JP5984089B2 - スピンコート法によりナノシート単層膜からなる薄膜を製造する方法、それによる超親水化材料、酸化物薄膜用基板、および、誘電体材料 - Google Patents

スピンコート法によりナノシート単層膜からなる薄膜を製造する方法、それによる超親水化材料、酸化物薄膜用基板、および、誘電体材料 Download PDF

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Description

本発明は、スピンコート法によりナノシート単層膜からなる薄膜を製造する方法、および、それによって得られる薄膜の用途に関する。
無機層状物質を単層剥離することによって得られるナノシートは、原子数個分の厚みに対して横サイズ数百nm〜数十μmという高い二次元異方性を持つ物質であることが知られている。例えば、無機層状物質の中でも層状酸化物によれば、このようなナノシートの構造を反映した特異な性質として、半導体特性、誘電特性、強磁性、蛍光特性、光触媒性等の発現が報告されている。
これらの特性を十分に発揮させるためには、ナノシートをナノメートルレベルで精密に配列制御した、重なりあるいは隙間を抑えた高品位なナノシート単層膜の形成、さらにこれを反復した多層膜の構築が必要とされる。
このような技術として、例えば、交互吸着法と超音波処理とを組み合わせた方法がある(例えば、非特許文献1を参照)。非特許文献1によれば、正の電荷を持つポリジアリルジメチルアンモニウム(PDDA)イオンでプリコートされた基板を、負の電荷を持つコロイド懸濁液に20分間浸漬させ、静電引力によってナノシートを基板に吸着させ、次いで、超音波処理して重なり部分を除去することにより、良好に配列したナノシート単層膜が得られる。
別の技術として、Langmuir−Blodgett(LB)法が知られている(例えば、非特許文献2を参照)。非特許文献2によれば、コロイド懸濁液が展開されたトラフにおいて、表面圧を印加し、気液界面にナノシートを吸着させ、それを基板に転写することによって、良好に配列したナノシート単層膜が得られる。
しかしながら、非特許文献1および2のいずれの技術も、製膜時間が長い(例えば、非特許文献1では2時間、非特許文献2では1時間)、製膜操作が煩雑である、あるいは、製膜できる基板の面積が小さい等により、簡便で生産性のよい新しい製膜技術があれば好ましい。
以上より、本発明の課題は、ナノシート単層膜からなる薄膜の製造方法、および、それによって得られる薄膜の用途を提供することである。
本発明によるスピンコート法によりナノシート単層膜からなる薄膜を製造する方法は、無機層状物質が単層剥離されたナノシートが有機溶媒に分散された有機溶媒ゾルを調製するステップと、前記有機溶媒ゾルを基板に滴下し、スピンコータを用いて、前記基板を回転させるステップとを包含し、これにより上記課題を解決する。
前記無機層状物質は、層状チタン酸化物、層状ペロブスカイト酸化物、層状マンガン酸化物、層状コバルト酸化物、層状マンガン・コバルト酸化物、層状マンガン・鉄酸化物、層状タングステン酸化物、層状ニオブ酸化物、層状タンタル酸化物、層状チタン・ニオブ酸化物、層状チタン・タンタル酸化物、層状モリブデン酸化物、および、層状ルテニウム酸化物からなる群から選択されてもよい。
前記有機溶媒は、ジメチルスルホキシド、ホルムアミド、プロパノール、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルアセトアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンおよびN,N’−ジメチルプロピレン尿素からなる群から選択されてもよい。
前記無機層状物質が層状チタン酸化物であり、前記ナノシートの大きさは、300nm〜500nmの範囲であり、前記回転させるステップにおいて、前記スピンコータの回転数x(rpm)および前記有機溶媒ゾルの濃度y(wt%)は、式(1)を満たしてもよい。
y=9×10−9+4×10−5x+0.082・・・・・・・・・・(1)
ただし、xの値は±300rpmの許容範囲を含む、yの値はyの値に対して±10%の許容範囲を含む。
前記無機層状物質が層状チタン酸化物であり、前記ナノシートの大きさは、2μm〜20μmの範囲であり、前記回転させるステップにおいて、前記スピンコータの回転数x(rpm)および前記有機溶媒ゾルの濃度y(wt%)は、式(2)を満たしてもよい。
y=2×10−8+2×10−5x・・・・・・・・・・・・・・・・(2)
ただし、xの値は±300rpmの許容範囲を含む、yの値はyの値に対して±10%の許容範囲を含む。
前記無機層状物質がM1CaNb10(M1は少なくとも1種のアルカリ金属元素である)である層状ペロブスカイト酸化物であり、前記ナノシートの大きさは、2μm〜10μmの範囲であり、前記回転させるステップにおいて、前記スピンコータの回転数x(rpm)および前記有機溶媒ゾルの濃度y(wt%)は、式(3)を満たしてもよい。
y=10−8+0.0002x・・・・・・・・・・・・・・・・・(3)
ただし、xの値は±300rpmの許容範囲を含む、yの値はyの値に対して±10%の許容範囲を含む。
前記回転させるステップは、前記基板に滴下された前記有機溶媒ゾルが乾燥するまで行ってもよい。
前記有機溶媒ゾルを基板に滴下し、スピンコータを用いて、前記基板を回転させるステップを繰り返し行うステップをさらに包含してもよい。
前記繰り返し行うステップは、前記有機溶媒ゾルを基板に滴下し、スピンコータを用いて、前記基板を回転させるステップに続いて、前記基板上に形成されたナノシート単層膜からなる薄膜を加熱するステップと、前記基板上に形成されたナノシート単層膜からなる薄膜を純水で洗浄するステップとをさらに包含してもよい。
前記加熱するステップは、前記基板上に形成されたナノシート単層膜からなる薄膜を、150℃〜250℃の温度範囲で加熱してもよい。
前記繰り返し行うステップは、前記有機溶媒ゾルを基板に滴下し、スピンコータを用いて、前記基板を回転させるステップに続いて、前記基板上に形成されたナノシート単層膜からなる薄膜をさらなる有機溶媒で洗浄するステップと、前記基板上に形成されたナノシート単層膜からなる薄膜を加熱するステップとをさらに包含し、前記さらなる有機溶媒は、前記有機溶媒に対して親和性を有し、かつ、前記さらなる有機溶媒の沸点は、前記有機溶媒の沸点よりも低くてもよい。
前記さらなる有機溶媒は、アルコール、アセトンおよびアセトニトリルからなる群から選択されてもよい。
前記加熱するステップは、前記基板上に形成されたナノシート単層膜からなる薄膜を、50℃〜150℃の温度範囲で加熱してもよい。
前記繰り返し行うステップに続いて、紫外光を照射し、前記ナノシート単層膜間の有機物を除去するステップをさらに包含してもよい。
本発明による材料は、上記方法によって製造されたナノシート単層膜からなる薄膜からなり、前記薄膜は紫外光照射により、表面が超親水化し、これにより上記課題を解決する。
本発明による酸化物薄膜用基板は、基板と、前記基板上に位置するシード層とを備え、前記シード層は、上記方法によって製造されたナノシート単層膜からなる薄膜であり、これにより上記課題を解決する。
前記シード層は、層状チタン酸化物から単層剥離されたナノシート単層膜からなる薄膜であり、前記酸化物薄膜は、(110)配向したSrTiOであってもよい。
前記シード層は、M1CaNb10(M1は少なくとも1種のアルカリ金属元素である)である層状ペロブスカイト酸化物から単層剥離されたナノシート単層膜からなる薄膜であり、前記酸化物薄膜は、(100)配向したSrTiOであってもよい。
本発明による誘電体材料は、上記方法によって製造されたナノシート単層膜からなる薄膜を備え、これにより上記課題を解決する。
本発明によるスピンコート法によりナノシート単層膜からなる薄膜を製造する方法は、無機層状物質が単層剥離されたナノシートが有機溶媒に分散された有機溶媒ゾルを調製するステップと、有機溶媒ゾルを基板に滴下し、スピンコータを用いて、基板を回転させるステップとを包含する。スピンコートを用いることにより、ナノシート単層膜を簡便な操作で短時間に得ることができる。また、有機溶媒としてジメチルスルホキシド、ホルムアミド、プロパノール、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルアセトアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンおよびN,N’−ジメチルプロピレン尿素からなる群から選択される有機溶媒を用いれば、スピンコートによりナノシートが稠密に配列した良質なナノシート単層膜が得られる。好ましくは、本発明による製造方法は、特定の無機層状物質において、剥離して得られるナノシートの特定の大きさごとに、特定の濃度と特定の回転数とを満たすことにより、ナノシート単層膜を簡便な操作で短時間に確実に得ることができる。
また、本発明による方法によって得られた薄膜は、紫外光の照射により、表面が超親水化する超親水化材料、高誘電率を有する誘電体材料、あるいは、その上に配向膜を成長させるに好適なシード層として機能し得る。このような薄膜を本発明のスピンコートを用いた製造方法により簡便かつ高品質に製造できるので、超親水化材料、誘電体材料、および、シード層を備えた基板の製造コストを削減できる。
本発明による、スピンコート法により薄膜としてナノシート単層膜を製造するステップを示すフローチャート 有機溶媒ゾルの製造過程を示すプロシージャ 図1のステップS120の製造工程を示すプロシージャ 本発明による、スピンコート法により薄膜としてナノシート多層膜を製造するステップを示すフローチャート ステップS410の好適なステップを示すフローチャート ステップS410の別の好適なステップを示すフローチャート 実施例1の有機溶媒ゾルの観察結果を示す図 実施例1によるTi0.87ナノシート単層膜のSEM像を示す図 実施例1によるTi0.87ナノシート単層膜のAFM像を示す図 比較例1(A)、比較例2(B)および比較例18(C)によるTi0.87ナノシート単層膜のAFM像を示す図 実施例1によるTi0.87ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図 実施例2(A)、実施例4(B)および実施例6(C)によるTi0.87ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図 比較例3(A)、比較例10(B)、比較例13(C)および比較例23(D)によるTi0.87ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図 実施例1〜実施例8によるスピンコータの回転数と有機溶媒ゾル濃度との関係を示す図 実施例1によるTi0.87ナノシート単層膜の光誘起親水化特性を示す図 実施例9の有機溶媒ゾルの観察結果を示す図 実施例9によるTi0.87ナノシート単層膜のSEM像を示す図 実施例9によるTi0.87ナノシート単層膜のAFM像を示す図 比較例24(A)、比較例27(B)および比較例34(C)によるTi0.87ナノシート単層膜のAFM像を示す図 実施例9によるTi0.87ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図 実施例10〜12(A)〜(C)、実施例14(D)および実施例16(E)によるTi0.87ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図 比較例28(A)、比較例29(B)、比較例37(C)および比較例38(D)によるTi0.87ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図 