以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の一形態であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。また、本明細書の以下の実施形態及び図面において符号が同じ構成要素は、相互に同一のものを示すものとする。
(第1の実施形態)
図1〜図6によって本発明に係る第1の実施形態の双方向コンバータについて説明する。図1に、本発明の第1の実施形態に係る双方向コンバータの構成図を示す。図1に示される双方向コンバータは、トランス11と、トランス11の1次巻線11a側に接続される第1回路1と、トランス11の2次巻線11b側に接続される第2の回路2と、インダクタンス手段Lと、制御回路3とを備える。この双方向コンバータは、第1端子T1及び第2端子T2側から入力される直流を交流に変換させて第1回路1から出力し、トランス11を介して第2回路2で交流を直流に変換して出力側の第3端子T3、第4端子T4側へ電力を供給する。
第1端子T1、第2端子には外付けされる電源からの電力が入力される。第1端子T1、第2端子T2の間にはコンデンサ16が接続され、直流電圧となる。さらに第1端子T1、第2端子間には第1回路1が接続され、第1回路1は、第1レグ12及び第2レグ13の上下アームをスイッチング素子S1〜S4で構成したフルブリッジの回路となっている。
第1レグ12、第2レグ13は、第1端子と第2端子との間にそれぞれ並列に接続される。第1レグ12は、スイッチング素子S1、S2を上下アームとし、第2レグ13は、スイッチング素子S3、S4を上下アームとする。図1では、スイッチ素子Q1〜Q4に逆並列ダイオードD1〜D4と並列コンデンサC1〜C4とがそれぞれ並列に接続されたスイッチング素子S1〜S4を用いている。つまり、逆並列ダイオードD1〜D4はスイッチング素子S1〜S4の内部ダイオードであり、並列コンデンサC1〜C4はスイッチング素子S1〜S4の寄生容量である。
第2回路2は、第3レグ14、第4レグ15は、第3端子と第4端子との間にそれぞれ並列に接続される。第3レグ14は、スイッチング素子S5、S6を上下アームとし、第4レグ15は、スイッチング素子S6、S7を上下アームとする。図1では、第1回路1と同様に第2回路2においても、スイッチ素子Q5〜Q8に逆並列ダイオードD5〜D8と並列コンデンサC5〜C8とがそれぞれ並列に接続されたスイッチング素子S5〜S8を用いている。つまり、逆並列ダイオードD5〜D8はスイッチング素子S5〜S8の内部ダイオードであり、並列コンデンサC5〜C8はスイッチング素子S5〜S8の寄生容量である。
なお、本発明においては、第1回路1のスイッチ素子Q1〜Q4に並列に接続された逆並列ダイオードD1〜D4は、図1に示したようにスイッチング素子S1〜S4の内蔵ダイオードを用いてもよく、スイッチング素子S1〜S4とは別に外付けされたダイオードを用いてもよく、またはこれらの組み合わせであってもよい。同様に、第1回路1のスイッチ素子Q1〜Q4に並列に接続された並列コンデンサC1〜C4は、図1に示したようにスイッチング素子S1〜S4の寄生容量を用いてもよく、スイッチング素子S1〜S4とは別に外付けされたコンデンサを用いてもよく、またはこれらの組み合わせであってもよい。第2回路2のスイッチ素子Q5〜Q8に並列に接続された逆並列ダイオードD5〜D8及び並列コンデンサC5〜C8についても同様である。
第2回路2の第3レグ14の上下アームの接続点側と第4レグ15の上下アームの接続点側とには、トランス11の2次巻線11bが接続される。また、第3端子T3、第4端子T4の間にはコンデンサ17が接続され、直流電圧が第3端子T3、第4端子T4の間に出力される。
インダクタンス手段Lは、第1レグ12の上下アームの接続点側と第2レグ13の上下アームの接続点側とにトランス11の1次巻線11aを介して接続される。このインダクタンス手段Lは、第2回路2の第3レグ14の上下アームの接続点側と第4レグ15の上下アームの接続点側とにトランス11の2次巻線11bを介して接続させてもよい。また、図1では、インダクタンス手段Lの一端が第1レグ12の上下アームの接続点側に、他端がトランス11の1次巻線11a側に接続されるが、インダクタンス手段Lの一端を第2レグ13の上下アームの接続点側に、他端をトランス11の1次巻線11a側に接続させてもよい。インダクタンス手段Lが2次巻線11bを介して接続される場合も同様である。
制御回路3は、図1の双方向コンバータにおいて、第1回路1から第2回路2側へ電力を供給する場合は、第1レグ12又は第2レグ13の上アームのスイッチング素子S1又はS3と第2レグ13又は第1レグ12の下アームのスイッチング素子S4又はS2とを組にして交互にオンオフさせて第1端子T1、第2端子T2側から入力される直流を交流に変換させて第1回路1から出力させる。ここでは、組となる第1回路1のスイッチング素子S1、S4のうち、スイッチング素子S4を先にオフさせて、その後に、スイッチング素子S1を後からオフさせる。同様に、他方の組となる第1回路1のスイッチング素子S2、S3のうち、スイッチング素子S3を先にオフさせて、その後に、スイッチング素子S2を後からオフさせる。
上述とは逆向きに第2回路2から第1回路1側へ電力を供給する場合は、第3レグ14又は第4レグ15の上アームのスイッチング素子S5又はS7と第4レグ15又は第3レグ14の下アームのスイッチング素子S8又はS6とを組にして交互にオンオフさせて第3端子T3、第4端子T4側から入力される直流を交流に変換させて第2回路2から出力させる。ここでは、組となる第2回路2のスイッチング素子S5、S8のうち、スイッチング素子S5を先にオフさせて、その後に、スイッチング素子S8を後からオフさせる。同様に、他方の組となる第2回路2のスイッチング素子S6、S7のうち、スイッチング素子S6を先にオフさせて、その後に、スイッチング素子S7を後からオフさせる。
