JP5256432B1 - フルブリッジ電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】制御部30は、スイッチ素子11〜14のオン・オフ動作を制御する制御信号をスイッチ素子毎に生成して、スイッチ素子11とスイッチ素子12とを交互に、また、スイッチ素子13とスイッチ素子14とを交互にオン・オフさせて、フルブリッジ回路10から負荷3へ供給する供給電流を出力させ、供給電流が出力されない期間に、スイッチ素子11及びスイッチ素子13を共にオン状態としてインダクタ16,17に蓄えられたエネルギーを放出させて慣性電流を流し、フィルタコンデンサ19,20は、インダクタ16と出力コンデンサ18とを接続する出力ライン及びインダクタ17と出力コンデンサ18とを接続する出力ラインに生じるコモンモードノイズ成分の電荷を吸収する。
【選択図】図1
Description
フルブリッジ回路110は、4つのスイッチ素子S1〜S4を備えている。スイッチ素子S1とスイッチS2は直列接続されており、また、スイッチ素子S3とスイッチ素子S4は直列接続されている。
絶縁電源102は、直流電力を出力する電源装置であり、電力の出力端子は絶縁出力になっており、この出力端子とアースの間にYコンデンサCyが接続されている。
スイッチ素子S2とスイッチ素子S4の接続点は、フルブリッジ電力変換装置101の他の入力端子に接続されている。
また、スイッチ素子S1とスイッチ素子S2の接続点にはインダクタ112の一端が接続されており、スイッチ素子S3とスイッチ素子S4の接続点にはインダクタ113の一端が接続されている。
インダクタ112の他端とインダクタ113の他端の間には出力コンデンサ114が接続されており、この出力コンデンサ114の両端にはフルブリッジ電力変換装置101の出力端子が接続されている。
絶縁電源102から直流電圧が供給されると、フルブリッジ電力変換装置101は電位的に浮いているフローティングで電力を負荷103に出力する。このとき、フルブリッジ回路110の各スイッチ素子がオン・オフ動作を繰り返し、このスイッチング動作によって負荷103へ出力される電圧電流の値や極性が制御可能となる。
特に入力側には、直流の出力電流と同じ実効値を有する非常に大きなリップル電流が発生するため、コンデンサの並列数が増大することになり、装置が大型化しコストも大きくなるという問題点があった。
上記の問題点を解決するためにフルブリッジ回路をコモンモードで動作させる技術があるが、このように動作した場合には大きなコモンモードノイズが発生するため、入力側に接続される絶縁電源の絶縁性能を高め、Yコンデンサ等を高インピーダンスにする必要性がある。しかしながら、高インピーダンスとした場合には逆に絶縁電源の内部で発生するノイズを助長することになり、現実的な解決手段ではない。結局、大きなリップル電流に対処する場合には、出力電力をフローティングで使用することが唯一の有効な方法になり、大地アースに接続することができなくなるという問題点があった。
上記のフルブリッジ回路の出力電圧を、コモンモード(対大地間電圧)として観測すると、フルブリッジ回路の2つの出力ラインの電圧は、それぞれ方形波になっており、この回路に入力される直流電圧値の振幅を有している。
上記のフルブリッジ回路は、一般的な2レベル出力を行うように、対称性のあるスイッチング動作を行っており、2つの出力ラインに生じるそれぞれの電圧は逆相となって遷移する。そのため、2つの出力ライン間のコモンモード電圧は、互いに打ち消し合うことになって発生が抑えられている。
コモンモード動作では、意図的に対称性を崩してフルブリッジ回路を動作させていることから、必然的にコモンモード電圧が発生する。コモンモード電圧は、前述のようにフルブリッジ回路の入力電圧に相当する振幅を有しているため、出力電圧のノイズとして考えた場合には、非常に大きな値を有している。
コモンモード電圧は、高周波ノイズに比べて低い周波数で遷移するため、フルブリッジ回路の出力ラインに設けたインダクタンスのみによって減少させることは難しい。