実施例9〜17によるスピンコータの回転数と有機溶媒ゾル濃度との関係を示す図 実施例18によるCaNb10ナノシート単層膜のSEM像を示す図 実施例18(A)および実施例19(B)によるCaNb10ナノシート単層膜のAFM像を示す図 比較例49(A)および比較例50(B)によるCaNb10ナノシート単層膜のAFM像を示す図 実施例18によるCaNb10ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図 実施例20〜23(A)〜(D)によるCaNb10ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図 比較例47(A)、比較例48(B)、比較例51(C)および比較例52(D)によるCaNb10ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図 実施例18および20〜23によるスピンコータの回転数と有機溶媒ゾル濃度との関係を示す図 実施例24によるTi0.87ナノシート多層膜(n=1〜10)の吸収スペクトルを示す図 実施例25によるTi0.87ナノシート多層膜(n=1〜10)の吸収スペクトルを示す図 実施例24による層数と波長265nmにおける吸光度との関係を示す図 実施例25による層数と波長265nmにおける吸光度との関係を示す図 実施例24によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)のXRDパターンを示す図 実施例25によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)のXRDパターンを示す図 実施例26によるTi0.87ナノシート多層膜(n=1〜10)の吸収スペクトルを示す図 実施例27によるTi0.87ナノシート多層膜(n=1〜10)の吸収スペクトルを示す図 実施例26による層数と波長265nmにおける吸光度との関係を示す図 実施例27による層数と波長265nmにおける吸光度との関係を示す図 実施例26によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)のXRDパターンを示す図 実施例27によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)のXRDパターンを示す図 実施例26によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)の紫外光照射によるXRDパターンの変化を示す図 実施例26によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)の回折ピーク(010)のd値、半値幅およびピーク強度の紫外光照射時間依存性を示す図 実施例1によるTi0.87ナノシート単層膜上のSrTiO薄膜のXRDパターンを示す図 実施例9によるTi0.87ナノシート単層膜上のSrTiO薄膜のXRDパターンを示す図 実施例18によるCaNb10ナノシート単層膜上のSrTiO薄膜のXRDパターンを示す図 実施例28によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)の誘電率の周波数依存性を示す図 実施例28によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)のリーク電流密度の印加電圧依存性を示す図
実施例に先立って、本発明のスピンコート法によりナノシート単層膜からなる薄膜を製造する方法を詳述する。なお、本明細書において、用語「ナノシート単層膜」とは、無機層状物質が単層剥離されたナノシートが重なることなく稠密に配列して形成する単層膜を意図する。用語「ナノシート単層膜からなる薄膜」とは、ナノシート単層膜そのもの、および、そのナノシート単層膜が多層化した多層膜(ナノシート多層膜とも呼ぶ)の両方を意図することに留意されたい。
まず、本発明の薄膜としてナノシート単層膜を製造する場合について説明する。
図1は、本発明による、スピンコート法により薄膜としてナノシート単層膜を製造するステップを示すフローチャートである。
ステップS110:無機層状物質が単層剥離されたナノシートが有機溶媒に分散された有機溶媒ゾルを調製する。ここで、無機層状物質は、ナノシートに単層剥離され得る任意の物質であるが、好ましくは、無機層状物質は、層状チタン酸化物、層状ペロブスカイト酸化物、層状マンガン酸化物、層状コバルト酸化物、層状マンガン・コバルト酸化物、層状マンガン・鉄酸化物、層状タングステン酸化物、層状ニオブ酸化物、層状タンタル酸化物、層状チタン・ニオブ酸化物、層状チタン・タンタル酸化物、層状モリブデン酸化物、および、層状ルテニウム酸化物からなる群から選択される。これらの物質は、いずれも、半導体特性、誘電特性、強磁性、蛍光特性、光触媒性等の特異な性質を示す、または、期待されており、実用化に有利である。
層状チタン酸化物は、単層剥離されてチタニアナノシートを生成する任意の層状チタン酸化物である。ここで単層剥離されたチタニアナノシートは、例えば、一般式(Ti,M2)O(M2は金属元素または空孔であり、1≦x≦2)で表される。このようなチタニアナノシートを生成する層状チタン酸化物は、例えば、NaTi、KTi、CsTi11、M1(Ti,M2)(M1は、少なくとも1種のアルカリ金属元素、0<x<1)等がある。
層状ペロブスカイト酸化物は、単層剥離されてペロブスカイトナノシートを生成する任意の層状ペロブスカイト酸化物である。ここで単層剥離されたペロブスカイトナノシートは、例えば、一般式An−13n+1(A=Ca、Sr、Ba、Na、K、希土類元素、M=Nb、Ta、Ti、2≦n≦7)で表される。このようなペロブスカイトナノシートを生成する層状ペロブスカイト酸化物は、A’[An−13n+1]に代表されるDion−Jacobson型(A’:アルカリ金属)、A’[An−13n+1]に代表されるRuddlesden−Popper型、および、(Bi)[An−13n+1]に代表されるAurivillius型が知られている。nが上記範囲であれば、層状ペロブスカイト酸化物の結晶構造を維持しつつ、上述のペロブスカイトナノシートが生成され得る。また、A席、A’席、M席とも上記の複数の元素で占有されることも可能であり、その場合その比率に制限はない。本化合物系は極めてバラエティーに富むが、代表的な層状ペロブスカイト酸化物として、KLaNb、KCaNb10、KSrNb10、CsCaNb10、KCaNaNb13、KCaNaNb16、KCaNaNb19、LiEu2/3Ta、KLaTi10、(K1.5Eu0.5)Ta10などがある。
層状マンガン酸化物は、単層剥離されてマンガン酸ナノシートを生成する任意の層状マンガン酸化物である。ここで単層剥離されたマンガン酸ナノシートは、例えば、一般式MnOで表される。このようなマンガン酸ナノシートを生成する層状マンガン酸化物は、一般式M1MnO(M1は少なくとも1種のアルカリ金属元素であり、xは0より大きく1以下である)で表される。
層状コバルト酸化物は、単層剥離されてコバルト酸ナノシートを生成する任意の層状コバルト酸化物である。ここで単層剥離されたコバルト酸ナノシートは、例えば、一般式CoOで表される。このようなコバルト酸ナノシートを生成する層状コバルト酸化物は、一般式AMnO(Aは、少なくとも1種のアルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素または遷移金属元素であり、xは0より大きく1以下である)で表される。
層状マンガン・コバルト酸化物は、単層剥離されてマンガン・コバルト酸ナノシートを生成する任意の層状マンガン・コバルト酸化物である。ここで単層剥離されたマンガン・コバルト酸ナノシートは、例えば、一般式Mn1−xCo(0<x<1)で表される。このようなマンガン・コバルト酸ナノシートを生成する層状マンガン・コバルト酸化物は、一般式M1Mn1−xCo(M1は少なくとも1種のアルカリ金属元素であり、x、yは0より大きく1以下である)で表される。
層状マンガン・鉄酸化物は、単層剥離されてマンガン・鉄酸ナノシートを生成する任意の層状マンガン・鉄酸化物である。ここで単層剥離されたマンガン・鉄酸ナノシートは、例えば、一般式Mn1−xFe(0<x<1)で表される。このようなマンガン・鉄酸ナノシートを生成する層状マンガン・鉄酸化物は、一般式M1Mn1−xFe(M1は少なくとも1種のアルカリ金属元素であり、yは0より大きく1以下である)で表される。
層状タングステン酸化物は、単層剥離されてタングステン酸ナノシートを生成する任意の層状タングステン酸化物である。層状タングステン酸化物は、Rb1135、Cs6+z1136(0≦z≦0.31)、Cs8.51548などがある。
層状ニオブ酸化物は、単層剥離されてニオブ酸ナノシートを生成する任意の層状ニオブ酸化物である。ここで、例示的なニオブ酸ナノシートは、Nb、Nb17等である。このようなニオブ酸ナノシートを生成する層状ニオブ酸化物は、KNb、KNb17等がある。
層状タンタル酸化物は、単層剥離されてタンタル酸ナノシートを生成する任意の層状タンタル酸化物である。ここで、例示的なタンタル酸ナノシートは、TaO等である。このようなタンタル酸ナノシートを生成する層状タンタル酸化物は、RbTaO等がある。
層状チタン・ニオブ酸化物は、単層剥離されてチタン・ニオブ酸ナノシートを生成する任意の層状チタン・ニオブ酸化物である。ここで、例示的なチタン・ニオブ酸ナノシートは、TiNbO、TiNbO14、TiNbO等である。このようなチタン・ニオブ酸ナノシートを生成する層状チタン・ニオブ酸化物は、M1[TiNbO]、M1[TiNbO14]、M1[TiNbO](M1は少なくとも1種のアルカリ金属元素である)等がある。
層状チタン・タンタル酸化物は、単層剥離されてチタン・タンタル酸ナノシートを生成する任意の層状チタン・タンタル酸化物である。ここで、例示的なチタン・タンタル酸ナノシートは、TiTaO、TiTaO14、TiTaO等である。このようなチタン・タンタル酸ナノシートを生成する層状チタン・タンタル酸化物は、M1[TiTaO]、M1[TiTaO14]、M1[TiTaO](M1は少なくとも1種のアルカリ金属元素である)等がある。
層状モリブデン酸化物は、単層剥離されてモリブデン酸ナノシートを生成する任意の層状モリブデン酸化物である。ここで、例示的なモリブデン酸ナノシートは、MoOで表される。このようなモリブデン酸ナノシートを生成する層状モリブデン酸化物は、一般式M1MoO(ここでM1は少なくとも1種のアルカリ金属元素である)で表される。
層状ルテニウム酸化物は、単層剥離されてルテニウム酸ナノシートを生成する任意の層状ルテニウム酸化物である。ここで、例示的なルテニウム酸ナノシートは、RuOならびにRuO2.1で表される。このようなルテニウム酸ナノシートを生成する層状ルテニウム酸化物は、一般式M1RuO(M1は少なくとも1種のアルカリ金属元素である)で表される。
なお、上述した無機層状物質の一般式は例示であって、層状構造を維持する限り、添加元素等の異種金属元素が固溶されていてもよく、必ずしも上述の元素のみ、ならびに、上述の組成のみから構成されるものではないことに留意されたい。
また、有機溶媒は、特に制限はないが、好ましくは、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ホルムアミド、プロパノール、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルアセトアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンおよびN,N’−ジメチルプロピレン尿素からなる群から選択される。これらの有機溶媒は極性溶媒であり、ナノシートが分散しやすい。中でも、DMSOは、適度な粘性(後述のスピンコート時にのびて薄い液膜を形成する)と蒸気圧(比較的ゆっくり乾燥するので、制御しやすい)との観点から好ましい。
