンプのリペア作業を行うだけでは、その
リペア作業後に再び半田ボールを溶融させ、冷却固化さ
せなければならないことを考慮すると、歩留まりの低下
及び半田ボール溶解時の熱履歴による接合部の信頼性低
下につながってしまう。
開示された従来例では、バンプ形成後に、不良バンプを
除去して良品のバンプを新たに形成するようにしてい
る。しかしながら、バンプ形成前に不良バンプの最大の
原因となる半田ボールの搭載ミスを検査せずに、バンプ
形成後に不良バンプのリペア作業を行うだけでは、その
リペア作業後に再び半田ボールを溶融させ、冷却固化さ
せなければならないことを考慮すると、歩留まりの低下
及び半田ボール溶解時の熱履歴による接合部の信頼性低
下につながってしまう。
【０００８】さらに、上記特開平９−６４０４６号公報
では、ノズルにヒータを巻き付けておき、加熱されたノ
ズルを不良バンプに接近させ、その不良バンプを溶融さ
せて吸引除去するようにしている。しかしながら、上記
のようにバンプ下地金属の配線ピッチの微細化、半田ボ
ールの微小化が進んでいる今日では、ノズルにヒータを
巻き付けておくような構成では近隣の正常なバンプまで
溶融させたり、電極接合部にダメージを与えたりするお
それがある。
では、ノズルにヒータを巻き付けておき、加熱されたノ
ズルを不良バンプに接近させ、その不良バンプを溶融さ
せて吸引除去するようにしている。しかしながら、上記
のようにバンプ下地金属の配線ピッチの微細化、半田ボ
ールの微小化が進んでいる今日では、ノズルにヒータを
巻き付けておくような構成では近隣の正常なバンプまで
溶融させたり、電極接合部にダメージを与えたりするお
それがある。
【０００９】さらに、上記特開平９−６４０４６号公報
では、不良バンプが除去されたバンプ下地金属上にフラ
ックスをスポット的に塗付するようにしている。しかし
ながら、上記のようにバンプ下地金属の配線ピッチの微
細化、半田ボールの微小化が進んでいる今日では、フラ
ックスをスポット的に塗付することが効率的とはいえな
い。
では、不良バンプが除去されたバンプ下地金属上にフラ
ックスをスポット的に塗付するようにしている。しかし
ながら、上記のようにバンプ下地金属の配線ピッチの微
細化、半田ボールの微小化が進んでいる今日では、フラ
ックスをスポット的に塗付することが効率的とはいえな
い。
【００１０】本発明は上記のような点に鑑みてなされた
ものであり、バンプ形成に際して、歩留まりの向上を図
るとともに、確実に半田ボールの搭載ミスや不良バンプ
をなくすことを目的とする。また、半田ボールの搭載ミ
スや不良バンプをリペアする際に、搭載ミスのない半田
ボールや良品バンプに悪影響を与えることなく、効率的
にリペア作業を実施しうるようにすることを目的とす
る。
ものであり、バンプ形成に際して、歩留まりの向上を図
るとともに、確実に半田ボールの搭載ミスや不良バンプ
をなくすことを目的とする。また、半田ボールの搭載ミ
スや不良バンプをリペアする際に、搭載ミスのない半田
ボールや良品バンプに悪影響を与えることなく、効率的
にリペア作業を実施しうるようにすることを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のバンプ形成方法
は、半田ボールをワークの各バンプ形成位置上に一括搭
載する手順と、搭載ミスのあったバンプ形成位置ごとに
半田ボールの再搭載を行う手順と、前記各バンプ形成位
置上に搭載された半田ボールを溶融させ、冷却固化させ
てバンプを形成する手順とを有する点に特徴を有する。
は、半田ボールをワークの各バンプ形成位置上に一括搭
載する手順と、搭載ミスのあったバンプ形成位置ごとに
半田ボールの再搭載を行う手順と、前記各バンプ形成位
置上に搭載された半田ボールを溶融させ、冷却固化させ
てバンプを形成する手順とを有する点に特徴を有する。
【００１２】本発明のリペア方法は、ワークの複数のバ
ンプ形成位置上にそれぞれ搭載された半田ボールの搭載
ミスをリペアするためのリペア方法であって、必要な場
合には搭載ミスの半田ボールを除去した上で、搭載ミス
のあったバンプ形成位置上に半田ボールを新たに載せる
手順と、前記バンプ形成位置上に新たに載せられた半田
ボールをレーザ光により溶融させて仮止めする手順とを
有する点に特徴を有する。
ンプ形成位置上にそれぞれ搭載された半田ボールの搭載
ミスをリペアするためのリペア方法であって、必要な場
合には搭載ミスの半田ボールを除去した上で、搭載ミス
のあったバンプ形成位置上に半田ボールを新たに載せる
手順と、前記バンプ形成位置上に新たに載せられた半田
ボールをレーザ光により溶融させて仮止めする手順とを
有する点に特徴を有する。
【００１３】本発明の他のリペア方法は、ワークの複数
のバンプ形成位置上にそれぞれ搭載された半田ボールを
溶融させ、冷却固化させて形成されたバンプの不良バン
プをリペアするためのリペア方法であって、必要な場合
には不良バンプを除去した上で、不良バンプのあったバ
ンプ形成位置上に半田ボールを新たに載せる手順と、前
