KR20220148551A - 스토리지 장치 및 메모리 시스템 - Google Patents

스토리지 장치 및 메모리 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20220148551A
KR20220148551A KR1020210055754A KR20210055754A KR20220148551A KR 20220148551 A KR20220148551 A KR 20220148551A KR 1020210055754 A KR1020210055754 A KR 1020210055754A KR 20210055754 A KR20210055754 A KR 20210055754A KR 20220148551 A KR20220148551 A KR 20220148551A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
level
signal
busy
flag
output
Prior art date
Application number
KR1020210055754A
Other languages
English (en)
Inventor
신현진
김도휘
최한별
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020210055754A priority Critical patent/KR20220148551A/ko
Priority to US17/535,930 priority patent/US11954361B2/en
Publication of KR20220148551A publication Critical patent/KR20220148551A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
    • G06F3/0625—Power saving in storage systems
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
    • G06F3/0655—Vertical data movement, i.e. input-output transfer; data movement between one or more hosts and one or more storage devices
    • G06F3/0659—Command handling arrangements, e.g. command buffers, queues, command scheduling
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
    • G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
    • G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
    • G06F3/0671—In-line storage system
    • G06F3/0673—Single storage device
    • G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10—Programming or data input circuits
    • G11C16/14—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
    • G11C16/16—Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/32—Timing circuits

Abstract

스토리지 장치가 제공된다. 스토리지 장치는, 동작 커맨드를 수신하고, 동작 커맨드에 대응하는 동작을 수행하는 비휘발성 메모리 장치, 동작 커맨드에 따른 동작 전압을 생성하는 전압 발생 회로 및 비휘발성 메모리 장치가 동작을 수행함을 지시하는 비지 신호와 동작 전압의 펌핑을 지시하는 펌프 인에이블 신호를 수신하고, 이를 기초로 플래그 신호를 출력하는 플래그 생성 회로를 포함하고, 비지 신호는 비휘발성 메모리 장치가 동작을 수행하는 동안 제1 레벨이고, 플래그 신호는, 비지 신호가 제1 레벨인 동안, 동작 전압이 제1 기준 전압 이상이 되는 것에 응답하여, 제2 레벨에서 제1 레벨로 천이한다.

Description

스토리지 장치 및 메모리 시스템{STORAGE DEVICE AND MEMORY SYSTEM}
본 발명은 스토리지 장치 및 메모리 시스템에 관한 것이다.
비휘발성 메모리 장치로는, 현재 휴대용 전자기기 등에 주로 사용되는 플래시 메모리(Flash memory)가 대표적이다. 최근 자동차 전자 제어 장치로서 비휘발성 메모리 장치의 사용이 증가함에 따라 안전성과 관련하여 비휘발성 메모리 장치의 신뢰성에 대한 수요가 증가하고 있다. 이에 따라, 비휘발성 메모리 장치가 커맨드에 따른 프로그램 또는 이레이즈 동작을 하는 경우, 동작이 오류없이 수행되고 있는지에 대한 확인의 증대된다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 제품 신뢰성이 향상된 스토리지 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 제품 신뢰성이 향상된 메모리 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 일 실시예에 따른 스토리지 장치는, 동작 커맨드를 수신하고, 동작 커맨드에 대응하는 동작을 수행하는 비휘발성 메모리 장치, 동작 커맨드에 따른 동작 전압을 생성하는 전압 발생 회로 및 비휘발성 메모리 장치가 동작을 수행함을 지시하는 비지 신호와 동작 전압의 펌핑을 지시하는 펌프 인에이블 신호를 수신하고, 이를 기초로 플래그 신호를 출력하는 플래그 생성 회로를 포함하고, 비지 신호는 비휘발성 메모리 장치가 동작을 수행하는 동안 제1 레벨이고, 플래그 신호는, 비지 신호가 제1 레벨인 동안, 동작 전압이 제1 기준 전압 이상이 되는 것에 응답하여, 제2 레벨에서 제1 레벨로 천이한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 다른 실시예에 따른 스토리지 장치는, 제1 및 제2 커맨드를 수신하고, 제1 커맨드에 대응하는 제1 동작을 수행하는 비휘발성 메모리 장치, 비휘발성 메모리 