また、有機溶媒ゾル中のナノシートの含有量は、有機溶媒ゾル全体の質量に対して0.001質量%以上10質量%以下であり、好ましくは、0.02重量%以上、より好ましくは、0.05重量%以上1.0重量%以下であり、さらに好ましくは0.1重量%以上1.0重量%以下である。含有量が高すぎると、ナノシートの分散性が悪くなる傾向がある。
ここで、有機溶媒ゾルの具体的な製造過程を説明する。
図2は、有機溶媒ゾルの製造過程を示すプロシージャである。
ステップS210:水220にナノシート210が分散した水系ゾルを、遠心分離する。ナノシート210は、単層剥離された無機層状物質である。遠心分離の条件は、例示的には、10000rpm〜35000rpmの範囲で、10分〜45分の範囲であるが、選択した無機層状物質に応じて改変してもよい。これにより、水溶性ゾル中のナノシート210が沈降する。
ステップS220:上澄みの水を除去し、沈降したナノシート210に上述の有機溶媒230を加え、ナノシート210を再分散させる。これにより、有機溶媒ゾルが得られる。
また、有機溶媒ゾルの濃度は、ステップS210の遠心分離を行う前の水系ゾルの吸光度と、遠心分離後の上澄みの吸光度との差から求めることができる。
なお、ステップS220で得られた有機溶媒ゾルに、遠心分離を行い、ナノシート210を沈降させ、上澄みを除去し、有機溶媒230に再分散させるプロセスを数回繰り返し、水分残存量を低減した有機溶媒ゾルを作製してもよい。なお、有機溶媒ゾルの濃度の制御は、ナノシート210に対する有機溶媒230の量を制御すればよい。
再度、図1を参照する。
図3は、図1のステップS120の製造工程を示すプロシージャである。
ステップS120:有機溶媒ゾル310を基板320に滴下し、スピンコータを用いて、基板を回転させる。基板は、Pt等の金属基板、Si、GaAs等の半導体基板、石英、ガラス等の透明基板、プラスチック等の有機基板等任意の基板が適用される。基板の表面は、親水化処理されている。具体的には、アセトンで表面を拭き、有機物が除去された基板を、メタノールと塩酸との混合溶液(体積比で1:1で混合)に15分〜45分浸漬させ、超純水で洗浄後、濃塩酸に15分〜45分浸漬、再度、超純水で洗浄すればよい。
詳細には、ステップS120において、基板320に滴下された有機溶媒ゾル310は、スピンコータによる基板320の回転により、基板320の端部まで広がった後、完全に有機溶媒ゾル310が乾燥するまで基板320を回転させる。所定の条件下では、これにより、薄膜として、ナノシートが互いに重なることなく稠密に配列したナノシート単層膜330が得られる。本発明によれば、好ましくは、上述の特定の有機溶媒を用いた有機溶媒ゾルを用いるので、スピンコートにより良質なナノシート単層膜が得られる。なお、単層膜を得るにかかる製膜時間(完全に有機溶媒ゾルが乾燥するまで基板を回転させる時間)は、選択した無機層状物質の種類、大きさ、ならびに、有機溶媒ゾル濃度にもよるが、例示的には、1分〜3分の範囲であり、極めて短時間である。
好ましくは、ステップS120において、有機溶媒ゾル310の濃度とスピンコータによる基板320の回転数(以降では、単にスピンコータの回転数と称する)とは、無機層状物質の種類およびナノシートの大きさに応じて、以下の関係を満たすように選択される。なお、本明細書において大きさとは、ナノシートの広がり方向の大きさを意図する。
例えば、無機層状物質が層状チタン酸化物であり、そのナノシートの大きさが300nm〜500nmの範囲である場合、スピンコータの回転数x(rpm)と有機溶媒ゾル310の濃度y(wt%)とは、式(1)を満たす。
y=9×10−9+4×10−5x+0.082・・・・・・・・・・(1)
ここで、式(1)を満たすxの値は±300rpmの許容範囲を、yの値はyの値に対して10%の許容範囲を有しており、この範囲内(すなわち、所与の回転数xから式(1)により決まる濃度yの±10%の範囲内、また所与の濃度yから式(1)により決まる回転数xの±300rpmの範囲内)のxおよびyの値であれば、高品質なナノシート単層膜を歩留まりよく得ることができる。このようにして得たチタン酸化物(チタニア)のナノシート単層膜は、波長265nmにおいて0.065〜0.075の吸光度を有し、極めて均一で可視光の透過性に優れる。
別の例では、無機層状物質が層状チタン酸化物であり、そのナノシートの大きさが2μm〜20μmの範囲である場合、スピンコータの回転数x(rpm)と有機溶媒ゾル310の濃度y(wt%)とは、式(2)を満たす。
y=2×10−8+2×10−5x・・・・・・・・・・・・・・・・(2)
ここで、式(2)を満たすxの値は±300rpmの許容範囲を、yの値はyの値に対して10%の許容範囲を有しており、この範囲内(すなわち、所与の回転数xから式(2)により決まる濃度yの±10%の範囲内、また所与の濃度yから式(2)により決まる回転数xの±300rpmの範囲内)のxおよびyの値であれば、高品質なナノシート単層膜を歩留まりよく得ることができる。このようにして得たチタン酸化物(チタニア)のナノシート単層膜は、波長265nmにおいて0.065〜0.075の吸光度を有し、極めて均一で可視光の透過性に優れる。
また別の例では、無機層状物質がM1CaNb10(M1は少なくとも1種のアルカリ金属元素である)である層状ペロブスカイト酸化物であり、そのナノシートの大きさが2μm〜10μmの範囲である場合、スピンコータの回転数x(rpm)と有機溶媒ゾル310の濃度y(wt%)とは、式(3)を満たす。
y=10−8+0.0002x・・・・・・・・・・・・・・・・・(3)
ここで、式(3)を満たすxの値は±300rpmの許容範囲を、yの値はyの値に対して10%の許容範囲を有しており、この範囲内(すなわち、所与の回転数xから式(3)により決まる濃度yの±10%の範囲内、また所与の濃度yから式(3)により決まる回転数xの±300rpmの範囲内)のxおよびyの値であれば、高品質なナノシート単層膜を歩留まりよく得ることができる。このようにして得たニオブ酸化物のナノシート単層膜は、波長270nmにおいて0.045〜0.055の吸光度を有し、極めて均一で可視光の透過性に優れる。
上記各無機層状物質の種類および大きさと、スピンコータの回転数xと有機溶媒ゾルの濃度yとの関係を、簡単のため、表1にまとめる。
式(1)〜(3)より、好適なナノシート単層膜からなる薄膜を得るには、スピンコータの回転数xと有機溶媒ゾルの濃度yとの間に二次関数の関係があることが分かる。また、その二次関数は、各無機層状物質から剥離して得られるナノシートの種類および大きさにより異なっており、各無機層状物質について実験を重ねることにより求めることができる。
以上説明してきたように、本発明によれば、特定の有機溶媒にナノシートが分散された有機溶媒ゾルを用いたスピンコート法により、薄膜として、ナノシート単層膜を簡便かつ短時間に製造することができる。また、無機層状物質が、例えば、層状チタン酸化物および層状ペロブスカイト酸化物において、それぞれ、特定の大きさごとに、特定の濃度と特定の回転数とを満たすことにより、可視光透過性に優れ高品質なナノシート単層膜を簡便な操作で短時間に確実に得ることができる。
このようにして得られたナノシート単層膜は、酸化物結晶成長用のシード層として機能し得る。例えば、基板、および、基板上に位置する本発明の製造方法によって得られたナノシート単層膜を備えた各種結晶薄膜成長用基板が提供され得る。成長可能な酸化物結晶は、シード層の種類によるが、例えば、シード層としてのナノシート単層膜が層状チタン酸化物から単層剥離されたナノシート単層膜であれば、SrTiO等のぺロブスカイト系の酸化物を(110)配向させることができる。また、シード層としてナノシート単層膜が層状ペロブスカイト酸化物から単層剥離されたナノシート単層膜であれば、SrTiO等のペロブスカイト系の酸化物を(100)配向させることができる。また、従来の交互吸着法あるいはLB法のような製膜時間が長く、操作が煩雑な手法とは異なり、スピンコート法により簡便かつ高品質なナノシート単層膜が生産性良く得られるので、このような酸化物結晶薄膜成長用基板は安価に提供され、実用化に極めて有利である。
また、本発明の製造方法によって得られたナノシート単層膜からなる薄膜は、紫外光の照射により、表面が超親水化する材料として機能する。防汚材料として有効な超親水化材料を、スピンコート法により簡便かつ高品質に大面積にわたって生産性良く得られる。
さらに、本発明の製造方法によって得られたナノシート単層膜からなる薄膜は、高誘電率を有し、絶縁性に優れているので、誘電体材料として機能する。誘電体材料を、スピンコート法によって容易に大面積にわたって生産できるので、既存のLB法や交互吸着法に比べて有利である。
次に、薄膜としてナノシート多層膜を製造する場合について説明する。
図4は、本発明による、スピンコート法により薄膜としてナノシート多層膜を製造するステップを示すフローチャートである。
ステップS410:図1を参照して説明した薄膜としてナノシート単層膜を製造するステップに続いて、図1のステップS120を繰り返し行えばよい。これにより、ナノシート単層膜が多層化したナノシート多層膜を得ることができる。
図5は、ステップS410の好適なステップを示すフローチャートである。
図4のステップS410は、好ましくは、2つのステップをさらに包含する。
ステップS510:ステップS120に続いて、基板上に形成されたナノシート単層膜からなる薄膜を加熱する。これにより、ナノシート単層膜からなる薄膜に残留する有機溶媒が除去されるので、ナノシート単層膜とナノシート単層膜とが密着した強固な多層膜が得られる。
加熱温度は、図1のステップS110で選択した有機溶媒が除去される温度であれば特に制限はないが、好ましくは、150℃以上250℃以下(150℃〜250℃)の温度範囲である。加熱時間は、特に制限はなく、少なくとも10分以上であり得る。例えば、有機溶媒としてDMSOを選択した場合、加熱条件は、200℃で10分〜20分で十分であり得る。
ステップS520:加熱されたナノシート単層膜からなる薄膜を純水で洗浄する。これにより、表面が有機溶媒ゾルになじみやすくなる。
図6は、ステップS410の別の好適なステップを示すフローチャートである。
ステップS610:ステップS120に続いて、基板上に形成されたナノシート単層膜からなる薄膜を、さらなる有機溶媒で洗浄する。ここで、さらなる有機溶媒は、ステップS110で選択された有機溶媒に対して親和性を有する。これにより、ナノシート単層膜からなる薄膜に残留する有機溶媒がさらなる有機溶媒で容易に置換される。また、さらなる有機溶媒の沸点は、ステップS110で選択された有機溶媒の沸点よりも低い。これにより、後述するステップS620の加熱温度を、図5のステップS510のそれに比べて、低下させることができる。具体的には、さらなる有機溶媒は、好ましくは、メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール、アセトン、アセトニトリルからなる群から選択される。これらは、入手が容易であり、取り扱いが簡便である。
ステップS620:洗浄されたナノシート単層膜からなる薄膜を加熱する。これにより、ナノシート単層膜からなる薄膜に残留するさらなる有機溶媒が除去されるので、ナノシート単層膜とナノシート単層膜とが密着した強固な多層膜が得られる。
