JP4053907B2 - フラックス供給方法及び装置、バンプ形成方法、コンピュータプログラム、並びにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウェハやプリント配線基板等のワーク上のバンプ形成部にフラックスを供給するフラックス供給方法及び装置、バンプ形成方法、コンピュータプログラム、並びにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体チップの電気的接続に半田ボール等の導電性ボールを使用したバンプ形成技術が用いられるようになっている。この場合、ウェハ上の多数のバンプ形成部に半田ボールを搭載し、これら半田ボールをリフローして溶融させ、冷却固化させてバンプを形成する。その後、ウェハを個々のチップに切断するダイシング工程を経て、バンプの形成された半導体チップが完成する。
【0003】
かかるバンプ形成技術にあって、ぬれ性を確保するために各バンプ形成部にフラックスを供給することは不可欠である。フラックスの供給方法としては、スタンプ転写方式やスクリーン印刷方式等が知られている。また、特許文献1には、ノズルからフラックスを滴状に吐出する技術が開示されている。
【0004】
【特許文献1】
国際公開第98/09487号パンフレット
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献1に開示されているフラックス吐出方式では、バンプ形成部にフラックスを均一に供給しにくいという問題がある。すなわち、ノズルからバンプ形成部の中心に向かってフラックスを吐出するので、バンプ形成部の中心付近ではフラックス量が多く、縁に近づくほどフラックス量が少なくなってしまう。
【0006】
また、上記特許文献1に開示されているフラックス吐出方式では、多数のバンプ形成部に一つ一つフラックスを吐出しなければならず、フラックス供給工程に時間がかかってしまう。
【0007】
図7に示すように、複数のノズル101aが並べられた供給ヘッド101を用いて複数のバンプ形成部102にフラックス103を同時供給することも考えられるが、その場合、ノズル101a間のピッチと、隣り合うバンプ形成部102の中心間距離とが一致していなければならない。そのため、この供給ヘッド101とバンプ形成部102の位置(配列パターンやピッチ)が異なる場合には対応することができないという不都合が生ずる。特に、ウェハの大径化が進む中においては、多数のバンプ形成部にフラックスを一括供給可能で、しかも、バンプ形成部の位置が異なる場合にも対応可能とすることが強く要求されている。
【0008】
このことは、例えばスタンプ転写方式等にあっても同様である。スタンプ転写方式では、転写ヘッドにフラックス転写位置(バンプ形成部の位置)に対応する複数の突起が設けられており、これら突起をウェハに接触させて、各突起に付着させておいたフラックスを転写する。しかしながら、フラックス転写位置が異なる場合には、そのフラックス転写位置に対応する突起を有する転写ヘッドを新たに用意しなければならないという不都合が生ずる。
【0009】
本発明は上記のような点に鑑みてなされたものであり、バンプ形成部にフラックスを均一に供給可能とすることを目的とし、更には、多数のバンプ形成部にフラックスを一括供給可能とし、しかも、バンプ形成部の位置が異なる場合にも容易に対応可能とすることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明のフラックス供給方法は、ワーク上のバンプ形成部にフラックスを供給するフラックス供給方法であって、所定ピッチで並べられた複数のフラックス吐出部を有するフラックス供給手段を用い、上記ワークと上記フラックス供給手段とを相対移動させながら、上記所定ピッチで並べられた複数のフラックス吐出部のうち上記バンプ形成部上部に位置する各フラックス吐出部からフラックスを吐出して、1つのバンプ形成部上の複数領域にそれぞれフラックスを供給する点に特徴を有する。
【0012】
本発明のバンプ形成方法は、上記本発明のフラックス供給方法によりワーク上のバンプ形成部にフラックスを供給する工程と、上記フラックスが供給されたバンプ形成部に半田ボールを搭載する工程と、上記各バンプ形成部に搭載された半田ボールを溶融させ、冷却固化させてバンプを形成する工程とを含む点に特徴を有する。
