JP5126223B2 - ハイドロタルサイト化合物およびその製造方法、無機イオン捕捉剤、組成物、電子部品封止用樹脂組成物 - Google Patents

Description

本発明は、ハイドロタルサイト化合物およびその製造方法、前記ハイドロタルサイト化合物を含有する無機イオン捕捉剤、組成物、電子部品封止用樹脂組成物、電子部品封止材、並びに、電子部品に関する。

イオン捕捉剤は、従来より電子部品封止用樹脂、電気部品封止用樹脂、および電気製品用樹脂等に配合されてきた。
例えば、ＬＳＩ、ＩＣ、ハイブリッドＩＣ、トランジスタ、ダイオード、およびサイリスタやこれらのハイブリッド部品の多くは、エポキシ樹脂を用いて封止されている。このような電子部品封止材は、原材料中のイオン性不純物または外部より侵入する水分に起因する不良を抑止すると共に、難燃性、高密着性、耐クラック性および高体積抵抗率等の電気特性等、種々の特性が要求されている。
電子部品封止材として多用されているエポキシ樹脂は、主成分であるエポキシ化合物の他、エポキシ化合物硬化剤、硬化促進剤、無機充填物、難燃剤、顔料、およびシランカップリング剤等により構成されているが、これらの原料にはハロゲンイオンやナトリウムイオンなどのイオン性不純物が含まれる場合が多く、電子素子に悪影響を与える可能性があるため少量のイオン捕捉剤を共存させて悪影響を防ぐことが行われてきた。

近年、環境への配慮から封止材の成分として重金属等の環境負荷物質を使用しない例が多くなってきている。そのため従来から難燃剤として多く使われてきたアンチモン化合物を廃止し、水酸化マグネシウム等が使用されるようになってきている（特許文献１参照）。

アルミニウム配線等の腐食を防止し、電子部品の信頼性を高めるために、問題となるイオン性不純物、特にハロゲンイオンを捕捉する目的で無機陰イオン交換体であるハイドロタルサイト化合物あるいはその焼成物をエポキシ樹脂等に配合することが提案されている（特許文献２参照）。
また、ハイドロタルサイト化合物を超微粒子にして表面積を増加させ、陰イオン捕捉能力を向上させることが提案されている（特許文献３参照）。

さらに、陰イオン交換体であるビスマス化合物を配合した半導体封止用エポキシ樹脂組成物が知られている（特許文献４参照）。

特開２００５−３２０４４６号公報 特開昭６３−２５２４５１号公報 特公昭５８−４６１４６号公報 特開平０２−２９４３５４号公報

特許文献１に記載の水酸化マグネシウムは、高温になると分解してその吸熱反応により難燃効果を発揮する。しかしながら水酸化マグネシウムは、不純物として硫酸イオンを含有することがあるため、電子部品封止用樹脂中で徐々に分解が起こり、その際に発生する硫酸イオンがアルミニウム配線等を腐食させ、半導体部品の信頼性を損ねることがある。

また、特許文献２では、クロルイオンやブロムイオンなどの陰イオンを有効にトラップする成分としてハイドロタルサイト化合物を用い、その一例として協和化学工業（株）製キョーワードシリーズが挙げられているが、その配合量はエポキシ樹脂とノボラック型フェノール樹脂の合計量の１％以上が好ましく、１％を下回るとイオントラップ効果が殆ど見られなくなることが開示されている。すなわち、従来のハイドロタルサイトの陰イオン捕捉能力は十分に高いものではなく、経済的理由やハイドロタルサイト化合物自体からの不純物の溶出の可能性などの理由から、より陰イオン捕捉能力の高いハイドロタルサイト化合物が求められていた。

特許文献３に記載されているように、ハイドロタルサイト化合物を超微粒子にすると比表面積が増加し、陰イオン捕捉能力が向上することが予想されるが、微粒子化すると結晶性の高いものを得ることが難しく、イオン交換性能の低下や、イオン性不純物が溶出しやすくなるなどの問題が生じ、アルミ配線の腐食防止効果が不十分になるという欠点があった。

また、特許文献４に記載のビスマス化合物を使用する場合、市販されているビスマス化合物は化合物中に硝酸イオンを含むものが多く、硫酸イオンを捕捉する代わりに硝酸イオンを放出することから使用が制限される。また、銅と合金をつくり易くリサイクルの面等から使用が制限されるという問題があった。

難燃剤の環境対応化のために、電子部品封止材中の無機イオン捕捉剤への負荷が大きくなっているが、従来知られていた無機イオン捕捉剤には上記のような問題があった。
本発明は、上記従来の無機イオン捕捉剤の問題点を解決することを目的とするものであり、本発明の目的は、環境に優しく高性能な新しい無機イオン捕捉剤を提供することである。詳しくは、少量の添加により優れた金属腐食防止効果を奏する新規なハイドロタルサイト化合物およびこれを用いた無機イオン捕捉剤を提供することを目的とする。

本発明者は、電子部品封止材等に使用できる新規なハイドロタルサイト化合物を見出すため鋭意検討を行った結果、比表面積が高く、かつ、結晶性が高く、溶出するイオン性不純物の少ないハイドロタルサイト化合物が合成可能であることを見出し、このものが特に優れた性能を発揮することを確認し、本発明を完成するに至った。

すなわち、上記課題は、以下の＜１＞、＜３＞、＜５＞〜＜１０＞により解決された。好ましい実施態様である＜２＞、＜４＞とともに以下に記載する。
＜１＞ 粉末Ｘ線回折パターンにおいてハイドロタルサイト化合物のピークを有し、
２θ＝１１．４°〜１１．７°におけるピーク強度が３，５００ｃｐｓ以上であり、かつ、
ＢＥＴ比表面積が３０ｍ²／ｇを超えることを特徴とする、
式（１）で表されるハイドロタルサイト化合物。
Ｍｇ_aＡｌ_b（ＯＨ）_c（ＣＯ₃）_d・ｎＨ₂Ｏ （１）
式（１）において、ａ、ｂ、ｃ、およびｄは正数であり、２ａ＋３ｂ−ｃ−２ｄ＝０を満たし、ａ／ｂが１．８以上２．５以下である。また、ｎは水和の数を示し、０または正数である。

＜２＞ １２５℃のイオン交換水で２０時間溶出試験を行った時に溶出するイオン性不純物の量が５００ｐｐｍ以下であり、かつ、溶出水の電導度が２００μＳ／ｃｍ以下である、＜１＞に記載のハイドロタルサイト化合物。
＜３＞ 上記＜１＞または上記＜２＞に記載のハイドロタルサイト化合物および無機陽イオン交換体を含有することを特徴とする、無機イオン捕捉剤。
＜４＞ 下記の工程からなるアルミ配線の腐食試験において、抵抗値の上昇が１％未満である、上記＜１＞または上記＜２＞に記載のハイドロタルサイト化合物または上記＜３＞に記載の無機イオン捕捉剤。
Ａ：７２重量部のビスフェノールエポキシ樹脂（エポキシ当量１９０）、２８重量部のアミン系硬化剤（分子量２５２）、１００重量部の溶融シリカ、１重量部のエポキシ系シランカップリング剤および０．２５重量部のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を配合して、電子部品封止用樹脂組成物を調製する工程。
Ｂ：工程Ａで調製した電子部品封止用樹脂組成物を３本ロールで混合し、３５℃で１時間真空脱気した後、ガラス板に印刷された２本のアルミ配線（線幅２０μｍ、膜厚０．１５μｍ、長さ１，０００ｍｍ、線間隔２０μｍ、抵抗値・約９ｋΩ）上に厚さ１ｍｍで塗布し、１２０℃で硬化させてアルミ配線サンプルを作製する工程。
Ｃ：工程Ｂで作製したアルミ配線サンプルを、１３０℃±２℃、８５％ＲＨ（±５％）、
印加電圧２０Ｖ、時間６０時間の条件でプレッシャークッカーにかける前と後とで、陽極のアルミ配線の抵抗値を測定し、抵抗値の変化率を算出する工程。

＜５＞ 上記＜１＞または上記＜２＞に記載のハイドロタルサイト化合物を含有することを特徴とする電子部品封止用樹脂組成物。
＜６＞ 上記＜３＞または上記＜４＞に記載の無機イオン捕捉剤を含有することを特徴とする、電子部品封止用樹脂組成物。
＜７＞ 上記＜５＞または上記＜６＞に記載の電子部品封止用樹脂組成物を硬化させてなる電子部品封止材。
＜８＞ 上記＜７＞に記載の電子部品封止材が素子を封止してなる電子部品。
＜９＞ 樹脂固形分１００重量部に対し、上記＜１＞に記載のハイドロタルサイト化合物、または、上記＜３＞に記載の無機イオン捕捉剤を０．０５〜５重量部含有する、ワニス用組成物。
＜１０＞ 樹脂固形分１００重量部に対し、上記＜１＞に記載のハイドロタルサイト化合物、または、上記＜３＞に記載の無機イオン捕捉剤を０．０５〜５重量部含有する、接着剤用組成物。
＜１１＞ 樹脂固形分１００重量部に対し、上記＜１＞に記載のハイドロタルサイト化合物、または、上記＜３＞に記載の無機イオン捕捉剤を０．０５〜５重量部含有する、ペースト用組成物。

本発明によれば、環境に優しく高性能な新しい無機イオン捕捉剤を提供することができた。詳しくは、少量の添加により優れた金属腐食防止効果を奏する新規なハイドロタルサイト化合物およびこれを用いた無機イオン捕捉剤を提供することができた。

以下、本発明について詳細に説明するが、本発明の効果が得られるのであればこれに限定されるものではない。なお、重量部を単に部と称する。また、「Ａ以上Ｂ以下」を、単に「Ａ〜Ｂ」と称する。したがって、「Ａ〜Ｂ」の記載は、その端点であるＡおよびＢをも含むものである。
○ハイドロタルサイト化合物
本発明のハイドロタルサイト化合物は、粉末Ｘ線回折パターンにおいてハイドロタルサイト化合物のピークを有し、２θ＝１１．４°〜１１．７°におけるピーク強度が３，５００ｃｐｓ以上で、かつ、ＢＥＴ比表面積が３０ｍ²／ｇを超え、下記式（１）で表わされるものである。
Ｍｇ_aＡｌ_b（ＯＨ）_c（ＣＯ₃）_d・ｎＨ₂Ｏ （１）
式（１）において、ａ、ｂ、ｃ、およびｄは正数であり、２ａ＋３ｂ−ｃ−２ｄ＝０を満たす。また、ｎは水和の数を示し、０または正数である。
また、Ｍｇの一部を他の２価金属イオンに置換したものも同様に好ましく用いることができる。他の２価金属イオンの中で特に好ましいものはＺｎである。