장치로부터 제1 동작을 수행함을 지시하는 비지 신호를 수신하고, 이를 기초로 플래그 신호를 출력하는 플래그 생성 회로 및 제1 커맨드에 따른 동작 전압을 생성하는 전압 발생 회로를 포함하고, 비지 신호는 비휘발성 메모리 장치가 제1 동작을 수행하는 동안 제1 레벨이고, 플래그 신호는, 비지 신호가 제1 레벨인 동안, 제2 커맨드에 응답하여, 제2 레벨에서 제1 레벨로 천이한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 일 실시예에 따른 메모리 시스템은, 스토리지 장치, 스토리지 장치에 제1 커맨드를 전송하는 프로세서를 포함하되, 스토리지 장치는, 제1 커맨드에 대응하는 제1 동작을 수행하는 동안 스토리지 장치가 제1 동작을 수행하고 있음을 지시하는 제1 레벨의 비지 신호를 프로세서에 출력하고, 제1 레벨의 비지 신호를 프로세서에 출력하는 동안, 제1 동작의 신뢰성을 나타내는 플래그 신호를 프로세서에 출력한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 몇몇 실시예에 따른 메모리 시스템을 도시한 도면이다.
도 2는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치를 도시한 도면이다.
도 3는 도 2의 전압 발생 회로를 도시한 도면이다.
도 4는 도 3의 레귤레이터를 도시한 도면이다.
도 5는 도 2의 플래그 생성 회로를 도시한 도면이다.
도 6은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 8 및 9는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 전압 발생 회로의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 10 및 11은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 플래그 생성 회로의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 12는 다른 몇몇 실시예에 따른 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 13은 또다른 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 14는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치를 도시한 도면이다.
도 15는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치를 도시한 도면이다.
도 16은 도 15의 전압 발생 회로를 도시한 도면이다.
도 17은 도 16의 레귤레이터를 도시한 도면이다.
도 18은 도 15의 플래그 생성 회로를 도시한 도면이다.
도 19는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 20은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 21은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 디스차지 회로의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 22 및 23은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 플래그 생성 회로의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 24는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치를 도시한 도면이다.
도 25는 도 24의 플래그 생성 회로를 도시한 도면이다.
도 26은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 27 및 28은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 29는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치를 포함한 차량(vehicle)을 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 기술적 사상에 따른 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 몇몇 실시예에 따른 메모리 시스템을 도시한 도면이다. 도 2는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치를 도시한 도면이다. 도 3는 도 2의 전압 발생 회로를 도시한 도면이다. 도 4는 도 3의 레귤레이터를 도시한 도면이다. 도 5는 도 2의 플래그 생성 회로를 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 메모리 시스템(1)은 프로세서(100) 및 스토리지 장치(200)를 포함할 수 있다. 메모리 시스템(1)은, 컴퓨터, UMPC(Ultra Mobile PC), 워크스테이션, 디지털 영상 재생기(digital picture player), 디지털 동영상 녹화기(digital video recorder), 디지털 동영상 재생기(digital video player), 데이터 센터를 구성하는 스토리지, 정보를 무선 환경에서 송수신할 수 있는 장치, 홈 네트워크를 구성 하는 다양한 전자 장치들 중 하나, 컴퓨터 네트워크를 구성하는 다양한 전자 장치들 중 하나, 텔레매틱스 네트 워크를 구성하는 다양한 전자 장치들 중 하나, 또는 컴퓨팅 시스템을 구성하는 다양한 구성 요소들 중 하나 등을 구성할 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
프로세서(100)는 스토리지 장치(200)로 커맨드(CMD)를 전송하여 데이터를 프로그램하거나 리드(read)할 수 있다. 프로세서(100)는 스토리지 장치(200)로부터 수신한 플래그 신호(FLAG)에 응답하여 스토리지 장치(200)로 커맨드(CMD)를 다시 전송하거나 또는 해당 커맨드(CMD)에 따른 동작을 중단하도록 하는 안전 모드 커맨드(CMD_safety)를 전송할 수 있다.