図1に示した第3、第4端子間側電圧検出手段18は第3端子T3及び第4端子T4間側の電圧を検出し、第1、第2端子間側電圧検出手段19は第1端子T1及び第2端子T2間側の電圧を検出する。第3、第4端子間側の電圧検出値及び第1、第2端子間側の電圧検出値は制御回路3に入力される。制御回路3は、第3、第4端子間側の電圧検出値、第1、第2端子間側の電圧検出値にもとづいて第1回路1のスイッチング素子S1〜S4及び第2回路2のスイッチング素子S5〜S8をオンオフさせて、第2回路2の出力電圧を制御する。例えば、制御回路3は、出力電圧となる第3、第4端子間側の電圧検出値又は第1、第2端子間側の電圧検出値を負荷条件に応じた目標電圧値に近づけるように第1回路1のスイッチング素子S1〜S4及び第2回路2のスイッチング素子S5〜S8のパルス幅や周波数等を変調させるパルス制御を行う。第3、第4端子間側電圧検出手段18及び第1、第2端子間側電圧検出手段19は、例えば出力側に抵抗を接続し、この抵抗に印加される電圧を検出する。
第1回路1から第2回路2側へ電力を供給するときに出力側の第2回路のスイッチング素子をオンオフさせて、入力側である第1端子T1及び第2端子T2側からインダクタンス手段Lに蓄積させるエネルギー量を制御する。この場合は、制御回路3は、第2回路2のスイッチング素子S5、S6にそれぞれ駆動信号を与える。組となる第1回路1のスイッチング素子S1とS4同士又はスイッチング素子S2とS3同士がオン状態にある期間に、第2回路2のスイッチング素子S6又はS5をオン状態にさせることで、トランス11の2次巻線11b側を短絡状態にする。これにより、第1端子T1及び第2端子T2側から入力されるエネルギーをインダクタンス手段Lに蓄積させる。
次に、組となる第1回路1のスイッチング素子S1とS4同士又はスイッチング素子S2とS3同士がオン状態を継続している期間に、第2回路2のスイッチング素子S6又はS5をオフ状態とさせる。これにより、インダクタンス手段Lに蓄積させていたエネルギーが第3端子T3、第4端子T4側に供給される。その後、共にオン状態にある組となる第1回路のスイッチング素子S1とS4のうち一方のスイッチング素子S4を先にオフさせてから他方のスイッチング素子S1を後からオフさせる。
また、制御回路3は、第3端子T3及び第4端子T4側間に出力される電圧を上述の第2回路2のスイッチング素子S5、S6をオンオフさせる動作で得られる出力電圧よりも低くさせる動作の場合に、第1回路のスイッチング素子をパルス制御し、かつ第2回路のスイッチング素子S5、S6を順方向に導通しないように動作をさせる。具体的には、制御回路3は、組となる第1回路のスイッチング素子S1とS4同士又はスイッチング素子S2とS3同士がオン状態にある期間に、第1端子T1及び第2端子T2側から入力されるエネルギーをインダクタンス手段Lを介して、第3端子T3及び第4端子T4側に供給させるように第1回路のスイッチング素子をパルス制御し、かつ第2回路のスイッチング素子S5、S6を順方向に導通しないように動作をさせる。この動作では、制御回路3は、第2回路2のスイッチング素子S5〜S8を順方向に導通させないため、第2回路2は、逆並列ダイオードD5〜D8が導通するフルブリッジの整流回路として機能する。
上述とは逆方向の場合、つまり第2回路2から第1回路1側へ電力を供給するとき出力側の第1回路のスイッチング素子をオンオフさせて、入力側である第3端子T3及び第4端子T4側からインダクタンス手段Lに蓄積させるエネルギー量を制御する。この場合は、組となる第2回路2のスイッチング素子S5とS8同士又はスイッチング素子S6とS7同士がオン状態にある期間に、第1回路1のスイッチング素子S3又はS4をオン状態にさせることで、トランス11の1次巻線11a側を短絡状態にする。これにより、第3端子T3及び第4端子T4側から入力されるエネルギーをインダクタンス手段Lに蓄積させる。
次に、組となる第2回路2のスイッチング素子S5とS8同士又はスイッチング素子S6とS7同士がオン状態を継続している期間に、オン状態にある第1回路1のスイッチング素子S3又はS4をオフさせる。これにより、インダクタンス手段Lに蓄積させていたエネルギーが第1端子T1、第2端子T2側に供給される。その後、共にオン状態にある組となる第2回路のスイッチング素子S5とS8のうち一方のスイッチング素子S5を先にオフさせてから他方のスイッチング素子S8を後からオフさせる。
また、制御回路3は、第1端子T1及び第2端子T2側間に出力される電圧を上述の第1回路2のスイッチング素子S3、S4をオンオフさせる動作で得られる出力電圧よりも低くさせる動作の場合に、第2回路のスイッチング素子をパルス制御し、かつ第1回路のスイッチング素子S3、S4を順方向に導通しないように動作をさせる。具体的には、制御回路3は、組となる第2回路のスイッチング素子S5とS8同士又はスイッチング素子S6とS7同士がオン状態にある期間に、第3端子T3及び第4端子T4側から入力されるエネルギーをインダクタンス手段Lを介して、第1端子T1及び第2端子T2側に供給させるように第2回路のスイッチング素子をパルス制御し、かつ第1回路のスイッチング素子S3、S4を順方向に導通しないように動作をさせる。この動作では、制御回路3は、第1回路1のスイッチング素子S1〜S4を順方向に導通させない。このため、第1回路1は、逆並列ダイオードD1〜D4が導通するフルブリッジの整流回路として機能する。