本発明のハイドロタルサイト化合物またはこれを含有する無機イオン捕捉剤は、樹脂に配合することにより、樹脂中から遊離したり、外界から侵入したりするクロルイオンなどの陰イオンおよびイオン性不純物の悪影響を抑制することができる。このことから、本発明のハイドロタルサイト化合物またはこれを含有する無機イオン捕捉剤は、電子部品または電気部品の封止、被覆、および絶縁等に使用することにより、これらの信頼性を高めることができる。また、本発明のハイドロタルサイト化合物またはこれを含有する無機イオン捕捉剤は、塩化ビニル等の樹脂の安定剤、防錆剤等への使用も期待される。

本発明のハイドロタルサイト化合物としては、下記式のものが例示できる。
Ｍｇ_4.5Ａｌ₂（ＯＨ）₁₃ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏ、Ｍｇ₅Ａｌ_1.5（ＯＨ）_12.5ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏ、Ｍｇ₆Ａｌ₂（ＯＨ）₁₆ＣＯ₃・４Ｈ₂Ｏ、Ｍｇ_4.2Ａｌ₂（ＯＨ）_12.4ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏ、Ｍｇ_4.3Ａｌ₂（ＯＨ）_12.6ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏ、Ｍｇ_2.5Ｚｎ₂Ａｌ₂（ＯＨ）₁₃ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏ、Ｍｇ_4.2Ａｌ₂（ＯＨ）_12.4ＣＯ₃・２．５Ｈ₂Ｏ、Ｍｇ_4.2Ａｌ₂（ＯＨ）_12.4ＣＯ₃・Ｈ₂Ｏ、Ｍｇ₄Ａｌ₂（ＯＨ）₁₂ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏ。
これらの内、好ましいものは式（１）において、ａ／ｂが１．５以上５以下であるハイドロタルサイト化合物である。ａ／ｂが大きすぎる場合は結晶化が遅く、金属イオンの溶出が多くなる問題があり、ａ／ｂが小さすぎる場合は過剰のＡｌが複塩となったりしてやはり結晶性を損ねる。ａ／ｂが上記範囲内であると、速やかに結晶化し、金属イオンの溶出が少なく、結晶性が良好であるので好ましい。ａ／ｂのより好ましい範囲は１．７以上３以下、さらに好ましい範囲は１．８以上２．５以下であり、特に好ましいハイドロタルサイト化合物の具体例としてはＭｇ_4.2Ａｌ₂（ＯＨ）_12.4ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏが挙げられる。

本発明のハイドロタルサイト化合物のＢＥＴ比表面積は３０ｍ²／ｇを超えるものである。ハイドロタルサイト化合物のＢＥＴ比表面積が３０ｍ²／ｇ以下であると、陰イオンのトラップ能力が低くなる。
ＢＥＴ比表面積の上限はないが、好ましくは３２〜７０ｍ²／ｇであり、より好ましくは３５〜６０ｍ²／ｇである。比表面積が小さいと陰イオンのトラップ能力は低くなるため好ましくないが、逆にあまり比表面積が大きすぎると樹脂中に分散した時の組成物の流動性が低くなる場合があるために好ましくない。ＢＥＴ比表面積が上記範囲内であると、陰イオンのトラップ能力が高く、かつ、樹脂中に分散したときの組成物の流動性が良好であるので好ましい。

本発明のハイドロタルサイト化合物は、粉末Ｘ線回折パターンにおいてハイドロタルサイト化合物のピークを有する。ハイドロタルサイト化合物は、特開２００３−２６４１８号公報の図１に示されるような特異的なＸ線回折チャートを示す。すなわち、本発明のハイドロタルサイト化合物は、格子面［０ ０ ６］、［０ ０ １２］、［０ ２ ４］、［０ ２ １０］、［１ ２ ５］面に相当する反射ピークを有する。
本発明のハイドロタルサイト化合物の特徴である高い結晶性の評価は、粉末Ｘ線回折パターンに現れる特定ピーク位置でのＸ線カウント数によって行う。上述の特開２００３−２６４１８号公報の図１に示されるように、チャート上のピーク位置はＸ線のブラッグ反射角θに関する２θの値によって規定され、２θ＝１１．４°〜１１．７°の間にハイドロタルサイト化合物の（００６）結晶面の反射が最大ピークとして現れるため、このピークのＸ線カウント数の数字をピーク強度として結晶性の大きさの評価指標とする。

ハイドロタルサイト化合物の結晶性が高いほど溶解性は低くなるため、構成する金属イオンがイオン性不純物となって溶出する可能性が小さくなるので好ましい。ハイドロタルサイト化合物が非晶質であるとき粉末Ｘ線回折のピーク強度は０となり、結晶性が上がるにつれてピーク強度は大きくなり、単結晶となった場合に上限値を示す。粉末Ｘ線回折装置の状態によってＸ線強度が変動する可能性があるが、単結晶に近いハイドロタルサイト化合物を標準として測定し、そのピーク強度の大きさで他の測定データを規格化することができる。具体的には、例えば比較例１で用いる協和化学工業（株）製のハイドロタルサイトＤＨＴ−４Ａは、ほぼ単結晶に近い結晶化度であるので、ＤＨＴ−４Ａを測定してそのピーク強度が８，０００ｃｐｓになるような係数を決め、すべての測定結果に同じ係数をかけることによって規格化することができる。
すなわち、本発明のハイドロタルサイト化合物は、ＤＨＴ−４Ａ（協和化学工業（株）製）の２θ＝１１．４°〜１１．７°におけるピーク強度を８，０００ｃｐｓとしたとき、２θ＝１１．４°〜１１．７°におけるピーク強度が３，５００ｃｐｓ以上である。
本発明のハイドロタルサイト化合物のピーク強度は、ＤＨＴ−４Ａのピーク強度が８，０００ｃｐｓの時に３，５００ｃｐｓ以上であり、好ましくは４、０００ｃｐｓ以上、より好ましくは５，０００ｃｐｓ以上である。
また、本発明のハイドロタルサイト化合物の２θ＝１１．４°〜１１．７°におけるピーク強度の上限は特に限定されないが、一般的に２０，０００ｃｐｓ以下であり、好ましくは１５，０００ｃｐｓ以下である。

本発明のハイドロタルサイト化合物の２次粒径には、レーザー回折式粒度分布計、例えば日機装（株）製のレーザー回折式粒度分布測定装置「マイクロトラックＭＴ３０００」で測定される平均粒径を用いる。２次粒径があまり大きすぎると電子部品等の封止に用いるときに細かい隙間に入り込むことができないため好ましくなく、あまり小さすぎると凝集性が高くなって樹脂中での分散が困難になるため好ましくない。本発明のハイドロタルサイト化合物の２次粒径は、好ましくは２μｍ以下であり、より好ましくは０．０３〜１．０μｍであり、さらに好ましくは０．０５〜０．７μｍである。
また、本発明のハイドロタルサイト化合物の１次粒径は、走査電子顕微鏡例えば「ＪＳＭ−６３３０Ｆ」（日本電子（株）製）や透過電子顕微鏡を用いて測定することができる。本発明のハイドロタルサイト化合物の１次粒径は、好ましくは２００ｎｍ以下であり、より好ましくは４０〜１５０ｎｍであり、さらに好ましくは５５〜１２０ｎｍである。一次粒径が上記範囲内であると、ろ過性が良好で合成後の洗浄がしやすく、性能も高いので好ましい。

○金属不純物
本発明のハイドロタルサイト化合物の原料である、マグネシウム、アルミニウムは工業的には天然原料を多く使用するため、マグネシウム、アルミニウム以外の金属不純物を含有することがある。しかしながら、鉄、マンガン、コバルト、クロム、銅、バナジウムおよびニッケルなどの重金属や、ウラン、トリウムなどの放射性元素を含有することは、環境の面や、電子材料の誤作動の原因になるなどの悪影響があるため好ましくない。

本発明のハイドロタルサイト化合物において、上記の例を含む重金属の含有量の合計は、好ましくは１，０００ｐｐｍ以下であり、より好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、さらに好ましくは２００ｐｐｍ以下である。また、ウラン、トリウムの含有量の合計については、好ましくは５０ｐｐｂ以下であり、より好ましくは２５ｐｐｂ以下であり、さらに好ましくは１０ｐｐｂ以下である。

ハイドロタルサイト化合物中の金属不純物の含有量は、蛍光Ｘ線分析法などの乾式分析も適用できるが、ハイドロタルサイト化合物を硝酸などの酸に溶解させ水溶液とする湿式分析法で、原子吸光分析法や結合誘導プラズマ発光分析法（ＩＣＰ）などにより測定することができる。この中では高感度で多元素を測定できる点でＩＣＰ法が好ましい。

式（１）でｎＨ₂Ｏで示される結晶水は加熱乾燥によって除去され、その限界はｎ＝０であるが、吸湿によって容易に元の結晶水のｎ数に戻る。しかし、一度乾燥履歴を経たハイドロタルサイト化合物はＣｕイオンなどの２価・３価の金属イオンの捕捉能力が格段に向上するために、電子材料の銅配線のマイグレーションの防止に有効である。このようなハイドロタルサイト化合物乾燥体および、乾燥履歴を経たハイドロタルサイト化合物も本願のハイドロタルサイト化合物に含まれる。

○製造方法
本発明のハイドロタルサイト化合物の製造方法としては、当該ハイドロタルサイト化合物が得られるならば、どのような方法でもよい。例えば、金属イオン水溶液からハイドロタルサイト化合物前駆体の沈殿を生成させる工程、および、７０℃以上１５０℃以下にて５時間以上４０時間以下加熱させる工程をこの順で含む、ハイドロタルサイト化合物の製造方法が例示できる。ここで、金属イオン水溶液とは、金属イオン原料および炭酸イオンを含有し、必要に応じて塩基性物質を添加して所望のｐＨとした水溶液である。
より詳細には、マグネシウム塩やアルミニウム塩などの金属イオン原料を所定の仕込み比率で水に溶解した後、水溶液中に炭酸イオンが含有した状態で溶液のｐＨを上昇させて沈殿を生成せしめ、この沈殿を加熱熟成し、水洗し、乾燥する方法が挙げられる。