【0013】
本発明のフラックス供給装置は、ワーク上のバンプ形成部にフラックスを供給するフラックス供給装置であって、所定ピッチで並べられた複数のフラックス吐出部を有するフラックス供給手段と、上記ワークと上記フラックス供給手段とを相対移動させる移動手段と、上記ワークと上記フラックス供給手段とが相対移動する際に、上記所定ピッチで並べられた複数のフラックス吐出部のうち上記バンプ形成部上部に位置する各フラックス吐出部から、1つのバンプ形成部上の複数領域にフラックスを吐出するよう制御する制御手段とを備えた点に特徴を有する。
【0015】
本発明のコンピュータプログラムは、ワーク上のバンプ形成部にフラックスを供給するための処理をコンピュータに実行させるコンピュータプログラムであって、所定ピッチで並べられた複数のフラックス吐出部を有するフラックス供給手段を用いて、上記ワークと上記フラックス供給手段とを相対移動させながら、上記所定ピッチで並べられた複数のフラックス吐出部のうち上記バンプ形成部上部に位置する各フラックス吐出部から、1つのバンプ形成部上の複数領域にフラックスを吐出する処理を実行させる点に特徴を有する。
【0016】
本発明のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、上記本発明のコンピュータプログラムを格納した点に特徴を有する。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明のフラックス供給方法及び装置、バンプ形成方法、コンピュータプログラム、並びにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体の好適な実施の形態について説明する。
【0018】
まず、図1〜3を参照して、本実施の形態におけるバンプ形成の全体工程について説明する。図1は、本実施の形態におけるバンプ形成の全体工程を説明するためのフローチャートである。図2は、本実施の形態で用いられるバンプ形成システムの構成を示す図である。
【0019】
図1に示すように、ウェハ等のワーク1を受け取ったならば(ステップS101)、検査を行い(ステップS102)、必要であれば洗浄した後(ステップS103)、ワーク1上にバンプ形成部2として、スパッタ法、無電解メッキ法、電解メッキ法等により多数のバンプ下地金属(UBM:under bump metal)を形成する(ステップS104)。
【0020】
バンプ下地金属の形成後、検査を行ってから(ステップS105)、各バンプ形成部2(バンプ下地金属)上にフラックス3を供給する(ステップS106)。図2に示すように、ワーク1は搬送ラインLによりX軸方向に搬送されるが、その途中にフラックス供給装置50が配置されている。フラックス供給装置50は、図中Y軸方向に移動可能なフラックス供給ヘッド51を備えている。なお、このフラックス供給工程の詳細については後述する。
【0021】
続いて、半田ボール4を各バンプ形成部2上に搭載する(ステップS107)。図2に示すように、搬送ラインLにおいて上記フラックス供給装置50よりも下流側にはボール搭載装置60が配置されている。ボール搭載装置60は、図中Y−Z軸方向に移動可能なボール搭載ヘッド61を備えている。図3(a)に示すように、ボール搭載ヘッド61は、バンプ形成部2に対応する多数の吸着孔20aが形成された配列板20を有し、加振機62上のボールトレー14内で跳躍する半田ボール4を、吸引機構によって各吸着孔20aに吸着する。そして、図3(b)に示すように、半田ボール4を吸引配列した状態でボール搭載ヘッド61をワーク1上に移動させて、半田ボール4を各バンプ形成部2上にフラックス3の粘着力を利用して一括搭載する。
【0022】
上記のように半田ボール4を各バンプ形成部2上に搭載した後、半田ボール4の搭載ミスの有無について検査を行う(ステップS108)。この場合、図2に示すように、カメラ70により得られた画像情報から半田ボール4の搭載ミスの有無を検査すればよい。
【0023】
そして、搭載ミスがなければそのまま、搭載ミスがあれば半田ボール4を再搭載するリペア工程を経て(ステップS109)、半田ボール4をリフローして溶融させ、冷却固化させてバンプを形成する(ステップS110)。