스토리지 장치(200)는 컨트롤러(210), 비휘발성 메모리 장치(220)를 포함할 수 있다. 스토리지 장치(200)는 프로세서(100)와 물리적으로 분리된 상태로 메모리 시스템(1)에 포함될 수도 있고, 프로세서(100)와 동일한 패키지 내에 구현될 수도 있다. 스토리지 장치(200)는, 솔리드 스테이트 드라이브(SSD: Solid State Drive), MMC, eMMC(embedded MMC), mini-SD, micro-SD 형태의 시큐어 디지털(SD: Secure Digital) 카드, 중 어느 하나로 구현될 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
컨트롤러(210)는 프로세서(100) 및 비휘발성 메모리 장치(220)에 연결될 수 있다. 컨트롤러(210)는 프로세서(100)로부터의 요청에 응답하여, 비휘발성 메모리 장치(220)를 제어할 수 있다. 예를 들어, 컨트롤러(210)는 비휘발성 메모리 장치(220)의 리드(read), 프로그램(program), 이레이즈(erase) 동작을 제어하도록 구성될 수 있다. 컨트롤러(210)는 제어 로직(221)으로부터 수신한 비지 신호(BUSY)를 프로세서(100)로 출력할 수 있다.
도 2를 참조하면, 비휘발성 메모리 장치(220)는 제어 로직(221), 행 디코더(222), 메모리 셀 어레이(223), 페이지 버퍼(224), 전압 발생 회로(300) 및 플래그 생성 회로(400)를 포함할 수 있다.
제어 로직(221)은 비휘발성 메모리 장치(220)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다. 제어 로직(221)은 컨트롤러(210)로부터의 커맨드(CMD) 및/또는 어드레스(ADDR)에 응답하여, 메모리 셀 어레이(223)에 데이터를 기입하거나 메모리 셀 어레이(223)로부터 데이터를 리드(read)하기 위한 각종 제어 신호들을 출력할 수 있다. 예를 들어, 제어 로직(221)은 커맨드(CMD)에 기초하여 전압 발생 회로(300)에 고전압 생성 신호(HV_SIG) 또는 디스차지 신호(DIS_SIG)를 송신하고, 어드레스(ADDR)에 기초하여 행 디코더(222)에 로우 어드레스(X-ADDR)를 출력하고, 페이지 버퍼(224)에 컬럼 어드레스(Y-ADDR)를 출력할 수 있다.
제어 로직(221)은 컨트롤러(210)로부터 커맨드(CMD)를 수신하고 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 하는 경우, 동작을 수행하고 있음을 나타내는 제1 레벨(예를 들어 논리 하이 레벨(logical high level, 이하 H)의 비지 신호(BUSY)를 컨트롤러(210)로 출력할 수 있다. 즉, 제1 레벨(H)로 출력되는 비지 신호(BUSY)는, 비휘발성 메모리 장치(220)가 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 연속적으로 수행하고 있음을 의미한다. 또한 제어 로직(221)은 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 완료한 경우, 동작을 완료했음을 나타내는 제2 레벨(예를 들어 논리 로우 레벨(logical low level, 이하 L)의 비지 신호(BUSY)를 컨트롤러(210)로 출력할 수 있다.
행 디코더(222)는 로우 어드레스(X-ADDR)에 응답하여 복수의 워드라인들 중 하나를 선택할 수 있다. 행 디코더(222)는 선택된 워드라인들과 비선택된 워드라인들로 각 동작 모드에 따른 워드라인 전압들을 공급할 수 있다. 예를 들어, 프로그램 동작 시, 행 디코더(222)는 선택된 워드 라인으로 프로그램 전압을 인가하고, 비선택된 워드라인으로 패스 전압을 공급할 수 있다. 또한, 행 디코더(222)는 리드 동작 시, 선택된 워드 라인으로 접지 전압을 공급하고, 비선택된 워드라인으로 리드 전압을 인가할 수 있다.