加熱温度は、ステップS610で選択したさらなる有機溶媒が除去される温度であれば特に制限はないが、好ましくは、50℃以上150℃以下(50℃〜150℃)の温度範囲である。加熱時間は、特に制限はなく、少なくとも10分以上であり得る。例えば、有機溶媒としてアルコールの中でもエタノールを選択した場合、加熱条件は、100℃で10分〜20分で十分であり得る。
再度、図4に戻る。ステップS410によりナノシート単層膜が多層化したナノシート多層膜を得た後に、ステップS420を行ってもよい。
ステップS420:ステップS410に続いて、得られたナノシート多層膜に紫外光を照射し、ナノシート単層膜間の有機物を除去する。ナノシート単層膜は、紫外光が照射されると、光触媒効果を誘起する。これにより、ナノシート単層膜間にある有機物(例えば、ナノシートを作製時に用いるTBA、有機溶媒ゾル中の有機物等)が分解され、除去される。その結果、ナノシート多層膜を、有機物を含まない無機薄膜化できる。
紫外光の照射条件は、ナノシート多層膜の層数に応じて、適宜改変されるが、例えば、ナノシート多層膜が10層であれば、1mW/cmの紫外光を約200時間照射すれば、十分に有機物を除去できる。
このような無機薄膜化されたナノシート多層膜は、有機物が除去されているので、安定である。また、無機薄膜化されたナノシート多層膜は、誘電機能、光触媒機能等を効果的に取り出すため、シード層作用を安定、有効に働かせるために有利である。
以上説明してきたように、本発明によれば、単に図1のステップS120を繰り返すだけで、ナノシート単層膜を多層化することができるので、操作が簡便であり、短時間に製造することができる。また、可視光透過性に優れ、高品質なナノシート単層膜を得るための、ナノシートの特定の大きさごとに特定の濃度と特定の回転数とを満たす条件のステップS120を繰り返すので、これによって得られるナノシート多層膜もまた、可視光透過性に優れ、高品質となり得る。
次に具体的な実施例を用いて本発明を詳述するが、本発明がこれら実施例に限定されないことに留意されたい。
[実施例1]
実施例1では、無機層状物質が層状チタン酸化物であり、薄膜として、層状チタン酸化物が単層剥離されたナノシート(大きさ:300nm〜500nm)からなる単層膜(ナノシート単層膜)を製造した。
ナノシート単層膜の製造に先立って、層状チタン酸化物の合成、および、その単層剥離されたナノシートの製造を行った。層状チタン酸化物は、固相法により合成した。
詳細には、TiO(Rare Metallic社製、純度99.99%)、KCO(Rare Metallic社製、純度99.99%)およびLiCO(Rare Metallic社製、純度99.99%)の原料粉末を、化学量論比TiO:KCO:LiCO=1:0.23:0.078に基づいて秤量した。秤量した原料粉末を、アルミナ乳鉢を用いて60分間粉砕・混合した。なお、焼成の際に、アルカリ金属炭酸塩であるKCOおよびLiCOの一部が蒸発するため、モル比で5%過剰に加えた。粉砕・混合した原料粉末を白金るつぼに入れ、900℃で1時間電気炉で仮焼成した。その後、仮焼成した原料粉末をアルミナ乳鉢で再度30分間粉砕・混合した。次いで、粉砕・混合した原料粉末を白金るつぼに入れ、1000℃で20時間焼成した。これにより、層状チタン酸化物としてK0.8Ti1.73Li0.27を合成した。
次に、層状チタン酸化物を単層剥離し、大きさ300nm〜500nmを有するナノシートを得た。詳細には、得られた層状チタン酸化物を10gL−1の割合で、1molL−1の塩酸水溶液(Wako社製、特級)中で撹拌・反応させた。24時間ごとに塩酸水溶液を交換し、3日間反応させた後、ろ過・風乾によって水素イオン交換体H1.07Ti1.73・HOを回収した。
水素イオン交換体を、TBA/Hの比が1になるように濃度を調整した水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液(Wako社製、特級)に、4gL−1の割合で混合し、振とう機で約2週間振とう(180rpm)させた。これにより、大きさ300nm〜500nmを有するTi0.87ナノシートを得た。
次に、製造したTi0.87ナノシートを用いて有機溶媒ゾルを調製した(図1のステップS110)。Ti0.87ナノシートが水に分散したTi0.87ナノシートゾル(水系ゾル)20mLを、30000rpmで30分間遠心分離し、Ti0.87ナノシートを沈降させた(図2のステップS210)。上澄みの水相を除去した後、有機溶媒としてジメチルスルホキシド(DMSO)(Wako社製、特級)を、20mL加え、再分散させて、Ti0.87ナノシートが分散した有機溶媒ゾルを調製した(図2のステップS220)。有機溶媒ゾルを観察した結果を図7に示す。遠心分離には、日立工機社製CP100MX超遠心機を用いた。
ここで、紫外・可視(UV−Vis)吸収スペクトル測定を用いて、有機溶媒ゾルの濃度を測定した。UV−Vis測定には、Hitachi社製、U−4000/4100型分光光度計を用いた。光路長1cm角型石英ガラスセルに、Ti0.87ナノシートゾルおよび上澄みの水相をそれぞれ入れ、吸光度を求めた。それらの吸光度差から、調製された有機溶媒ゾルの濃度は0.4wt%であった。
調製された有機溶媒ゾルを基板に滴下し、スピンコータを用いて、基板を回転させて、薄膜としてナノシート単層膜を得た(図1のステップS120)。ここで、基板は、石英ガラス基板およびシリコン(Si)ウェハ(30mmφ)であった。これらの基板の表面をアセトンで拭き、有機物等を除去した。次いで、メタノール(Wako社製、特級)と濃塩酸(Wako社製、特級)との混合溶液(体積比1:1で混合した)に各基板を30分間浸漬させ、超純水(日本ミリポア社製超純水装置Milli−Q Element)で洗浄した。その後、各基板を濃塩酸に30分間浸漬させ、超純水で洗浄した。これにより親水化処理された基板を得た。
親水化処理された各基板をスピンコータに設置し、有機溶媒ゾルを滴下し、基板の端部まで有機溶媒ゾルが広がった後、完全に乾燥するまで基板を回転させた。ここで、スピンコータの回転数は、4500rpmであった。製膜時間は1分〜2分であった。なお、スピンコートには、ミカサ社製、スピンコータMS−A200を用いた。ダイアフラム型ドライ真空ポンプDA−60Sによって基板を吸引することにより、基板を固定した。このようにして、石英ガラス基板およびシリコンウェハ上にナノシート単層膜を得た。
実施例1で得たSiウェハ上のナノシート単層膜について、走査型電子顕微鏡(SEM)により表面観察を行った。SEM観察は、KEYENCE社製、VE−8800走査型電子顕微鏡を用いた。ナノシート単層膜が形成されたSiウェハを試料台にカーボンテープで固定し、加速電圧1kVで観察した。観察結果を図8に示す。
実施例1で得たSiウェハ上のナノシート単層膜について、原子間力顕微鏡(AFM)により表面観察を行った。AFM観察は、SII Nano Technology社製、SPI−3800N/SPA−400走査型プローブ顕微鏡システムを用いた。スキャナとして、XY軸方向の最大走査範囲が20μm(SPA 400−PZA FS20A)および150μm(SPA 400−PZA FS150N)の2種を使用した。プローブは、シリコンカンチレバー(バネ定数k=20Nm−1)を使用し、タッピングモードで観察した。観察結果を図9に示す。
実施例1で得た石英ガラス基板上のナノシート単層膜について、上述の分光光度計を用いUV−Vis吸収スペクトルを測定した。入射光が石英ガラス基板に垂直に入射するように、試料を設置した。測定範囲は、5×8mmの矩形であり、試料の中心および左右の3か所を測定した。測定結果を図11に示す。図11で得た吸光度に基づいて、スピンコータの回転数と有機溶媒ゾル濃度との関係を調べた。結果を図14に示す。
実施例1で得たSiウェハ上のナノシート単層膜について、紫外光照射による光誘起親水化特性を評価した。まず、Siウェハ上のナノシート単層膜に紫外光(1mWcm−2)を24時間照射し、ナノシート(Ti0.87)の光触媒効果により表面の有機物(TBA等)を除去した。次いで、これを1か月暗所で保存し、水に対する接触角が一定(約40°)になった後、紫外光(1mWcm−2)を照射し、再度、水に対する接触角の紫外光の照射時間依存性を調べた。結果を図15に示す。なお、接触角測定には、協和界面科学社製、接触角計CA−XP型を使用した。測定は、試料について5点測定し、その平均値を接触角とした。
実施例1で得たSiウェハ上のナノシート単層膜の上に、パルスレーザ堆積(PLD)法により、酸化物としてSrTiO(STO)結晶薄膜を配向成長させた。具体的には、レーザとしてKrFエキシマレーザ(波長248nm、Compex102)を、ターゲットとしてSrTiO(100)面の単結晶を、それぞれ用いた。レーザは、真空チャンバに設置した石英ガラス窓を通してチャンバ内に導入された。以下に成長条件を示す。
レーザ強度:約3J/cm
ターゲットと基板との距離:50mm
酸素分圧:0.12Pa
基板温度:550℃
成膜時間:60分
このようにして得たSTO薄膜についてXRD測定を行った。結果を図45に示す。
[実施例2〜8および比較例1〜23]
実施例2〜8および比較例1〜23では、有機溶媒ゾル濃度と回転数とを変化させた以外は、実施例1と同様に、無機層状物質が層状チタン酸化物であり、薄膜として、層状チタン酸化物が単層剥離されたナノシート(大きさ:300nm〜500nm)からなる単層膜(ナノシート単層膜)を製造した。
得られたナノシート単層膜について、実施例1と同様に、AFM観察、吸収スペクトルを測定した。比較例1、比較例2および比較例18のAFM観察結果を図10に示す。実施例2、実施例4および実施例6の吸収スペクトルを図12に示す。比較例3、比較例10、比較例13および比較例23の吸収スペクトルを図13に示す。測定した吸光度に基づいて、実施例2〜8のスピンコータの回転数と有機溶媒ゾル濃度との関係を調べた。結果を図14に示す。
簡単のため、実施例1〜8および比較例1〜23の有機溶媒ゾル濃度と回転数および吸光度を表2に示す。
[実施例9]
実施例9では、無機層状物質が層状チタン酸化物であり、薄膜として、層状チタン酸化物が単層剥離されたナノシート(大きさ:2μm〜20μm)からなる単層膜(ナノシート単層膜)を製造した。
水素イオン交換体H1.07Ti1.73・HOを、TBA/Hの比が1になるように濃度を調整した水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液(Wako社製、特級)に、4gL−1の割合で混合し、1日に数回穏やかに振り混ぜることを45日間行って得た、大きさ2μm〜20μmを有するTi0.87ナノシートを有する有機溶媒ゾル(濃度0.2wt%)を用い、スピンコータの回転数を2850rpmおよび製膜時間を2分〜3分とした以外は、実施例1と同様の手順により、石英ガラス基板およびSiウェハ上にTi0.87ナノシートからなる薄膜として単層膜を製造した。調製した有機溶媒ゾルを観察した。観察結果を図16に示す。
実施例1と同様に、Siウェハ上のナノシート単層膜について、SEM観察およびAFM観察を行った。観察結果をそれぞれ図17および図18に示す。石英ガラス基板上のナノシート単層膜について、吸収スペクトルを測定した。測定結果を図20に示す。吸収スペクトルから得た吸光度を用いて、スピンコータの回転数と有機溶媒ゾル濃度との関係を調べた。結果を図23に示す。
実施例1と同様に、Siウェハ上のナノシート単層膜の上に、PLD法により、酸化物としてSrTiO(STO)結晶薄膜を配向成長させた。得られたSTO薄膜についてXRD測定を行った。結果を図46に示す。
[実施例10〜17および比較例24〜46]
実施例10〜17および比較例24〜46では、有機溶媒ゾル濃度と回転数とを変化させた以外は、実施例9と同様に、無機層状物質が層状チタン酸化物であり、薄膜として、層状チタン酸化物が単層剥離されたナノシート(大きさ:2μm〜20μm)からなる単層膜(ナノシート単層膜)を製造した。