【0024】
バンプ形成後、洗浄したならば(ステップS111)、不良バンプの有無について検査を行う(ステップS112)。上記のようにリフロー前に検査工程及びリペア工程(ステップS108、S109)を経ているので、不良バンプはほとんど存在しないが、例えばリフロー中に不良バンプが生じることもある。この場合も、カメラにより得られた画像情報から不良バンプの有無を検査すればよい。
【0025】
そして、不良バンプがなければそのまま一連の工程を終了し、不良バンプがあれば新たなバンプを形成するリペア工程を経て(ステップS109)、半田ボール4をリフローして溶融させ、冷却固化させてバンプを形成し(ステップS110)、不良バンプがなくなれば(ステップS111、S112)一連の工程を終了する。
【0026】
ここで、図2、4(a)に示すように、搬送ラインLの途中に配置されたフラックス供給装置50は、図中Y軸方向に移動可能なフラックス供給ヘッド51を備えている。フラックス供給ヘッド51は制御装置80の制御下にて駆動され、その位置が図示しないセンサによって検出されるようになっている。
【0027】
図4(b)に示すように、フラックス供給ヘッド51の下面には、X方向にピッチpで一列に並べられた複数のフラックス吐出ノズル52が配置されている。各フラックス吐出ノズル52からはフラックス3を微小な液滴として吐出可能であり、各フラックス吐出ノズル52からの吐出は制御装置80によりそれぞれ独立に制御される。
【0028】
フラックス吐出方式としては、圧電素子を用いて振動させ、フラックスを押し出す圧電方式等が挙げられる。すなわち、図5に示すように、フラックス供給ヘッド51内の適所、図5の例では各フラックス吐出ノズル52の内壁にフラックス3を加振する圧電素子53を設けておく。圧電素子53は制御装置80により制御され、フラックス吐出ノズル52内に充填されたフラックス3に内圧変化を起こさせて、微小な液滴として吐出する。また、この圧電方式以外にも、発熱素子を用いて熱を加え、泡を作ってフラックスを吹き出す方式等を用いてもかまわない。
【0029】
図4(b)に説明を戻して、多数のバンプ形成部2は、所定の配列パターン及びピッチでワーク1上に配置されている。各バンプ形成部2は略円形を呈し、その直径がRであるとする。
【0030】
この場合に、フラックス吐出ノズル52間のピッチpは、バンプ形成部2の直径Rより小さく設定される。
【0031】
以下、本実施の形態におけるフラックス供給工程について説明する。本実施の形態では、フラックス供給ヘッド51がワーク1上の1チップ分の幅に対応する大きさとされ、1列のチップ群(図4(a)の斜線部分)ごとにフラックス3を供給する。
【0032】
すなわち、搬送ラインLによりX軸方向に搬送されるワーク1上の対象列のチップ群がフラックス供給ヘッド51の位置に到達したら(図4(a)に示す状態)、搬送ラインLがいったん停止される。
【0033】
その状態で、ワーク1に対してフラックス供給ヘッド51を移動させながら(図中Y軸方向)、ピッチpで並べられた複数のフラックス吐出ノズル52のうちバンプ形成部2上部に位置する各フラックス吐出ノズル52からフラックス3を吐出する。
【0034】
図4(b)に示す例では、例えばフラックス供給ヘッド51がバンプ形成部2a上を通過するに際して、まず、フラックス供給ヘッド51がバンプ形成部2aの一端(図中左端)上部に位置した時点で、バンプ形成部2a上部に位置する3つのフラックス吐出ノズル52aからフラックス3を吐出している。続いて、フラックス供給ヘッド51がバンプ形成部2aの中央付近上部に位置した時点で、5つのフラックス吐出ノズル52bからフラックス3を吐出することを3回繰り返している。最後に、フラックス供給ヘッド51がバンプ形成部2aの他端(図中右端)上部に位置した時点で、3つのフラックス吐出ノズル52aからフラックス3を吐出している。
【0035】
また、図4(b)に示すように、バンプ形成部2aのX方向隣りには別のバンプ形成部2bが配置されている。フラックス供給ヘッド51がバンプ形成部2b上を通過するに際しても、同様に、フラックス供給ヘッド51の3つのフラックス吐出ノズル52aからフラックス3を吐出し、続いて5つのフラックス吐出ノズル52bからフラックス3を吐出することを3回繰り返し、最後に3つのフラックス吐出ノズル52aからフラックス3を吐出している。