金属イオン原料としては水に溶けるイオン性金属化合物であればいずれも用いることができる。例えばマグネシウムイオン原料としては硝酸マグネシウム、塩化マグネシウム、硫酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、酢酸マグネシウムなどを例示することができる。この中で特に好ましいものは硝酸マグネシウムであり、水酸化マグネシウムや酸化マグネシウム、炭酸マグネシウム、炭酸水素マグネシウム、金属マグネシウム等に硝酸を加えて溶解したものも同様に好ましく用いることができる。
アルミニウムイオン原料としては硝酸アルミニウム、塩化アルミニウム、硫酸アルミニウム、水酸化アルミニウムなどを例示することができる。この中で特に好ましいものは硝酸アルミニウムであり、水酸化アルミニウムや酸化アルミニウム、金属アルミニウム等に硝酸を加えて溶解したものも同様に好ましく用いることができる。
マグネシウムの一部を亜鉛などの他の金属で置換した組成のハイドロタルサイト化合物を製造する場合の金属イオン原料についても同様に各種金属塩が使用できる。また、水酸化アルミナマグネシウムやアルミン酸ナトリウム、アルミン酸カリウムなどの複塩を用いることも可能である。

硝酸塩原料を用いることが好ましい理由は、硫酸塩や塩化物を原料とした場合には後述する熟成反応が速く不均一に進む傾向があり、比表面積は大きいが結晶化度が比較的小さなハイドロタルサイト化合物ができやすいからである。また、硫酸イオンは洗浄時に粒子に残留する傾向が大きいという理由からも、原料に含まれないほうが好ましい。
いずれの金属イオン原料を用いる場合でも、適宜仕込み量を按配することによって所望のａ／ｂ比のハイドロタルサイト化合物を得ることができる。また、マグネシウムの一部を亜鉛などの他の金属で置換するときも同様で、原料の仕込み比率を按配することによって所望の組成のハイドロタルサイト化合物を得ることができる。

金属イオン原料を所定の仕込み比率で水に溶解したものに、炭酸イオンを含有させた状態で水溶液のｐＨを上昇させて沈殿を生成せしめることができる。この沈殿をハイドロタルサイト化合物前駆体と呼ぶ。本発明でハイドロタルサイト化合物前駆体の沈殿を生成させしめるときのｐＨとしては５〜１４が好ましく、より好ましくはｐＨ１０〜１３．５である。ｐＨが５以上であると、沈殿の生成が容易であるので好ましい。また、ｐＨが１４以下であると、使用するアルカリの量が少なく、経済的であるので好ましい。

水溶液のｐＨを上昇させるためにはアンモニアやアルカリ金属酸化物、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属水酸化物などの塩基性物質を加える方法を用いることができる。この中でも水酸化アルカリ金属を加える方法が簡便で好ましい。
水酸化アルカリ金属とは水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムであり、好ましくは水酸化ナトリウムである。
炭酸イオンを含有させる方法としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなどの炭酸塩や炭酸水素塩を溶解させたり、炭酸ガスを溶解させたりする方法のいずれでも好ましく用いることができる。これらの内で好ましい方法は炭酸ナトリウムを加える方法である。

これらの塩基性物質と炭酸イオン源とは金属原料の水溶液（金属原料水溶液）に別々に加えても良いが、一定の割合で同時に加えたほうが生成する沈殿の組成が一定になりやすいため好ましい。特に好ましい組み合わせとしては、水酸化ナトリウムと炭酸ナトリウムとの両方を含有する塩基性水溶液を、金属原料水溶液に加えて所定のｐＨにする方法である。この場合の水酸化ナトリウム／炭酸ナトリウムの好ましい重量比率は１１〜１．２、より好ましくは５．７〜１．４、さらに好ましくは３．８〜１．６であり、一定の比率で水溶液としたものを金属原料水溶液に所定のｐＨになるまで加えることでハイドロタルサイト化合物前駆体の沈殿を得ることができる。

ハイドロタルサイト化合物前駆体の沈殿を生成させるときの水溶液の温度としては、まず経済的な理由から１〜１００℃が好ましいが、最終的に得られるハイドロタルサイト化合物の性能を鑑みると１０〜８０℃がより好ましく、２０〜６０℃がさらに好ましい。
前駆体の段階では中途半端な結晶化が起きていないほうが、後の加熱（加熱熟成）の段階での結晶化が均一に進行するので得られるハイドロタルサイト化合物の性能は良くなる。したがって、好ましい温度範囲の中でも、特に好ましい温度範囲は比較的低い温度範囲にあり、２０〜３５℃でハイドロタルサイト化合物前駆体沈殿を生成させる場合にとりわけ好ましいハイドロタルサイト化合物が得られる。
ハイドロタルサイト化合物前駆体沈殿を生成させるための時間は特に限定されないが、５分〜２時間であることが好ましく、１０分〜１．５時間であることがより好ましく、１５分〜１時間であることがさらに好ましい。ハイドロタルサイト化合物前駆体沈殿を生成させるための時間が前記範囲内であると、十分に沈殿を生じさせることができるとともに、時間効率が良好であるので好ましい。

なお、本発明において、ハイドロタルサイト化合物前駆体を沈殿させるにあたり、金属イオン水溶液には水溶性アンモニウム塩が添加されていないことが好ましい。水溶性アンモニウム塩が添加されていると、結晶性が低くなる場合があり、また、含窒素の廃液が多量に発生するため環境の面からも水溶性アンモニウム塩を添加しないことが好ましい。

次に、ハイドロタルサイト化合物前駆体の沈殿を加熱により熟成させる。加熱熟成させるときの温度は、従来のハイドロタルサイト化合物の製法では１７０℃以上の高温で熟成する方法が一般的であったが、熟成温度が高すぎると粒子が成長して大粒径となり比表面積が小さくなる上、結晶成長が不均一で結晶性の低い粒子が残り易いために、不純物の溶出が起きやすかった。本発明では比較的低温で熟成することが好ましく、これにより粒径は成長させないで、すなわち比表面積は高いままで均一に結晶性を上げることができるために好ましい。しかし、あまり温度が低すぎると熟成に長時間を要して経済的でないため、熟成温度としては７０〜１５０℃が好ましく、より好ましくは８０〜１２０℃であり、９０〜１０５℃の間であれば、オートクレーブなどの耐圧性の反応器を用いなくても、通常の反応器で達成できるという点で特に好ましい。

ハイドロタルサイト化合物前駆体の沈殿を加熱熟成させるときの好ましい熟成時間は、原料によって大きく異なるために一概にはいえない。通常は５〜４０時間の間であるが、原料が塩化物や硫酸塩である場合は熟成反応が速く進むので５〜２４時間が好ましく、６〜１８時間がより好ましい。原料が硝酸塩の場合は熟成反応が遅いので１０〜３０時間が好ましく、１６〜２４時間がより好ましく、混合原料の場合にはこれらの中間の範囲となる。最も好ましい結果を与える組み合わせは硝酸塩を原料として６〜２４時間の熟成時間とする場合である。

合成したハイドロタルサイト化合物の水洗は、イオン交換水を用いることが好ましく、水洗された液の電導度が１００μＳ／ｃｍ以下まで十分行うことが好ましい。より好ましくは５０μＳ／ｃｍ以下である。

水洗したハイドロタルサイト化合物を乾燥するときの温度は、３５０℃以下であれば何℃でも良い。より好ましくは、７０〜３３０℃であり、さらに好ましくは９０〜３００℃である。
乾燥温度が７０℃以上であると、乾燥にかかる時間が短いので好ましい。また、乾燥温度が３５０℃以下であると、ハイドロタルサイト中の炭酸イオンが放出されることなく結晶構造を維持することができ、高い結晶性を得ることができるので好ましい。

さらに、式（１）でｎＨ₂Ｏとして表された結晶水を減少させたハイドロタルサイト乾燥体は、吸湿によって元のｎ数に戻った後もＣｕイオンなどの２価・３価の金属イオンの捕捉能力が格段に上がるために好ましいが、このような効果を得るためには好ましくは２００〜３５０℃で０．５〜４０時間、より好ましくは２００〜３００℃で１〜２４時間乾燥することが好ましい。総合的に特に好ましいのは、ハイドロタルサイト化合物を２００〜３００℃で１〜２４時間乾燥することである。

○イオン性不純物
本発明のハイドロタルサイト化合物は、水に溶出するイオン性不純物の少ないものであることが好ましい。イオン性不純物としては、陰イオンの硫酸イオン、硝酸イオン、塩化物イオン等、および、陽イオンのナトリウムイオン、マグネシウムイオン等である。
ハイドロタルサイト化合物から水中に溶出するイオン性不純物の量の測定方法は以下の通りである。：
５ｇの検体と５０ｍｌのイオン交換水とをポリテトラフルオロエチレン製の密閉耐圧容器に入れ、密閉して１２５℃で２０時間加熱処理を行う。冷却後、ポアサイズ０．１μｍのメンブレンフィルターでこの溶液を濾過し、濾液中の硫酸イオン、硝酸イオン、および塩化物イオン濃度をイオンクロマトグラフィーで測定し、ナトリウムイオンおよびマグネシウムイオン濃度をＩＣＰで測定する。それぞれの測定値を合計して１０倍した数値をイオン性不純物量（ｐｐｍ）とする。

＜イオンクロマトグラフィー分析条件＞
測定機器：ＤＩＯＮＥＸ社製 ＤＸ−３００型
分離カラム ：ＩｏｎＰａｃ ＡＳ４Ａ−ＳＣ（ＤＩＯＮＥＸ社製）
ガードカラム：ＩｏｎＰａｃ ＡＧ４Ａ−ＳＣ（ＤＩＯＮＥＸ社製）
溶離液：１．８ｍＭ Ｎａ₂ＣＯ₃／１．７ｍＭ ＮａＨＣＯ₃水溶液
流量 ：１．５ｍＬ／ｍｉｎ
サプレッサー：ＡＳＲＳ−Ｉ（リサイクルモード）
上記の分析条件で、硫酸イオン、硝酸イオン、および塩化物イオンを測定した。

＜ＩＣＰ発光分光分析法＞
ＪＩＳ Ｋ ０１１６−２００３に準拠した分析方法により、ナトリウムイオンおよびマグネシウムイオン濃度を測定した。

本発明において、ハイドロタルサイト化合物からのイオン性不純物の溶出量は、上記で測定したイオン性不純物量の合計である。当該イオン性不純物の量が５００ｐｐｍを超えると、電子材料の信頼性に悪影響を与えるために好ましくなく、本発明のハイドロタルサイト化合物では５００ｐｐｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１００ｐｐｍ以下であり、さらに好ましくは５０ｐｐｍ以下である。