なお、駆動信号については、第1回路1のスイッチング素子、第2回路2のスイッチング素子をオンさせるための駆動信号をオン信号、オフさせるための駆動信号をオフ信号として下記の動作で説明する。駆動信号としては、電圧、電流などを用いる。また、オン信号、オフ信号等は、オン、オフの期間ずっと信号を与えるものであっても、トリガーとして短い時間の信号を与えるものであってもよく、特に限定されるものではない。
次に、図1に示される双方向コンバータにおいて、第1回路1から第2回路2側へ電力を供給するときの一例の動作について説明する。まずは、図2から図6を用いて双方向コンバータの第2回路2のスイッチング素子S5、S6をオンオフさせる動作を行う場合について説明する。図2は、第1回路1のスイッチング素子S1〜S4及び第2回路2のスイッチング素子S5〜S8の駆動信号の一例を示す波形図である。図3は、第1回路1のスイッチング素子S1〜S4の電圧、電流及びトランス11の励磁電流の一例を示す波形図である。図4は、第2回路2のスイッチング素子S5〜S8の電圧、電流の一例を示す波形図である。また、図5は、図3の波形図の一部の時間Tx部分を拡大した図である。図6は、各タイミングで形成される回路図である。なお、図3から図5に示す電流波形では、第1回路1のスイッチング素子S1〜S4及び第2回路2のスイッチング素子S5〜S8を順方向に流れる電流をプラスとし、第1回路1のスイッチング素子S1〜S4及び第2回路2のスイッチング素子S5〜S8を逆方向に流れる電流をマイナスとしている。
時刻t1で、組となる第1回路1のスイッチング素子S1及びS4にオン信号を与えられたとする。第2回路2のスイッチング素子S6のオン信号は、時刻t1以前にすでに与えられているとする。そうすると、スイッチ素子Q1、Q4及びスイッチ素子Q6は順方向に導通する。この状態では、図6(a)に示されるように、第1端子T1及び第2端子T2側から供給される入力電力によって、電流が、第1端子T1側からスイッチ素子Q1、インダクタンス手段L、1次巻線11a、スイッチ素子Q4、第2端子T2側に流れる。トランス11の2次巻線11b側では、2次巻線11b、スイッチ素子Q6、逆並列ダイオードD8を通じて電流が流れ、2次巻線11b側は短絡状態となる。このため、第1端子T1及び第2端子T2側から供給される入力電力によって、インダクタンス手段Lにエネルギーが蓄積される。また、コンデンサ17からは、第3端子T3、第4端子T4側へ電力が供給される。
時刻t2で、例えば、第3、第4端子間側電圧検出手段18によって検出された第3、第4端子間側の電圧検出値が目標値に近づくように制御回路3で決めたタイミングで第2回路2のスイッチング素子S6にオフ信号が与えられたとすると、インダクタンス手段Lに蓄積されたエネルギーによる第2回路2の出力側への供給が開始される。図6(b)に示すように、トランス11の1次巻線11a側は時刻t1から継続して同じ経路で電流が流れるが、2次巻線11b側ではスイッチ素子Q6がオフ状態となる。
時刻t2でスイッチ素子Q6がオフすると、図6(b)に示すように、2次巻線11b側では、オフしたスイッチ素子Q6に並列に接続された並列コンデンサC6を充電する方向に、電流が2次巻線11bから並列コンデンサC6、逆並列ダイオードD8を流れる。一方、並列コンデンサC5からは、第3端子T3、第4端子T4側、逆並列ダイオードD8、2次巻線11bを介して放電電流が流れる。
時刻t3で第2回路2の並列コンデンサC6及び並列コンデンサC5の充放電が終わると、図6(c)に示すように、逆並列ダイオードD5が導通する。2次巻線11b側の電流は、2次巻線11bから、逆並列ダイオードD5、第3端子T3、第4端子T4側、逆並列ダイオードD8を介して流れる。上述の時刻t1から時刻t2の間にインダクタンス手段Lに蓄積されたエネルギーが第2回路2の出力側へ供給される。なお、上述のインダクタンス手段Lに蓄積されたエネルギーによる第2回路2の出力側への供給では、第3端子T3、第4端子T4の先に接続される負荷への供給の他に、時刻t1から時刻t2の間に放電されたコンデンサ17を充電する。また、1次巻線11a側の電流は、時刻t1からスイッチ素子Q4がオフする時刻t4までの期間は同じ電流経路で流れ続ける。
時刻t4で、組となる第1回路1のスイッチング素子S1、S4のうち、先にオフさせる第1回路1のスイッチング素子S4に制御回路3からオフ信号が与えられる。時刻t4でスイッチ素子Q4がオフすると、図6(d)に示すように、1次巻線11a側では、オフしたスイッチ素子Q4に並列に接続された並列コンデンサC4を充電する方向に、電流がインダクタンス手段L、1次巻線11a、並列コンデンサC4、第2端子T2、第1端子T1側からスイッチ素子Q1を通じて流れる。一方、並列コンデンサC3からは、スイッチ素子Q1、インダクタンス手段L、1次巻線11aを通じて放電電流が流れる。
時刻t5で並列コンデンサC3及び並列コンデンサC4の充電が終わると、図6(e)に示すように、スイッチ素子Q3に並列に接続された逆並列ダイオードD3が導通する。1次巻線11a側では、インダクタンス手段Lに蓄積されたエネルギー及びトランス11の励磁電流によって、時刻t5の直前に1次巻線11a、インダクタンス手段Lに流れていた電流と同じ方向に、インダクタンス手段L、1次巻線11aから逆並列ダイオードD3、スイッチ素子Q1を通じて電流が流れる。なお、2次巻線11b側の電流は、時刻t3から継続して2次巻線11b、逆並列ダイオードD5、第3端子T3側、第4端子T4側、逆並列ダイオードD8を通じて流れている。この2次巻線11b側の電流経路に流れる期間は、逆並列ダイオードD5の導通時から後に逆並列ダイオードD5に流れる電流がほぼゼロになるまで続く。