得られたナノシート単層膜について、実施例1と同様に、AFM観察、吸収スペクトルを測定した。比較例24、比較例27および比較例34のAFM観察結果を図19に示す。実施例10、実施例11、実施例12、実施例14および実施例16の吸収スペクトルを図21に示す。比較例28、比較例29、比較例37および比較例38の吸収スペクトルを図22に示す。測定した吸光度に基づいて、実施例10〜17のスピンコータの回転数と有機溶媒ゾル濃度との関係を調べた。結果を図23に示す。
簡単のため、実施例9〜17および比較例24〜46の有機溶媒ゾル濃度と回転数および吸光度を表3に示す。
[実施例18]
実施例18では、無機層状物質がM1CaNb10(ここで、M1は少なくとも1種のアルカリ金属元素としてKである。以降ではKCaNb10と表記する。)である層状ペロブスカイト酸化物であり、薄膜として、KCaNb10が単層剥離されたナノシート(大きさ:2μm〜10μm)からなる単層膜(ナノシート単層膜)を製造した。
ナノシート単層膜の製造に先立って、層状ペロブスカイト酸化物としてKCaNb10の合成、および、その単層剥離されたナノシートの製造を行った。KCaNb10は、固相法により合成した。
詳細には、KCO(Rare Metallic社製、純度99.99%)、CaCO(Rare Metallic社製、純度99.99%)およびNb(Rare Metallic社製、純度99.99%)の原料粉末を、化学量論比KCO:CaCO:Nb=1:4:3に基づいて秤量した。秤量した原料粉末を、アルミナ乳鉢を用いて60分間粉砕・混合した。なお、焼成の際に、アルカリ金属炭酸塩であるKCOの一部が蒸発するため、モル比で10%過剰に加えた。粉砕・混合した原料粉末を白金るつぼに入れ、900℃で1時間電気炉で仮焼成した。その後、900℃から1200℃まで3時間で昇温し、1200℃で12時間焼成した後、白金るつぼを電気炉から取り出した。これにより、層状ペロブスカイト酸化物としてKCaNb10を合成した。
次に、層状ペロブスカイト酸化物を単層剥離し、大きさ2μm〜10μmを有するナノシートを得た。詳細には、得られた層状ペロブスカイト酸化物(5g)と硝酸水溶液(200mL)とをビーカ中撹拌し、72時間反応させた。反応終了後、生成物を超純水でろ過し、空気中で風乾させ、水素イオン交換体HCaNb10・1.5HOを回収した。
水素イオン交換体0.4gと水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液(TBAOHaq 10%)(Wako社製、特級)を希釈した水溶液100mLとを反応させ、水素イオン交換体を剥離した。詳細には、TBAOHaq.中のTBAと水素イオン交換体中のHとのモル比が2:1となるように調整した。200mL三角フラスコに超純水96.2mLを入れ、次いで、TBAOHaq.3.8mLを加え、合計100mLの溶液を得た。この溶液に水素イオン交換体0.4gを加え、1日に数回穏やかに振り混ぜることを45日間行った。これにより、大きさ2μm〜10μmを有するCaNb10ナノシートを得た。
次に、製造したCaNb10ナノシートを用いて有機溶媒ゾルを調製した(図1のステップS110)。CaNb10ナノシートが水に分散したCaNb10ナノシートゾル(水系ゾル)30mLを、15000rpmで30分間遠心分離し、CaNb10ナノシートを沈降させた(図2のステップS210)。次いで、上澄みの水相を除去した後、有機溶媒としてジメチルスルホキシド(DMSO)(Wako社製、特級)を、20mL加え、再分散させて、15000rpmで30分間遠心分離し、CaNb10ナノシートを再沈降させた。このプロセスを2回繰り返した。上澄みのDMSO相を除去し、DMSO相を5mL加え、CaNb10ナノシートが分散した有機溶媒ゾルを得た(図2のステップS220)。
ここで、実施例1と同様に、UV−Vis吸収スペクトル測定を用いて、有機溶媒ゾルの濃度を測定した。有機溶媒ゾルの濃度は、0.25wt%であった。
調製された有機溶媒ゾルを基板に滴下(滴下量:20μL)し、スピンコータを用いて、基板を回転させて、ナノシート単層膜からなる薄膜として単層膜を得た(図1のステップS120)。実施例1と同様に、洗浄・親水化処理した石英ガラス基板およびシリコン(Si)ウェハ(30mmφ)基板を用いた。
親水化処理された各基板をスピンコータに設置し、有機溶媒ゾルを滴下し、基板の端部まで有機溶媒ゾルが広がった後、完全に乾燥するまで基板を回転させた。ここで、スピンコータの回転数は、1000rpmであった。このようにして、石英ガラス基板およびシリコンウェハ上に単層膜を得た。製膜時間は、2分〜3分であった。
実施例1と同様に、Siウェハ上のナノシート単層膜について、SEM観察およびAFM観察を行った。観察結果をそれぞれ図24および図25に示す。石英ガラス基板上のナノシート単層膜について、吸収スペクトルを測定した。測定結果を図27に示す。吸収スペクトルから得た吸光度を用いて、スピンコータの回転数と有機溶媒ゾル濃度との関係を調べた。結果を図30に示す。
実施例1と同様に、Siウェハ上のナノシート単層膜の上に、PLD法により、酸化物としてSrTiO(STO)結晶薄膜を配向成長させた。得られたSTO薄膜についてXRD測定を行った。結果を図47に示す。
[実施例19〜23および比較例47〜52]
実施例19〜23および比較例47〜52では、有機溶媒ゾル濃度と回転数とを変化させた以外は、実施例18と同様に、無機層状物質がM1CaNb10(ここで、M1は少なくとも1種のアルカリ金属元素としてKである。以降ではKCaNb10と表記する。)である層状ペロブスカイト酸化物であり、薄膜として、KCaNb10が単層剥離されたナノシート(大きさ:2μm〜10μm)からなる単層膜(ナノシート単層膜)を製造した。
得られたナノシート単層膜について、実施例1と同様に、AFM観察、吸収スペクトルを測定した。実施例19のAFM観察結果、ならびに、比較例49および比較例50のAFM観察結果を、それぞれ、図25および図26に示す。実施例20〜実施例23の吸収スペクトルを図28に示す。比較例47、比較例48、比較例51および比較例52の吸収スペクトルを図29に示す。測定した吸光度に基づいて、実施例19〜23のスピンコータの回転数と有機溶媒ゾル濃度との関係を調べた。結果を図30に示す。
簡単のため、実施例18〜23および比較例47〜52の有機溶媒ゾル濃度と回転数および吸光度を表4に示す。
[実施例24]
実施例24では、実施例3の実験条件を用い、図4および図5のプロセスにより、石英ガラス基板およびSiウェハ上に、薄膜として、Ti0.87ナノシート(大きさ:300nm〜500nm)からなる多層膜(ナノシート多層膜)を製造した。
実施例3で得た石英ガラス基板およびSiウェハ上のTi0.87ナノシート単層膜(n=1とする、nはナノシートが稠密に配列した層数を示す)から出発した。ナノシート単層膜に対して実施例3で調製した有機溶媒ゾルを滴下し、スピンコータを用いて基板を回転させるステップを9回繰り返した(図4のステップS410)。
詳細には、まず、実施例3で得たナノシート単層膜を加熱した(図5のステップS510)。加熱は、200℃で10分間行った。これにより、ナノシート単層膜中に残留する有機溶媒ゾル中のDMSOを除去した。次いで、加熱後のナノシート単層膜を純水で洗浄した(図5のステップS520)。これにより、有機溶媒ゾルをなじみやすくした。その後、実施例3で調製した有機溶媒ゾルを実施例3と同様に基板に滴下し、スピンコータを用いて回転させた。
上述のプロシージャを9回繰り返し、薄膜として、Ti0.87ナノシートからなる多層膜(全10層(n=10)のナノシート多層膜)を製造した。なお、各プロシージャで得られた薄膜について、実施例1と同様に、吸収スペクトルを測定するとともに、吸光度を求めた。結果を図31および図33に示す。また、10層からなるナノシート多層膜について、CuKα線による粉末X線回折(XRD)を行った。XRD測定には、Rigaku社製Rint−2100を用いた。測定条件は、管電圧40kV、管電流40kA、発散スリット2/3°、散乱スリット2/3°、受光スリット0.3mm、スキャン速度1.0°/分であった。測定結果を図35に示す。
[実施例25]
実施例25では、実施例3の実験条件を用い、図4および図6のプロセスにより、石英ガラス基板およびSiウェハ上に、薄膜として、Ti0.87ナノシート(大きさ:300nm〜500nm)からなる多層膜(ナノシート多層膜)を製造した。
実施例3で得た石英ガラス基板およびSiウェハ上のTi0.87ナノシート単層膜(n=1とする、nはナノシートが稠密に配列した層数を示す)から出発した。ナノシート単層膜に対して実施例3で調製した有機溶媒ゾルを滴下し、スピンコータを用いて基板を回転させるステップを9回繰り返した(図4のステップS410)。
詳細には、まず、実施例3で得たナノシート単層膜をさらなる有機溶媒としてエタノールで洗浄した(図6のステップS610)。これにより、ナノシート単層膜中に残留する有機溶媒ゾル中のDMSOがエタノールで置換された。次いで、洗浄後のナノシート単層膜を加熱した(図6のステップS620)。加熱は、100℃で10分であった。これにより、置換されたエタノールが除去された。その後、実施例3で調製した有機溶媒ゾルを実施例3と同様に基板に滴下し、スピンコータを用いて回転させた。
上述のプロシージャを9回繰り返し、薄膜として、Ti0.87ナノシートからなる多層膜(全10層(n=10)のナノシート多層膜)を製造した。なお、各プロシージャで得られた薄膜について、実施例1と同様に、吸収スペクトルを測定するとともに、吸光度を求めた。結果を図32および図34に示す。また、10層からなるナノシート多層膜について、実施例24と同様にXRD測定を行った。結果を図36に示す。
[実施例26]
実施例26では、実施例11の実験条件を用い、図4および図5のプロセスにより、石英ガラス基板およびSiウェハ上に、薄膜として、Ti0.87ナノシート(大きさ:2μm〜20μm)からなる多層膜(ナノシート多層膜)を製造した。
実施例11で調製した有機溶媒ゾルおよび実験条件を用い、加熱時間を20分とした以外は、実施例24と同様に、薄膜として、Ti0.87ナノシートからなる多層膜(全10層(n=10)からなるナノシート多層膜)を製造した。なお、各プロシージャで得られた薄膜について、実施例1と同様に、吸収スペクトルを測定するとともに、吸光度を求めた。結果を図37および図39に示す。また、実施例24と同様に、XRD測定を行った。結果を図41に示す。
石英ガラス基板上のナノシート多層膜に、紫外光(波長:200〜300nm、強度:1mW/cm)を1時間〜1156時間の間、照射し、ナノシート単層膜間にある有機物を除去した(図4のステップS420)。所定の照射時間ごとにXRD測定を行い、有機物の除去の程度を確認した。結果を図43、図44および表5に示す。
[実施例27]
実施例27では、実施例11の実験条件を用い、図4および図6のプロセスにより、石英ガラス基板およびSiウェハ上に、薄膜として、Ti0.87ナノシート(大きさ:2μm〜20μm)からなる多層膜(ナノシート多層膜)を製造した。
実施例11で調製した有機溶媒ゾルおよび実験条件を用いた以外は、実施例25と同様に、薄膜として、Ti0.87ナノシートからなる多層膜(全10層(n=10)からなるナノシート多層膜)を製造した。なお、各プロシージャで得られた薄膜について、実施例1と同様に、吸収スペクトルを測定するとともに、吸光度を求めた。結果を図38および図40に示す。また、実施例24と同様に、XRD測定を行った。結果を図42に示す。
[実施例28]