記バンプ形成位置上に新たに載せられた半田ボールをレ
ーザ光により溶融させて仮止めする手順と、前記仮止め
された半田ボールを溶融させ、冷却固化させてバンプを
形成する手順とを有する点に特徴を有する。
のバンプ形成位置上にそれぞれ搭載された半田ボールを
溶融させ、冷却固化させて形成されたバンプの不良バン
プをリペアするためのリペア方法であって、必要な場合
には不良バンプを除去した上で、不良バンプのあったバ
ンプ形成位置上に半田ボールを新たに載せる手順と、前
記バンプ形成位置上に新たに載せられた半田ボールをレ
ーザ光により溶融させて仮止めする手順と、前記仮止め
された半田ボールを溶融させ、冷却固化させてバンプを
形成する手順とを有する点に特徴を有する。
【００１４】本発明のリペア装置は、ワークの複数のバ
ンプ形成位置上にそれぞれ搭載された半田ボールの搭載
ミスをリペアするため、及び／又は、ワークの複数のバ
ンプ形成位置上にそれぞれ搭載された半田ボールを溶融
させ、冷却固化させて形成されたバンプの不良バンプを
リペアするためのリペア装置であって、搭載ミス或いは
不良バンプのあったバンプ形成位置上に半田ボールを新
たに載せる半田ボール載置手段と、前記バンプ形成位置
上に新たに載せられた半田ボールをレーザ光により溶融
させて仮止めするレーザ光照射手段とを備えた点に特徴
を有する。
ンプ形成位置上にそれぞれ搭載された半田ボールの搭載
ミスをリペアするため、及び／又は、ワークの複数のバ
ンプ形成位置上にそれぞれ搭載された半田ボールを溶融
させ、冷却固化させて形成されたバンプの不良バンプを
リペアするためのリペア装置であって、搭載ミス或いは
不良バンプのあったバンプ形成位置上に半田ボールを新
たに載せる半田ボール載置手段と、前記バンプ形成位置
上に新たに載せられた半田ボールをレーザ光により溶融
させて仮止めするレーザ光照射手段とを備えた点に特徴
を有する。
【００１５】本発明の他のリペア装置は、ワークの複数
のバンプ形成位置上にそれぞれ搭載された半田ボールを
溶融させ、冷却固化させて形成されたバンプの不良バン
プをリペアするためのリペア装置であって、不良バンプ
をレーザ光により溶融させるレーザ光照射手段と、前記
溶融させた不良バンプを吸引除去する吸引除去手段とを
備えた点に特徴を有する。
のバンプ形成位置上にそれぞれ搭載された半田ボールを
溶融させ、冷却固化させて形成されたバンプの不良バン
プをリペアするためのリペア装置であって、不良バンプ
をレーザ光により溶融させるレーザ光照射手段と、前記
溶融させた不良バンプを吸引除去する吸引除去手段とを
備えた点に特徴を有する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
バンプ形成方法、リペア方法及び装置の好適な実施の形
態について説明する。
バンプ形成方法、リペア方法及び装置の好適な実施の形
態について説明する。
【００１７】図１には本実施の形態におけるバンプ形成
方法の手順を、図２には半田ボールの搭載工程の概要を
示す。本実施の形態では、主としてフリップチップボン
ディングに用いられるバンプの形成を対象としており、
半導体パッケージの小型化、高密度実装化の観点から、
近年では直径１５０[μｍ]以下の微小な半田ボール4が
用いられている。
方法の手順を、図２には半田ボールの搭載工程の概要を
示す。本実施の形態では、主としてフリップチップボン
ディングに用いられるバンプの形成を対象としており、
半導体パッケージの小型化、高密度実装化の観点から、
近年では直径１５０[μｍ]以下の微小な半田ボール4が
用いられている。
【００１８】図１に示すように、半導体ウェハ等のワー
ク１を受け取ったならば（ステップＳ１０１）、検査を
行い（ステップＳ１０２）、必要であれば洗浄した後
（ステップＳ１０３）、ワーク１上にスパッタ法、無電
解メッキ法、電解メッキ法等により多数のバンプ下地金
属２（ＵＢＭ：under bump metal）を形成する（ステッ
プＳ１０４）。
ク１を受け取ったならば（ステップＳ１０１）、検査を
行い（ステップＳ１０２）、必要であれば洗浄した後
（ステップＳ１０３）、ワーク１上にスパッタ法、無電
解メッキ法、電解メッキ法等により多数のバンプ下地金
属２（ＵＢＭ：under bump metal）を形成する（ステッ
プＳ１０４）。
【００１９】バンプ下地金属２の形成後、検査を行って
から（ステップＳ１０５）、各バンプ下地金属２上にス
タンプ転写方式やスクリーン印刷方式等によりフラック
ス３を塗付する（ステップＳ１０６）。
から（ステップＳ１０５）、各バンプ下地金属２上にス
タンプ転写方式やスクリーン印刷方式等によりフラック
ス３を塗付する（ステップＳ１０６）。
【００２０】続いて、多数の半田ボール４を各バンプ下
地金属２上に一括搭載する（ステップＳ１０７）。図２
（ａ）に示すように、多数の半田ボール４を各バンプ下
地金属２上に一括搭載するためのボール搭載ヘッドにお
いて、配列板２０がバンプ下地金属２に対応する多数の
