JP5118067B2 - 光触媒薄膜、光触媒薄膜の形成方法及び光触媒薄膜被覆製品 - Google Patents
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Description
【0001】
本発明は、光触媒薄膜及び光触媒薄膜を有する製品に関する。
【背景技術】
【0002】
光触媒は、紫外線の照射によって物質を分解する光触媒作用と、光によって表面を水になじみやすくする光誘起超親水化作用とを奏する。これら2つの作用を応用した光触媒セルフクリーニング製品が、建物の外壁素材やガラスなどの外装用建築資材として広く利用されている。
【0003】
つまり、光触媒を表面にコーティングした光触媒セルフクリーニング製品は、太陽光に含まれる紫外光によって表面の汚れを分解することができ、また、降雨時には表面の超親水性によって汚れを浮き上がらせて洗い流すことができるため、常に清浄な外観を保つこと(セルフクリーニング機能)が可能である。
【0004】
ただし、光触媒セルフクリーニング製品のうち、光触媒セルフクリーニングガラスには以下に述べる様々な問題がある。光触媒セルフクリーニングガラスは、一般的に、酸化チタン(TiO2)の粒子をガラス表面にコーティングすることで製造される。酸化チタン粒子とガラス表面との接触面積は小さいため、コーティング層が剥離しやすい。コーティング層を形成した後、数百℃の高温で焼成を行えば、コーティング層とガラスとの密着性を向上させることはできるが、この場合は、光触媒活性が低下してしまう。すなわち、窓ガラスなどに広く利用されるソーダライムガラスには、多量のナトリウムイオンが含まれているため、焼成時、このナトリウムイオンが表面に拡散し、酸化チタンとナトリウムとの化合物(チタン酸ナトリウム等)を形成し、光触媒活性を失わせてしまう。
【0005】
このアルカリ拡散による光触媒性能劣化の問題を避けるために、光触媒セルフクリーニングガラスの製造においては、2通りの方法がとられている。一つは、常温硬化法と呼ばれるものであり、ゾル−ゲル成分等を含み、比較的低温で固化する塗布液に酸化チタン光触媒の微粒子を混合し、これをコーティングした後、150℃程度で固化させる方法である(例えば、特許文献1参照)。この方法によれば、図2に示すように、ゾルーゲル膜101の中に酸化チタン微粒子103が分散された光触媒薄膜105が、ガラス基板107の表面に形成される。
[0006]
もう一つは、二層コート法と呼ばれる方法であり、図3に示すように、焼成によるガラス基板201からのアルカリ拡散を防ぐために、シリカ(SiO2)等の成分から成る下地膜203をガラス基板201の表面に形成した後、光触媒コーティングを行って光触媒薄膜205を形成し、焼成する方法である(例えば、特許文献2参照)。
[0007]
なお、ガラス製品以外に、釉薬を施した陶磁器製品、およびホウロウ引きした金属製品においても同様な問題が存在する。釉薬およびホウロウは溶融もしくは媒体に溶解したガラスの液体であり、溶融点を下げるために大量のナトリウム成分を含んでいるため、これらの製品の表面に光触媒薄膜を形成するためには、常温硬化法あるいは二層コート法を用いる必要があった。
特許文献1:特開2001−150586号公報
特許文献2:特開平10−53439号公報
発明の開示
発明が解決しようとする課題
[0008]
ところが、常温硬化法では、ガラスとコーティング膜の密着性が高くないため、膜の耐摩耗性が低く、物理的な接触がほとんどない部分(例えば高層ビルの窓ガラス)など、ごく限られた用途にしか適用することができないという問題がある。
[0009]
また、二層コート法では、コーティングを2回行わなければならず、さらに、場合によっては下地膜も焼成しなければならず、その場合は2回の焼成工程が必要となるなど、煩雑な工程と高いコストが要求されるという問題がある。
[0010]
本発明は、こうした問題に鑑みなされたもので、基体との密着性が高く、耐久性が高い光触媒薄膜を少ない工程で形成できる光触媒薄膜の形成方法、光触媒薄膜及び光触媒薄膜を有する製品を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0011]