時刻t6では、組となる第1回路1のスイッチング素子S1、S4のうち、後にオフさせるスイッチング素子S1の駆動信号をオフ信号にする。スイッチ素子Q1がオフするため、時刻t6の直前に流れていたトランスの励磁電流によって、1次巻線11aから逆並列ダイオードD3、並列コンデンサC1、インダクタンス手段Lを通じて電流が流れ、並列コンデンサC1を充電する。一方、並列コンデンサC2からは、インダクタンス手段L、1次巻線11a、逆並列ダイオードD3、第1端子T1側、第2端子T2側を通じて放電電流が流れる。このとき、スイッチ素子Q1に電流がまだ流れている状態でオフさせることになるが、この電流を、非常に値の小さなトランス11の励磁電流にすることができる。よって、スイッチング素子S1は後からオフさせることでオフ時の電流値を小さくすることができるので、先にオフさせるスイッチ素子Q4のオフ時と比べて、スイッチング損失を小さくすることができる。
時刻t7で並列コンデンサC1、C2の充放電が終わると、図6(g)に示すように、逆並列ダイオードD2が導通する。1次巻線11a側ではトランス11の励磁電流によって、時刻t7の直前に1次巻線11aに流れていた電流と同じ方向に、1次巻線11aから、逆並列ダイオードD3、第1端子T1側、第2端子T2側、逆並列ダイオードD2、インダクタンス手段Lを通じて電流が流れる。なお、2次巻線11b側の電流は、時刻t3から継続して2次巻線11b、逆並列ダイオードD5、第3端子T3側、第4端子T4側、逆並列ダイオードD8を通じて流れている。この2次巻線11b側の電流経路に流れる期間は、逆並列ダイオードD5の導通時から後に逆並列ダイオードD5に流れる電流がほぼゼロになるまで続く。
時刻t8で他方の組となる第1回路1のスイッチング素子S2、S3の駆動信号をオン信号にする。図6(h)に示すように、1次巻線11a側では、スイッチ素子Q2及びスイッチ素子Q3が順方向に導通し、第1端子T1側、スイッチ素子Q3、1次巻線11a、インダクタンス手段L、スイッチ素子Q2、第2端子T2側を通じて電流が流れる。2次巻線11b側では、時刻t8より以前に第2回路2のスイッチング素子S5の駆動信号にオン信号が与えられており、時刻t8にはスイッチ素子Q5が順方向に導通できる状態となっている。このため、スイッチ素子Q5が順方向に導通すると、2次巻線11bから、逆並列ダイオードD7、スイッチ素子Q5を通じて電流が流れ、2次巻線11b側は短絡状態となる。よって、第1端子T1、第2端子T2間から入力された電力によってインダクタンス手段Lにエネルギーが蓄積される。
本発明では、時刻t8の直前に、スイッチ素子Q2,Q3にそれぞれ並列に接続される逆並列ダイオードD2,D3が導通しているため、図5に示されるように、第1回路1のスイッチング素子S2,S3はオン時にゼロ電圧スイッチングを実現させることができる。
また、時刻t8の直前にスイッチ素子Q5に並列の逆並列ダイオードD5が導通しているため、スイッチ素子Q5はゼロ電圧でオンさせることができる。なお、スイッチ素子Q5のゼロ電圧スイッチングを実現させるためには、第2回路2のスイッチング素子S5の駆動信号であるオン信号は、逆並列ダイオードD5が導通している期間である時刻t3から時刻8の期間に与えておけばよい。
時刻t8後の他方の組となる第1回路1のスイッチング素子S2、S3の動作については、上述の組となるスイッチング素子S1、S4の時刻t1から時刻t8と同様に動作させる。すなわち、スイッチ素子Q2及びスイッチ素子Q3が導通している期間に、例えば、第2回路2の出力側である第3端子T3、第4端子T4間の電圧検出値が所定値になるように制御回路3で決めたタイミングで第2回路2のスイッチング素子S5にオフ信号を与える。これにより、インダクタンス手段Lに蓄積されたエネルギーを第3端子T3、第4端子T4側に供給する。
その後、組となるスイッチング素子S2、S3のうちの一方のスイッチ素子Q3を先にオフさせ、後に他方のスイッチ素子Q2をオフさせる。このとき、後からオフさせるスイッチ素子Q2に電流がまだ流れている状態でオフさせることになるが、この電流を非常に値の小さなトランス11の励磁電流にすることができるので、先にオフさせるスイッチ素子Q3のオフ時と比べて、スイッチング損失を小さくすることができる。
次に、再び組となる第1回路1のスイッチング素子S1、S4の駆動信号をオン信号にする。このときには第2回路2のスイッチング素子S6の駆動信号にオン信号が与えられており、スイッチ素子Q6が順方向に導通できる状態となっている。第1回路1のスイッチング素子S1、S4にオン信号を与えられる直前には、スイッチング素子S1、S4のスイッチ素子Q1,Q4にそれぞれ並列に接続される逆並列ダイオードD1,D4が導通しているため、第1回路1のスイッチング素子S1,S4はオン時にゼロ電圧スイッチングを実現させることができる。同様に、第2回路2のスイッチング素子S6にオン信号を与えられる直前には、スイッチング素子S6のスイッチ素子Q6に並列の逆並列ダイオードD6が導通しているため、スイッチ素子Q5はゼロ電圧でオンさせることができる。
なお、本発明では、図1に示すように、後にオフさせる第1回路1のスイッチング素子S1、S2が直列に接続されている。この後にオフさせるスイッチング素子S1、S2についてゼロ電圧スイッチングを実現させるために、例えば、スイッチング素子S1をオフさせる場合、これと同じ第1レグにある他方の下アームのスイッチング素子S2の両端電圧をゼロに下げてからスイッチ素子Q2にオン信号を与える。ここで、スイッチ素子Q1にオフ信号を与えてからスイッチ素子Q2にオン信号を与えるまでの期間、すなわちスイッチング素子S1、S2を共にオフさせる期間をTdとする。
