JP2005340303A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 まず、半導体基板に複数のバンプ電極を形成した後(S101〜S106)、水と窒素ガスの混合物をノズルから勢いよく噴射する。すなわち、霧状になった水を勢いよく複数のバンプ電極に噴きつける(ミストジェット方式)(S107)。これにより、接着力が弱く脱落不良となりやすいバンプ電極を加速的に除去する。続いて、半導体基板に形成されたバンプ電極の有無について自動外観検査装置を使用して検査する(S108)。その後、プローブ検査(S109)および半導体基板の裏面研削(バックグラインド)を行う(S110)。そして、半導体基板をダイシングによりチップに個片化した後(S111)、良品だけをトレイに格納して(S112)出荷する(S113)。
【選択図】 図1
Description
図1は、本実施の形態1における半導体装置の製造工程の流れを示したフローチャートである。このフローチャートは、半導体基板上にMISFETおよび多層配線を形成した後に行われるバンプ電極の形成およびその後の工程を説明した図である。すなわち、図1は、半導体基板上に表面保護膜(パッシベーション膜)を形成し、最上層配線上に形成されている表面保護膜を除去して最上層配線の上部を開口した後の工程について説明した図である。
前記実施の形態1では、接着力の弱いバンプ電極を加速的に除去する手段として、水と窒素ガスの混合物をバンプ電極に噴き付けるミストジェット方式を使用したが、本実施の形態2では、接着力の弱いバンプ電極を加速的に除去する手段として、粘着性シートを使用する例について説明する。
前記実施の形態1および前記実施の形態2では、自動外観検査装置による検査工程の前に、脱落しやすいバンプ電極を加速的に除去する工程を設けていた。しかし、本実施の形態3では、特に、脱落しやすいバンプ電極を加速的に除去する工程を他の工程と兼ねることで、製造工程における工程の増加を避け、製造コストの低減を図ることができる一例について説明する。
本実施の形態4では、脱落しやすいバンプ電極を加速的に除去する工程を設けることなく、自動外観検査装置による検査工程の後に発生する不良を低減できる一例について説明する。
2 素子分離領域
3 p型ウェル
4 n型ウェル
5 ゲート絶縁膜
6 ポリシリコン膜
7a ゲート電極
7b ゲート電極
8 低濃度n型不純物拡散領域
9 低濃度n型不純物拡散領域
10 低濃度p型不純物拡散領域
11 低濃度p型不純物拡散領域
12 サイドウォール
13 高濃度n型不純物拡散領域
14 高濃度n型不純物拡散領域
15 高濃度p型不純物拡散領域
16 高濃度p型不純物拡散領域
17 コバルトシリサイド膜
18 絶縁膜
19 コンタクトホール
20a チタン/窒化チタン膜
20b タングステン膜
21 プラグ
22a チタン/窒化チタン膜
22b アルミニウム膜
22c チタン/窒化チタン膜
23 配線
30 絶縁膜
31a 配線
31b 配線
31c 配線
31d 配線
32 表面保護膜
33 UBM膜
34 レジスト膜
35 金膜
36a バンプ電極
36b バンプ電極
36c バンプ電極
36d バンプ電極
37 ノズル
38 粘着性シート
39 研磨機
40 粘着性シート
Claims (9)
- (a)半導体基板に複数のバンプ電極を形成する工程と、
(b)前記(a)工程後、前記複数のバンプ電極のうち、不良バンプ電極の脱落を加速する工程と、
(c)前記(b)工程後、前記複数のバンプ電極の有無を検査する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)半導体基板に複数のバンプ電極を形成する工程と、
(b)前記(a)工程後、前記複数のバンプ電極の個々に引き剥がし力を付加する工程と、
(c)前記(b)工程後、前記複数のバンプ電極の有無を検査する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)半導体基板に複数のバンプ電極を形成する工程と、
(b)前記(a)工程後、気体あるいは液体あるいは気体と液体の混合物あるいはバンプ電極の直径よりも粒径の小さな固体を前記複数のバンプ電極に向かって噴射する工程と、
(c)前記(b)工程後、前記複数のバンプ電極の有無を検査する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3記載の半導体装置の製造方法であって、
前記複数のバンプ電極のそれぞれは、電極下地膜を電極とした電界めっき法を用いて形成されたものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)半導体基板に複数のバンプ電極を形成する工程と、
(b)前記(a)工程後、窒素ガスと水の混合物を前記複数のバンプ電極に向かって噴射する工程と、
(c)前記(b)工程後、前記複数のバンプ電極の有無を検査する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)半導体基板に複数のバンプ電極を形成する工程と、
(b)前記(a)工程後、ミストジェット方式を用いて液体と気体の混合物を前記複数のバンプ電極に向かって噴射する工程と、
(c)前記(b)工程後、前記複数のバンプ電極の有無を検査する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)半導体基板に複数のバンプ電極を形成する工程と、
(b)前記(a)工程後、粘着性テープを前記複数のバンプ電極に貼り付けた後、貼り付けた前記粘着性テープを引き剥がす工程と、
(c)前記(b)工程後、前記複数のバンプ電極の有無を検査する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)半導体基板に複数のバンプ電極を形成する工程と、
(b)前記(a)工程後、前記複数のバンプ電極上に粘着性シートを貼る工程と、
(c)前記(b)工程後、前記半導体基板の面のうち、前記複数のバンプ電極を形成した面とは反対側の面を研削する工程と、
(d)前記(c)工程後、前記複数のバンプ電極から前記粘着性シートを剥がす工程と、
(e)前記(d)工程後、前記複数のバンプ電極の有無を検査する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (a)半導体基板に複数のバンプ電極を形成する工程と、
(b)前記(a)工程後、前記複数のバンプ電極上に粘着性シートを貼る工程と、
(c)前記(b)工程後、前記半導体基板の面のうち、前記複数のバンプ電極を形成した面とは反対側の面を研削する工程と、
(d)前記(c)工程後、前記複数のバンプ電極上に貼った前記粘着性シートを剥がす工程と、
(e)前記(d)工程後、前記半導体基板を個々のチップに個片化する工程と、
(f)前記(e)工程後、前記複数のバンプ電極の有無を検査する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2002261111A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置及びバンプ形成方法 |
JP2003309139A (ja) * | 2002-04-12 | 2003-10-31 | Nippon Steel Corp | バンプ形成方法、リペア方法及び装置 |
JP2004128368A (ja) * | 2002-10-07 | 2004-04-22 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の外観検査方法 |
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