【0036】
なお、フラックス3を厚く塗布したい場合には、フラックス3が既に供給されたバンプ形成部2上を、フラックス供給ヘッド51を再度通過させるように制御すればよい。
【0037】
以下、具体例について説明すると、例えば8インチウェハ上に616チップが形成され、1チップには25×25=625個のバンプ形成部2(すなわちバンプ下地金属2)が形成される。そして、図4(b)を参照して、バンプ下地金属2の直径Rが100μm、隣り合うバンプ下地金属2の中心間距離Lが250μmとされる一方、フラックス吐出ノズル52間のピッチpが20μmに設定されているとする。
【0038】
この場合、図6に示すように、バンプ下地金属2の図中左右両端の1列では3箇所にフラックス3を、バンプ下地金属2の図中中央付近の3列では5箇所にフラックス3を供給し、1つのバンプ下地金属2上で計21箇所の領域にそれぞれフラックス3を供給することになる。なお、図6に示すのは典型的な例であって、フラックス吐出ノズル52とバンプ下地金属2との位置関係によっては、例えばバンプ下地金属2の図中左右端で2箇所、中央付近で4箇所というようなこともあり得る。
【0039】
なお、図6に示すように、バンプ下地金属2端部の領域(図中斜線領域)では、フラックス3がバンプ下地金属2の縁からはみ出る可能性もあるが、僅かにはみ出す分には不都合はない。すなわち、バンプ下地金属2間の距離はフラックス吐出ノズル52間のピッチpに比べれば長い(本例ではフラックス吐出ノズル52間のピッチpが20μmであるのに対して、バンプ下地金属2間の距離は150μm(250μm−100μm))ことからも、隣り合うバンプ下地金属2間ではみ出したフラックス3同士が重なることはない。また、図中斜線領域にはフラックス3を供給しないようにフラックス吐出ノズル52を制御することも可能であるが、バンプ下地金属2の全面にフラックス3を塗布するという観点からいえば、はみ出してでもフラックス3を供給したほうが良いと考えられる。
【0040】
以上述べたように、1つのバンプ形成部2上の複数領域にそれぞれフラックス3を供給するので、各バンプ形成部2にフラックス3を均一に供給することができる。
【0041】
また、図4(b)からも理解されるように、複数のバンプ形成部2の配列パターンやピッチにかかわらず、微小なピッチpで並べられた複数のフラックス吐出ノズル52のうちバンプ形成部2上部に位置する各フラックス吐出ノズル52からフラックス3を吐出する制御を行えばよいので、多数のバンプ形成部2にフラックス3を一括供給することができ、しかも、バンプ形成部2の位置が異なる場合にも、その位置に応じた吐出制御を行えばよいので容易に対応することができる。
【0042】
(他の実施の形態)
上記実施の形態で説明した制御装置80は、コンピュータのCPU或いはMPU、RAM、ROM、RAM等で構成されるものであり、上述のようにRAMやROM等に記憶されたプログラムが動作することによって実現される。
【0043】
したがって、プログラム自体が上述した実施の形態の機能を実現することになり、本発明を構成する。プログラムの伝送媒体としては、プログラム情報を搬送波として伝搬させて供給するためのコンピュータネットワーク(LAN、インターネット等のWAN、無線通信ネットワーク等)システムにおける通信媒体(光ファイバ等の有線回線や無線回線等)を用いることができる。
【0044】
さらに、上記プログラムをコンピュータに供給するための手段、例えばかかるプログラムを格納した記憶媒体は本発明を構成する。かかる記憶媒体としては、例えばフレキシブルディスク、ハードディスク、光ディスク、光磁気ディスク、CD−ROM、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ROM等を用いることができる。
【0045】
なお、上記実施の形態において示した各部の形状及び構造は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその精神、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【0046】