吸着孔２０ａを有しており、吸引機構によってボールト
レー１４内で跳躍する半田ボール４を各吸着孔２０ａに
吸着する。そして、図２（ｂ）に示すように、半田ボー
ル４を吸引配列した状態でボール搭載ヘッドをワーク１
上まで移動させて、半田ボール４を各バンプ下地金属２
上にフラックス３の粘着力を利用して一括搭載する。
地金属２上に一括搭載する（ステップＳ１０７）。図２
（ａ）に示すように、多数の半田ボール４を各バンプ下
地金属２上に一括搭載するためのボール搭載ヘッドにお
いて、配列板２０がバンプ下地金属２に対応する多数の
吸着孔２０ａを有しており、吸引機構によってボールト
レー１４内で跳躍する半田ボール４を各吸着孔２０ａに
吸着する。そして、図２（ｂ）に示すように、半田ボー
ル４を吸引配列した状態でボール搭載ヘッドをワーク１
上まで移動させて、半田ボール４を各バンプ下地金属２
上にフラックス３の粘着力を利用して一括搭載する。
【００２１】上記のように半田ボール４を各バンプ下地
金属２上に一括搭載した後、図７（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）に示したような半田ボール４の搭載ミスの有無に
ついて検査を行う（ステップＳ１０８）。この検査方法
として、例えば図示しないカメラによりワーク１の上面
を撮像し、カメラにより得られた画像情報から半田ボー
ル４の搭載ミスの有無を検査すればよい。
金属２上に一括搭載した後、図７（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）に示したような半田ボール４の搭載ミスの有無に
ついて検査を行う（ステップＳ１０８）。この検査方法
として、例えば図示しないカメラによりワーク１の上面
を撮像し、カメラにより得られた画像情報から半田ボー
ル４の搭載ミスの有無を検査すればよい。
【００２２】そして、搭載ミスがなければそのまま、搭
載ミスがあれば半田ボール４を再搭載するリペア工程を
経て（ステップＳ１０９）、半田ボール４をリフローし
て溶融させ、冷却固化させてバンプを形成する（ステッ
プＳ１１０）。
載ミスがあれば半田ボール４を再搭載するリペア工程を
経て（ステップＳ１０９）、半田ボール４をリフローし
て溶融させ、冷却固化させてバンプを形成する（ステッ
プＳ１１０）。
【００２３】バンプ形成後、洗浄したならば（ステップ
Ｓ１１１）、不良バンプの有無について検査を行う（ス
テップＳ１１２）。上記のようにリフロー前に検査工程
及びリペア工程（ステップＳ１０８、Ｓ１０９）を経て
いるので、不良バンプはほとんど存在しないが、例えば
リフロー中に不良バンプが生じることもある。なお、こ
の場合も、例えばカメラによりワーク１の上面を撮像
し、カメラにより得られた画像情報から不良バンプの有
無を検査すればよい。
Ｓ１１１）、不良バンプの有無について検査を行う（ス
テップＳ１１２）。上記のようにリフロー前に検査工程
及びリペア工程（ステップＳ１０８、Ｓ１０９）を経て
いるので、不良バンプはほとんど存在しないが、例えば
リフロー中に不良バンプが生じることもある。なお、こ
の場合も、例えばカメラによりワーク１の上面を撮像
し、カメラにより得られた画像情報から不良バンプの有
無を検査すればよい。
【００２４】そして、不良バンプがなければそのまま一
連の工程を終了し、不良バンプがあれば新たなバンプを
形成するリペア工程を経て（ステップＳ１０９）、半田
ボール４をリフローさせて溶融させ、冷却固化させてバ
ンプを形成し（ステップＳ１１０）、不良バンプがなく
なれば（ステップＳ１１１、Ｓ１１２）一連の工程を終
了する。
連の工程を終了し、不良バンプがあれば新たなバンプを
形成するリペア工程を経て（ステップＳ１０９）、半田
ボール４をリフローさせて溶融させ、冷却固化させてバ
ンプを形成し（ステップＳ１１０）、不良バンプがなく
なれば（ステップＳ１１１、Ｓ１１２）一連の工程を終
了する。
【００２５】以下、上記リペア工程、及び、リペア工程
で用いられるリペア装置について説明する。
で用いられるリペア装置について説明する。
【００２６】図３には、リペア装置の概略構成を示す。
同図に示すように、リペア装置は、半田ボール４をバン
プ下地金属２上に再搭載するための管部材１１を備えて
いる。管部材１１の内径は半田ボール４の直径よりも小
さく、吸引機構１２によって先端開口に半田ボール４を
吸着することができる。更に、管部材１１の内側からレ
ーザ光を照射するためのレーザ光照射部１３が設けられ
ている。
同図に示すように、リペア装置は、半田ボール４をバン
プ下地金属２上に再搭載するための管部材１１を備えて
いる。管部材１１の内径は半田ボール４の直径よりも小
さく、吸引機構１２によって先端開口に半田ボール４を
吸着することができる。更に、管部材１１の内側からレ
ーザ光を照射するためのレーザ光照射部１３が設けられ
ている。
【００２７】また、リペア装置は、不良バンプを除去す