○塩化物イオン交換容量
本発明において、塩化物イオン交換容量とは、塩酸を用いて測定したものである。
ハイドロタルサイト化合物における塩化物イオン交換容量の測定方法：
１ｇの検体と５０ｍｌの０．１ｍｏｌ／リットル濃度の塩酸水溶液とをポリエチレン製の瓶に入れ、密栓して４０℃で２４時間振とうする。その後、ポアサイズ０．１μｍのメンブレンフィルターでこの溶液を濾過し、この濾液中の塩化物イオン濃度をイオンクロマトグラフィーで測定する。検体を入れないで同様の操作を行って塩化物イオン濃度を測定した値と先に測定した値とから、ハイドロタルサイト化合物の塩化物イオン交換容量（ｍｅｑ／ｇ）を求める。

本発明のハイドロタルサイト化合物の塩化物イオン交換容量は、好ましくは１．０ｍｅｑ／ｇ以上であり、１．２ｍｅｑ／ｇ以上がより好ましく、さらに好ましくは１．５ｍｅｑ／ｇ以上であり、１０ｍｅｑ／ｇ以下であることが好ましい。当該塩化物イオン交換容量がこの範囲であると電子材料の信頼性を維持することができるので好ましい。

○電導度
本発明のハイドロタルサイト化合物における上清の電導度は、２００μＳ／ｃｍ以下が好ましく、１５０μＳ／ｃｍ以下がより好ましく、１００μＳ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
上清の電導度の測定方法は以下の通りである。：
５ｇのハイドロタルサイト化合物を５０ｇのイオン交換水中に入れて１２５℃で２０時間処理した後、ろ過して、この上清の電導度を電導度計で測定したものである。

○無機イオン捕捉剤
本発明の無機イオン捕捉剤は、本発明のハイドロタルサイト化合物に加えて無機陽イオン交換体を含有することができる。本発明のハイドロタルサイト化合物は、無機陽イオン交換体と併用することにより、陰イオン捕捉能を増加させ、かつ、陽イオンの捕捉効果をも増強させることができるので好ましい方法である。
本発明において、無機陽イオン交換体とは、ハイドロタルサイト化合物の性能を低下させないもので、陽イオン交換性を有する無機物質であればどのようなものでも使用可能である。無機陽イオン交換体の具体例としては、アンチモン酸（五酸化アンチモン水和物）、ニオブ酸（五酸化ニオブ水和物）、マンガン酸化物、リン酸ジルコニウム、リン酸チタン、リン酸スズ、リン酸セリウム、ゼオライト、および粘土鉱物等が挙げられ、これらの中でさらに好ましいのはアンチモン酸（五酸化アンチモン水和物）、リン酸ジルコニウム、およびリン酸チタンである。

本発明の無機イオン捕捉剤において、ハイドロタルサイト化合物と無機陽イオン交換体との配合比は、特に限定はない。例えば、ハイドロタルサイト化合物１００重量部に対して無機陽イオン交換体が４００重量部以下が好ましく、より好ましくは１００重量部以下である。
本発明のハイドロタルサイト化合物と無機陽イオン交換体との配合は、電子部品封止用樹脂組成物を作製する際に別個に配合してもよく、これらを予め均一に混合してから行うこともできる。好ましくは予め混合して無機イオン捕捉剤としてから用いるものである。
このようにすることにより、両イオン交換体の複合効果をさらに発揮させることができるからである。

○組成物
本発明の組成物は、本発明のハイドロタルサイト化合物または本発明のイオン捕捉剤を含有する。その他の成分は特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。
本発明の組成物は、電子部品封止用、電気部品封止用に使用することができる。また、ワニス、接着剤、および、ペースト、並びに、これらを含有する製品用に使用することができる。詳細については後述する。

○電子部品封止用樹脂組成物
電子部品封止用樹脂組成物とは、例えば、ＬＳＩ、ＩＣ、ハイブリッドＩＣ、トランジスタ、ダイオード、およびサイリスタやこれらのハイブリッド部品などの多くの電子部品を外界からのイオン性汚染や水分、熱などによる劣化から保護するために、これらの電子部品の全体あるいは一部に密着させて硬化させて使用する樹脂組成物の総称である。
本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を配合する電子部品封止用樹脂組成物に用いられる樹脂としては、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、およびエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂であっても、ポリエチレン、ポリスチレン、塩化ビニル、およびポリプロピレン等の熱可塑性樹脂であってもよく、好ましくは熱硬化性樹脂である。本発明の電子部品封止用樹脂組成物に用いる熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂またはエポキシ樹脂が好ましく、特に好ましくはエポキシ樹脂である。

エポキシ樹脂は、電子部品封止用樹脂に用いられているものであれば限定なく用いることができる。例えば、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、硬化可能なものであれば特に種類は問わず、フェノール・ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等、成形材料として用いられているものをいずれも使用できる。また、本発明の電子部品封止用樹脂組成物の耐湿性を高めるためには、エポキシ樹脂として、塩化物イオン含有量が１０ｐｐｍ以下、加水分解性塩素含有量が１，０００ｐｐｍ以下のものを用いることが好ましい。なお、塩化物イオン含有量はＪＩＳ−７２４３−３に定める無機塩素（またはイオン性塩素といわれる無機塩素）の含有量を意味し、加水分解性塩素含有量とはＪＩＳ−７２４３−２に定める易可けん化塩素の含有量を意味する。
エポキシ樹脂は、硬化剤および硬化促進剤を併用することが好ましい。その場合の硬化剤はエポキシ樹脂組成物の硬化剤として知られているものをいずれも使用可能であり、好ましい具体例として、酸無水物、アミン系硬化剤およびノボラック系硬化剤等がある。また、硬化促進剤としてはエポキシ樹脂組成物の硬化促進剤として知られているものをいずれも使用可能であり、好ましい具体例として、アミン系、リン系、およびイミダゾール系の促進剤等がある。

本発明の電子部品封止用樹脂組成物には、成形用樹脂に配合する成分として知られたものを必要に応じて配合することもできる。この成分としては、無機充填物、難燃剤、カップリング剤、着色剤、および離型剤等が例示できる。これらの成分はいずれも成形用エポキシ樹脂に配合する成分として知られたものである。無機充填物の好ましい具体例として、結晶性シリカ粉、石英ガラス粉、溶融シリカ粉、アルミナ粉およびタルク等が挙げられ、中でも結晶性シリカ粉、石英ガラス粉および溶融シリカ粉が安価で好ましい。難燃剤の例としては、酸化アンチモン、ハロゲン化エポキシ樹脂、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、赤燐系化合物、リン酸エステル系化合物等があり、カップリング剤の例としては、シラン系およびチタン系等があり、離型剤の例としては、脂肪族パラフィン、高級脂肪族アルコール等のワックスがある。

本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を配合する電子部品封止用樹脂組成物の効果は、組成物が１００℃以上の高温にさらされる場合に特に有効に発現する。即ち、電子部品封止用樹脂組成物またはその中に含まれる各種添加剤は、高温に曝されることにより塩化物イオンや硫酸イオンなどの陰イオンを放出しやすくなり、信頼性を低下させる原因となるからである。当該温度が１００℃以上、さらには１５０℃以上かかる電子部品封止用樹脂組成物では、本発明のハイドロタルサイト化合物が特に有効に作用する。

本発明の電子部品封止用樹脂組成物には、上記の成分の他に反応性希釈剤、溶剤やチクソトロピー性付与剤等を含有することもできる。具体的には、反応性希釈剤としてはブチルフェニルグリシジルエーテル、溶剤としてはメチルエチルケトン、チクソトロピー性付与剤としては有機変性ベントナイトが例示できる。

本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤の好ましい配合割合は、電子部品封止用樹脂組成物１００部当たり０．０１〜１０部であり、より好ましくは０．０５〜５部であり、さらに好ましくは０．０５〜０．７部である。０．０１部以上であると、陰イオン除去性を高める効果が得られるので好ましい。また、１０部以下で十分な効果が得られると共に経済的であるので好ましい。

本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、上記の原料を公知の方法で混合することにより容易に得ることができ、例えば上記各原料を適宜配合し、この配合物を混練機にかけて加熱状態で混練し、半硬化状の樹脂組成物とし、これを室温に冷却した後、公知の手段により粉砕し、必要に応じて打錠することにより得られるものを挙げることができる。

本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤は、電子部品または電気部品の封止、被覆、および絶縁等の様々な用途に使用することが可能である。さらに、塩化ビニル等の樹脂の安定剤、防錆剤等にも使用可能である。

本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を配合した電子部品封止用樹脂組成物は、リードフレーム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス、シリコンウエハ等の支持部材に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の素子を搭載したものなどに使用することができる。また、プリント配線板にも本発明の電子部品封止用樹脂組成物は有効に使用できる。
本発明の電子部品封止用樹脂組成物を用いて素子を封止する方法としては、低圧トランスファ成形法が最も一般的であるが、インジェクション成形法、圧縮成形法等を用いてもよい。

○配線板への適用について
エポキシ樹脂等の熱硬化性を用いてプリント配線基板とし、これに銅箔等を接着し、これをエッチング加工等して回路を作製して配線板を作製している。しかし近年、回路の高密度化、回路の積層化および絶縁層の薄膜化等により腐食や絶縁不良が問題となっている。配線板を作製するときに本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を添加することによりこのような腐食を防止することができる。また、配線板用の絶縁層にも本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を添加することにより、配線板の腐食等を防止することができる。このようなことから本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を含有する配線板は、腐食等に起因する不良品発生を抑制することができる。この配線板や配線板用の絶縁層中の樹脂固形分１００部に対し、０．０５〜５部の本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を添加することが好ましい。

○接着剤への配合について
配線板等の基板に接着剤を用いて電子部品等を実装している。このとき用いる接着剤に本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を添加することにより、腐食等に起因する不良品発生を抑制することができる。この接着剤中の樹脂固形分１００部に対し、０．０５〜５部の本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を添加することが好ましい。
配線板に電子部品等を接続するまたは配線するときに用いる導電性接着剤等に本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を添加することにより腐食等に起因する不良を抑制することができる。この導電性接着剤とは、銀等の導電性金属を含むものが例示できる。この導電性接着剤中の樹脂固形分１００部に対し０．０５〜５部の本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を添加することが好ましい。