このスイッチング素子S2の両端電圧をゼロに下げる、つまりコンデンサC2電圧がゼロになるまで放電させる放電動作は上述の励磁電流が流れることによる。よって、後にオフさせるスイッチング素子S2のゼロ電圧スイッチングを実現させるためには、まず励磁電流をスイッチング素子S2の両端電圧をゼロまで下げることができる大きさにする必要がある。さらに、励磁電流によってスイッチング素子S2の両端電圧をゼロまで下げることができるようなスイッチング素子S1、S2を共にオフさせる期間Tdを設ける必要がある。後にオフさせる第1回路1のスイッチング素子S1について、ゼロ電圧スイッチングを実現させる場合も同様である。スイッチング素子S1の両端電圧をゼロまで下げることができるような大きさの励磁電流とスイッチング素子S1、S2を共にオフさせる期間Tdを設ける必要がある。
なお、第1回路1のスイッチング素子S1、S2を共にオフさせる期間Tdを大きな値に設定すると、スイッチング素子S1又はS2の両端電圧がゼロまで下がった後に再度電圧が上昇してしまう、つまりコンデンサC1又はC2がゼロまで放電された後に充電されてしまうことがある。このため、スイッチング素子S1、S2を共にオフさせる期間Tdは、スイッチング素子S1又はS2の両端電圧がゼロまで下がる期間程度とするのが好ましい。また、後にオフさせるスイッチ素子Q1,Q2に並列に接続されるコンデンサの容量の並列コンデンサC1,C2は、スイッチング素子S1、S2内蔵の寄生容量の場合など小さい容量値となり、部品によってはバラツキがある。このため、スイッチング素子S1、S2内蔵の寄生容量に別付けのコンデンサを並列に接続させ、これらの合成容量を上記並列コンデンサC1,C2としてもよい。
次に、図1の双方向コンバータ回路図及び図7から図10を用いて、第3端子T3及び第4端子T4側間に出力される電圧を上述の第2回路2のスイッチング素子をオンオフさせる動作で得られる出力電圧よりも低くさせる場合に、第2回路2をフルブリッジの整流回路として機能させる動作について説明する。図7は、この動作での第1回路1のスイッチング素子S1〜S4及び第2回路2のスイッチング素子S5〜S8の駆動信号を示す波形図の一例である。図8は、この動作での第1回路1のスイッチング素子S1〜S4の電圧、電流及びトランス11の励磁電流の一例を示す波形図である。図9は、この動作での第2回路2のスイッチング素子S5〜S8の電圧、電流の一例を示す波形図である。また、図10は、この動作での各タイミングで形成される回路図である。なお、図8、図9に示す電流波形では、第1回路1のスイッチング素子S1〜S4及び第2回路2のスイッチング素子S5〜S8を順方向に流れる電流をプラスとし、第1回路1のスイッチング素子S1〜S4及び第2回路2のスイッチング素子S5〜S8を逆方向に流れる電流をマイナスとしている。
この動作の場合は、図1の双方向コンバータ回路は、第2回路2のスイッチング素子S5〜S8の逆並列ダイオードD5〜D8が導通するフルブリッジの整流回路として機能する。このため、双方向コンバータは、少なくとも第2回路2は逆並列ダイオードD5〜D8があればよいので、図7に示すように、第2回路2のスイッチング素子S5〜S8の駆動信号にはオン信号は与えていない。
時刻t21は、組となる第1回路1のスイッチング素子S1及びS4にオン信号を与える時点である。このとき、第2回路2のスイッチング素子S5〜S8にはオン信号は与えない。図10(a)に示すように、トランス11の1次巻線11a側では、電流が、第1端子T1側から、スイッチ素子Q1、インダクタンス手段L、1次巻線11a、スイッチ素子Q4、第2端子T2側に流れる。トランス11の2次巻線11b側では、2次巻線11bから、逆並列ダイオードD5、第3端子T3、第4端子T4側から、逆並列ダイオードD8を通じて電流が流れる。第1端子T1及び第2端子T2側から供給される入力電力は、インダクタンス手段Lを介して第3端子T3、第4端子T4側に供給される。
時刻t22で、例えば、第3、第4端子間側電圧検出手段18によって検出された第3端子T3、第4端子T4間側の電圧検出値が目標値と近づくように、制御回路3は、組となる第1回路1のスイッチング素子S1、S4のうち先にオフさせるスイッチング素子S4にオフ信号を与える。時刻t22でスイッチ素子Q4がオフすると、図10(b)に示すように、1次巻線11a側では、オフしたスイッチ素子Q4に並列に接続された並列コンデンサC4を充電する方向に、インダクタンス手段L、1次巻線11a、並列コンデンサC4、第2端子T2、第1端子T1側からスイッチ素子Q1を通じて電流が流れる。一方、並列コンデンサC3からは、スイッチ素子Q1、インダクタンス手段L、1次巻線11aを通じて放電電流が流れる。
時刻t23で並列コンデンサC3及び並列コンデンサC4の充電が終わると、図10(c)に示すように、スイッチ素子Q3に並列に接続された逆並列ダイオードD3が導通する。1次巻線11a側ではインダクタンス手段Lに蓄積されたエネルギー及びトランス11の励磁電流によって、時刻t23の直前に1次巻線11a、インダクタンス手段Lに流れていた電流と同じ方向に、インダクタンス手段L、1次巻線11aから逆並列ダイオードD3、スイッチ素子Q1を通じて電流が流れる。なお、2次巻線11b側の電流は、時刻t21から継続して2次巻線11b、逆並列ダイオードD5、第3端子T3側、第4端子T4側、逆並列ダイオードD8を通じて流れている。
時刻t24では、組となる第1回路1のスイッチング素子S1、S4のうち、後にオフさせるスイッチング素子S1の駆動信号をオフ信号にする。スイッチ素子Q1がオフするため、時刻t23の直前に流れていたトランスの励磁電流によって、図10(d)に示すように、1次巻線11aから逆並列ダイオードD3、並列コンデンサC1、インダクタンス手段Lを通じて電流が流れ、並列コンデンサC1を充電する。一方、並列コンデンサC2からは、インダクタンス手段L、1次巻線11a、逆並列ダイオードD3、第1端子T1、第2端子T2側を通じて放電電流が流れる。このとき、スイッチ素子Q1に電流がまだ流れている状態でオフさせることになるが、先にオフさせたスイッチ素子Q4のときよりも小さい値の電流にすることができる。よって、先にオフさせるスイッチ素子Q4のオフ時と比べて、後からオフさせるスイッチ素子Q1のスイッチング損失を小さくすることができる。