るための管部材１４を備えている。管部材１４の内側か
ら不良バンプにレーザ光を照射して溶融させるレーザ光
照射部１５が設けられている。更に、溶融させた不良バ
ンプを吸引除去するための吸引機構１６が設けられてい
る。
るための管部材１４を備えている。管部材１４の内側か
ら不良バンプにレーザ光を照射して溶融させるレーザ光
照射部１５が設けられている。更に、溶融させた不良バ
ンプを吸引除去するための吸引機構１６が設けられてい
る。
【００２８】なお、これら管部材１１、１４は、ワーク
１に対してＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に相対移動可能とされ
ている。
１に対してＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に相対移動可能とされ
ている。
【００２９】まず、リフロー前の検査（ステップＳ１０
８）により搭載ミスが見つかった場合のリペア工程につ
いて述べる。例えば、図４（ａ）に示すように、半田ボ
ール４がバンプ下地金属２からずれてしまった搭載ミス
があったとする。
８）により搭載ミスが見つかった場合のリペア工程につ
いて述べる。例えば、図４（ａ）に示すように、半田ボ
ール４がバンプ下地金属２からずれてしまった搭載ミス
があったとする。
【００３０】この場合、図４（ｂ）に示すように、搭載
ミスのあったバンプ下地金属２上の半田ボール４を除去
する。この除去方法はどのようなものでもよいが、例え
ば管部材１１の先端開口に半田ボール４を吸着させて除
去すればよい。
ミスのあったバンプ下地金属２上の半田ボール４を除去
する。この除去方法はどのようなものでもよいが、例え
ば管部材１１の先端開口に半田ボール４を吸着させて除
去すればよい。
【００３１】次に、図４（ｃ）に示すように、管部材１
１により搭載ミスのあったバンプ下地金属２上に半田ボ
ール４を新たに載せる。すなわち、吸引機構１２により
先端開口に半田ボール４を吸着させた管部材１１をバン
プ下地金属２上に位置させ、管部材１１の先端から半田
ボール４を供給してバンプ下地金属２上に半田ボール４
を新たに載せる。この新たに搭載する半田ボール４は、
上記のように管部材１１により半田ボール４を吸着除去
する場合はそれをそのまま用いてもよいし、新たな半田
ボール４を持ってくるようにしてもよい。
１により搭載ミスのあったバンプ下地金属２上に半田ボ
ール４を新たに載せる。すなわち、吸引機構１２により
先端開口に半田ボール４を吸着させた管部材１１をバン
プ下地金属２上に位置させ、管部材１１の先端から半田
ボール４を供給してバンプ下地金属２上に半田ボール４
を新たに載せる。この新たに搭載する半田ボール４は、
上記のように管部材１１により半田ボール４を吸着除去
する場合はそれをそのまま用いてもよいし、新たな半田
ボール４を持ってくるようにしてもよい。
【００３２】続いて、図４（ｄ）に示すように、バンプ
下地金属２上に新たに載せられた半田ボール４の上方に
管部材１１の内側からレーザ光を照射して当該半田ボー
ル４を溶融させて仮止めする。このようにレーザ光を用
いることにより、半田ボール４ごとに局所的にレーザ光
を照射して仮止めすることができるので、バンプ下地金
属２のピッチの微細化や半田ボール４の微小化にも対応
することができ、フラックスをスポット的に塗付するの
に比べて効率的に半田ボール４の再搭載作業を行うこと
ができる。
下地金属２上に新たに載せられた半田ボール４の上方に
管部材１１の内側からレーザ光を照射して当該半田ボー
ル４を溶融させて仮止めする。このようにレーザ光を用
いることにより、半田ボール４ごとに局所的にレーザ光
を照射して仮止めすることができるので、バンプ下地金
属２のピッチの微細化や半田ボール４の微小化にも対応
することができ、フラックスをスポット的に塗付するの
に比べて効率的に半田ボール４の再搭載作業を行うこと
ができる。
【００３３】以上述べたリペア工程を、搭載ミスのあっ
たバンプ下地金属２ごとに行った後、図４（ｅ）に示す
ように、半田ボール４をリフローして溶融させ、冷却固
化させてバンプ４ａを形成する（ステップＳ１１０）。
たバンプ下地金属２ごとに行った後、図４（ｅ）に示す
ように、半田ボール４をリフローして溶融させ、冷却固
化させてバンプ４ａを形成する（ステップＳ１１０）。
【００３４】なお、図４では、搭載ミスとして半田ボー
ル４がバンプ下地金属２からずれた例を説明したが、半
田ボール４が一部のバンプ下地金属２上に搭載されなか
ったり（図７（ａ）を参照）、余剰半田ボール４´がバ
ンプ下地金属２上に搭載されたりした場合（図７（ｂ）
を参照）も同様である。ただし、半田ボール４が一部の
バンプ下地金属２上に搭載されなかった場合には、当然
ながら図４（ｂ）に示した半田ボール４の除去は不要で
ある。また、半田ボール４が一部のバンプ下地金属２上
に搭載されなかった場合には、そのバンプ下地金属２に
フラックス３が残留していることが多いので、必要がな