実施例28では、有機溶媒ゾル濃度および回転数を、それぞれ、0.060wt%および1500rpmとして、図4および図5のプロセスにより、Nbドープ(0.5wt%)したSrTiO基板(22mmφ)上に、薄膜として、Ti0.87ナノシート(大きさ:2μm〜20μm)からなる多層膜(ナノシート多層膜)を製造した。なお、上述の有機溶媒ゾルおよび回転数は、式(2)の関係式を満たすことを確認した。
上述の有機溶媒ゾルおよび回転数を用いた以外は、実施例24と同様に、薄膜として、Ti0.87ナノシートからなる多層膜(全10層(n=10)からなるナノシート多層膜)を製造した。ナノシート多層膜に、紫外光(波長:200〜300nm、強度:1mW/cm)を1000時間の間、照射し、ナノシート単層膜間にある有機物を除去した(図4のステップS420)。次いで、ナノシート多層膜上に上部電極として金(100μmφ)を蒸着した。SrTiO基板と上部電極とにそれぞれプローブを当て、誘電機能を測定した。結果を図48および図49に示す。
以上の実施例および比較例について結果を説明する。
図7は、実施例1の有機溶媒ゾルの観察結果を示す図である。
図7によれば、有機溶媒ゾルは、乳白色を示しており、均一にTi0.87ナノシートが分散していることが分かった。
図8は、実施例1によるTi0.87ナノシート単層膜のSEM像を示す図である。
図8によれば、Siウェハに由来する白色の領域が観察されず、Siウェハ全体がTi0.87ナノシートで被覆されていることが分かった。このことから、本発明の方法によれば、300nm〜500nmの範囲の大きさを有するTi0.87ナノシートについて、大面積の基板全体にわたって短時間で均一なTi0.87ナノシート単層膜が得られることが示された。
図9は、実施例1によるTi0.87ナノシート単層膜のAFM像を示す図である。
図9によれば、Ti0.87ナノシート同士の重なり、および、隙間なく稠密に配列したTi0.87ナノシート単層膜が得られたことが分かった。詳細に画像解析を行い、被覆率を求めた。ヒストグラム(図示せず)から重なりは0%であり、隙間はわずか7%であり、Ti0.87ナノシートが稠密に配列していることが分かった。
図10は、比較例1(A)、比較例2(B)および比較例18(C)によるTi0.87ナノシート単層膜のAFM像を示す図である。
図10(A)および(C)によれば、Ti0.87ナノシート同士が無数に重なっていることが分かる。一方、図10(B)によれば、Ti0.87ナノシートがまばらに位置しており、隙間が多いことが分かる。比較例の製造条件によれば、いずれも、Ti0.87ナノシート単層膜が得られなかった。
図11は、実施例1によるTi0.87ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図である。
図11(A)〜(C)は、それぞれ、石英ガラス基板の中心、中心に対して左端、中心に対して右端の吸収スペクトルである。図11(D)は、図11(A)〜(C)から求めた波長265nmmにおける吸光度の位置依存性を示す図である。
図11(A)〜(C)によれば、いずれも、波長265nmにTi0.87ナノシートに由来する吸収帯が観測された。また、図11(D)によれば、波長265nmにおける吸光度は、石英ガラス基板の位置に依存することなく、いずれの場所においても、ほぼ0.065であった。この値は、Ti0.87ナノシート単層膜に相当する吸光度の範囲内であった。
図12は、実施例2(A)、実施例4(B)および実施例6(C)によるTi0.87ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図である。
図13は、比較例3(A)、比較例10(B)、比較例13(C)および比較例23(D)によるTi0.87ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図である。
図12および図13によれば、いずれの吸収スペクトルも波長265nmにTi0.87ナノシートに由来する吸収帯を示すものの、スピンコートの回転数および有機溶媒ゾル濃度に依存して、その吸光度は大きく変化した。
以上、図8〜図13により、本発明の方法によれば、特定のナノシートの大きさ(300nm〜500nm)に対して、特定の有機溶媒ゾルの濃度と特定のスピンコートの回転数とを満たすことにより、大面積の基板全体にわたってナノシート単層膜を簡便な操作で短時間に確実に得ることができることが示された。
図14は、実施例1〜実施例8によるスピンコータの回転数と有機溶媒ゾル濃度との関係を示す図である。
図14は、Ti0.87ナノシート単層膜に相当する吸光度(0.065〜0.075)を有する実施例1〜8について、スピンコータの回転数および有機溶媒ゾル濃度を、それぞれ、x(rpm)およびy(wt%)としてプロットした結果である。プロットから近似式を求めたところ、(1)式が得られた。
y=9×10−9+4×10−5x+0.0827・・・・・・・・・・(1)
(1)式のR値(相関係数)は、0.9717となり、極めて信頼性が高いことが分かった。なお、実施例1〜8の中で、必ずしも式(1)上に位置しないプロットもあることから、xの値は±300rpmの範囲を、yの値はyの値に対して±10%の範囲を含んでもよいことが分かった。
以上、図14により、本発明の方法によれば、300nm〜500nmの範囲の大きさを有するTi0.87ナノシートについて、式(1)を満たす有機溶媒ゾルの濃度とスピンコータの回転数とにより、大面積の基板全体にわたってナノシート単層膜を簡便な操作で短時間に確実に得ることができることが示された。
図15は、実施例1によるTi0.87ナノシート単層膜の光誘起親水化特性を示す図である。
前処理として紫外光を24時間照射することにより、Ti0.87ナノシートの光誘起親水化特性により、ナノシート単層膜の接触角がほぼ0°になることを確認した(図示せず)。図15によれば、このナノシート単層膜を1か月暗所で保存し、接触角(40°)が初期状態に戻った後、再度、紫外線を照射すると、紫外線照射によりごくわずかの時間で接触角が40°から0°へと変化した。すなわち、紫外線照射によりナノシート単層膜が親水化することが確認された。なお、紫外線の照射強度を増大させるにつれて、親水化速度が加速することが分かった(図示せず)。このことから、本発明の方法によって得られたTi0.87ナノシート単層膜も、既存の方法によって得られたTi0.87ナノシート単層膜と同様に、光誘起親水化特性を有しており、Ti0.87ナノシートの特性を損なわないことが確認された。
以上の実施例1〜8および比較例1〜23により、本発明の方法によれば、300nm〜500nmの範囲の大きさを有するTi0.87ナノシートについて、有機溶媒ゾルの濃度とスピンコータの回転数との好適な関係式(1)により、大面積の基板全体にわたってナノシート単層膜を簡便な操作で短時間に確実に得ることができることが示された。また、本発明の製造方法によって得られたナノシート単層膜からなる薄膜は、紫外光照射により、表面が超親水化する材料として有効であることが示された。
図16は、実施例9の有機溶媒ゾルの観察結果を示す図である。
図16によれば、有機溶媒ゾルは、実施例1のそれと比べて、液晶性に由来するオパールの光沢を示しており、実施例1と実施例9とのTi0.87ナノシートの大きさの違いによる分散状態に差があることが分かった。
図17は、実施例9によるTi0.87ナノシート単層膜のSEM像を示す図である。
図17によれば、実施例1と同様に、Siウェハに由来する白色の領域が観察されず、Siウェハ全体がTi0.87ナノシートで被覆されていることが分かった。このことから、本発明の方法によれば、2μm〜20μmの範囲の大きさを有するTi0.87ナノシートについて、大面積の基板全体にわたって短時間で均一なTi0.87ナノシート単層膜が得られることが示された。また、図8と比較すれば、ナノシートの大きさが異なる範囲を有していても、大面積の基板全体にわたって短時間で均一なTi0.87ナノシート単層膜が得られることが確認された。
図18は、実施例9によるTi0.87ナノシート単層膜のAFM像を示す図である。
図18によれば、Ti0.87ナノシート同士の重なり、および、隙間なく稠密に配列したTi0.87ナノシート単層膜が得られたことが分かった。詳細に画像解析を行い、被覆率を求めた。ヒストグラム(図示せず)から重なりは2%であり、隙間は15%であり、Ti0.87ナノシートが稠密に配列していることが分かった。なお、この重なりおよび隙間の値は、実施例1のそれと比べるとわずかに大きいが、実用上に問題のない範囲である。
図19は、比較例24(A)、比較例27(B)および比較例34(C)によるTi0.87ナノシート単層膜のAFM像を示す図である。
図19(A)によれば、Ti0.87ナノシートがまばらに位置しており、隙間が多いことが分かる。一方、図19(B)および(C)によれば、Ti0.87ナノシート同士が無数に重なっていることが分かる。比較例の製造条件によれば、いずれも、Ti0.87ナノシート単層膜が得られなかった。
図20は、実施例9によるTi0.87ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図である。
図20(A)〜(C)は、それぞれ、石英ガラス基板の中心、中心に対して左端、中心に対して右端の吸収スペクトルである。図20(D)は、図20(A)〜(C)から求めた波長265nmmにおける吸光度の位置依存性を示す図である。
図20(A)〜(C)によれば、実施例1と同様に、いずれも、波長265nmにTi0.87ナノシートに由来する吸収帯が観測された。また、図20(D)によれば、波長265nmにおける吸光度は、石英ガラス基板の位置に依存することなく、いずれの場所においても、ほぼ0.065であった。この値は、Ti0.87ナノシート単層膜に相当する吸光度の範囲内であった。
図21は、実施例10〜12(A)〜(C)、実施例14(D)および実施例16(E)によるTi0.87ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図である。
図22は、比較例28(A)、比較例29(B)、比較例37(C)および比較例38(D)によるTi0.87ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図である。
図21および図22によれば、いずれの吸収スペクトルも波長265nmにTi0.87ナノシートに由来する吸収帯を示すものの、スピンコートの回転数および有機溶媒ゾル濃度に依存して、その吸光度は大きく変化した。
以上、図17〜図22により、本発明の方法によれば、特定のナノシートの大きさ(2μm〜20μm)に対して、特定の有機溶媒ゾルの濃度と特定のスピンコートの回転数とを満たすことにより、大面積の基板全体にわたってナノシート単層膜を簡便な操作で短時間に確実に得ることができることが示された。
図23は、実施例9〜17によるスピンコータの回転数と有機溶媒ゾル濃度との関係を示す図である。
図23は、Ti0.87ナノシート単層膜に相当する吸光度(0.065〜0.075)を有する実施例9〜17について、スピンコータの回転数および有機溶媒ゾル濃度を、それぞれ、x(rpm)およびy(wt%)としてプロットした結果である。プロットから近似式を求めたところ、(2)式が得られた。
y=2×10−8+2×10−5x・・・・・・・・・・・・・・・・・(2)
(2)式のR値(相関係数)は、0.980となり、極めて信頼性が高いことが分かった。なお、実施例9〜17の中で、必ずしも式(2)上に位置しないプロットもあることから、xの値は±300rpmの範囲を、yの値はyの値に対して±10%の範囲を含んでもよいことが分かった。