かかる問題を解決するためになされた本発明の第1局面にかかる光触媒薄膜の形成方法は、アルカリ金属を含む基体表面にニオビアナノシートを含む層を形成して450℃以上の温度にて焼成することにより、ニオブ−アルカリ金属複合酸化物を含む光触媒薄膜を形成することを特徴とする。
[0012]
このような光触媒薄膜の形成方法によれば、基体との密着性が高く、耐久性が高い光触媒薄膜を少ない工程で形成できる。
[0013]
本発明の第1局面にかかる光触媒薄膜の形成方法によれば、次のようにして光触媒薄膜が形成されると推測できる。すなわち、アルカリ金属を含む基体の表面に、ニオビアナノシートを含む層を形成し、450℃以上の温度にて焼成すると、基体に含まれるアルカリ金属が、基体の表面に析出し、ニオビアナノシートを含む層の中に拡散する。そして、アルカリ金属とニオビアナノシートとを含む反応が生じ、基体の表面に、ニオブ−アルカリ金属複合酸化物を含む光触媒薄膜が形成される。
[0014]
例えば、図1のAに示すように、ナトリウムを含むソーダライムガラス1の表面にニオビアナノシート3を含む層5を形成し、450℃以上の温度にて焼成すると、図1のBに示すように、ソーダライムガラス1に含まれるナトリウムが、加熱されることにより基体1の表面に析出し、ニオビアナノシートを含む層の中に拡散する。そして、ナトリウムとニオビアナノシートを含む反応が生じ、ソーダライムガラス1の表面にニオブ−ナトリウム複合酸化物(例えばNaNbO3)を含む光触媒薄膜7が形成される。
[0015]
つまり、本発明の第1局面にかかる光触媒薄膜の形成方法では、従来、光触媒性能を劣化させる原因となっていた、基体に含まれるアルカリ金属を積極的に利用して、基体表面にニオブ−アルカリ金属複合酸化物を含む光触媒薄膜を形成させる。このニオブ−アルカリ金属複合酸化物は著しい光触媒活性を示す。また、上記の形成方法により形成されたニオブ−アルカリ金属複合酸化物を含む光触媒薄膜は、450℃以上の温度にて焼成を行っているので硬度が高く、基体との密着性が高いので耐久性に優れている。
[0016]
本発明の第1局面にかかる光触媒薄膜の形成方法により形成された光触媒薄膜と基体との密着性が高いのは以下の(i)〜(iii)の理由に因る。即ち、
(i)ニオビアナノシートを用いているため、ニオブ酸化物の粒子は非常に広い面積で基体の表面に接触していること
(ii)焼成により基体中のアルカリ成分とニオブ酸化物とが直接化学反応するため、基体表面と塗膜の界面とが一体となることにより、高い密着性が発現すること
(iii)ニオビアナノシートは焼成による化学変化の際にも長軸方向、つまり基体表面と平行な方向、への膨張・収縮がほとんど起こらないため、基体からの剥離や塗膜のクラックが発生せず、高い密着性を実現できること
また、本発明の第1局面にかかる光触媒薄膜の形成方法により形成される光触媒薄膜は、ニオビアナノシートを用いて形成され、平滑性が高いため、汚染物質が付着しにくく、透明性が高い。
【0017】
前記ニオビアナノシートは、鱗片状の形状を有する酸化ニオブであり、その大きさは0.1〜50μmの範囲が好適であり、その厚みは0.3〜3nmの範囲が好適であり、更に望ましくは0.5〜1nmの範囲が好適である。また、ニオビアナノシートにおけるアスペクト比は100〜100000の範囲が好適である。
【0018】
ところで、本発明の第1局面にかかる光触媒薄膜の形成方法において、アルカリ金属を含む基体の表面にニオビアナノシートを含む層を形成するには、層状ニオブ酸化物を剥離剤により剥離したニオビアナノシート分散液などの塗布液による液相法コーティングがよい。
【0019】
上記液相法コーティングとしては、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法、ロールコート法、ブレードコート法、バーコート法、フローコート法など一般的に液相法コーティングに用いられるコーティング法が適用可能である。
【0020】
上記液相法コーティングの中では、ニオビアナノシートを含むコーティング剤を塗布することによって形成することが好ましい(本発明の第2局面)。
【0021】
