JP5101286B2 - 集積回路を誤った動作から保護する方法および装置 - Google Patents
集積回路を誤った動作から保護する方法および装置Info
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Description
図の要素は、簡潔にするため、また、明確にするために示され、必ずしも、一定比例尺に従って描かれていないことを当業者は理解する。たとえば、図の要素の一部の寸法は、本発明の実施形態の理解をよくするのを助けるために、他の要素に対して誇張されてもよい。
Claims (2)
- データ処理システム(10)であって、
処理ユニット(12)と;
前記処理ユニット(12)に結合した不揮発性メモリ(22)と;
前記不揮発性メモリ(22)に結合した低電圧禁止回路(14)と
を備え、
前記不揮発性メモリ(22)は、
高電圧デコード回路(62)と;
前記不揮発性メモリ(22)のプログラミングと消去とに必要とされる高電圧を、前記高電圧デコード回路(62)に供給するチャージポンプ(78)と;
制御レジスタ(76)と;
前記処理ユニット(12)から命令信号を受信し、且つ前記命令信号の受信に応答して、前記制御レジスタ(76)に制御信号を供給するバスインタフェース回路(70)と
を備え、
前記制御レジスタ(76)は、前記制御信号の受信に応答して、検出イネーブル信号(VDD DET EN)を前記低電圧禁止回路(14)に供給し、且つアサートまたはディアサートされた高電圧イネーブル信号(HVEN)を生成し、
前記低電圧禁止回路(14)は、前記検出イネーブル信号(VDD DET EN)の受信に応答して、アサートまたはディアサートされた高電圧有効信号(VDD VALID)を前記不揮発性メモリ(22)に供給し、前記データ処理システム(10)に提供される電源電圧(VDD)が所定の値よりも低い場合に、前記低電圧禁止回路(14)は、ディアサートされた高電圧有効信号(VDD VALID)を前記不揮発性メモリ(22)に供給するか、または前記制御レジスタ(76)は、前記ディアサートされた高電圧イネーブル信号(HVEN)を供給し、
前記不揮発性メモリ(22)は、前記高電圧イネーブル信号(HVEN)と、前記高電圧有効信号(VDD VALID)とを用いることによって、前記チャージポンプ(78)をディスエーブルするか否か判定し、
セキュリティ違反を、前記データ処理システム(10)のバックドアにアクセスしようとする許可されていない試みとすると、
前記命令信号が前記セキュリティ違反を示し且つ前記データ処理システム(10)に提供される電源電圧(VDD)が所定の値よりも低い場合、前記制御レジスタ(76)が前記ディアサートされた高電圧イネーブル信号(HVEN)を生成することによって、または前記低電圧禁止回路(14)がディアサートされた高電圧有効信号(VDD VALID)を生成することによって、前記チャージポンプ(78)は、ディスエーブルされ、そして前記制御信号が前記低電圧禁止回路(14)をイネーブルにすることによって、前記低電圧禁止回路(14)は、システムリセットを生じるように構成され、
前記低電圧禁止回路(14)はさらに、
低電圧禁止イネーブルビット(108)と;
OR論理ゲート(109)と;
低電圧検出回路(110)と
を備え、
前記低電圧禁止イネーブルビット(108)は、前記OR論理ゲート(109)の第1入力に供給され、
前記検出イネーブル信号(VDD DET EN)は、前記OR論理ゲート(109)の第2入力に供給され、
前記低電圧禁止イネーブルビット(108)と前記検出イネーブル信号(VDD DET EN)のいずれかは、前記電源電圧(VDD)が前記所定の値よりも低い場合、前記低電圧検出回路(110)の動作をイネーブルし、前記低電圧検出回路(110)の動作がイネーブルされると、前記低電圧検出回路(110)は、第1出力(VDD LOW)を供給することによって、システムリセットを生じるように構成されることを特徴とする、データ処理システム。 - データ処理システム(10)が、不揮発性メモリ(22)のチャージポンプ(78)を制御する方法であって、前記データ処理システム(10)は、処理ユニット(12)と、前記処理ユニット(12)に結合した前記不揮発性メモリ(22)と、前記不揮発性メモリ(22)に結合した低電圧禁止回路(14)とを備え、前記不揮発性メモリ(22)は、高電圧デコード回路(62)と、前記不揮発性メモリ(22)のプログラミングと消去とに必要とされる高電圧を前記高電圧デコード回路(62)に供給する前記チャージポンプ(78)と、制御レジスタ(76)と、前記処理ユニット(12)から命令信号を受信し且つ前記命令信号の受信に応答して前記制御レジスタ(76)に制御信号を供給するバスインタフェース回路(70)とを備え、セキュリティ違反を、前記データ処理システム(10)のバックドアにアクセスしようとする許可されていない試みとすると、前記方法は、
前記制御レジスタ(76)が、前記制御信号の受信に応答して、検出イネーブル信号(VDD DET EN)を前記低電圧禁止回路(14)に供給し、且つアサートまたはディアサートされた高電圧イネーブル信号(HVEN)を生成することと;
前記低電圧禁止回路(14)が、前記検出イネーブル信号(VDD DET EN)の受信に応答して、アサートまたはディアサートされた高電圧有効信号(VDD VALID)を前記不揮発性メモリ(22)に供給し、前記データ処理システム(10)に提供される電源電圧(VDD)が所定の値よりも低い場合に、前記低電圧禁止回路(14)は、ディアサートされた高電圧有効信号(VDD VALID)を前記不揮発性メモリ(22)に供給するか、または前記制御レジスタ(76)は、前記ディアサートされた高電圧イネーブル信号(HVEN)を供給することと;
前記不揮発性メモリ(22)が、前記高電圧イネーブル信号(HVEN)と、前記高電圧有効信号(VDD VALID)とを用いることによって、前記チャージポンプ(78)をディスエーブルするか否か判定することと
を有し、
前記命令信号が前記セキュリティ違反を示し且つ前記データ処理システム(10)に提供される電源電圧(VDD)が所定の値よりも低い場合、前記制御レジスタ(76)が前記ディアサートされた高電圧イネーブル信号(HVEN)を生成することによって、または前記低電圧禁止回路(14)がディアサートされた高電圧有効信号(VDD VALID)を生成することによって、前記チャージポンプ(78)は、ディスエーブルされ、そして前記制御信号が前記低電圧禁止回路(14)をイネーブルにすることによって、前記低電圧禁止回路(14)は、システムリセットを生じ、
前記低電圧禁止回路(14)はさらに、
低電圧禁止イネーブルビット(108)と;
OR論理ゲート(109)と;
低電圧検出回路(110)と
を備え、
前記方法はさらに、