以上の実施例9〜17および比較例24〜46により、本発明の方法によれば、2μm〜20μmの範囲の大きさを有するTi0.87ナノシートについて、有機溶媒ゾルの濃度とスピンコータの回転数との好適な関係式(2)により、大面積の基板全体にわたってナノシート単層膜を簡便な操作で短時間に確実に得ることができることが示された。また、実施例1〜8と実施例9〜17とから、Ti0.87ナノシートの大きさの範囲が異なっていても、有機溶媒ゾルの濃度とスピンコータの回転数との好適な関係式を見出すことにより、良質なナノシート単層膜を得ることができることが示唆される。
図24は、実施例18によるCaNb10ナノシート単層膜のSEM像を示す図である。
図24によれば、実施例1および実施例9と同様に、Siウェハに由来する白色の領域が観察されず、Siウェハ全体がCaNb10ナノシートで被覆されていることが分かった。このことから、本発明の方法によれば、2μm〜10μmの範囲の大きさを有するCaNb10ナノシートについて、大面積の基板全体にわたって短時間で均一なCaNb10ナノシート単層膜が得られることが示された。また、実施例1〜実施例17と比較すれば、ナノシートの種類が異なっていても、大面積の基板全体にわたって短時間で均一なCaNb10ナノシート単層膜が得られることが確認された。
図25は、実施例18(A)および実施例19(B)によるCaNb10ナノシート単層膜のAFM像を示す図である。
図25によれば、CaNb10ナノシート同士の重なり、および、隙間なく稠密に配列したCaNb10ナノシート単層膜が得られたことが分かった。詳細に画像解析を行い、被覆率を求めた。ヒストグラム(図示せず)から、実施例18の重なりは3%であり、隙間は6%であり、実施例19の重なりは5%であり、隙間は10%であった。いずれもCaNb10ナノシートが稠密に配列していることが分かった。
図26は、比較例49(A)および比較例50(B)によるCaNb10ナノシート単層膜のAFM像を示す図である。
図26(A)によれば、CaNb10ナノシートがまばらに位置しており、隙間が多いことが分かる。一方、図26(B)によれば、CaNb10ナノシート同士が無数に重なっていることが分かる。比較例の製造条件によれば、いずれも、CaNb10ナノシート単層膜が得られなかった。
図27は、実施例18によるCaNb10ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図である。
図27(A)〜(C)は、それぞれ、石英ガラス基板の中心、中心に対して左端、中心に対して右端の吸収スペクトルである。図27(D)は、図20(A)〜(C)から求めた波長270nmにおける吸光度の位置依存性を示す図である。
図27(A)〜(C)によれば、いずれも、波長270nmにCaNb10ナノシートに由来する吸収帯が観測された。また、図27(D)によれば、波長270nmにおける吸光度は、石英ガラス基板の位置に依存することなく、いずれの場所においても、ほぼ0.045であった。この値は、CaNb10ナノシート単層膜に相当する吸光度の範囲内であった。
図28は、実施例20〜23(A)〜(D)によるCaNb10ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図である。
図29は、比較例47(A)、比較例48(B)、比較例51(C)および比較例52(D)によるCaNb10ナノシート単層膜の吸収スペクトルを示す図である。
図28および図29によれば、いずれの吸収スペクトルも波長270nmにCaNb10ナノシートに由来する吸収帯を示すものの、スピンコートの回転数および有機溶媒ゾル濃度に依存して、その吸光度は大きく変化した。
以上、図24〜図29により、本発明の方法によれば、特定のナノシートの大きさ(2μm〜10μm)に対して、特定の有機溶媒ゾルの濃度と特定のスピンコートの回転数とを満たすことにより、大面積の基板全体にわたってナノシート単層膜を簡便な操作で短時間に確実に得ることができることが示された。
図30は、実施例18および20〜23によるスピンコータの回転数と有機溶媒ゾル濃度との関係を示す図である。
図30は、CaNb10ナノシート単層膜に相当する吸光度(0.045〜0.055)を有する実施例18および実施例20〜23について、スピンコータの回転数および有機溶媒ゾル濃度を、それぞれ、x(rpm)およびy(wt%)としてプロットした結果である。プロットから近似式を求めたところ、(3)式が得られた。
y=10−8+0.0002x・・・・・・・・・・・・・・・・・・(3)
(3)式のR値(相関係数)は、0.9563となり、極めて信頼性が高いことが分かった。なお、実施例18および実施例20〜23の中で、必ずしも式(3)上に位置しないプロットもあることから、xの値は±300rpmの範囲を、yの値はyの値に対して±10%の範囲を含んでもよいことが分かった。
以上の実施例18〜23および比較例47〜53により、本発明の方法によれば、2μm〜10μmの範囲の大きさを有するCaNb10ナノシートについて、有機溶媒ゾルの濃度とスピンコータの回転数との好適な関係式(3)により、大面積の基板全体にわたってナノシート単層膜を簡便な操作で短時間に確実に得ることができることが示された。また、実施例1〜17と実施例18〜23とから、種々の無機層状物質が単層剥離されたナノシートの大きさに対して、有機溶媒ゾルの濃度とスピンコータの回転数との好適な関係式を見出すことにより、良質なナノシート単層膜を得ることができることが示唆される。
図31は、実施例24によるTi0.87ナノシート多層膜(n=1〜10)の吸収スペクトルを示す図である。
図32は、実施例25によるTi0.87ナノシート多層膜(n=1〜10)の吸収スペクトルを示す図である。
図31および図32によれば、nの増大に伴い、波長265nmにおける吸光度も増大した。このことから、本発明の方法によれば、ナノシート単層膜の多層化を可能とし、膜厚が確実に増大することが分かった。
図33は、実施例24による層数と波長265nmにおける吸光度との関係を示す図である。
図34は、実施例25による層数と波長265nmにおける吸光度との関係を示す図である。
図33および図34によれば、層数(すなわち図4のステップS401の繰り返し数)の増大に伴い、吸光度が線形に増大することが分かった。このことは、本発明の方法によれば、一層ずつ確実に多層化できることを示している。また、多層化において、図5および図6に示したいずれの方法を採用しても、多層化した膜質に大きな変化がないことが分かった。
図35は、実施例24によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)のXRDパターンを示す図である。
図36は、実施例25によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)のXRDパターンを示す図である。
図35および図36は、いずれも、シャープなチタニアの基本回折系列を示した。このことは、ナノシート単層膜が一定間隔で規則正しく積み重なっていることを示しており、秩序だった積層構造を持つナノシート多層膜が、ステップS410(図4)を行う(スピンコートの反復)だけで、形成されることが確認された。
以上、図31〜図36により、図4〜図6に示す本発明の方法を採用すれば、ナノシート単層膜の多層化、さらには一層ずつの層制御も可能にすることが示された。
図37は、実施例26によるTi0.87ナノシート多層膜(n=1〜10)の吸収スペクトルを示す図である。
図38は、実施例27によるTi0.87ナノシート多層膜(n=1〜10)の吸収スペクトルを示す図である。
図37および図38によれば、実施例24および25と同様に、nの増大に伴い、波長265nmにおける吸光度も増大した。このことから、本発明の方法によれば、ナノシート単層膜の多層化を可能とし、膜厚が確実に増大することが分かった。
図39は、実施例26による層数と波長265nmにおける吸光度との関係を示す図である。
図40は、実施例27による層数と波長265nmにおける吸光度との関係を示す図である。
図39および図40によれば、実施例24および25と同様に、層数(すなわち図4のステップS401の繰り返し数)の増大に伴い、吸光度が線形に増大することが分かった。このことは、本発明の方法によれば、ナノシートのサイズに関わらず、一層ずつ確実に多層化できることを示している。また、多層化において、図5および図6に示したいずれの方法を採用しても、ナノシートのサイズに関わらず、多層化した膜質に大きな変化がないことが分かった。
図41は、実施例26によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)のXRDパターンを示す図である。
図42は、実施例27によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)のXRDパターンを示す図である。
図41および図42は、いずれも、実施例24および25と同様に、シャープなチタニアの基本回折系列を示した。このことは、本発明の方法によれば、ナノシートのサイズに関わらず、ナノシート単層膜が一定間隔で規則正しく積み重なっていることを示しており、秩序だった積層構造を持つナノシート多層膜が、ステップS410(図4)を行う(スピンコートの反復)だけで、形成されることが確認された。
以上、図37〜図42により、図4〜図6に示す本発明の方法を採用すれば、ナノシート単層膜の多層化、さらには一層ずつの層制御も可能にすることが示された。また、実施例24および25と、実施例26および27とから、図4〜図6に示す本発明の方法は、ナノシートの大きさに関わらず適用され得ることが示された。
図43は、実施例26によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)の紫外光照射によるXRDパターンの変化を示す図である。
図43によれば、紫外光の照射時間が長くなるにつれて、回折ピーク(010)は、高角側にシフトする、すなわち、層間距離が減少することが分かった。このことから、紫外光の照射により、ナノシート単層膜間に位置する有機物が除去されることが確認された。
図44は、実施例26によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)の回折ピーク(010)のd値、半値幅およびピーク強度の紫外光照射時間依存性を示す図である。
図44(A)および表5によれば、層間距離dは、紫外光照射10時間程度で著しく減少し、200時間以降、ゆるやかな減少を示した。図44(B)および表5によれば、半値幅は、紫外光照射10時間程度で著しく増大し、結晶性の低下を示すものの、その後、さらなる紫外光照射により結晶性の改善が見られた。紫外光照射200時間以降、半値幅はゆるやかな減少を示した。図44(C)および表5によれば、強度は、図4(B)と逆の挙動であった。これらから、紫外光照射時間は、例えば、ナノシート多層膜が10層の場合には、少なくとも200時間が好ましいことが分かった。
以上、図43により、図4のステップS420に示す本発明の方法を採用すれば、ナノシート単層膜が多層化された薄膜において、ナノシート単層膜間の有機物を除去し、無機薄膜化できることが示された。また、図44および表5によれば、有機物を除去するための紫外光の照射条件は、多層膜の層数にもよるが、少なくとも200時間照射すれば、有機物の影響を無視できる程度に有機物を除去できることが分かった。
図45は、実施例1によるTi0.87ナノシート単層膜上のSrTiO薄膜のXRDパターンを示す図である。
図46は、実施例9によるTi0.87ナノシート単層膜上のSrTiO薄膜のXRDパターンを示す図である。