○ワニスへの配合について
本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を含有したワニスを用いて電気製品、プリント配線板、または電子部品等を作製することができる。本発明のハイドロタルサイト化合物は、特に、絶縁ワニスに好適に使用することができる。絶縁ワニスには、エナメル導電線用ワニスのような表面塗布用、マグネットコイル含浸用のような内部含浸用、ワニスクロスやワニスチューブ用塗料等があるが、特に限定されずに使用することができる。
このワニスとしては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を主成分とするものが例示できる。この樹脂固形分１００部に対し０．０５〜５部の本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を添加することが好ましい。

○ペーストへの配合について
銀粉等を含有させたペーストに本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を添加することができる。ペーストとは、ハンダ付け等の補助剤として接続金属同士の接着を良くするために用いられるものである。このことにより、ペーストから発生する腐食性物質の発生を抑制することができる。このペースト中の樹脂固形分１００重量部に対し０．０５〜５重量部の本発明のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を添加することが好ましい。

以下、実施例および比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、％は重量％であり、ｐｐｍは重量ｐｐｍであり、部は重量部である。

＜実施例１＞
１３４．６ｇの硝酸マグネシウム６水和物と９３．８ｇの硝酸アルミニウム９水和物とを２００ｍｌのイオン交換水に溶解し、この溶液を２５℃に保ちながら炭酸ナトリウム９７．４ｇと水酸化ナトリウム１２０ｇとを１Ｌのイオン交換水に溶解した液を加えてｐＨ１０．３に調整した。すぐに沈殿が生成したが、温度を２５℃に保ったまま１時間攪拌を続けた。そして、９８℃で２４時間熟成した。冷却後沈殿物をイオン交換水で洗浄し、ハイドロタルサイト化合物（以下、化合物Ａと呼ぶ。）を得た。この化合物Ａの分析を行ったところ、Ｍｇ_4.5Ａｌ₂（ＯＨ）₁₃ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏであった。
また、リガク電機（株）製、粉末Ｘ線回折装置（ＸＲＤ） ＲＩＮＴ２４００Ｖ型により、この化合物の粉末Ｘ線測定を行った。測定条件は、Ｘ線発生ターゲットに銅を用い、４０ｋＶ、４０ｍＡで測定を行った。この回折図形を図１に示す。この結果、ハイドロタルサイト特有のピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が６，５００ｃｐｓのものであった。

○化合物Ａの分析方法
（１）化合物Ａを硝酸で溶解し、ＪＩＳ Ｋ ０１１６−２００３を準拠した分析方法によりＩＣＰ発光分光分析法でマグネシウムイオン、アルミニウム濃度を測定した。
（２）化合物ＡのＣＨＮ元素分析を行い、炭素含有量を測定して炭酸分を算出した。
（３）化合物Ａを２５０℃で２４時間乾燥し、重量の減少を測定し、結晶水の含有量を測定した。
（４）化合物Ａを５５０℃で２４時間焼成し、重量の減少量よりＣＯ₃およびＯＨの合計量を測定した。これら４つの結果から、化合物Ａの組成を算出した。

＜実施例２＞
１３４．６ｇの硝酸マグネシウム６水和物と９３．８ｇの硝酸アルミニウム９水和物とを２００ｍｌのイオン交換水に溶解し、この溶液を２５℃に保ちながら炭酸ナトリウム３７．１ｇと水酸化ナトリウム１２０ｇとを１Ｌのイオン交換水に溶解した液でｐＨ１１に調整した。すぐに沈殿が生成したが、温度を２５℃に保ったまま１時間攪拌を続けた。そして、９８℃で２４時間熟成した。冷却後沈殿物をイオン交換水で洗浄し、ハイドロタルサイト化合物（以下、化合物Ｂと呼ぶ。）を得た。化合物Ｂの分析を行ったところ、Ｍｇ _4.2Ａｌ₂（ＯＨ）_12.4ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏであった。
また、化合物Ｂの粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。この回折図形を図２に示す。
この結果、ハイドロタルサイトのピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が６，２００ｃｐｓであった。

＜実施例３＞
１３４．６ｇの硝酸マグネシウム６水和物と９３．８ｇの硝酸アルミニウム９水和物とを２００ｍｌのイオン交換水に溶解し、この溶液を２５℃に保ちながら炭酸ナトリウム３７．１ｇと水酸化ナトリウム１２０ｇとを１Ｌのイオン交換水に溶解した液でｐＨ１０に調整した。すぐに沈殿が生成したが、温度を２５℃に保ったまま１時間攪拌を続けた。そして、９５℃で２４時間熟成した。冷却後沈殿物をイオン交換水で洗浄し、ハイドロタルサイト化合物（以下、化合物Ｃと呼ぶ。）を得た。この化合物の分析を行ったところ、Ｍｇ_4.2Ａｌ₂（ＯＨ）_12.4ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏであった。
また、化合物Ｃの粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。この回折図形を図３に示す。
この結果、ハイドロタルサイトのピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が５，８００ｃｐｓであった。

＜参考例４＞
１５３．８ｇの硝酸マグネシウム６水和物と７５．０ｇの硝酸アルミニウム９水和物とを２００ｍｌのイオン交換水に溶解し、この溶液を２５℃に保ちながら炭酸ナトリウム７３．１ｇと水酸化ナトリウム１２０ｇとを１Ｌのイオン交換水に溶解した液でｐＨ１３に調整した。すぐに沈殿が生成したが、温度を２５℃に保ったまま１時間攪拌を続けた。そして、９５℃で２４時間熟成した。冷却後沈殿物をイオン交換水で洗浄し、ハイドロタルサイト化合物（以下、化合物Ｄと呼ぶ。）を得た。化合物Ｄの分析を行ったところ、Ｍｇ₆Ａ_l2（ＯＨ）₁₆ＣＯ₃・４Ｈ₂Ｏであった。
また、化合物Ｄの粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。この回折図形を図４に示す。 この結果、ハイドロタルサイトのピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が５，０００ｃｐｓであった。

＜実施例５＞
７４．６ｇの塩化マグネシウム６水和物と５７．３ｇの硫酸アルミニウム１４−１６水和物とを２００ｍｌのイオン交換水に溶解し、この溶液を２５℃に保ちながら炭酸ナトリウム３７．１ｇと水酸化ナトリウム１２０ｇとを１Ｌのイオン交換水に溶解した液でｐＨ１３に調整した。すぐに沈殿が生成したが、温度を２５℃に保ったまま１時間攪拌を続けた。そして、９８℃で６時間熟成した。冷却後沈殿物をイオン交換水で洗浄し、ハイドロタルサイト化合物（以下、化合物Ｅと呼ぶ。）を得た。化合物Ｅの分析を行ったところ、Ｍｇ_4.2Ａｌ₂（ＯＨ）_12.4ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏであった。
また、化合物Ｅの粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。この回折図形を図５に示す。
この結果、ハイドロタルサイトのピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が４，０００ｃｐｓであった。

＜実施例６＞
８５．４ｇの塩化マグネシウム６水和物と５６．７ｇの硫酸アルミニウム１４−１６水和物とを２００ｍｌのイオン交換水に溶解し、この溶液を２５℃に保ちながら炭酸ナトリウム３７．１ｇと水酸化ナトリウム１２０ｇとを１Ｌのイオン交換水に溶解した液でｐＨ１３に調整した。すぐに沈殿が生成したが、温度を２５℃に保ったまま１時間攪拌を続けた。そして、９８℃で６時間熟成した。冷却後沈殿物をイオン交換水で洗浄し、ハイドロタルサイト化合物（以下、化合物Ｆと呼ぶ。）を得た。化合物Ｆの分析を行ったところ、Ｍｇ_4.5Ａｌ₂（ＯＨ）₁₃ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏであった。
また、化合物Ｆの粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。この回折図形を図６に示す。
この結果、ハイドロタルサイトのピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が４，５００ｃｐｓであった。

＜実施例７＞
１３４．６ｇの硝酸マグネシウム６水和物と９３．８ｇの硝酸アルミニウム９水和物とを２００ｍｌの純水に溶解し、この溶液を４０℃に保ちながら炭酸ナトリウム３７．１ｇと水酸化ナトリウム１２０ｇとを１Ｌの純水に溶解した液でｐＨ１０に調整した。すぐに沈殿が生成したが、温度を４０℃に保ったまま１時間攪拌を続けた。そして、９５℃で２４時間熟成した。冷却後沈殿物を純水で洗浄し、ハイドロタルサイト化合物（以下、化合物Ｇと呼ぶ。）を得た。この化合物の分析を行ったところ、Ｍｇ_4.2Ａｌ₂（ＯＨ）_12.4ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏであった。
また、この化合物の粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。この回折図形を図７に示す。この結果、ハイドロタルサイトのピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が６，１００ｃｐｓであった。

＜参考例８＞
１５３．８ｇの硝酸マグネシウム６水和物と７５．０ｇの硝酸アルミニウム９水和物とを２００ｍｌの純水に溶解し、この溶液を４０℃に保ちながら炭酸ナトリウム７３．１ｇと水酸化ナトリウム１２０ｇとを１Ｌの純水に溶解した液でｐＨ１３に調整した。すぐに沈殿が生成したが、温度を４０℃に保ったまま１時間攪拌を続けた。そして、９５℃で２４時間熟成した。冷却後沈殿物を純水で洗浄し、ハイドロタルサイト化合物（以下、化合物Ｈと呼ぶ。）を得た。この化合物の分析を行ったところ、Ｍｇ₆Ａ_l2（ＯＨ）₁₆ＣＯ₃・４Ｈ₂Ｏであった。
また、この化合物の粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。この回折図形を図８に示す。この結果、ハイドロタルサイトのピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が５，０００ｃｐｓであった。

＜実施例９＞
実施例１の化合物Ａと、無機陽イオン交換体であるα−リン酸ジルコニウム（Ｚｒ（ＨＰＯ₄）₂・Ｈ₂Ｏ）とを重量比で７：３の割合で混合し、本発明の無機イオン捕捉剤としての「化合物Ｉ」を得た。

＜実施例１０＞
実施例１の化合物Ａと、無機陽イオン交換体であるＨタイプナシコン型リン酸ジルコニウム（ＨＺｒ₂（ＰＯ₄）₃）とを重量比で７：３の割合で混合し、本発明の無機イオン捕捉剤としての「化合物Ｊ」を得た。