このようにすると、ニオビアナノシートを含むコーティング剤を基体の表面に塗布するという簡易な方法で、ニオビアナノシートを含む層を形成することができる。したがって、スパッタなどで必要となる大がかりな設備が不要となり、ニオブ−アルカリ金属複合酸化物を含む光触媒薄膜を低コストで形成することができる。コーティング剤に占めるニオビアナノシートの割合は、0.05〜10重量%の範囲が好適である。
【0022】
上記ニオビアナノシートとしては、層状ニオブ酸化合物であるKNb3O8、K4Nb6O17などを原料として得られるNb3O8 −、Nb6O17 −などが利用できる。これらの層状ニオブ酸化合物を酸処理によりイオン交換し、H3NbO8、H4Nb6O17などの化合物に変換した後、剥離剤を作用させると、層状構造が剥離してナノシート分散液を得ることができる。また、剥離剤としてはテトラブチルアンモニウムイオンやテトラエチルアンモニウム、テトラメチルアンモニウムなどの四級アンモニウムイオン、およびジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアミン類を利用することができる。
[0023]
ところで、アルカリ金属を含む基体には種々のものがあるが、ソーダライムガラス(本発明の第3局面の場合)、釉薬によって陶磁器の表面に形成したガラス質の膜(本発明の第4局面の場合)、もしくはホウロウ引きによって金属製品の表面に形成したガラス質の膜(本発明の第5局面の場合)が挙げられる。これらの基体は、アルカリ金属であるナトリウムを含有しているので、その表面にニオビアナノシートを含む層を形成して焼成すると、ナトリウムが析出してその層に拡散する。そして、ナトリウムとニオブを含む反応が生じ、ニオブ−ナトリウム複合酸化物(例えばNaNbO3)薄膜がナトリウムを含む基体の表面に形成される。
[0024]
このように、大量生産され、一般的なガラスとして使用されているソーダライムガラスや、一般的に使用されている釉薬、ホウロウなどを基体とすることができるので、安価に光触媒薄膜を形成することができる。
[0025]
例えば、光触媒薄膜を形成するガラス基板が、強化ガラスや曲面ガラスである場合、これらのガラスの製造工程には、元々、ガラスの加熱工程が含まれているので、その加熱工程の前にコーティングを実施しておけば、加熱工程が光触媒薄膜の焼成工程の役割を果たす。よって、光触媒薄膜の焼成工程を改めて設ける必要がない。
[0026]
[0027]
上記第1〜第5局面のうちのいずれかにおいては、焼成における温度が500〜550℃であると(本発明の第6局面の場合)、光誘起超親水性が顕著に発現するとともに顕著な光触媒活性をも示す。つまり、500〜550℃においてナトリウムイオンの析出量が最適となり、親水化活性および光触媒活性がさらに向上する。
[0028]
本発明の第7局面にかかる光触媒薄膜は、本発明の第1〜第6局面のいずれかにかかる光触媒薄膜の形成方法によって形成された光触媒薄膜である。
[0029]
本発明の第7局面にかかる光触媒薄膜は、硬度が高く、耐久性に優れている。また、ニオブ−ナトリウム複合酸化物を形成しているため、超親水性と光触媒活性とを兼ね備えており、セルフクリーニング機能を有する。また、ニオビアナノシートを用いて形成されるので、平滑性が高く、汚染物質が付着しにくい。
[0030]
本発明の第8局面にかかる光触媒薄膜は、本発明の第7局面にかかる光触媒薄膜であって、平均表面粗さが5nm以下であることを特徴とする光触媒薄膜である。この光触媒薄膜は表面の平滑性に特に優れているため、汚染物質が付着しにくい効果が特に高い。
[0031]
本発明の第8局面にかかる光触媒薄膜における平均表面粗さの範囲は、例えば、基板自体の平均表面粗さを下限とし、5nmを上限とする範囲とすることができる。ガラス基板自体の平均表面粗さは、一般的に0.5nm程度であり、この場合、本発明の第8局面にかかる光触媒薄膜の平均表面粗さの範囲は、実質的に、0.5〜5nmの範囲となる。本発明の第8局面にかかる光触媒薄膜の平均表面粗さは、例えば、光触媒薄膜を形成するときに、ニオビアナノシートの剥離状態を変化させることで、制御することができる。例えば、ニオビアナノシートを剥離させるときに、強い剥離剤(例えば、後述する実施例2で用いるテトラブチルアンモニウムヒドロキシ溶液(TBAOH))を用いれば、ニオビアナノシートの剥離が進み、結果として、光触媒薄膜の表面粗さが小さくなる。一方、ニオビアナノシートを剥離させるときに、弱い剥離剤(例えば、後述する実施例3で用いる3−メトキシプロピルアミン(3−MPA))を用いれば、ニオビアナノシートが完全に剥離せず、コーティング溶液中で数層が積層した状態となるため、結果として、光触媒薄膜の表面粗さがやや大きくなる。