ければ図４（ｄ）に示したレーザ光による仮止めを行わ
なくてもよい。
ル４がバンプ下地金属２からずれた例を説明したが、半
田ボール４が一部のバンプ下地金属２上に搭載されなか
ったり（図７（ａ）を参照）、余剰半田ボール４´がバ
ンプ下地金属２上に搭載されたりした場合（図７（ｂ）
を参照）も同様である。ただし、半田ボール４が一部の
バンプ下地金属２上に搭載されなかった場合には、当然
ながら図４（ｂ）に示した半田ボール４の除去は不要で
ある。また、半田ボール４が一部のバンプ下地金属２上
に搭載されなかった場合には、そのバンプ下地金属２に
フラックス３が残留していることが多いので、必要がな
ければ図４（ｄ）に示したレーザ光による仮止めを行わ
なくてもよい。
【００３５】次に、リフロー後の検査（ステップＳ１１
２）により不良バンプが見つかった場合のリペア工程に
ついて述べる。例えば、図５（ａ）に示すように、余剰
半田ボールがバンプ下地金属２上に搭載されたためにバ
ンプ４ａが過大化してしまった不良バンプがあったとす
る。
２）により不良バンプが見つかった場合のリペア工程に
ついて述べる。例えば、図５（ａ）に示すように、余剰
半田ボールがバンプ下地金属２上に搭載されたためにバ
ンプ４ａが過大化してしまった不良バンプがあったとす
る。
【００３６】この場合、図５（ｂ）に示すように、不良
バンプのあったバンプ下地金属２上に管部材１４を位置
させるとともに、レーザ光照射部１５からレーザ光を照
射して不良バンプを溶融させる。このようにレーザ光を
用いることにより、半田ボール４ごとに局所的にレーザ
光を照射して溶融させることができるので、バンプ下地
金属２のピッチの微細化や半田ボール４の微小化にも対
応することができ、近隣の正常なバンプまで溶融させた
り、基板にダメージを与えたりすることもない。
バンプのあったバンプ下地金属２上に管部材１４を位置
させるとともに、レーザ光照射部１５からレーザ光を照
射して不良バンプを溶融させる。このようにレーザ光を
用いることにより、半田ボール４ごとに局所的にレーザ
光を照射して溶融させることができるので、バンプ下地
金属２のピッチの微細化や半田ボール４の微小化にも対
応することができ、近隣の正常なバンプまで溶融させた
り、基板にダメージを与えたりすることもない。
【００３７】続いて、図５（ｃ）に示すように、溶融さ
せた不良バンプを吸引機構１６により管部材１４で吸引
除去する。
せた不良バンプを吸引機構１６により管部材１４で吸引
除去する。
【００３８】その後は、図４（ｃ）に示したように、管
部材１１により搭載ミスのあったバンプ下地金属２上に
半田ボール４を新たに載せ、図４（ｄ）に示したよう
に、新たに載せられた半田ボール４の上方に管部材１１
の内側からレーザ光を照射し、当該半田ボール４をレー
ザ光により溶融させて仮止めし、図４（ｅ）に示したよ
うに、半田ボール４をリフローして溶融させ、冷却固化
させてバンプ４ａを形成すればよい。
部材１１により搭載ミスのあったバンプ下地金属２上に
半田ボール４を新たに載せ、図４（ｄ）に示したよう
に、新たに載せられた半田ボール４の上方に管部材１１
の内側からレーザ光を照射し、当該半田ボール４をレー
ザ光により溶融させて仮止めし、図４（ｅ）に示したよ
うに、半田ボール４をリフローして溶融させ、冷却固化
させてバンプ４ａを形成すればよい。
【００３９】なお、上記実施の形態において示した各部
の形状及び構造は、何れも本発明を実施するにあたって
の具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらに
よって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはなら
ないものである。すなわち、本発明はその精神、又はそ
の主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施す
ることができる。
の形状及び構造は、何れも本発明を実施するにあたって
の具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらに
よって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはなら
ないものである。すなわち、本発明はその精神、又はそ
の主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施す
ることができる。
【００４０】例えば、上記実施の形態では、管部材１１
の先端開口に半田ボール４を吸着して、半田ボール４を
バンプ下地金属２上に新たに載せる構成を説明したが、
図６に示すように、管部材１１の内径を半田ボール４の
直径と同程度とし、管部材１１内を落とすようにして先
端から半田ボール４を供給してバンプ下地金属２上に半
田ボール４を新たに載せる構成としてもよい。
の先端開口に半田ボール４を吸着して、半田ボール４を
バンプ下地金属２上に新たに載せる構成を説明したが、