時刻t25で並列コンデンサC1、C2の充放電が終わると、図10(e)に示すように、逆並列ダイオードD2が導通する。1次巻線11a側ではトランス11の励磁電流によって、時刻t25の直前に1次巻線11aに流れていた電流と同じ方向に、1次巻線11aから、逆並列ダイオードD3、第1端子T1、第2端子T2側、逆並列ダイオードD2、インダクタンス手段Lを通じて電流が流れる。なお、2次巻線11b側の電流は、時刻t21から継続して2次巻線11b、逆並列ダイオードD5、第3端子T3側、第4端子T4側、逆並列ダイオードD8を通じて流れている。
時刻t26で他方の組となる第1回路1のスイッチング素子S2、S3にオン信号を与える。図10(f)に示すように、1次巻線11a側では、スイッチ素子Q2及びスイッチ素子Q3が順方向に導通し、第1端子T1側、スイッチ素子Q3、1次巻線11a、インダクタンス手段L、スイッチ素子Q2、第2端子T2側を通じて電流が流れる。1次巻線11aに流れる電流が今までと逆向きになるので、2次巻線11b側では、逆並列ダイオードD6、逆並列ダイオードD7が順方向に導通し、2次巻線11bから、逆並列ダイオードD7、第3端子T3、第4端子T4側から逆並列ダイオードD6を通じて電流が流れる。図10(a)の場合と同様に、第1端子T1、第2端子T2間から入力された電力は、インダクタンス手段Lを介して第3端子T3、第4端子T4側に供給される。
上述の第2回路2のスイッチング素子S5、S6をオンオフさせる動作の場合と同様に、第2回路2をフルブリッジの整流回路として機能させる動作でも、時刻t26の直前に、スイッチ素子Q2,Q3にそれぞれ並列に接続される逆並列ダイオードD2,D3が導通しているため、図8に示されるように、第1回路1のスイッチング素子S2,S3はオン時にゼロ電圧スイッチングを実現させることができる。
時刻t26後の他方の組となる第1回路1のスイッチング素子S2、S3の動作については、上述の組となるスイッチング素子S1、S4の時刻t21から時刻t26と同様に動作させる。すなわち、例えば、第3端子T3、第4端子T4間の出力電圧が所望の値となるように、制御回路3は、組となるスイッチング素子S2、S3のうちいずれか一方のスイッチ素子Q3を先にオフさせ、後に他方のスイッチ素子Q2をオフさせる。このとき、後からオフさせるスイッチ素子Q2に電流がまだ流れている状態でオフさせることになるが、この電流を非常に値の小さなトランス11の励磁電流にすることができるので、先にオフさせるスイッチ素子Q3のオフ時と比べて、スイッチング損失を小さくすることができる。
次に、再び組となる第1回路1のスイッチング素子S1、S4の駆動信号をオン信号にする。第1回路1のスイッチング素子S1、S4にオン信号を与えられる直前には、スイッチング素子S1、S4のスイッチ素子Q1,Q4にそれぞれ並列に接続される逆並列ダイオードD1,D4が導通しているため、第1回路1のスイッチング素子S1,S4はオン時にゼロ電圧スイッチングを実現させることができる。
上記の双方向コンバータでは、制御回路23は、出力側の第2回路2又は第1回路1を整流回路として機能させる動作を行っている場合において、第1回路1又は第2回路2のスイッチング素子のパルス幅や周波数を変調させても第3端子T3、第4端子T4間又は第1端子T1、第2端子T2間側から出力される電圧の検出値が目標値に近づかない場合は、出力側の第2回路2又は第1回路1のスイッチング素子をオンオフさせる動作に切り替える。
具体的には、第1回路1又は第2回路2から第2回路2又は第1回路2側へ電力を供給する場合に、制御回路3は、組となる第1回路1又は第2回路2のスイッチング素子がオン状態にある期間に第1端子T1、第2端子T2又は第3端子T3、第4端子T4側から入力されるエネルギーをインダクタンス手段Lを介して第3端子T3、第4端子T4又は第1端子T1、第2端子T2側に供給させるように第1回路1又は第2回路2のスイッチング素子をパルス制御する。このとき、第2回路2又は第1回路1のスイッチング素子を順方向に導通させない。この状態から、組となる第1回路1又は第2回路2のスイッチング素子がオン状態にある期間に第1端子T1、第2端子T2又は第3端子T3、第4端子側から入力されるエネルギーをインダクタンス手段Lに蓄積させるように第2回路2又は第1回路1のスイッチング素子を順方向に導通させる。そして、先にオフさせる第1回路1又は第2回路2のスイッチング素子をオフする前に順方向に導通させている第2回路2又は第1回路1のスイッチング素子をオフさせる動作に切り替える。
逆に、制御回路3は、出力側の第2回路2又は第1回路1のスイッチング素子をオンオフさせる動作を行っている場合において、第2回路2又は第1回路1のスイッチング素子のパルス幅や周波数を変調させても第3端子T3、第4端子T4間又は第1端子T1、第2端子T2間側から出力される電圧の検出値が目標値に近づかない場合は、出力側の第2回路2又は第1回路1を整流回路として機能させる動作に切り替える。
具体的には、第1回路1又は第2回路2から第2回路2又は第1回路1側へ電力を供給する場合に、制御回路3は、組となる第1回路1又は第2回路2のスイッチングがオン状態にある期間に第1端子T1、第2端子T2又は第3端子T3、第4端子T4間側から入力されるエネルギーをインダクタンス手段Lに蓄積させるように第2回路2又は第1回路1のスイッチング素子を順方向に導通させる。このとき、先にオフさせる第1回路1又は第2回路2のスイッチング素子をオフする前に順方向に導通させている第2回路2又は第1回路1のスイッチング素子をオフさせる第2回路2又は第1回路1のスイッチングのパルス制御を行っているとする。次に、この動作から、組となる第1回路1又は第2回路2のスイッチング素子がオン状態にある期間に第1端子T1、第2端子T2又は第3端子T3、第4端子T4間側から入力されるエネルギーをインダクタンス手段Lを介して第3端子T3、第4端子T4側に供給させるように第2回路2又は第1回路1のスイッチング素子を順方向に導通させない動作に切り替える。