＜比較例１＞
市販のハイドロタルサイト化合物である協和化学工業（株）製ＤＨＴ−４Ａを比較化合物１として用いた。このものの化学式はＭｇ_4.3Ａｌ₂（ＯＨ）_12.6ＣＯ₃・ｍＨ₂Ｏである。この化合物の粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。この回折図形を図９に示す。この結果、比較化合物１は、ハイドロタルサイトのピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が８，０００ｃｐｓであった。

＜比較例２＞
市販のハイドロタルサイト化合物である協和化学工業（株）製キョーワード５００を比較化合物２として用いた。このものの化学式はＭｇ₆Ａｌ₂（ＯＨ）₁₆ＣＯ₃・４Ｈ₂Ｏである。この化合物の粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。この回折図形を図１０に示す。この結果、比較化合物２は、ハイドロタルサイトのピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が１，０００ｃｐｓであった。

＜比較例３＞
市販のハイドロタルサイト化合物である協和化学工業（株）製キョーワード１０００を比較化合物３として用いた。このものの化学式はＭｇ_4.5Ａｌ₂（ＯＨ）₁₃ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏである。この化合物の粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。この回折図形を図１１に示す。この結果、比較化合物３は、ハイドロタルサイトのピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が１，０００ｃｐｓであった。

＜比較例４＞
１３４．６ｇの硝酸マグネシウム６水和物と９３．８ｇの硝酸アルミニウム９水和物とを２００ｍｌのイオン交換水に溶解し、この溶液を２５℃に保ちながら炭酸ナトリウム７３．１ｇと水酸化ナトリウム１２０ｇとを１Ｌのイオン交換水に溶解した液でｐＨ１０に調整した。そして、２０５℃で６時間熟成した。冷却後沈殿物をイオン交換水で洗浄し、ハイドロタルサイト化合物（以下、比較化合物４と呼ぶ。）を得た。この化合物の分析を行ったところ、Ｍｇ_4.2Ａｌ₂（ＯＨ）_12.4ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏであった。
また、この化合物の粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。この回折図形を図１２に示す。この結果、比較化合物４は、ハイドロタルサイトのピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が１０，０００ｃｐｓであった。

＜比較例５＞
水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ含量が９６％）３９．１７ｇと炭酸ナトリウム（Ｎａ₂ＣＯ₃含量が９９．７％）１１．１６ｇとを攪拌下に水１Ｌに加えて、これを４０℃に加温する。次いでＭｇ／Ａｌのモル比が２．０、ＮＨ₃／Ａｌのモル比が０．３５になるように塩化マグネシウム（ＭｇＯとして１９．７３％）６１．２８ｇと塩化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃として２０．４８％）３７．３３ｇおよび塩化アンモニウム（ＮＨ₃として３１．４６％）２．８４ｇを蒸留水５００ｍｌに加えて調製した水溶液Ａを、徐々に注加した。注加終了後のｐＨは１０．２であった。さらに攪拌下で４０乃至９０℃の温度で約２０時間反応を行った。反応終了後ステアリン酸３．２７ｇ加え攪拌下に表面処理反応を行った。得られた反応懸濁液をろ過、水洗後、７０℃にて乾燥させ、次いで小型のサンプルミルにて粉砕し、比較化合物５を得た。この化合物の分析を行ったところ、Ｍｇ₄Ａｌ₂（ＯＨ）₁₂ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏであった。
また、この化合物の粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。この回折図形を図１３に示す。この結果、比較化合物５は、ハイドロタルサイトのピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が３，０００ｃｐｓであった。

＜比較例６＞
試薬水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ含量９６％）３６．３４ｇ、試薬炭酸ナトリウム（Ｎａ₂ＣＯ₃含量９９．７％）９．９０ｇを攪拌下水１Ｌに加えて、これを４０℃に加温保持しつつ、試薬硝酸マグネシウム（ＭｇＯ分１５．４％）７８．４９ｇ、試薬硝酸アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃分１４．１５％）４８．０４ｇ、試薬塩化アンモニウム（ＮＨ₃分３１．４６％）１．０１ｇに蒸留水５００ｍｌを加えて調製したＭｇ／Ａｌモル比＝２．２５、ＮＨ₃／Ａｌモル比＝０．１４の水溶液を、徐々に注加した。注加終了後のｐＨは１０．８であった。さらに攪拌下に同温度で１時間反応を行った後、９０℃にて１８時間反応を行い、反応終了後、試薬ステアリン酸１．７２ｇ加え、同温度にて２時間攪拌下表面処理反応を行った。得られた反応懸濁液をろ過、水洗後、７０℃にて乾燥させ、次いで小型のサンプルミルにて粉砕し、ハイドロタルサイト化合物（以下、比較化合物６と呼ぶ。）を得た。この化合物の分析を行ったところ、Ｍｇ_4.5Ａｌ₂（ＯＨ）₁₃ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏであった。
また、この化合物の粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。この回折図形を図１４に示す。この結果、比較化合物６は、ハイドロタルサイトのピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が２，３００ｃｐｓであった。

＜比較例７＞
比較例５において、試薬水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ含量９６％）を３７．００ｇとし、塩化アンモニウムを加えずに反応を行い、注加終了後のｐＨを１０．１にした以外は、比較例５と同様にして白色の微粉末である比較化合物７を得た。この化合物の分析を行ったところ、Ｍｇ₄Ａｌ₂（ＯＨ）₁₂ＣＯ₃・３．５Ｈ₂Ｏであった。
また、この化合物の粉末Ｘ線回折（ＸＲＤ）測定を行った。この回折図形を図１５に示す。この結果、比較化合物７は、ハイドロタルサイトのピークを有し、２θ＝１１．５２°のピーク強度が３，０００ｃｐｓであった。

○イオン捕捉剤の基本物性
＜ＢＥＴ比表面積の測定＞
化合物Ａの比表面積をＪＩＳ Ｚ８８３０「気体吸着による粉体（固体）の比表面積測定方法」により測定した。この結果を表１に示す。
同様に実施例２、３、５〜７および参考例４、８で調製した化合物Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、および比較例１〜７で調製した比較化合物１〜７についても比表面積を測定した。結果を表１に併せて示す。

＜平均２次粒径の測定＞
得られた化合物Ａの２次粒径を日機装（株）製レーザー回折式粒度分布測定装置「マイクロトラックＭＴ３０００」により測定し、平均粒径を算出した。この結果を表１に示す。同様に実施例２、３、５〜７および参考例４、８で調製した化合物Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈおよび比較例１〜７で調製した比較化合物１〜７についても平均２次粒径を測定した。結果を表１に併せて示す。

＜平均１次粒径の測定＞
また、得られた化合物Ａ〜Ｈおよび比較例１〜７で調製した比較化合物１〜７について、走査電子顕微鏡「ＪＳＭ−６３３０Ｆ」（日本電子（株）製）を用いて１次粒子径を測定した。結果を表１に併せて示す。

＜塩化物イオン交換容量の測定＞
１．０ｇの化合物Ａを１００ｍｌのポリエチレン製の瓶に入れ、さらに５０ｍｌの０．１ｍｏｌ／リットル濃度の塩酸水溶液を投入し、密栓して４０℃で２４時間振とうした。その後、ポアサイズ０．１μｍのメンブレンフィルターでこの溶液を濾過し、濾液中の塩化物イオン濃度をイオンクロマトグラフィーで測定した。この塩化物イオンの値に対し、ハイドロタルサイト化合物を入れないで同様の操作を行って硫酸イオン濃度を測定した値を除したものから塩化物イオン交換容量（ｍｅｑ／ｇ）を求めた。この結果を表２に示す。
実施例２、３、５〜７および参考例４、８で調製した化合物Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、および、比較例１〜７で調製した比較化合物１〜７についても同様に処理して塩化物イオン交換容量（ｍｅｑ／ｇ）を求めた。これらの結果を表２に示す。

・イオンクロマトグラフィー分析条件
測定機器：ＤＩＯＮＥＸ社製 ＤＸ−３００型
分離カラム ：ＩｏｎＰａｃ ＡＳ４Ａ−ＳＣ（ＤＩＯＮＥＸ社製）
ガードカラム：ＩｏｎＰａｃ ＡＧ４Ａ−ＳＣ（ＤＩＯＮＥＸ社製）
溶離液：１．８ｍＭ Ｎａ₂ＣＯ₃／１．７ｍＭ ＮａＨＣＯ₃水溶液
流量 ：１．５ｍＬ／ｍｉｎ
サプレッサー：ＡＳＲＳ−Ｉ（リサイクルモード）
上記記載の分析条件で、塩化物イオンを測定した。

＜不純物イオン溶出量（イオン性不純物量）の測定＞
５．０ｇの化合物Ａを１００ｍｌのポリテトラフルオロエチレン製の密閉耐圧容器に入れ、さらに５０ｍｌのイオン交換水を投入して、密閉して１２５℃で２０時間処理を行った。冷却後、ポアサイズ０．１μｍのメンブレンフィルターでこの溶液を濾過し、濾液中の硫酸イオン、硝酸イオン、および塩化物イオン濃度をイオンクロマトグラフィー（上記記載の分析条件で、硫酸イオン以外に硝酸イオンおよび塩化物イオンを測定した。以下、同様の方法で測定した）で測定した。また、濾液中のナトリウムイオンとマグネシウムイオンの濃度はＩＣＰで測定した。それぞれの測定値の合計を１０倍した数値をイオン性不純物量（ｐｐｍ）とした。この結果を表２に示す。
実施例２、３、５〜７、９、１０および参考例４、８で調製した化合物Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、および、比較例１〜７で調製した比較化合物１〜７についても同様に不純物イオン溶出量を測定した。これらの結果を表２に示す。

＜上清の電導度の測定＞
５．０ｇのハイドロタルサイト化合物Ａを１００ｍｌのポリテトラフルオロエチレン製の密閉耐圧容器に入れ、さらに５０ｍｌのイオン交換水を投入して、密閉して１２５℃で２０時間処理を行った。冷却後、ポアサイズ０．１μｍのメンブレンフィルターでこの溶液を濾過し、濾液の電導度（μＳ／ｃｍ）を測定した。この結果を表２に示す。
実施例２、３、５〜７、９、１０および参考例４、８で調製した化合物Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、および、比較例１〜７で調製した比較化合物１〜７についても同様に上清の電導度を測定した。これらの結果を表２に示す。