図６に示すように、管部材１１の内径を半田ボール４の
直径と同程度とし、管部材１１内を落とすようにして先
端から半田ボール４を供給してバンプ下地金属２上に半
田ボール４を新たに載せる構成としてもよい。
【００４１】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、バン
プ形成前に半田ボールの搭載ミスを検査し、搭載ミスが
あったときは半田ボールの再搭載を行うようにしたの
で、バンプ形成後に不良バンプはほとんど存在せず、歩
留まりを向上させることができる。しかも、搭載ミスの
あったバンプ下地金属ごとに半田ボールを再搭載するの
で、歩留まりの向上を図るとともに、確実に半田ボール
の搭載ミスをなくすことができる。
プ形成前に半田ボールの搭載ミスを検査し、搭載ミスが
あったときは半田ボールの再搭載を行うようにしたの
で、バンプ形成後に不良バンプはほとんど存在せず、歩
留まりを向上させることができる。しかも、搭載ミスの
あったバンプ下地金属ごとに半田ボールを再搭載するの
で、歩留まりの向上を図るとともに、確実に半田ボール
の搭載ミスをなくすことができる。
【００４２】また、レーザ光を照射して、半田ボールを
バンプ下地金属上に仮止めしたり、不良バンプを溶融さ
せたりすることにより、良品バンプに悪影響を与えるこ
となく、効率的にリペア作業を行うことができる。
バンプ下地金属上に仮止めしたり、不良バンプを溶融さ
せたりすることにより、良品バンプに悪影響を与えるこ
となく、効率的にリペア作業を行うことができる。
【図１】本実施の形態におけるバンプ形成方法の手順を
示すフローチャートである。
示すフローチャートである。
【図２】半田ボールの搭載工程の概要を説明するための
図である。
図である。
【図３】リペア装置の概略構成を示す図である。
【図４】リフロー前の検査により搭載ミスが見つかった
場合のリペア工程を説明するための図である。
場合のリペア工程を説明するための図である。
【図５】リフロー後の検査により不良バンプが見つかっ
た場合のリペア工程を説明するための図である。
た場合のリペア工程を説明するための図である。
【図６】他の例のリペア装置の概略構成を示す図であ
る。
る。
【図７】半田ボールの搭載ミスを説明するための図であ
る。
る。
１ ワーク
２ バンプ下地金属
３ フラックス
４ 半田ボール
４ａ バンプ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 佐々木 行雄
富津市新富20−１ 新日本製鐵株式会社技
術開発本部内
(72)発明者 山内 修
富津市新富20−１ 新日本製鐵株式会社技
術開発本部内
(72)発明者 河野 太郎
東京都千代田区大手町２−６−３ 新日本
製鐵株式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 半田ボールをワークの各バンプ形成位置
上に一括搭載する手順と、 搭載ミスのあったバンプ形成位置ごとに半田ボールの再
搭載を行う手順と、 前記各バンプ形成位置上に搭載された半田ボールを溶融
させ、冷却固化させてバンプを形成する手順とを有する
ことを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項２】 前記バンプ形成後、不良バンプのあった
バンプ形成位置ごとに新たなバンプを形成する手順を更
に有することを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成
方法。 - 【請求項３】 前記半田ボールの直径は１５０[μｍ]以
下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のバン
プ形成方法。 - 【請求項４】 ワークの複数のバンプ形成位置上にそれ
ぞれ搭載された半田ボールの搭載ミスをリペアするため
のリペア方法であって、 必要な場合には搭載ミスの半田ボールを除去した上で、
搭載ミスのあったバンプ形成位置上に半田ボールを新た
に載せる手順と、 前記バンプ形成位置上に新たに載せられた半田ボールを
レーザ光により溶融させて仮止めする手順とを有するこ
とを特徴とするリペア方法。 - 【請求項５】 前記半田ボールの直径は１５０[μｍ]以
下であることを特徴とする請求項４に記載のリペア方
法。 - 【請求項６】 ワークの複数のバンプ形成位置上にそれ
ぞれ搭載された半田ボールを溶融させ、冷却固化させて
形成されたバンプの不良バンプをリペアするためのリペ
ア方法であって、 必要な場合には不良バンプを除去した上で、不良バンプ
のあったバンプ形成位置上に半田ボールを新たに載せる
手順と、 前記バンプ形成位置上に新たに載せられた半田ボールを
レーザ光により溶融させて仮止めする手順と、 前記仮止めされた半田ボールを溶融させ、冷却固化させ
てバンプを形成する手順とを有することを特徴とするリ
ペア方法。 - 【請求項７】 前記半田ボールの直径は１５０[μｍ]以
下であることを特徴とする請求項６に記載のリペア方