上述のように動作を切り替えて、第3端子T3及び第4端子T4又は第1端子T1、第2端子T2間側から出力される電圧の検出値を目標値に近づけさせるように、第1回路、第2回路のスイッチング素子のパルス制御を行う。2つの動作を切り替えることで、トランスの巻数比などの回路定数や負荷条件にとらわれずに、広範囲な入出力電圧電流に対応させることができる。
なお、上述の出力側となる第2回路又は第1回路のスイッチング素子をオンオフさせる動作の場合と同様に、出力側となる第2回路又は第1回路をフルブリッジの整流回路として機能させる動作でも、後にオフさせる第1回路1のスイッチング素子S1、S2についてゼロ電圧スイッチングを実現させるために、まず励磁電流をスイッチング素子S2又はS1の両端電圧をゼロまで下げることができる大きさにする必要がある。さらに、励磁電流によってスイッチング素子S2又はS1の両端電圧をゼロまで下げることができるようなスイッチング素子S1、S2を共にオフさせる期間Tdを設ける必要がある。
第1回路1のスイッチング素子S1、S2を共にオフさせる期間Tdは、スイッチング素子S1又はS2の両端電圧がゼロまで下がる期間程度とするのが好ましい。また、後にオフさせるスイッチ素子Q1,Q2に並列に接続されるコンデンサの容量の並列コンデンサC1,C2は、第スイッチング素子S1、S2内蔵の寄生容量の場合など小さい容量値となり、部品によってはバラツキがある。このため、スイッチング素子S1、S2内蔵の寄生容量に別付けのコンデンサを並列に接続させ、これらの合成容量を上記並列コンデンサC1,C2としてもよい。
なお、図2、図7では、時刻t8、時刻t26に、第1回路1のスイッチング素子S2、S3の駆動信号であるオン信号を同時に与えており、かつ、スイッチ素子Q2及びスイッチ素子Q3が順方向に導通し始めている一例の動作を示した。しかし、上記の実施形態の一例の動作に限定されることなく、スイッチング素子S2、S3のオン信号を与える時点は同時でなくてもよい。また、スイッチング素子S2、S3のオン信号を与える時点は、逆並列ダイオードD2、D3が導通している期間であってもよい。この場合は、スイッチング素子S2、S3のオン信号を与える時点とスイッチ素子Q2及びスイッチ素子Q3が順方向に導通し始め時点は一致せず、例えば、逆並列ダイオードD2、D3を導通する電流がゼロになってからスイッチ素子Q2及びスイッチ素子Q3を順方向に電流が流れ始める。また、逆方向に電流を流したときのスイッチ素子Q2、Q3の電圧降下が順方向電流を流したときの逆並列ダイオードD2、D3の電圧降下である順電圧よりも小さい場合には、スイッチング素子S2、S3のオン信号を与え、スイッチ素子Q2、Q3を逆方向に導通させてスイッチング素子S2、S3の導通損失を低減させることができる。もう一方の組となる第1回路1のスイッチング素子S1、S4の場合についても同様である。
上記では、第1回路1から第2回路2側へ電力を供給するときについて説明したが、第2回路2から第1回路1側へ電力を供給するときも同様である。本発明では、後からオフさせる第2回路のスイッチング素子S7、S8のスイッチ素子Q7、Q8に電流がまだ流れている状態でオフさせることになるが、この電流を非常に値の小さなトランス11の励磁電流にすることができるので、先にオフさせるスイッチング素子S5、S6のスイッチ素子Q5、Q6のオフ時と比べて、スイッチング損失を小さくすることができる。
また、組となる入力側の第2回路2のスイッチング素子S5とS8又はS6とS7をオンさせる直前にこれらのスイッチング素子S5とS8又はS6とS7のスイッチ素子Q5とQ8又はQ6とQ7にそれぞれ並列に接続される逆並列ダイオードD5とD8又はD6とD7を導通させておくことで、ゼロ電圧スイッチングを実現させることができる。さらに、出力側となる第1回路1のスイッチング素子をオンオフさせる動作の場合は、第1回路1のスイッチング素子S3又はS4をオンする直前にスイッチング素子S3又はS4のスイッチ素子Q3又はQ4にそれぞれ並列に接続される逆並列ダイオードD3又はD4を導通させておくことで、ゼロ電圧スイッチングを実現させることができる。
このために、トランス11は、後にオフさせる第2回路のスイッチング素子のスイッチ素子と同じレグにある他の上又は下アームのスイッチング素子のスイッチ素子に並列に接続された並列コンデンサの両端電圧をゼロ近辺まで下げるように並列コンデンサの電荷を放電させる大きさの励磁電流を流す励磁インダクタンスを有する必要がある。また、制御回路は、励磁電流によって後にオフさせる第2回路のスイッチング素子のスイッチ素子と同じレグにある他の上又は下アームのスイッチング素子のスイッチ素子に並列に接続された並列コンデンサの両端電圧がゼロ近辺まで下がるまで、後にオフさせる第1回路又は第2回路のスイッチング素子のスイッチ素子とそれと同じレグにある他の上又は下アームのスイッチング素子のスイッチ素子とを共にオフさせる期間Tdを設ける必要がある。
なお、第2回路のスイッチング素子を共にオフさせる期間Tdは、スイッチング素子の両端電圧がゼロまで下がる期間程度とするのが好ましい。また、後にオフさせる第2回路のスイッチング素子のスイッチ素子に並列に接続されるコンデンサの容量の並列コンデンサは、スイッチング素子内蔵の寄生容量の場合など小さい容量値となり、部品によってはバラツキがある。このため、第2回路のスイッチング素子内蔵の寄生容量に別付けのコンデンサを並列に接続させ、これらの合成容量を上記並列コンデンサとしてもよい。