메모리 셀 어레이(223)는 복수의 메모리 셀 블록들로 구성될 수 있고, 복수의 메모리 블록들 각각은 복수의 메모리 셀들을 포함할 수 있다. 각각의 메모리 셀은 1비트의 정보를 저장하는 셀(single level cell, SLC)일 수 있고, MLC(multi level cell), TLC(triple level cell), QLC(quadruple level cell)과 같이 2비트 이상의 정보를 저장하는 셀일 수 있다. 메모리 셀 블록들은 2차원에 한정되지 않고, 3차원 형태로 쌓일 수 있다. 메모리 셀 어레이(223)의 각 블록은 복수의 워드라인들(WL) 및 복수의 비트라인(BL)을 포함할 수 있다.
페이지 버퍼(224)는 복수의 비트라인(BL)을 통해 메모리 셀들과 각각 연결될 수 있다. 페이지 버퍼(224)는 컬럼 어드레스(Y-ADDR)에 응답하여 비트라인들(BL) 중 적어도 하나의 비트 라인을 선택할 수 있다. 페이지 버퍼(224)는 동작 모드에 따라 기입 드라이버 또는 감지 증폭기로서 동작할 수 있다. 예를 들어, 프로그램 동작 시, 페이지 버퍼(224)는 선택된 비트라인으로 프로그램될 데이터에 대응하는 비트 라인 전압을 인가할 수 있다. 또한 리드 동작 시, 페이지 버퍼(224)는 선택된 비트 라인의 전류 또는 전압을 감지하여 메모리 셀에 저장된 데이터를 감지할 수 있다.
전압 발생 회로(300)는 컨트롤러(210)로부터의 커맨드(CMD)에 따른 동작에 필요한 전압을 생성할 수 있다. 전압 발생 회로(300)는 제어 로직(221)으로부터 수신한 고전압 생성 신호(HV_SIG) 또는 디스차지 신호(DIS_SIG)를 기반으로 프로그램, 이레이즈 및 리드 동작들을 수행하기 위한 다양한 종류의 전압들을 생성할 수 있다. 예를 들어, 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 수행하는 경우, 전압 발생 회로(300)는 워드라인 전압(VWL)으로서 고전압인 프로그램 전압, 이레이즈 전압 등을 생성할 수 있다. 또한, 제어 로직(221)으로부터 디스차지 신호(DIS_SIG)를 수신한 경우, 전압 발생 회로(300)는 워드라인 전압으로 제공되던 고전압을 디스차지하여 상대적으로 낮은 전압을 생성할 수 있다. 전압 발생 회로(300)에 대해서는 이하 도 3를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 3을 참조하면, 전압 발생 회로(300)는 차지 펌프(310), 레귤레이터(320) 및 발진부(330)를 포함할 수 있다.
차지 펌프(310)는 발진부(330)로부터 펌핑 신호(PUMP_SIG)를 수신하여 입력 전압을 펌핑하여 동작 전압(Vpump)을 출력한다. 차지 펌프(310)는 에너지 저장 소자로서 커패시터를 사용하고, 클럭 신호에 의해 구동되는 다수의 스위치들을 포함할 수 있다.
레귤레이터(320)는 차지 펌프(310)로부터 동작 전압(Vpump)을 수신하여 기준 전압(Vref1 및 Vref2)과 비교하여 펌프 인에이블 신호(EN1) 또는 디스차지 인에이블 신호(EN2)의 레벨을 조절하여 발진부(330)로 출력한다.
도 4를 참조하면, 레귤레이터(320)는 고전압 생성 신호(HV_SIG)를 수신하여, 차지 펌프(310)로부터 출력되는 동작 전압(Vpump)을 제1 기준 전압(Vref1)과 비교하고 펌프 인에이블 신호(EN1)를 출력한다. 또한, 레귤레이터(320)는 디스차지 신호(DIS_SIG)를 수신하여, 차지 펌프(310)로부터 출력되는 동작 전압(Vpump)을 제2 기준 전압(Vref2)과 비교하고 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 출력한다.