＜実施例１１＞
○アルミニウム配線の腐食試験
〔サンプルの作製〕
７２重量部のビスフェノールエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジンエピコート８２８：エポキシ当量１９０）、２８重量部のアミン系硬化剤（日本化薬（株）製・カヤハードＡＡ：分子量２５２）、１００重量部の溶融シリカ、１重量部のエポキシ系シランカップリング剤（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−４０３）および０．２５重量部の化合物Ａを配合し、３本ロールで混合した。さらにこの混合物を３５℃で１時間真空脱気した。
混合した樹脂を、ガラス板に印刷された２本のアルミ配線（線幅２０μｍ、膜厚０．１５μｍ、長さ１，０００ｍｍ、線間隔２０μｍ、抵抗値・約９ｋΩ）上に厚さ１ｍｍで塗布し、１２０℃で硬化させ、アルミ配線サンプルＡを作製した。

〔腐食試験〕
作製したエポキシ被覆したアルミ配線サンプルＡについてプレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）を行った。なお、使用機器および条件は以下の通りである。
使用機器：エスペック（株）製ＥＨＳ−２１１Ｍ
試験条件：１３０℃±２℃、８５％ＲＨ（±５％）
印加電圧：２０Ｖ、
時間：６０時間
ＰＣＴ前と後で、陽極のアルミ配線の抵抗値を測定し、抵抗値の変化率で評価した。また、アルミ配線の腐食度合いを裏面から顕微鏡で観察した。結果を表３に示す。

＜実施例１２＞
化合物Ａの代わりに化合物Ｂを用いた以外は実施例１１と同様に操作してアルミ配線サンプルＢを作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜実施例１３＞
化合物Ａの代わりに化合物Ｃを用いた以外は実施例１１と同様に操作してアルミ配線サンプルＣを作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜参考例１４＞
化合物Ａの代わりに化合物Ｄを用いた以外は実施例１１と同様に操作してアルミ配線サンプルＤを作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜実施例１５＞
化合物Ａの代わりに化合物Ｅを用いた以外は実施例１１と同様に操作してアルミ配線サンプルＥを作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜実施例１６＞
化合物Ａの代わりに化合物Ｆを用いた以外は実施例１１と同様に操作してアルミ配線サンプルＦを作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜実施例１７＞
化合物Ａの代わりに化合物Ｇを用いた以外は実施例１１と同様に操作してアルミ配線サンプルＧを作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜参考例１８＞
化合物Ａの代わりに化合物Ｈを用いた以外は実施例１１と同様に操作してアルミ配線サンプルＨを作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜実施例１９＞
そして化合物Ａの代わりに化合物Ｉを用いた以外は実施例１１と同様に走査してアルミ配線サンプルＩを作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜実施例２０＞
そして化合物Ａの変りに化合物Ｊを用いた以外は実施例１１と同様に操作してアルミ配線サンプルＩを作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜比較例８＞
化合物Ａの代わりに比較化合物１を用いた以外は実施例１１と同様に操作して比較アルミ配線サンプル１を作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜比較例９＞
化合物Ａの代わりに比較化合物２を用いた以外は実施例１１と同様に操作して比較アルミ配線サンプル２を作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜比較例１０＞
化合物Ａの代わりに比較化合物３を用いた以外は実施例１１と同様に操作して比較アルミ配線サンプル３を作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜比較例１１＞
化合物Ａの代わりに比較化合物４を用いた以外は実施例１１と同様に操作して比較アルミ配線サンプル４を作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜比較例１２＞
ハイドロタルサイト化合物を用いない以外は実施例１１と同様に操作して比較アルミ配線サンプル０を作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜比較例１３＞
化合物Ａの代わりに比較化合物５を用いた以外は実施例１１と同様に操作して比較アルミ配線サンプル５を作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜比較例１４＞
化合物Ａの代わりに比較化合物６を用いた以外は実施例１１と同様に操作して比較アルミ配線サンプル６を作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

＜比較例１５＞
化合物Ａの代わりに比較化合物７を用いた以外は実施例１１と同様に操作して比較アルミ配線サンプル７を作製し、ＰＣＴを行った。結果を表３に示す。

抵抗値の変化率が１０％を超えるとほとんどのサンプルが断線した。前駆体沈殿の生成温度を４０℃にして製造した化合物Ｇ、Ｈを用いた実施例１７、および参考例１８では、沈殿生成温度を２５℃とした実施例１１〜１３、１５、１６および参考例１４に比べて抵抗値の変化率が若干大きめで少し腐食が認められたので比較的劣っていたが、実用上は使用できる範囲だった。陽イオン交換体を併用した実施例１９、２０ではハイドロタルサイト単独よりも抵抗値の変化率が小さくて優れていた。

＜実施例２１＞
エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（旭チバ（株）製、商品名：アラルダイトＡＥＲ−２５０２）６０部、反応性希釈剤としてブチルフェニルグリシジルエーテル３０部、硬化剤としてのエポキシ・アミン付加反応物（エポキシ・アミンアダクト体）（旭化成工業（株）製、商品名：ノバキュアＨＸ−３７２１））２０部、チクソトロピー性付与剤として有機変性ベントナイト１部、無機充填材としてタルク３０部、合成ゼオライト８部、赤色顔料０．５部、および化合物Ａを３部を混合し、三本ロールを用いて樹脂中に固体粒子を均一に分散させ、表面実装用接着剤としてのエポキシ樹脂組成物を得た。このようにして調製した組成物について、絶縁信頼性、曳糸性、塗布形状、接着性、およびゲルタイムの各項目を評価し、評価結果を組成物の主な組成に対比させて表４に記載した。

＜実施例２２＞
実施例２１記載のエポキシ樹脂組成物において化合物Ａの代わりに化合物Ｉを３部添加したものを同様に作製した。そして、実施例２１と同様に評価を行い、表４に結果を記載した。

＜比較例１６＞
実施例２１記載のエポキシ樹脂組成物においてハイドロタルサイト化合物を添加しないものを同様に作製した。そして、実施例２１と同様に評価を行い、表４に結果を記載した。

○絶縁信頼性
実施例２１、２２および比較例１６で調製したエポキシ樹脂組成物の硬化物について表面絶縁抵抗値をＪＩＳ−Ｚ−３１９７に準じて測定した。
即ち、ＩＩ型の櫛形基板に前記組成物をスクリーン印刷法により、膜厚が１００〜１５０μｍになるように塗布し、１５０℃において１０分間加熱して硬化させた。微小電流測定器を用い、得られた未処理基板の絶縁抵抗値を測定した（Ａ値）。続いて、この基板を２時間水中煮沸した後、２５℃、６０％ＲＨの環境下で約１時間放置し再度絶縁抵抗値を測定した（Ｂ値）。この評価は、
Ａ／Ｂ≦１０²を「○」、
１０²＜Ａ／Ｂ≦１０³を「△」、
１０³＜Ａ／Ｂを「×」
とした。この結果を表４に記載した。

○曳糸性
ソルダーレジストを全面に印刷、硬化させたガラスエポキシ基板（ＦＲ−４）にディスペンサーを用いて、実施例１７、１８および比較例１６で作製したエポキシ樹脂組成物を１点あたり０．１５ｍｇ、塗布速度１点あたり５０ｍｓｅｃで連続１，０００点の塗布試験を行い、曳糸性による基板の汚れが１ヶ所でも存在するものを「×」、１ヶ所もないものを「○」とした。

○塗布形状
上記曳糸性の評価において塗布したエポキシ樹脂組成物の形状は円錐形となるが、この円錐の底面の直径Ｄと、円錐の高さＨをマイクロスコープで観察し測定した。高さと直径の比Ｈ／Ｄが
０．５以下のものを「×」、
０．５〜１．５の範囲のものを「○」、
１．５以上のものを「△」
とした。

○接着性
曳糸性の評価と同様、ソルダーレジストを表面に印刷、硬化させたガラスエポキシ基板に２１２５抵抗体チップを接着し、１個のチップを引きはがすために要する力をプッシュプルゲージにより測定した。即ち、実施例１７、１８および比較例１６で作製したエポキシ樹脂組成物をチップ１個あたり０．３ｍｇ塗布し、１５０℃のオーブン中で３分加熱して硬化させたものを用いた。

○ゲルタイム
１５０℃の熱板上で０．３±０．０５ｇの実施例１７、１８および比較例１６で作製したエポキシ樹脂組成物を加熱し、流動状態が消失してゲル化に至るまでの時間（秒）を測定した。

＜実施例２３＞
液晶シール材組成物を次の組成と工程で調製した。エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（旭チバ（株）製、商品名：アラルダイトＡＥＲ−２５０２）１００部、硬化剤としてエポキシ・アミンアダクト体（旭化成工業（株）製、商品名：ノバキュアＨＸ−３７２１）４０部、充填材として酸化チタン（石原産業（株）製、商品名：タイペークＲ−６３０）６０部、コロイダルシリカ（日本アエロジル工業（株）製、商品名：アエロジルＲ−９７４）５部、化合物Ａを３部、ダルトンミキサーにより４０℃に加熱し、３０分間撹拌して混合した。その後、三本ロールによるミーリングを５回行い、グラインドゲージにより内容物の粒径が５μｍ以下であることを確認し、粒径が５μｍのシリカスペーサーを１．５部加えて均一に分散させ、液晶シール材としての組成物を得た。
ここで得た液晶シール材組成物を、ＩＴＯ（透明電極）が形成されたガラス基板に液晶封入口を残してスクリーン印刷によりシール部に印刷した。次に８０℃に加熱して３分間保持して、予備乾燥と基板への融着を行った後、室温に戻した。次に対極側のガラス基板を合わせ、１３０℃に加熱した熱プレスで１０分圧着し、液晶シール材組成物を硬化させた。ここで得た空パネルを真空吸引した後、液晶（メルク社製、ＺＬ１１６３６）を注入し、封入口をシール材で封口し、硬化させて液晶パネルを得た。
この液晶パネルの液晶配向性、およびメモリ性（透過光強度をパルス電圧の印加直後の強度に対して、経時的に保持できる割合、不純物が存在すると下がる。）を評価した。液晶配向性は、電圧を印加せずに該液晶パネルを８０℃に加熱し、偏光板を介して見た場合のシール材近傍に発生する黒い帯の巾を目視することによって評価した。巾が０．５ｍｍ以下の場合を「○」、０．５〜１ｍｍを「△」、１ｍｍを超える巾を「×」とした。各液晶シール材組成物の主な組成と評価結果を表５に示した。

＜実施例２４＞
実施例２３の組成物の化合物Ａの代わりに化合物Ｉを３部添加して同様にして液晶シール材組成物を作製した。そして実施例２３と同様にして評価し、この結果を表５に記載した。