[0032]
本発明の第9局面にかかる光触媒薄膜被覆製品は、アルカリ金属を含む基体と、その基体の表面に設けられた、本発明の第7または第8局面にかかる光触媒薄膜と、を備える光触媒薄膜被覆製品である。
[0033]
この光触媒薄膜被覆製品において、光触媒薄膜は、硬度が高く、基体との密着性が高いので耐久性に優れている。また、この光触媒薄膜被覆製品は、ニオブ−ナトリウム複合酸化物の光触媒薄膜を有しているため、超親水性と光触媒活性を兼ね備えており、セルフクリーニング機能に優れている。さらに、光触媒薄膜の平滑性が高いため、汚染物質が付着しにくい。
【0034】
したがって、基体がガラスである場合には、汚れにくく、透明性を長期間維持できるガラスとすることができる。また、基体がミラーである場合には、汚れにくく、反射率を長期間維持できるミラーとすることができる。さらに、基体が釉薬を施した陶磁器製品である場合には、表面を常に清浄に保持できる陶磁器製品とすることができる。また、基体がホウロウ製品である場合には、表面を常に清浄に保持できるホウロウ製品とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0035】
【図1】ソーダライムガラスとニオビアナノシートを含む反応が生じ、ライムソーダガラス表面に酸化ニオブ−ナトリウム化合物を含む光触媒薄膜が形成される様子を説明する図である。
【図2】常温硬化法により形成された光触媒薄膜を表す図である。
【図3】二層コート法により形成された光触媒薄膜を表す図である。
【図4】光触媒薄膜のX線回折パターンを表す図である。
【図5】光触媒薄膜のX線回折パターンを表す図である。
【図6】光触媒薄膜のX線回折パターンを表す図である。
【図7】本発明の方法によって形成された光触媒薄膜を表すSPM像である。
【符号の説明】
【0036】
1、107、201・・・ガラス基板 3・・・ニオビアナノシート
5、105、205・・・光触媒薄膜 103・・・酸化チタン微粒子
203・・・下地膜
【発明を実施するための最良の形態】
【0037】
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【実施例1】
【0038】
(a)コーティング溶液の調製
粉末状の酸化ニオブ(Nb2O5)42.61g(160.3mmol)と炭酸カリウム(K2CO3)7.39g(53.2mmol)とを混合溶媒(エタノール50mlとn−ヘキサン100ml)150mlに分散し、ジルコニアボールと共にボールミルで24時間混合した。その後、遠心分離で溶媒を除去し、残った粉末を乾燥してから、乳鉢で粉砕した。粉砕した粉末はアルミナ製のルツボに移し、1100oCで30時間焼成した。焼成においては、3時間40分かけて1100oCまで昇温し、冷却は自然冷却とした。
【0039】
得られたニオブ酸カリウム(KNb3O8)を乳鉢で粉砕し、6Mの硝酸水溶液中で撹拌しながら24時間イオン交換した。その後、遠心分離機で硝酸を除き、新たな硝酸を加えて同様にイオン交換を行った。硝酸によるイオン交換は、計4回行った。このイオン交換により、酸化ニオブから成るニオビアナノシートが生じた。その後、硝酸の代わりに純水を用い、上述したイオン交換と同様の方法で4回洗浄した。洗浄後のニオビアナノシートを水に分散した分散液に、40wt%テトラブチルアンモニウムヒドロキシ溶液(TBAOH)とエタノールとを適量加え、水とエタノールの割合が25:75になるようにして、固形分濃度が0.25wt%であるコーティング溶液を得た。
(b)光触媒薄膜の形成