前記低電圧禁止回路(14)が、前記低電圧禁止イネーブルビット(108)を、前記OR論理ゲート(109)の第1入力に供給することと;
前記低電圧禁止回路(14)が、前記検出イネーブル信号(VDD DET EN)を、前記OR論理ゲート(109)の第2入力に供給することと
を有し、
前記低電圧禁止イネーブルビット(108)と前記検出イネーブル信号(VDD DET EN)のいずれかは、前記電源電圧(VDD)が前記所定の値よりも低い場合に、前記低電圧検出回路(110)の動作をイネーブルし、前記低電圧検出回路(110)の動作がイネーブルされると、前記低電圧検出回路(110)は、第1出力(VDD LOW)を供給することによって、システムリセットを生じることを特徴とする、方法。
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JP2007066037A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路 |
US7724603B2 (en) * | 2007-08-03 | 2010-05-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and circuit for preventing high voltage memory disturb |
US8051467B2 (en) | 2008-08-26 | 2011-11-01 | Atmel Corporation | Secure information processing |
US7969803B2 (en) * | 2008-12-16 | 2011-06-28 | Macronix International Co., Ltd. | Method and apparatus for protection of non-volatile memory in presence of out-of-specification operating voltage |
JP5348541B2 (ja) * | 2009-05-20 | 2013-11-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5328525B2 (ja) | 2009-07-02 | 2013-10-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
CN102034523B (zh) * | 2009-09-27 | 2013-09-18 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 半导体存储装置和减少半导体存储装置芯片面积的方法 |
US8330502B2 (en) * | 2009-11-25 | 2012-12-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Systems and methods for detecting interference in an integrated circuit |
JP5385220B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-01-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性メモリ、データ処理装置、及びマイクロコンピュータ応用システム |
JP5085744B2 (ja) | 2011-01-05 | 2012-11-28 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
TWI473099B (zh) * | 2011-12-23 | 2015-02-11 | Phison Electronics Corp | 記憶體儲存裝置、記憶體控制器與控制方法 |
US8634267B2 (en) | 2012-05-14 | 2014-01-21 | Sandisk Technologies Inc. | Flash memory chip power management for data reliability and methods thereof |
US8760923B2 (en) * | 2012-08-28 | 2014-06-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Non-volatile memory (NVM) that uses soft programming |
KR102081923B1 (ko) * | 2013-02-04 | 2020-02-26 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법 |
CN106910522B (zh) | 2013-08-09 | 2019-11-05 | 慧荣科技股份有限公司 | 数据储存装置及其电压保护方法 |
TWI482161B (zh) * | 2013-08-09 | 2015-04-21 | Silicon Motion Inc | 資料儲存裝置及其電壓偵測及資料保護方法 |
FR3041466B1 (fr) * | 2015-09-21 | 2017-09-08 | Stmicroelectronics Rousset | Procede de controle du fonctionnement d'un dispositif de memoire de type eeprom, et dispositif correspondant |
KR20180101760A (ko) * | 2017-03-06 | 2018-09-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 저장 장치, 데이터 처리 시스템 및 이의 동작 방법 |
US10747282B2 (en) * | 2018-10-17 | 2020-08-18 | Stmicroelectronics International N.V. | Test circuit for electronic device permitting interface control between two supply stacks in a production test of the electronic device |
TWI682397B (zh) * | 2018-12-12 | 2020-01-11 | 新唐科技股份有限公司 | 資料處理系統與資料處理方法 |
US10586600B1 (en) * | 2019-01-28 | 2020-03-10 | Micron Technology, Inc. | High-voltage shifter with reduced transistor degradation |