＜比較例１７＞
実施例２３の組成物に化合物Ａを添加せずに同様にして液晶シール材組成物を作製した。そして実施例２３と同様にして評価し、この結果を表５に記載した。

＜実施例２５＞
化合物Ａを、エポキシ当量４５０〜５００のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（旭チバ（株）製、商品名：アラルダイトＡＥＲ−２５０２）１００部に対して、５部添加し、さらにエポキシ硬化剤としてジシアンジアミド４部、硬化促進剤としてベンジルジメチルアミン０．４部、溶剤（メチルエチルケトン）６０部を加え、撹件混合して樹脂ワニス組成物を作製した。次に厚さ０．２ｍｍの低アルカリ電気用ガラス布に先に作製した樹脂ワニス組成物を含浸させた。この後、１６０℃で５分間乾操しプリプレグを作製した。このプリプレグを５０ｍｍ×５０ｍｍの寸法にカツトし、６枚重ね合わせて、初期条件が３０ｋｇ／ｃｍ²、１６０℃、１５分間、その後７０ｋｇ／ｃｍ²、１６５℃、１時間加熱プレスすることにより、樹脂とガラス布基材の体積分率５０：５０、厚み約１．６ｍｍの積層板を得た。
銀ペースト（藤倉化成（株）製ド−タイトＸＡ２０８）をスクリーン印刷法にて、積層板に塗布し、１３０℃で１時間加熱硬化させることにより、２つの向かい合う櫛形をしたプリント配線された導体（電極）を形成した。この電極間の最短距離はいずれも１ｍｍであり、厚みは約２０μｍである。エレクトロマイグレーション現象の発生を防止する効果を評価するため、この２つの櫛形電極間にｌ００Ｖの直流電圧を印加すると共に、４０℃、９５％ＲＨに保ち、電極間の絶縁抵抗値がｌ０⁶Ω以下となった時間を短絡に到った時間として測定した。
この結果、短絡に到った時間は３，０００時間以上であった。

＜実施例２６＞
実施例２５の樹脂ワニスに化合物Ｉを同量添加し、同様に操作して実施例２６の樹脂ワニス組成物を作製し、そして積層板を作製した。この積層板に対して、実施例２５と同様に評価を行った結果、短絡に到った時間は３，０００時間以上であった。

＜比較例１８＞
実施例２５の樹脂ワニスに化合物Ａを添加せずに同様に操作して比較例１８の樹脂ワニス組成物を作製し、そして積層板を作製した。この積層板に対して、実施例２５と同様に評価を行った結果、短絡に到った時間は１６０時間であった。

表１および表２において、比較例２および３は、従来のハイドロタルサイト化合物の比表面積が大きいものは、結晶性が低いためにイオン性不純物の溶出が多いことを示しており、表３においてはこれらのハイドロタルサイト化合物を用いた比較例９および１０の抵抗変化が著しいことを示している。また、比較例１および４のハイドロタルサイト化合物は結晶性が高くイオン性不純物の溶出は少ないにもかかわらず、表３ではこれらのハイドロタルサイトを用いた比較例８および１１の抵抗変化が大きく、アルミ配線に腐食が起きた。この理由は比較例１および４のハイドロタルサイトの比表面積が小さいために、樹脂分から遊離してくる陰イオンの捕捉能力が不十分なためであると推測される。
実施例および比較例におけるハイドロタルサイト化合物の配合量は樹脂１００部に対して０．２５部であり、先に挙げた特許文献２において、従来のハイドロタルサイト化合物の配合量が樹脂に対して１％を下回ると効果が見られなくなることが開示されていたことが、この推測を裏付けるものである。

表１および表２において、実施例１〜３、５〜７および参考例４、８のハイドロタルサイト化合物はいずれも３０〜７０ｍ²／ｇの範囲内の大きな比表面積と３，５００ｃｐｓ以上の高い結晶性を示している。すなわち従来のハイドロタルサイト化合物から類推されるトレードオフラインをはるかに超えるレベルで大比表面積と高結晶性を両立している点が従来のハイドロタルサイト化合物よりも優れている。
また、本発明のハイドロタルサイト化合物と無機陽イオン交換体とを併用した無機イオン捕捉剤である化合物Ｉ、Ｊは、実施例９、１０が示すように、イオン性不純物量が少なく、上清の電導度の測定ではハイドロタルサイトを単独で用いる場合に比べて低い電導度を示している点が優れている。そして実施例１１〜１３、１５〜１７、１９、２０および参考例１４、１８では表３に示すようにいずれもアルミ配線サンプルの抵抗変化は小さいので、本発明のハイドロタルサイト化合物を用いた電子部品封止樹脂組成物で封止した電子部品の信頼性は高いことが予想される。特に本発明のハイドロタルサイト化合物と無機陽イオン交換体とを併用した無機イオン捕捉剤を用いた実施例１９、２０ではハイドロタルサイトを単独で用いた１１〜１３、１５〜１７および参考例１４、１８よりも陽極の抵抗率の変化率が小さかった。このことは電子部品の信頼性がより高まることを示唆しており優れている。

実施例２１〜２６と比較例１６〜１８の比較において、本願発明のハイドロタルサイト化合物を用いた電子部品封止用樹脂組成物は良好な物性を示し、これらの組成物を表面実装、液晶シール、積層板などに応用した場合、高い信頼性を示した。

このような新規なハイドロタルサイト化合物は、従来にない原料の選択と、低温で長時間の熟成の組み合わせ等に要約される新規な製造方法によって得られるものである。当該製造方法は、高温高圧で短時間に粒子を成長させることが主流だった従来の製造方法とは異なる品質を目標にして見出されたものであり、この製造方法によるハイドロタルサイト化合物の腐食防止効果は極めて優れたものである。

本発明のハイドロタルサイト化合物および無機イオン捕捉剤は、イオン性不純物の溶出が少なく、イオン捕捉能力が高い。そして、樹脂組成物に配合したものは、外界および樹脂組成物自体に由来するイオン性不純物の悪影響を抑制する効果が高いために優れたアルミ配線腐食抑制効果を有する。このことから、本発明のハイドロタルサイト化合物および無機イオン捕捉剤は、幅広い範囲で電子部品または電気部品の封止、被覆、および絶縁等の様々な用途に使用してそれらの信頼性を高めることができる。また、塩化ビニル等の樹脂の安定剤、防錆剤等にも使用することができる。

実施例１のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート 実施例２のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート 実施例３のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート 参考例４のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート 実施例５のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート 実施例６のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート 実施例７のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート 参考例８のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート 比較例１のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート 比較例２のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート 比較例３のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート 比較例４のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート 比較例５のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート 比較例６のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート 比較例７のハイドロタルサイト化合物の粉末Ｘ線チャート

Claims (11)

1. 粉末Ｘ線回折パターンにおいてハイドロタルサイト化合物のピークを有し、
   ２θ＝１１．４°〜１１．７°におけるピーク強度が３，５００ｃｐｓ以上であり、かつ、
   ＢＥＴ比表面積が３０ｍ²／ｇを超えることを特徴とする、
   式（１）で表されるハイドロタルサイト化合物。
   Ｍｇ_aＡｌ_b（ＯＨ）_c（ＣＯ₃）_d・ｎＨ₂Ｏ （１）
   式（１）において、ａ、ｂ、ｃ、およびｄは正数であり、２ａ＋３ｂ−ｃ−２ｄ＝０を満たし、ａ／ｂが１．８以上２．５以下であり、また、ｎは水和の数を示し、０または正数である。
2. １２５℃のイオン交換水で２０時間溶出試験を行った時に溶出するイオン性不純物の量が５００ｐｐｍ以下であり、かつ、溶出水の電導度が２００μＳ／ｃｍ以下である、請求項１に記載のハイドロタルサイト化合物。
3. 請求項１または２に記載のハイドロタルサイト化合物および無機陽イオン交換体を含有することを特徴とする、無機イオン捕捉剤。
4. 下記の工程からなるアルミ配線の腐食試験において、抵抗値の上昇が１％未満である、請求項１または２に記載のハイドロタルサイト化合物または請求項３に記載の無機イオン捕捉剤。
   Ａ：７２重量部のビスフェノールエポキシ樹脂（エポキシ当量１９０）、２８重量部のアミン系硬化剤（分子量２５２）、１００重量部の溶融シリカ、１重量部のエポキシ系シランカップリング剤および０．２５重量部のハイドロタルサイト化合物または無機イオン捕捉剤を配合して、電子部品封止用樹脂組成物を調製する工程。
   Ｂ：工程Ａで調製した電子部品封止用樹脂組成物を３本ロールで混合し、３５℃で１時間真空脱気した後、ガラス板に印刷された２本のアルミ配線（線幅２０μｍ、膜厚０．１５μｍ、長さ１，０００ｍｍ、線間隔２０μｍ、抵抗値・約９ｋΩ）上に厚さ１ｍｍで塗布し、１２０℃で硬化させてアルミ配線サンプルを作製する工程。
   Ｃ：工程Ｂで作製したアルミ配線サンプルを、１３０℃±２℃、８５％ＲＨ（±５％）、
   印加電圧２０Ｖ、時間６０時間の条件でプレッシャークッカーにかける前と後とで、陽極のアルミ配線の抵抗値を測定し、抵抗値の変化率を算出する工程。
5. 請求項１または２に記載のハイドロタルサイト化合物を含有することを特徴とする電子部品封止用樹脂組成物。
6. 請求項３または４に記載の無機イオン捕捉剤を含有することを特徴とする、電子部品封止用樹脂組成物。
7. 請求項５または６に記載の電子部品封止用樹脂組成物を硬化させてなる電子部品封止材。
8. 請求項７に記載の電子部品封止材が素子を封止してなる電子部品。
9. 樹脂固形分１００重量部に対し、請求項１に記載のハイドロタルサイト化合物、または、請求項３に記載の無機イオン捕捉剤を０．０５〜５重量部含有する、ワニス用組成物。
10. 樹脂固形分１００重量部に対し、請求項１に記載のハイドロタルサイト化合物、または、請求項３に記載の無機イオン捕捉剤を０．０５〜５重量部含有する、接着剤用組成物。
11. 樹脂固形分１００重量部に対し、請求項１に記載のハイドロタルサイト化合物、または、請求項３に記載の無機イオン捕捉剤を０．０５〜５重量部含有する、ペースト用組成物。

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