上記で調製したコーティング溶液をソーダライムガラス基板(50mm×50mm)に、ディップコート法で塗布した。ディップコート法における引き上げ速度は8mm/secとした。その後、ソーダライムガラス基板を大気中で1時間焼成し、光触媒薄膜を完成した。焼成時の温度制御は、1時間かけて所定の焼成温度に昇温し、1時間その温度で保持してから、1時間かけて室温まで冷却するものとした。上記所定の焼成温度は、300〜400℃及び450〜600℃の範囲では50℃おきに、400〜450℃の範囲では10℃おきに、合計11種類設定し、焼成温度が異なる11種類の光触媒薄膜をそれぞれ形成した。
【実施例2】
【0040】
(c)コーティング溶液の調製
粉末状の酸化ニオブ(Nb2O5)と硝酸カリウム(KNO3)とを十分に混合した。その混合割合は、2:3(モル比)とした。その後、混合粉末をアルミナ製のるつぼに移し、600℃で2時間仮焼した。次に、仮焼後の粉末を粉砕混合し、アルミナ製のるつぼに移して900℃で20時間本焼成した。得られたニオブ酸カリウム(KNb3O8)を粉砕し、1.0Mの硝酸水溶液中で撹拌しながら24時間イオン交換した後、純水で洗浄した。この作業は計4回行った。これによって得られたニオビアナノシートを水に分散した分散液に、40wt%テトラブチルアンモニウムヒドロキシ溶液(TBAOH)を適量加え、水とエタノールの割合が25:75となるようにして、固形分濃度が0.25wt%であるコーティング溶液を得た。
(d)光触媒薄膜の形成
上記で調製したコーティング溶液をソーダライムガラス基板(50mm×50mm)上にスピンコート法で塗布した。スピンコート法における回転数は1000rpmとし、20秒間保持した。その後、ソーダライムガラス基板を大気中雰囲気で1時間焼成した。焼成時の温度制御は、1時間かけて所定の焼成温度に昇温し、1時間その温度で保持してから、1時間かけて室温まで冷却するものとした。上記所定の焼成温度は350、400、450、500、550、600℃とし、計6種類の光触媒薄膜を形成した。
【実施例3】
【0041】
(e)コーティング溶液の調製
粉末状の酸化ニオブ(Nb2O5)と硝酸カリウム(KNO3)とを十分に混合した。その混合割合は、2:3(モル比)とした。その後、混合粉末をアルミナ製のるつぼに移し、600℃で2時間仮焼した。次に、仮焼後の粉末を粉砕混合し、アルミナ製のるつぼに移して900℃で20時間本焼成した。得られたニオブ酸カリウム(KNb3O8)を粉砕し、1.0Mの硝酸水溶液中で撹拌しながら24時間イオン交換した後、純水で洗浄した。この作業は計4回行った。これによって得られたニオビアナノシートを水に分散した分散液に、3−メトキシプロピルアミン(3−MPA)を適量加え、水とエタノールの割合が25:75となるようにして、固形分濃度が0.25wt%であるコーティング溶液を得た。
(f)光触媒薄膜の形成
上記(e)で調製したコーティング溶液をソーダライムガラス基板(50mm×50mm)上にスピンコート法で塗布した。スピンコート法における回転数は1000rpmとし、20秒間保持した。その後、ソーダライムガラス基板を大気中雰囲気で1時間焼成した。焼成時の温度制御は、1時間かけて500℃に昇温し、1時間その温度で保持してから、1時間かけて室温まで冷却するものとした。
【0042】
上記実施例1、2、3において形成される光触媒薄膜は、上述した微細構造を有しているので、球状の粒子が分散した構造よりも薄膜化することができる。
【0043】
さらに、上記実施例1、2、3の光触媒薄膜はニオビアナノシートを用いて形成されるが、そのニオビアナノシートは、単位体積あたりの表面積が大きく、ソーダライムガラス基板との接触面積が大きいため、ソーダライムガラス基板に対する密着性が高い。よって、上記実施例1、2、3の光触媒薄膜は、ソーダライムガラス基板に対する密着性が高い。
(比較例1)
(g)チタニアナノシートを含むコーティング溶液の調製
炭酸セシウム、酸化チタンをモル比1:5.3の割合で混合し、800℃,20時間の焼成を2回行った。生成したチタン酸セシウムに対し、希塩酸中での撹拌、ろ過、乾燥の一連の処理を4回繰り返し、セシウムイオンを水素イオンに置き換えた層状チタン酸を得た。これに、テトラブチルアンモニウム塩酸塩水溶液を加え、14日間撹拌してチタニアナノシートを調製した。このチタニアナノシートを75vol%エタノールと25vol%水との混合溶媒に懸濁させ、固形分濃度0.25wt%のチタニアナノシート(TNS)懸濁液を得た。