図45および図46によれば、いずれも、Ti0.87ナノシート単層膜上にSTO薄膜が(110)配向したことが分かった。より詳細には、図45および図46の(110)の回折ピークの半値幅は、それぞれ、2.41および2.12であった。このことは、シード層である層状チタン酸化物から単層剥離されたTi0.87ナノシートの大きさにかかわらず、得られたSTO薄膜は、結晶性の高い配向膜であることを示す。
図47は、実施例18によるCaNb10ナノシート単層膜上のSrTiO薄膜のXRDパターンを示す図である。
図47によれば、CaNb10ナノシート単層膜上にSTO薄膜が(100)配向したことが分かった。より詳細には、(200)の回折ピークの半値幅は、0.263°であり、得られたSTO膜は、極めて結晶性の高い配向膜であることを示す。
以上、図45〜図47により、本発明の製造方法によって得られたナノシート単層膜は、酸化物薄膜を成長させるためのシード層として機能することが確認された。なお、当業者であれば、成長させたい配向膜の結晶構造とマッチングするナノシート単層膜を選択すれば、上述のSTO薄膜に限らず任意の酸化物薄膜を配向させることができることを理解する。
図48は、実施例28によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)の誘電率の周波数依存性を示す図である。
図48によれば、本発明の製造方法によって得られたナノシート多層膜の比誘電率は、83.9であった。本発明のナノシート多層膜は、ルチル型TiOの比誘電率(20〜60)よりも大きな比誘電率を有することが分かった。さらに、本発明のナノシート多層膜は、比誘電率の周波数依存性をまったく示さず、良好な誘電特性を有することが分かった。
図49は、実施例28によるTi0.87ナノシート多層膜(n=10)のリーク電流密度の印加電圧依存性を示す図である。
図49によれば、本発明の製造方法によって得られたナノシート多層膜は、わずか10層にも関わらず、10−4A/cm以下の良好な絶縁特性を示した。例えば、印加電圧が1.0Vにおいて、リーク電流密度は1.11×10−4A/cmであった。このようなリーク電流密度の値は、既存の高誘電率酸化物(例えば、ルチル型TiO、(Ba,Sr)TiO)に匹敵する。
以上、図48〜図49により、本発明の製造方法によって得られたナノシート多層膜は、高誘電率を有し、良好な誘電体材料となることが分かった。
本発明の製造方法によれば、大面積で高品質なナノシート単層膜からなる薄膜を短時間で得られるので工業的な成膜法として有効である。このようにして得られた薄膜は、半導体特性、誘電特性、強磁性、蛍光特性、光触媒性等の機能を有し得、またシード層基板として、誘電特性、強誘電性、透明導電性、強磁性、発光特性、光触媒、半導体特性、高伝導性等の各種機能性結晶薄膜の配向成長を可能とするので、各種機能材料、デバイスの重要部材としての応用が期待される。
210 ナノシート
220 水
230 有機溶媒
310 有機溶媒ゾル
320 基板
T.Tanakaら,Adv.Mater.,16,872(2004) K.Akatsukaら,ACS Nano,3,1097(2009)

Claims (13)

  1. スピンコート法によりナノシート単層膜からなる薄膜を製造する方法であって、
    無機層状物質が単層剥離されたナノシートがジメチルスルホキシドに分散された有機溶媒ゾルを調製するステップと、
    前記有機溶媒ゾルを基板に滴下し、スピンコータを用いて、前記基板を回転させるステップと
    を包含する、方法。
  2. 前記無機層状物質は、層状チタン酸化物、層状ペロブスカイト酸化物、層状マンガン酸化物、層状コバルト酸化物、層状マンガン・コバルト酸化物、層状マンガン・鉄酸化物、層状タングステン酸化物、層状ニオブ酸化物、層状タンタル酸化物、層状チタン・ニオブ酸化物、層状チタン・タンタル酸化物、層状モリブデン酸化物、および、層状ルテニウム酸化物からなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
  3. 前記無機層状物質が層状チタン酸化物であり、
    前記ナノシートの大きさは、300nm〜500nmの範囲であり、
    前記回転させるステップにおいて、前記スピンコータの回転数x(rpm)および前記有機溶媒ゾルの濃度y(wt%)は、式(1)を満たす、請求項1に記載の方法。
    y=9×10−9+4×10−5x+0.082・・・・・・・・・・(1)
    ただし、xの値は±300rpmの許容範囲を含む、yの値はyの値に対して±10%の許容範囲を含む。
  4. 前記無機層状物質が層状チタン酸化物であり、
    前記ナノシートの大きさは、2μm〜20μmの範囲であり、
    前記回転させるステップにおいて、前記スピンコータの回転数x(rpm)および前記有機溶媒ゾルの濃度y(wt%)は、式(2)を満たす、請求項1に記載の方法。
    y=2×10−8+2×10−5x・・・・・・・・・・・・・・・・(2)
    ただし、xの値は±300rpmの許容範囲を含む、yの値はyの値に対して±10%の許容範囲を含む。
  5. 前記無機層状物質がM1CaNb10(M1は少なくとも1種のアルカリ金属元素である)である層状ペロブスカイト酸化物であり、
    前記ナノシートの大きさは、2μm〜10μmの範囲であり、
    前記回転させるステップにおいて、前記スピンコータの回転数x(rpm)および前記有機溶媒ゾルの濃度y(wt%)は、式(3)を満たす、請求項1に記載の方法。
    y=10−8+0.0002x・・・・・・・・・・・・・・・・・(3)
    ただし、xの値は±300rpmの許容範囲を含む、yの値はyの値に対して±10%の許容範囲を含む。
  6. 前記回転させるステップは、前記基板に滴下された前記有機溶媒ゾルが乾燥するまで行う、請求項1に記載の方法。
  7. 前記有機溶媒ゾルを基板に滴下し、スピンコータを用いて、前記基板を回転させるステップを繰り返し行うステップをさらに包含する、請求項1に記載の方法。
  8. 前記繰り返し行うステップは、
    前記有機溶媒ゾルを基板に滴下し、スピンコータを用いて、前記基板を回転させるステップに続いて、前記基板上に形成されたナノシート単層膜からなる薄膜を加熱するステップと、
    前記基板上に形成されたナノシート単層膜からなる薄膜を純水で洗浄するステップと
    をさらに包含する、請求項7に記載の方法。
  9. 前記加熱するステップは、前記基板上に形成されたナノシート単層膜からなる薄膜を、150℃〜250℃の温度範囲で加熱する、請求項8に記載の方法。
  10. 前記繰り返し行うステップは、
    前記有機溶媒ゾルを基板に滴下し、スピンコータを用いて、前記基板を回転させるステップに続いて、前記基板上に形成されたナノシート単層膜からなる薄膜をさらなる有機溶媒で洗浄するステップと、
    前記基板上に形成されたナノシート単層膜からなる薄膜を加熱するステップと、
    をさらに包含し、
    前記さらなる有機溶媒は、前記有機溶媒に対して親和性を有し、かつ、前記さらなる有機溶媒の沸点は、前記有機溶媒の沸点よりも低い、請求項7に記載の方法。
  11. 前記さらなる有機溶媒は、アルコール、アセトンおよびアセトニトリルからなる群から選択される、請求項10に記載の方法。
  12. 前記加熱するステップは、前記基板上に形成されたナノシート単層膜からなる薄膜を、50℃〜150℃の温度範囲で加熱する、請求項10に記載の方法。
  13. 前記繰り返し行うステップに続いて、紫外光を照射し、前記ナノシート単層膜間の有機物を除去するステップをさらに包含する、請求項7に記載の方法。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103303977B (zh) * 2013-06-07 2015-02-04 中国矿业大学 一种分等级中空Nb3O7F纳米材料的制备方法
JP6269221B2 (ja) * 2014-03-20 2018-01-31 富士ゼロックス株式会社 静電荷像現像トナー、静電荷像現像剤、トナーカートリッジ、プロセスカートリッジ、及び画像形成装置
KR102309880B1 (ko) * 2014-12-08 2021-10-06 삼성전자주식회사 전도성 박막
KR20170016145A (ko) * 2015-08-03 2017-02-13 삼성전자주식회사 도전체 제조 방법, 이로부터 제조된 도전체, 및 이를 포함하는 전자 소자
CN107025951B (zh) * 2015-09-25 2020-02-18 三星电子株式会社 电导体、其制造方法、和包括其的电子器件
KR102591112B1 (ko) 2015-11-06 2023-10-17 삼성전자주식회사 금속 산화물 나노시트들의 집단과 그 제조 방법, 및 이를 포함하는 도전체 및 전자 소자
JP2019528379A (ja) * 2016-08-30 2019-10-10 トヨタ・モーター・ヨーロッパToyota Motor Europe 光電デバイス用の二次元半導体薄片由来の三次元集合活物質
CN108649121B (zh) * 2018-05-11 2021-07-16 南京理工大学 动态旋涂制备钙钛矿薄膜的方法
CN109225182B (zh) * 2018-09-04 2021-07-23 合肥工业大学 一种超薄硅纳米片光催化剂及其制备方法与应用
KR20200099406A (ko) 2019-02-14 2020-08-24 삼성전자주식회사 단결정 재료 및 그 제조 방법, 적층체, 세라믹 전자 부품 및 장치
JP7504445B2 (ja) 2020-09-16 2024-06-24 国立研究開発法人物質・材料研究機構 ナノシート単層膜からなる薄膜を製造する方法
CN114804196B (zh) * 2022-04-30 2023-09-05 西南民族大学 一种纳米氧化钛纳米片制备方法及木材表面处理工艺

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200631899A (en) * 2005-03-09 2006-09-16 Tokai Ryokaku Tetsudo Kk Titanium oxide-coating agent, and forming method for titanium oxide-coating film
JP5187797B2 (ja) * 2005-07-25 2013-04-24 独立行政法人物質・材料研究機構 層状複水酸化物を剥離する方法、複水酸化物ナノシート、該複合薄膜材料、該製造方法、および、層状複水酸化物薄膜材料の製造方法
WO2008096456A1 (ja) * 2007-02-08 2008-08-14 Central Japan Railway Company 光触媒薄膜、光触媒薄膜の形成方法及び光触媒薄膜被覆製品
US20080311429A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Tadao Katsuragawa Magnetic film, magnetic recording/ reproducing device, and polarization conversion component
JP2011184274A (ja) * 2010-03-11 2011-09-22 National Institute For Materials Science 薄片状チタン酸化物を配合した有機溶媒分散体及びその製造方法並びにそれを用いたチタン酸化物薄膜及びその製造方法

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