例えば、上記実施の形態では、バンプ形成部2としてワーク1(ウェハ)上にバンプ下地金属が形成されている例を説明したが、例えばワーク1がプリント配線基板等であれば、バンピングに際して下地金属が不要な場合もあり、この場合はプリント配線基板上のバンピングすべき電極がそのままバンプ形成部2となる。
【0047】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、1つのバンプ形成部上の複数領域にそれぞれフラックスを供給するので、各バンプ形成部にフラックスを均一に供給することができる。更には、所定ピッチで並べられた複数のフラックス吐出部のうちバンプ形成部上部に位置する各フラックス吐出部からフラックスを吐出するようにすれば、多数のバンプ形成部にフラックスを一括供給することができ、しかも、バンプ形成部の位置が異なる場合にも容易に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施の形態におけるバンプ形成の全体工程について説明するためのフローチャートである。
【図2】本実施の形態で用いられるバンプ形成システムの構成を示す図である。
【図3】ボール搭載工程を説明するための図である。
【図4】フラックス供給装置50を示す図であり、(a)がフラックス供給装置50の全体構成を示す図、(b)が1チップの拡大図である。
【図5】フラックス吐出ノズル52の一例を示す図である。
【図6】バンプ形成部2とフラックス供給領域との関係を表す図である。
【図7】従来のフラックス供給方法を説明するための図である。
【符号の説明】
1 ワーク
2 バンプ形成部
3 フラックス
4 半田ボール
50 フラックス供給装置
51 フラックス供給ヘッド
52 フラックス吐出ノズル
60 ボール搭載装置
80 制御装置
Claims (6)
- ワーク上のバンプ形成部にフラックスを供給するフラックス供給方法であって、
所定ピッチで並べられた複数のフラックス吐出部を有するフラックス供給手段を用い、
上記ワークと上記フラックス供給手段とを相対移動させながら、上記所定ピッチで並べられた複数のフラックス吐出部のうち上記バンプ形成部上部に位置する各フラックス吐出部からフラックスを吐出して、
1つのバンプ形成部上の複数領域にそれぞれフラックスを供給することを特徴とするフラックス供給方法。 - 上記バンプ形成部は略円形とされ、上記所定ピッチが上記バンプ形成部の直径より小さく設定されることを特徴とする請求項1に記載のフラックス供給方法。
- 請求項1又は2に記載のフラックス供給方法によりワーク上のバンプ形成部にフラックスを供給する工程と、
上記フラックスが供給されたバンプ形成部に半田ボールを搭載する工程と、
上記各バンプ形成部に搭載された半田ボールを溶融させ、冷却固化させてバンプを形成する工程とを含むことを特徴とするバンプ形成方法。 - ワーク上のバンプ形成部にフラックスを供給するフラックス供給装置であって、
所定ピッチで並べられた複数のフラックス吐出部を有するフラックス供給手段と、
上記ワークと上記フラックス供給手段とを相対移動させる移動手段と、
上記ワークと上記フラックス供給手段とが相対移動する際に、上記所定ピッチで並べられた複数のフラックス吐出部のうち上記バンプ形成部上部に位置する各フラックス吐出部から、1つのバンプ形成部上の複数領域にフラックスを吐出するよう制御する制御手段とを備えたことを特徴とするフラックス供給装置。 - ワーク上のバンプ形成部にフラックスを供給するための処理をコンピュータに実行させるコンピュータプログラムであって、
所定ピッチで並べられた複数のフラックス吐出部を有するフラックス供給手段を用いて、上記ワークと上記フラックス供給手段とを相対移動させながら、上記所定ピッチで並べられた複数のフラックス吐出部のうち上記バンプ形成部上部に位置する各フラックス吐出部から、1つのバンプ形成部上の複数領域にフラックスを吐出する処理を実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。 - 請求項5に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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