また、発生したコモンモード電圧は、前述のように振幅が大きく、大きな電力エネルギーが変動するため出力ラインから他の電流路へ伝搬し、例えば出力端子などに接続されるYコンデンサの接地点から筐体グランドへ侵入し、装置各部の大地間電圧に含まれるコモンモードノイズとなってしまう。
本発明のフルブリッジ電力変換装置は、3レベル出力において発生するコモンモードノイズを減少させるためにフィルタコンデンサを備えている。
(実施例)
図1は、この発明の実施例によるフルブリッジ電力変換装置の概略構成を示す回路図である。図示したフルブリッジ電力変換装置1は、4つのスイッチ素子11〜14を用いて構成したフルブリッジ回路10を備えており、フルブリッジ回路10の入力点に絶縁電源2を接続している。
4つのスイッチ素子11〜14は、例えばパワーMOSFET等であり、十分な電流容量や適当なスイッチング特性を有するバイポーラトランジスタやIGBTなどを用いてもよい。
また、フルブリッジ回路10は、スイッチ素子11のスイッチ接点の第1端子とスイッチ素子13のスイッチ接点の第1端子とを接続している。ここでは、この接続点をフルブリッジ回路10の第1接続点とする。
また、フルブリッジ回路10は、スイッチ素子12のスイッチ接点の第1端子とスイッチ素子14のスイッチ接点の第1端子とを接続しており、ここでは、この接続点をフルブリッジ回路10の第2接続点とする。
第1接続点には、入力コンデンサ15の一端と絶縁電源2の第1出力端子が接続されている。第2接続点には、入力コンデンサ15の他端と絶縁電源2の第2出力端子が接続されている。
第3接続点には、インダクタ16の一端が接続されている。第4接続点にはインダクタ17の一端が接続されている。インダクタ16の他端には出力コンデンサ18の一端が接続され、インダクタ17の他端には出力コンデンサ18の他端が接続されている。
第2接続点には、フィルタコンデンサ20の一端が接続され、インダクタ17と出力コンデンサ18の接続点にはフィルタコンデンサ20の他端が接続されている。
出力コンデンサ18とフィルタコンデンサ19との接続点は、フルブリッジ電力変換装置1の第1出力端子になり、出力コンデンサ18とフィルタコンデンサ20との接続点は、フルブリッジ電力変換装置1の第2出力端子になる。第1出力端子と第2出力端子との間には、例えば負荷3が接続される。
また、絶縁電源2は、上記の第1出力端子と第2出力端子との間を接続するYコンデンサCyを備えている。YコンデンサCyは、二つの平滑コンデンサを直列接続させたもので、その中間点を(フレームグランドとして)大地に電気接続して0[V]に固定している。
スイッチ素子11〜14の各ゲートは、制御部30に各々接続される。
スイッチ素子11〜14は、ドレイン・ソース間、即ち接点間に寄生ダイオードを有しており、後述する慣性電流が流れるとき、当該寄生ダイオードではリカバリー特性などが不足する場合には、適当な定格のダイオードが各スイッチ素子の接点間に接続される。
負荷3は、例えば、蓄積電力の使用後に充電を行い、繰り返し使用が可能な二次電池であり、具体的には車両用、ESS(エネルギー貯蔵システム)用などのバッテリーセル、バッテリーモジュール、バッテリーパック等である。
また、負荷3として、他の装置の直流バスなどがフルブリッジ電力変換装置1に接続される。
図2は、図1のフルブリッジ電力変換装置の各スイッチ素子の動作を示す説明図である。この図は、図1のフルブリッジ回路10の動作例を示したもので、スイッチ素子11をQ1、スイッチ素子12をQ2、スイッチ素子13をQ3、スイッチ素子14をQ4として表し、これらスイッチ素子の動作タイミングを示したタイミングチャートである。図中、ハイレベルを示している期間がオン状態、ローレベルを示している期間がオフ状態である。
図2(a)は、各スイッチ素子11〜14(Q1〜Q4)のオンデューティを50%とした場合を示している。
図2(c)は、スイッチ素子11(Q1)のオンデューティを50%よりも小さくした場合の各スイッチ素子の動作を示している。詳しくは、上記のスイッチ素子11(Q1)と共にスイッチ素子14(Q4)のオンデューティを50%よりも小さくし、スイッチ素子12(Q2)とスイッチ素子13(Q3)のオンデューティを50%よりも大きくした場合の動作を示している。