【0044】
チタンテトライソプロポキシド(TTIP)と17vol%のポリエチレングリコールとから成る混合液を調製し、この混合液をTNSとTTIPのモル比が9:1となるようにTNS懸濁液に加えたものをコーティング溶液とした。
(h)光触媒薄膜の形成
上記(g)で調製したコーティング溶液をソーダライムガラス基板(50mm×50mm)に、ディップコート法で塗布した。ディップコート法における引き上げ速度は8mm/secとした。その後、ソーダライムガラス基板を大気中で1時間焼成し、光触媒薄膜を完成した。焼成時の温度制御は、1時間かけて500℃に昇温し、1時間その温度で保持してから、1時間かけて室温まで冷却するものとした。
(比較例2)
(i)コーティング溶液の調製
エタノール中にニオブエトキシドと水酸化カリウムをモル比3:1となるように加えて混合し、KNb3O8換算で1.0wt%となるようにコーティング溶液を調製した。
(j)光触媒薄膜の形成
上記(i)で調製したコーティング溶液を石英ガラス基板(50mm×50mm)上にスピンコート法で塗布した。スピンコート法における回転数は1000rpmとし、20秒間保持した。その後、石英ガラス基板を大気中で1時間焼成し、光触媒薄膜を完成した。焼成時の温度制御は、1時間かけて500℃に昇温し、1時間その温度で保持してから、1時間かけて室温まで冷却するものとした。
(比較例3)
(k)コーティング溶液の調製
エタノール中にニオブエトキシドと水酸化カリウムをモル比3:2となるように加えて混合し、K4Nb6O17換算で1.0wt%となるようにコーティング溶液を調製した。
(l)光触媒薄膜の形成
上記(k)で調製したコーティング溶液を石英ガラス基板(50mm×50mm)上にスピンコート法で塗布した。スピンコート法における回転数は1000rpmとし、20秒間保持した。その後、石英ガラス基板を大気中で1時間焼成し、光触媒薄膜を完成した。焼成時の温度制御は、1時間かけて500℃に昇温し、1時間その温度で保持してから、1時間かけて室温まで冷却するものとした。
(比較例4)
(m)コーティング溶液の調製
エタノール10mlに水酸化ナトリウムを0.0193g溶解させて水酸化ナトリウム溶液を得た。次に、前記実施例2で調整した固形分濃度0.25wt%のコーティング溶液を、後述する工程で用いるニオビアナノシート溶液とした。
(n)光触媒薄膜の形成
上記(m)で調製した水酸化ナトリウム溶液を石英ガラス基板(50mm×50mm)上にスピンコート法で塗布したあと、その上にニオビアナノシート溶液をスピンコート法で塗布した。スピンコート法における回転数は1000rpmとし、20秒間保持した。その後、石英ガラス基板を大気中で1時間焼成し、光触媒薄膜を完成した。焼成時の温度制御は、1時間かけて500℃に昇温し、1時間その温度で保持してから、1時間かけて室温まで冷却するものとした。
(比較例5)
(O)コーティング溶液の調製
エタノール10mlにニオブエトキシドを0.14ml加えて混合し、Nb2O5換算で1.0wt%となるようにコーティング液を調製した。
(p)光触媒薄膜の形成
上記(O)で調製したコーティング溶液をソーダライムガラス基板(50mm×50mm)上にスピンコート法で塗布した。スピンコート法における回転数は1000rpmとし、20秒間保持した。その後、ソーダライムガラス基板を大気中雰囲気で1時間焼成した。焼成時の温度制御は、1時間かけて500℃に昇温し、1時間その温度で保持してから、1時間かけて室温まで冷却するものとした。
(本発明の効果を確かめるための試験)
(i)光誘起親水化試験
前記実施例1、2および比較例1、2、3、4で形成した光触媒薄膜にブラックライトブルー蛍光ランプ(BLB)を用いて紫外線を断続的に照射した。紫外線の照射強度は実施例1と比較例1で2.4mW/cm2,実施例2及び比較例2、3、4で1.0mW/cm2とした。そして、紫外線の照射前、及び照射中に光触媒薄膜の表面における水の接触角を繰り返し測定した。その結果を表1、2に示す。
【0045】
【表1】
【0046】
【表2】