上記では、第1回路1から第2回路2側へ電力を供給する場合に、組となる第1回路1のスイッチング素子S1及びS4、S2及びS3のうち第2レグ13の上下アームのスイッチング素子S4とS3を先にオフさせているが、第1レグ12の上下アームのスイッチング素子S1とS2を先にオフさせてもよい。また、先にオフさせる第1回路1のスイッチング素子を、第1レグ12と第2レグ13との上アームのスイッチング素子S1とS3、又は、第1レグ12と第2レグ13との下アームのスイッチング素子S2とS4としてもよい。
また、上記において、第1回路1から第2回路2側へ電力を供給するときの出力側の第2回路のスイッチング素子をオンオフさせる動作の場合に、図1に示した第3レグ14の上下アームにあるスイッチング素子S5、S6をオンオフさせているが、第4レグ15の上下アームにあるスイッチング素子S7とS8をオンオフさせてもよい。また、この動作のときにオンオフさせる第2回路のスイッチング素子を、第3レグ14と第4レグ15との上アームのスイッチング素子S5とS7、又は、第3レグ14と第4レグ15との下アームのスイッチング素子S6とS8としてもよい。
同様に、第2回路2から第1回路1側へ電力を供給する場合について、組となる第2回路2のスイッチング素子S5とS8又はS6とS7のうち、先にオフさせるスイッチング素子を、第3レグ14の上下アームのスイッチング素子S5とS6、又は、第4レグ15の上下アームのスイッチング素子S7とS8としてもよく、第3レグ14と第4レグ15との上アームのスイッチング素子S5とS7、又は、第3レグ14と第4レグ15との下アームのスイッチング素子S6とS8としてもよい。
さらに、第2回路2から第1回路1側へ電力を供給するときの出力側となる第1回路1のスイッチング素子をオンオフさせる動作の場合に、オンオフさせる第2回路2のスイッチング素子は、第2レグ13の上下アームにあるスイッチング素子S3とS4、又は、第1レグ12の上下アームにあるスイッチング素子S1とS2をオンオフさせてもよく、第1レグ12と第2レグ13との上アームのスイッチング素子S1とS3、又は、第1レグ12と第2レグ13との下アームのスイッチング素子S2とS4としてもよい。
上記の動作の説明において、逆並列ダイオードD5、D6が導通する期間に、例えば、図1のスイッチング素子S5、S6にオン信号を与えて、スイッチ素子Q5、Q6を逆方向、すなわち逆並列ダイオードD5、D6の順方向に導通させてもよい。逆方向に電流を流したときのスイッチ素子Q5、Q6の電圧降下が順方向電流を流したときの逆並列ダイオードD5、D6の電圧降下である順電圧よりも小さい場合には、逆並列ダイオードD5、D6の導通損失よりも低減させることができる。同様に、逆並列ダイオードD7、D8を含むスイッチング素子S7、S8又は逆並列ダイオードD7、D8と並列に接続したスイッチング素子S7、S8を用いた場合も、スイッチ素子Q7、Q8を逆方向に導通させて逆並列ダイオードD7、D8の導通損失よりも低減させることができる。
本発明では、上述の説明において、励磁電流を適切な大きさにするためにトランス11の1次巻線又は2次巻線に並列に設けられるインダクタンス成分も上述のトランスの励磁インダクタンスに含まれる。また、上述の説明において、トランス11の励磁インダクタンスとこれに並列に設けられるインダクタンス成分とによる合成インダクタンスによって流れる電流も上述の励磁電流に含まれる。トランスの励磁インダクタンスは、トランスの構造において、例えば、コアのギャップ幅、巻線の巻数量、コアの材質などによって調整することができる。
上記では、制御回路3は、第3、第4端子間側電圧検出手段18、第1、第2端子間側電圧検出手段19によって検出された電圧値が目標値に近づくようにしているが、用いる検出値は出力電流値や出力電力の他にこれらの組み合わせであってもよい。同様に入力側の電圧、電流又は電力の検出値が目標値に近づくようにしてもよい。なお、一般的に、電力の検出値としては、検出された電圧及び電流を乗算した演算値を用いる。上述の出力される電圧、電流もしくは電力の検出値又は入力される電圧、電流又は電力の検出値には、これらの値にある係数を乗除算したり、ある値を加減算等したりといった演算をして得られた値も含まれる。
本発明は、トランスの1次巻線又は2次巻線側に接続されるインダクタンス手段を用い、出力側となる第2回路又は第1回路のスイッチング素子をオンオフさせる動作と第2回路又は第1回路をフルブリッジの整流回路として機能させる動作とを実現させることで広範囲な入出力電圧電流に対応させることができる。また、入力側の組となる第1回路又は第2回路のスイッチング素子のうちの一方を後からオフさせたときに発生するスイッチング損失を低減することができ、さらに、ゼロ電圧スイッチングを実現させることでスイッチング損失の低減を図ることができる。
本発明の電気回路において、接続点とは電気的に接続されて同電位にある部位を言い、物理的に接続された点を言うものではない。また、本発明のコンバータ及び双方向コンバータにおける各部の構成、構造、数、配置、形状、材質などに関しては、上記具体例に限定されず、当業者が適宜選択的に採用したものも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に包含される。
より具体的には、例えば、半導体素子として記号により例示したものなどは、これら特定の電気素子には限定されず、同様の機能または作用を有する単一の電気素子あるいは複数の電気素子を含む電気回路として構成することができ、これらすべての変形は、本発明の範囲に包含される。同様に、ダイオード、コンデンサ、スイッチング素子をはじめとする各回路素子の数や配置関係などについても、当業者が適宜設計変更したものは本発明の範囲に包含される。