デッドタイムは、例えば図2(a)においては、スイッチ素子12(Q2)をオフ状態へ遷移させた後、スイッチ素子11(Q1)をオン状態へ遷移させるために付加する遅延時間であり、スイッチ素子のスイッチングスピードが起因となって、直列接続された2つのスイッチ素子がともにオン状態になることを防ぐために設けられている。
なお、デッドタイムは、本実施例におけるフルブリッジ回路10のスイッチング動作にも設けられているが、本発明の特徴となるスイッチング動作を表した場合には微小な時間になるため、図2等の各図には示されていない。また、この動作説明ではデッドタイムに着目することを省略する。
なお、スイッチ素子11(Q1)とスイッチ素子12(Q2)が共にオン状態となる期間と、スイッチ素子13(Q3)とスイッチ素子14(Q4)が共にオン状態となる期間は存在しない。また、負荷3へ電力を供給する目的などに応じて、図2(b)に示したスイッチング動作のみを行う場合、図2(c)に示したスイッチング動作のみを行う場合、また図2(b)と図2(c)のスイッチング動作を組み合わせて行う場合などがある。
フルブリッジ回路10が絶縁電源2から入力した電力を伝達するには、例えば図2(b)または図2(c)に示したように、スイッチ素子11,12(Q1,Q2)と、スイッチ素子13,14(Q3,Q4)との間において、オンからオフへの遷移タイミング、またはオフからオンへの遷移タイミングのいずれか、あるいは全ての遷移タイミングが同期しないように各スイッチ素子を動作させる。
また、このスイッチング動作では、スイッチ素子11(Q1)およびスイッチ素子13(Q3)のオフ状態からオン状態へ遷移するタイミングを同期させ、さらにスイッチ素子12(Q2)およびスイッチ素子14(Q4)のオン状態からオフ状態へ遷移するタイミングを同期させている。
制御部30は、上記のように正電圧を出力する場合には、スイッチ素子11(Q1)のオンデューティをスイッチ素子13(Q3)のオンデューティよりも大きくし、後述する負電圧を出力する場合には逆に小さくする。
例えば、各スイッチ素子にnチャネルMOSFETを使用し、絶縁電源2から出力される高電位側電圧をスイッチ素子11(Q1)とスイッチ素子13(Q3)の接続点(第1接続点)に印加し、また絶縁電源2から出力される低電位側電圧を、スイッチ素子12(Q2)とスイッチ素子14(Q4)の接続点(第2接続点)に印加した場合、図2(b)に示した“伝達期間”のように各スイッチ素子がオン・オフしているときには、スイッチ素子11(Q1)のドレイン側から当該スイッチ素子11(Q1)とスイッチ素子12(Q2)の接続点(フルブリッジ回路10の第3接続点)へ電流が流れ、インダクタ16を介して負荷3へ供給電流が流れる。また、負荷3から帰還する電流がインダクタ17を介してスイッチ素子13(Q3)とスイッチ素子14(Q4)の接続点(フルブリッジ回路10の第4接続点)へ流れ込み、さらに当該スイッチ素子14(Q4)のソース側へ流れる。
また、スイッチ素子11(Q1)およびスイッチ素子13(Q3)のオフ状態からオン状態へ遷移するタイミングを同期させ、さらにスイッチ素子12(Q2)およびスイッチ素子14(Q4)のオン状態からオフ状態へ遷移するタイミングを同期させている。
制御部30は、上記のように各スイッチ素子のスイッチング動作を制御するとき、スイッチ素子13(Q3)のオンデューティを、スイッチ素子11(Q1)のオンデューティよりも大きくしている。このとき、出力電圧は負電圧となる。
上記のように、スイッチ素子11(Q1)とスイッチ素子13(Q3)の接続点に絶縁電源2から出力される高電位側電圧を印加し、またスイッチ素子12(Q2)とスイッチ素子14(Q4)の接続点に低電位側の電圧を印加している場合、図2(c)に示した“伝達期間”のように各スイッチ素子がオン・オフしているときには、スイッチ素子13(Q3)のドレイン側から当該スイッチ素子13(Q3)とスイッチ素子14(Q4)の接続点(フルブリッジ回路10の第4接続点)へ電流が流れ、この接続点からインダクタ17を介して負荷3へ供給電流が流れる。また、負荷3から帰還する電流がインダクタ16を介してスイッチ素子11(Q1)とスイッチ素子12(Q2)の接続点(フルブリッジ回路10の第3接続点)へ流れ込み、さらに当該スイッチ素子12(Q2)のソース側へ流れる。