表1に示すとおり、実施例1で形成した光触媒薄膜では、いずれも、紫外線の照射により接触角が大きく低下した(親水性が発現した)。特に、焼成温度が430℃以上であるものは、接触角の低下が著しく、6時間程度の紫外線照射で20°以下にまで接触角が下がり、24時間の照射では10°付近まで接触角が下がった。
【0047】
同様に、表2に示すとおり、実施例2で形成した光触媒薄膜でも紫外線の照射により親水性が発現し、特に焼成温度450℃以上でその傾向が顕著であった。
【0048】
それに対し、比較例1で形成した光触媒薄膜では、24時間照射を行った後でも接触角が35°程度までしか下がらなかった。また、比較例2、3では、6時間照射後でも接触角が27°程度までしか下がらず、比較例4では、6時間照射後でも接触角が15°程度までしか下がらなかった。
【0049】
以上の結果から、実施例1、2の方法により、ニオビアナノシートを用いて形成された光触媒薄膜は、ソーダライムガラス基板と光触媒薄膜との間に下地膜を形成しなくても親水性が発現することが確かめられた。また、一般的なゾル−ゲル法を用いて形成したニオブ酸カリウム膜(比較例2、3)や、比較例4の方法で形成した薄膜よりも格段に優れた親水性を発揮することが分かった。
(ii)形成した薄膜の結晶相変化
実施例2及び比較例2、3、4にて形成した薄膜の結晶相をブルカー・エイエックスエス(株)製の薄膜X線回折装置(D8 DISCOVER)にて同定した。実施例2で形成した薄膜についての結果を図4示し、比較例2、3で形成した薄膜についての結果を図5に示し、比較例4で形成した薄膜についての結果を図6に示す。
【0050】
図4に示すように、前記実施例2で形成した光触媒薄膜では、450℃以上の焼成でNaNbO3に帰属される回折ピークが認められた。
【0051】
一方、図5に示すように、比較例2、3で形成した光触媒薄膜では、X線回折パターンに有意なピークが認められていないことから、光触媒活性を有するニオブ酸カリウムは形成されないことが分かった。
【0052】
また、図6に示すように、比較例4で形成した光触媒薄膜では、層状のニオビアナノシートに起因するピークのみ認められ、ニオブとナトリウムの化合物が形成されていないことが分かった。
【0053】
実施例2のように、アルカリ金属を含むソーダライムガラス基板上にニオビアナノシート膜を形成して焼成すれば、NaNbO3が生成するが、比較例2、3のように、アルカリ金属が少ない石英ガラス基板上にKNb3O8やK4Nb6O17の組成の膜を形成して焼成しても光触媒活性を有するニオブ酸カリウムが生成しないという結果より、ニオビアナノシート膜を、ナトリウムを含む基体表面に直接形成し焼成することで、ニオビアナノシートと基体から拡散したナトリウムイオンとが化学反応して、光触媒活性を有する酸化ニオブ−ナトリウム化合物が形成されることが確認された。
【0054】
また、実施例2のように、アルカリ金属(ナトリウム)を含むソーダライムガラス基板上にニオビアナノシート膜を形成して焼成すれば、NaNbO3が生成するが、比較例4のように、アルカリ金属をほとんど含まない石英ガラス上に水酸化ナトリウム溶液を塗布することでナトリウムを含む層を形成しても、NaNbO3が生成されないという結果より、ニオブとナトリウムの化合物を形成するためのナトリウム源としては、ナトリウムを含む基板が好ましいことが分かった。
(iii)鉛筆引掻き試験
上記実施例1及び比較例1、2、3、4で形成した光触媒薄膜の硬度をJIS-K5400における鉛筆引掻き試験に準じて試験した。その結果を表3、表4に示す。
【0055】
【表3】
【0056】
【表4】
実施例1で形成した光触媒薄膜は、焼成温度が450℃以上のとき9H以上の硬度を示した。また、比較例1で形成した光触媒薄膜は9H以上を示したが、比較例2、3、4で形成した光触媒薄膜は、それぞれ、3H、HB、6B以下の硬度であった。
【0057】
以上の結果から、ニオビアナノシートを用いて形成された光触媒薄膜は、広い面積で基体と接触し、且つ基体とコート膜が直接化学反応をしているため、比較例2、3などのゾル−ゲル法の膜に比べ、格段に高い塗膜硬度を発現することが確かめられた。
(iv)表面粗さと初期防汚性