法。 - 【請求項８】 前記不良バンプを吸引除去することを特
徴とする請求項６に記載のリペア方法。 - 【請求項９】 ワークの複数のバンプ形成位置上にそれ
ぞれ搭載された半田ボールの搭載ミスをリペアするた
め、及び／又は、ワークの複数のバンプ形成位置上にそ
れぞれ搭載された半田ボールを溶融させ、冷却固化させ
て形成されたバンプの不良バンプをリペアするためのリ
ペア装置であって、 搭載ミス或いは不良バンプのあったバンプ形成位置上に
半田ボールを新たに載せる半田ボール載置手段と、 前記バンプ形成位置上に新たに載せられた半田ボールを
レーザ光により溶融させて仮止めするレーザ光照射手段
とを備えたことを特徴とするリペア装置。 - 【請求項１０】 前記半田ボール載置手段は、管部材の
先端から半田ボールを供給して前記搭載ミス或いは不良
バンプのあったバンプ形成位置上に新たに載せる構成と
され、前記レーザ光照射手段は、前記バンプ形成位置上
に新たに載せられた半田ボールの上方に前記管部材の内
側からレーザ光を照射する構成とされていることを特徴
とする請求項９に記載のリペア装置。 - 【請求項１１】 ワークの複数のバンプ形成位置上にそ
れぞれ搭載された半田ボールを溶融させ、冷却固化させ
て形成されたバンプの不良バンプをリペアするためのリ
ペア装置であって、 不良バンプをレーザ光により溶融させるレーザ光照射手
段と、 前記溶融させた不良バンプを吸引除去する吸引除去手段
とを備えたことを特徴とするリペア装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002111085A JP3822834B2 (ja) | 2002-04-12 | 2002-04-12 | リペア方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002111085A JP3822834B2 (ja) | 2002-04-12 | 2002-04-12 | リペア方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003309139A true JP2003309139A (ja) | 2003-10-31 |
| JP3822834B2 JP3822834B2 (ja) | 2006-09-20 |
Family
ID=29394030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002111085A Expired - Fee Related JP3822834B2 (ja) | 2002-04-12 | 2002-04-12 | リペア方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3822834B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340303A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR100558066B1 (ko) | 2004-05-14 | 2006-03-10 | 삼성전자주식회사 | 적층형 반도체 디바이스의 메탈 범프 리페어 장치 및 방법 |
| WO2008015853A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-02-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, and process and apparatus for manufacturing of electronic circuit |
| WO2008038482A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Ibiden Co., Ltd. | Production method and production equipment of printed wiring board |
| JP2008142775A (ja) * | 2007-11-29 | 2008-06-26 | Athlete Fa Kk | ボール供給装置及びボール振込装置 |
| JP2008153319A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Hitachi Plant Technologies Ltd | スクリーン印刷装置及びバンプ形成方法 |
| JP2009152286A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 導電性ボールの搭載方法及び余剰ボール除去装置 |
| JP2009177015A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Hitachi Plant Technologies Ltd | ハンダボール印刷装置 |