図2(b)に示した動作では、上記の慣性電流は、インダクタ16から負荷3へ流れ、当該負荷3からインダクタ17を介してオン状態のスイッチ素子13(Q3)へ流れ、さらにスイッチ素子13(Q3)からオン状態のスイッチ素子11(Q1)を介してインダクタ16へ流れる。
また、図2(c)に示した動作では、上記の慣性電流はインダクタ17から負荷3へ流れ、当該負荷3からインダクタ16を介してオン状態のスイッチ素子11(Q1)へ流れ、さらにスイッチ素子11(Q1)からオン状態のスイッチ素子13(Q3)を介してインダクタ17へ流れる。
図3に示した各状態は、ハイレベルの部分がオン状態を表し、ローレベルの部分がオフ状態を表している。
また、例えば、状態遷移Aはスイッチ素子11(Q1)のオン・オフ動作を表し、状態遷移Bはスイッチ素子13(Q3)のオン・オフ動作を表している。
図3(a)に例示したスイッチング動作は、各スイッチ素子がオン状態からオフ状態へ遷移する際、またはオフ状態からオン状態へ遷移する際に生じる遅延時間(前述のデッドタイム)は微小であり、「0」とみなしてよい程度である。ここで、状態遷移Aの中でローレベルになっている期間と、状態遷移Bの中でハイレベルになっている期間をそれぞれTmとしたとき、期間Tdを「0」とみなすことにより、ドライブ重なり率RdはTd/Tm=0になり、インダクタ16,17による慣性電流が流れる期間は生じない。
図3(b)は、この実施例によるフルブリッジ回路10のスイッチング動作の一例を示している。図3(a)と同様に、図3(b)の状態遷移Aは例えばスイッチ素子11(Q1)の動作パターンを表すもので、状態遷移Bはスイッチ素子13(Q3)の動作パターンを表すものである。
このように絶縁電源2の出力電圧をスイッチングして電流を出力する期間を抑えてリップル成分の大きさを抑制し、また、電流出力を行わない期間に慣性電流を流し、負荷3へ流れ込む直流電流を維持する。
また、電流が出力されるオンデューティを“D”としたとき、ドライブ重なり率Rdを100%(Td=Tm)とした動作では、リップル電流の実効値IrmsはI×(1−2D)に比例したものになる。
このように、Rd=50〜100%となるスイッチング動作により、リップル電流を効果的に減少させることができる。
また、入力コンデンサ15(平滑コンデンサ)においては、従来のようにRd=0%で動作するとリップル耐量が360[A]必要となる場合でも、Rd=100%で動作させることにより、36[A]程度のリップル耐量を有するものでも使用することが可能になる。
フルブリッジ回路10がリップル電流を抑えるように動作し、フルブリッジ回路10の出力点間の電位差が無くなった状態においても、当該出力点はフレームグランドに対して正または負の電圧を有している。具体的には、例えばスイッチ素子11とスイッチ素子13がともにオン状態になったとき、スイッチ素子11,13には絶縁電源2から出力される高電位側の電圧が印加されている。そのため、フルブリッジ回路10の第3接続点と第4接続点にはコモンモード電圧が生じる。
コモンモード電圧(V1+V2)/2は、各スイッチ素子のオン・オフ動作によって発生するノイズの大きさを示しており、このノイズを含むコモンモードノイズは、フルブリッジ回路10の第1出力点と第2出力点との間が接続された状態において、インダクタ16とフルブリッジ電力変換装置1の第1出力端子との間の出力ラインと、インダクタ17とフルブリッジ電力変換装置1の第2出力端子との間の出力ラインに存在する。
フルブリッジ電源力変換装置1の出力ラインに発生したコモンモードノイズは、当該装置の図示を省略した電源回路の接地部位や筐体のフレームグランド接続等を介して、絶縁電源2のACアース、例えば絶縁電源2のYコンデンサの接地点から当該絶縁電源2の回路へ侵入し、絶縁電源2の出力端子からフルブリッジ電力変換装置1の入力側へ回りこんで上記の出力ライン上で増大する。
そこで、出力ラインに生じたコモンモードノイズを、フィルタコンデンサCFとチョークが構成するローパスフィルタによって抽出し、当該フィルタコンデンサCFへ吸収する。