WO2020240242A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | Micron Technology, Inc. | Intelligent charge pump architecture for flash array |
US10877541B1 (en) | 2019-12-30 | 2020-12-29 | Micron Technology, Inc. | Power delivery timing for memory |
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US11641160B1 (en) * | 2022-05-11 | 2023-05-02 | Nanya Technology Corporation | Power providing circuit and power providing method thereof |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS648599A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-12 | Sharp Kk | Erroneous write preventing method for eeprom or lsi with built-in eeprom |
JP2568442B2 (ja) * | 1989-07-14 | 1997-01-08 | セイコー電子工業株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JPH0525536U (ja) * | 1991-05-31 | 1993-04-02 | 株式会社東芝 | 不揮発性メモリ制御回路 |
JPH05109291A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
CA2103683C (en) * | 1992-08-17 | 1998-06-16 | George Weeks | Methods of controlling dust and compositions produced thereby |
JPH0721790A (ja) * | 1993-07-05 | 1995-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
JPH07273781A (ja) * | 1994-04-04 | 1995-10-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 多重伝送装置 |
JPH08272625A (ja) * | 1995-03-29 | 1996-10-18 | Toshiba Corp | マルチプログラム実行制御装置及び方法 |
JPH08279739A (ja) * | 1995-04-06 | 1996-10-22 | Fuji Electric Co Ltd | 電子回路用動作指令の制御回路 |
US5890191A (en) * | 1996-05-10 | 1999-03-30 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for providing erasing and programming protection for electrically erasable programmable read only memory |
US5894423A (en) * | 1996-12-26 | 1999-04-13 | Motorola Inc. | Data processing system having an auto-ranging low voltage detection circuit |
US5801987A (en) * | 1997-03-17 | 1998-09-01 | Motorola, Inc. | Automatic transition charge pump for nonvolatile memories |
EP1059578A3 (en) * | 1999-06-07 | 2003-02-05 | Hewlett-Packard Company, A Delaware Corporation | Secure backdoor access for a computer |
JP2002133878A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-05-10 | Hitachi Ltd | 不揮発性記憶回路および半導体集積回路 |
NO316580B1 (no) * | 2000-11-27 | 2004-02-23 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmåte til ikke-destruktiv utlesing og apparat til bruk ved fremgangsmåten |
JP2002182984A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Toshiba Corp | データ処理装置 |
US6466498B2 (en) * | 2001-01-10 | 2002-10-15 | Hewlett-Packard Company | Discontinuity-based memory cell sensing |
JP2002245787A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
JP2002373495A (ja) * | 2001-06-14 | 2002-12-26 | Hitachi Ltd | 半導体チップ、半導体集積回路装置及び半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2003044457A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Hitachi Ltd | データプロセッサ |
US7023745B2 (en) * | 2003-12-29 | 2006-04-04 | Intel Corporation | Voltage detect mechanism |
-
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