| JP2010010565A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Hitachi Plant Technologies Ltd | ハンダボール検査リペア装置およびハンダボール検査リペア方法 |
| JP7107601B1 (ja) | 2021-01-27 | 2022-07-27 | Ａｉメカテック株式会社 | バンプ形成装置、バンプ形成方法、ハンダボールリペア装置、及び、ハンダボールリペア方法 |
-
2002
- 2002-04-12 JP JP2002111085A patent/JP3822834B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100558066B1 (ko) | 2004-05-14 | 2006-03-10 | 삼성전자주식회사 | 적층형 반도체 디바이스의 메탈 범프 리페어 장치 및 방법 |
| JP4547187B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2010-09-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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| JP5098648B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2012-12-12 | イビデン株式会社 | プリント配線板の製造方法及び製造装置 |
| US7823762B2 (en) | 2006-09-28 | 2010-11-02 | Ibiden Co., Ltd. | Manufacturing method and manufacturing apparatus of printed wiring board |
| KR100972766B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2010-07-28 | 이비덴 가부시키가이샤 | 프린트 배선판의 제조 방법 및 제조 장치 |
| JP2008153319A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Hitachi Plant Technologies Ltd | スクリーン印刷装置及びバンプ形成方法 |
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| US8141770B2 (en) | 2007-12-19 | 2012-03-27 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Conductive ball mounting method and surplus ball removing apparatus |
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| JP2009177015A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Hitachi Plant Technologies Ltd | ハンダボール印刷装置 |
| JP2010010565A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Hitachi Plant Technologies Ltd | ハンダボール検査リペア装置およびハンダボール検査リペア方法 |
| JP7107601B1 (ja) | 2021-01-27 | 2022-07-27 | Ａｉメカテック株式会社 | バンプ形成装置、バンプ形成方法、ハンダボールリペア装置、及び、ハンダボールリペア方法 |
| KR20220108737A (ko) | 2021-01-27 | 2022-08-03 | 아이메카테크 가부시키가이샤 | 범프 형성 장치, 범프 형성 방법, 땜납 볼 리페어 장치, 및, 땜납 볼 리페어 방법 |
| JP2022114729A (ja) * | 2021-01-27 | 2022-08-08 | Ａｉメカテック株式会社 | バンプ形成装置、バンプ形成方法、ハンダボールリペア装置、及び、ハンダボールリペア方法 |
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|---|---|
| JP3822834B2 (ja) | 2006-09-20 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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