コモンモードノイズの大きさは、前述のように(V1+V2)/2で表すことができ、この電力エネルギーは、フルブリッジ電力変換装置1が負荷電流360[A]、出力電圧0[V](インダクタンスが最小の場合)となるように動作するとき、当該フルブリッジ電力変換装置1への入力電圧Vinをデューティ比50%で出力する状態に相当する。
コモンモードノイズを含む電流(フルブリッジ回路10から、例えばインダクタ16を介して出力される電流)をIとしたとき、その電流波形は三角波状になっている。この波形の傾きはdI/dt=Vin/2Lで表され、その振幅Ippは、
Ipp=(dI/dt)×(1/2f)
=Vin/(4fL)
で表される。フィルタコンデンサ19,20にそれぞれ蓄積される電荷Qは、上記の電流波形の三角波一つ分(1/2周期分)の面積であり、
Q=(Ipp/2)×(1/(2f))×(1/2)
として求めることができ、
Q=Vin/(32Lf^2)
と表すことができる。なお、上記のLはインダクタ16ならびにインダクタ17の各インダクタンス、fはコモンモードノイズ成分の任意の周波数(例えばフルブリッジ回路10のスイッチング周波数)である。また、電荷Qは、上記のコモンモードノイズ成分を形成する電荷である。
Vpp=Q/C
であることから、コモンモードノイズの電圧振幅を電圧ピークトゥピーク値Vppにするために必要なフィルタコンデンサ19,20の容量Cfは、
Cf=Q/Vpp
で表される。コモンモードノイズの大きさ(電圧振幅)をVpp以下に抑えるときには、フィルタコンデンサ19,20の容量Cfは、Q/Vpp以上の大きさが必要になる。換言すると、フィルタコンデンサ19,20は、少なくともQ/Vppの容量を備えることにより、コモンモードノイズの周波数fの成分を電圧ピークトゥピーク値Vppまで小さくすることができる。
コモンモードノイズの電圧振幅を例えば1000分の1程度に抑えるためには、各フィルタコンデンサ19,20は電荷Qの約1000倍の容量を備える必要がある。
上記の一例において、フィルタコンデンサ19の両端電圧、即ち、コモンモードノイズの電圧ピークトゥピーク値を1[mV]程度に減少させるためには、フィルタコンデンサ19の容量は15000[μF]以上が必要になる。このとき、フィルタコンデンサ19に流れる電流は、156[μC]×2f=6[A]になる。
なお、フルブリッジ電力変換装置1に接続される負荷3の種類や、フルブリッジ電力変換装置1の出力電力の使用目的などにより、当該装置の出力電力に含まれるコモンモードノイズの許容できる大きさが定められる。フィルタコンデンサ19,20は、このような負荷3の種類や使用目的などに応じた許容大きさに、コモンモードノイズを低減する容量を備えている。
また、コモンモードノイズには、前述のスイッチング動作による電圧変動の他、様々な要因によって発生する高周波成分も含まれることから、当該高周波成分に対応する容量のコンデンサを含めてフィルタコンデンサ19,20を構成する。
フルブリッジ回路10の第3接続点とフルブリッジ電力変換装置1の第1出力端子との間の出力ラインに生じるコモンモードノイズは、フィルタコンデンサ19を含むローパスフィルタによってフィルタリングされ、第1出力端子に流れる電流はコモンモードノイズが抑制された安定したものになる。
また、フルブリッジ回路10の第4接続点とフルブリッジ電力変換装置1の第2出力端子との間の出力ラインに生じるコモンモードノイズは、フィルタコンデンサ20を含むローパスフィルタによってフィルタリングされ、第2出力端子に流れる電流もコモンモードノイズが抑制された安定したものになる。
この期間中は、フルブリッジ電源力変換装置1の出力ラインに絶縁電源2の片側の出力端子のみが接続された状態になり、絶縁電源2へ帰還する電流がなくなる。そのため、出力ラインには、絶縁電源2の片側の出力端子から印加される電圧によって電力エネルギーが蓄積し、当該出力ラインに大きなコモンモードノイズが生じる。
フルブリッジ電力変換装置1は、フルブリッジ回路10の2つの出力点を接続して慣性電流を流すときに、出力ラインに滞留する電力エネルギーをフィルタコンデンサ19,20に吸収させ、リップル電流を小さくするように動作したときに大きくなるコモンモードノイズを低減している。