本発明の方法によって形成された光触媒薄膜は平滑性が高く、それにより初期防汚性に優れることを示すために、実施例2、実施例3、および比較例5で形成した光触媒薄膜について、以下のような試験を行った。表面粗さは、走査型プローブ顕微鏡(日本電子(株)製:JSPM−5200)を用いて評価した。また、初期防汚性の評価は汚れのモデル物質であるメチレンブルー(MB)を用いて以下のように行った。メチレンブルー水溶液の濃度が0.1mMとなるように調製し、この水溶液に、上記の光触媒薄膜を形成したガラス片を12時間浸漬させた。引き上げた試料を水洗したのち、紫外可視分光光度計((株)日立ハイテクノロジーズ製:U−3310)にて塗膜に付着したメチレンブルーの吸収スペクトルを測定した。表5は、測定した算術平均表面粗さとメチレンブルーの吸着面積の関係を示している。
【0058】
【表5】
比較例5で形成した光触媒薄膜に比べて、実施例2、3で形成した光触媒薄膜は、表面粗さの値が小さく平滑であることが分かる。また、メチレンブルーの吸着度は、実施例2、3で形成した光表面粗さが小さい触媒薄膜と比べて、比較例5で形成した表面粗さが大きい光触媒薄膜の方が大きかった。この結果より、本発明によって形成した光触媒薄膜は、表面が平滑であるので汚れが付着し難い初期汚汚性に優れていることが確かめられた。
(v)ニオビアナノシート薄膜の表面粗さ測定
本発明の方法によってガラス上に形成された光触媒薄膜は高い平滑性有しているが、これはニオビアナノシートそのものが僅か1nm程度の厚みしかないため、コート膜も高い平滑性を有しており、焼成後もその形状を保持しているためと考えられる。そこでニオビアナノシート膜自体の表面粗さの確認を行った。実施例2と同等のコーティング液を用いて、シリコンウェハー上にニオビアナノシート膜を形成し、プローブ顕微鏡を用いて平均表面粗さRaを測定した。コート法はドロップコート法を用いた。プローブ顕微鏡はSIIナノテクノロジー社製SPI3800/SPA400を使用した。測定モードはタッピングモード、カンチレバーにはSiカンチレバー(20Nm-1)を使用した。
【0059】
図7に測定したSPM像を示す。このときの平均表面粗さは、Ra=1.2nmとなった。
【0060】
このように、ニオビアナノシートを用いて形成された薄膜は、もともと非常に高い平滑性を有しており、それにより本発明の方法でガラス上に製膜した光触媒薄膜も高い平滑性を有することが示された。
【0061】
尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施し得ることは言うまでもない。
Claims (9)
- アルカリ金属を含む基体の表面にニオビアナノシートを含む層を形成して450℃以上の温度にて焼成することにより、ニオブ−アルカリ金属複合酸化物を含む光触媒薄膜を形成する光触媒薄膜の形成方法。
- 請求項1に記載の光触媒薄膜の形成方法において、
前記ニオビアナノシートを含む層は、ニオビアナノシートを含むコーティング剤を塗布することによって形成されることを特徴とする光触媒薄膜の形成方法。 - 請求項1または請求項2に記載の光触媒薄膜の形成方法において、
前記アルカリ金属を含む基体は、ソーダライムガラスであることを特徴とする光触媒薄膜の形成方法。 - 請求項1または請求項2に記載の光触媒薄膜の形成方法において、
前記アルカリ金属を含む基体は、釉薬によって陶磁器の表面に形成したガラス質の膜であることを特徴とする光触媒薄膜の形成方法。 - 請求項1または請求項2に記載の光触媒薄膜の形成方法において、
前記アルカリ金属を含む基体は、ホウロウ引きによって金属製品の表面に形成したガラス質の膜であることを特徴とする光触媒薄膜の形成方法。 - 請求項1〜請求項5の何れかに記載の光触媒薄膜の形成方法において、
前記焼成における温度が500〜550℃であることを特徴とする光触媒薄膜の形成方法。 - 請求項1〜請求項6の何れか1項に記載の光触媒薄膜の形成方法によって形成された光触媒薄膜。
- 請求項7に記載の光触媒薄膜であって、
平均表面粗さが5nm以下であることを特徴とする光触媒薄膜。 - アルカリ金属を含む基体と、
前記基体の表面に設けられた請求項7又は請求項8に記載の光触媒薄膜と、
を備える光触媒薄膜被覆製品。
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