また、フルブリッジ回路10の入力側に発生するリップル電流を小さく抑えることができ、リップル耐量の小さい入力コンデンサ15を使用することが可能になり、さらには周辺回路のコストの抑制、電力ロスの低減による効率化、装置の小型化などを図ることができる。
特に、ドライブ重なり率Rdを50%以上に設定してフルブリッジ回路10を動作させたときには、リップル電流とともにコモンモードノイズを抑制した高い精度の電力を出力することができる。
2絶縁電源
3負荷
10フルブリッジ回路
11〜14スイッチ素子
15入力コンデンサ
16,17インダクタ
18出力コンデンサ
19,20フィルタコンデンサ
30制御部
Claims (2)
- 第1スイッチ素子の一端と第2スイッチ素子の一端とを直列接続し、第3スイッチ素子の一端と第4スイッチ素子の一端とを直列接続し、前記直列接続された第1及び第2スイッチ素子と前記直列接続された第3及び第4スイッチ素子とを並列接続してなるフルブリッジ回路と、
前記第1スイッチ素子から前記第4スイッチ素子のオン・オフ動作を各々制御する制御部と、
前記第1スイッチ素子の他端と第3スイッチ素子の他端とを接続する第1接続点、及び、前記第2スイッチ素子の他端と第4スイッチ素子の他端とを接続する第2接続点、の間に接続された入力コンデンサと、
前記第1スイッチ素子の一端と第2スイッチ素子の一端とを接続する第3接続点に一端を接続する第1インダクタと、
前記第3スイッチ素子の一端と第4スイッチ素子の一端とを接続する第4接続点に一端接続する第2インダクタと、
前記第1インダクタの他端と前記第2インダクタの他端との間に接続する出力コンデンサと、
前記第1インダクタの他端と前記第1接続点との間に接続する第1フィルタコンデンサと、
前記第2インダクタの他端と前記第2接続点との間に接続する第2フィルタコンデンサと、
を備え、
前記入力コンデンサの両端に直流電圧を出力する電源が接続され、前記出力コンデンサの両端に負荷が接続されたとき、
前記制御部は、
各スイッチ素子のオン・オフ動作を制御する制御信号をスイッチ素子毎に生成して、
前記第1スイッチ素子と第2スイッチ素子とを交互にオン・オフさせると共に前記第3スイッチ素子と第4スイッチ素子とを交互にオン・オフさせて、前記フルブリッジ回路から前記負荷へ供給する供給電流を出力させ、
前記供給電流が出力されない期間に、前記第1スイッチ素子及び第3スイッチ素子を共にオン状態とし、前記第2スイッチ素子及び第4スイッチ素子を共にオフ状態として前記第3接続点と第4接続点との間を接続し、前記第1及び第2インダクタに蓄えられたエネルギーを放出させて慣性電流を流し、
前記第1スイッチ素子と前記第3スイッチ素子のうちで、オン状態となる時間幅が狭い方の該時間幅をTm、オン状態の時間幅が広い方のスイッチ素子のオン・オフ状態と前記オン状態の時間幅が狭い方のスイッチ素子のオン・オフ状態とが同一になる重なり期間をTd、前記時間幅Tmに対する前記重なり期間Tdの割合を示すドライブ重なり率をRd=(Td/Tm)×100%としたとき、前記ドライブ重なり率Rdが50%以上100%以下となるように前記各スイッチ素子の動作を制御し、
前記第1及び第2フィルタコンデンサは、
前記第1インダクタと前記出力コンデンサとを接続する出力ライン及び第2インダクタと前記出力コンデンサとを接続する出力ラインに生じるコモンモードノイズ成分の電荷を蓄える容量を有し、
前記第1スイッチ素子及び第3スイッチ素子を共にオン状態とし、前記第2スイッチ素子及び第4スイッチ素子を共にオフ状態としたときに生じるコモンモードノイズを吸収する
ことを特徴とするフルブリッジ電力変換装置。 - 前記第1及び第2フィルタコンデンサは、
前記フルブリッジ回路へ入力される電圧をVin、抑制するコモンモードノイズの周波数をf、前記第1及び第2インダクタのインダクタンスをLとし、前記コモンモードノイズ成分の電荷をQ=Vin/(32Lf^2)として求め、
前記コモンモードノイズの電圧振幅を電圧ピークトゥピーク値Vpp以下に抑えるとき、Q/Vpp以上の容量を有する
ことを特徴とする請求項1に記載のフルブリッジ電力変換装置。
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