다시 도 3을 참조하면, 발진부(330)는 레귤레이터(320)로부터 수신한 펌프 인에이블 신호(EN1) 또는 디스차지 인에이블 신호(EN2)에 응답하여 차지 펌프(310)로 펌핑 신호(PUMP_SIG)를 송신한다. 펌프 인에이블 신호(EN1)는 전압 발생 회로(300)의 고전압 생성을 지시하고, 디스차지 인에이블 신호(EN2)는 전압 발생 회로(300)의 고전압 디스차지를 지시한다.
다시 도 2를 참조하면, 플래그 생성 회로(400)는 전압 발생 회로(300)에서 생성된 전압의 레벨이 제어 로직(221)이 송신한 고전압 생성 신호(HV_SIG) 또는 디스차지 신호(DIS_SIG)에 대응하는 전압의 레벨에 해당하는지 확인하여 플래그 신호(FLAG)를 출력할 수 있다. 도 2에서 플래그 생성 회로(400)가 제어 로직(221)에 포함되는 것으로 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 다른 몇몇 실시예에서, 플래그 생성 회로(400)는 제어 로직(221)의 외부에 배치될 수도 있다. 플래그 생성 회로(400)에 대해서는 이하 도 5를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 5를 참조하면, 플래그 생성 회로(400)는 제1 플립플롭(410), 제2 플립플롭(420) 및 멀티플렉서(430)를 포함할 수 있다.
제1 플립플롭(410)은 펌프 인에이블 신호(EN1)를 기초로 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 제1 플립플롭(410)은 펌프 인에이블 신호(EN1)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 바뀌는 엣지에서 트리거되어 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 이와 같은 경우, 제1 플립플롭(410)은 펌프 인에이블 신호(EN1)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 바뀌는 시점에서 트리거 되므로 하강 엣지(falling edge) 플립플롭이지만, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
예를 들어, 제1 플립플롭(410)이 펌프 인에이블 신호(EN1)의 상보신호(EN1b)를 기초로 비지 신호(BUSY)를 출력하는 경우, 펌프 인에이블 신호(EN1)의 상보신호(EN1b)가 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 바뀌는 시점에서 트리거 되어 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 이와 같은 경우, 제1 플립플롭(410)은 상승 엣지(rising edge) 플립플롭일 수 있다.
제2 플립플롭(420)은 비지 신호(BUSY)를 기초로 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 출력할 수 있다. 제2 플립플롭(420)은 비지 신호(BUSY)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 바뀌는 엣지에서 트리거 되어 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 출력할 수 있다. 이와 같은 경우, 제2 플립플롭(420)은 비지 신호(BUSY)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 바뀌는 시점에서 트리거 되므로 하강 엣지(falling edge) 플립플롭이지만, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
예를 들어, 제2 플립플롭(420)이 비지 신호(BUSY)의 상보신호(BUSYb)를 기초로 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 출력하는 경우, 비지 신호(BUSY)의 상보신호(BUSYb)가 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 바뀌는 시점에서 트리거 되어 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 출력할 수 있다. 이와 같은 경우, 제2 플립플롭(420)은 상승 엣지(rising edge) 플립플롭일 수 있다.
도 5에서는 제1 플립플롭(410) 및 제2 플립플롭(420)을 D 플립플롭으로 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 제1 플립플롭(410) 및 제2 플립플롭(420)은 SR 플립플롭, JK 플립플롭 또는 T 플립플롭일 수 있다.
멀티플렉서(430)는 비지 신호(BUSY)의 레벨에 따라 제1 플립플롭(410)의 출력 신호 및 제2 플립플롭(420)의 출력 신호 중 하나의 신호를 선택하여 출력할 수 있다. 도 5에서 멀티플렉서(430)의 입력신호가 비지 신호(BUSY)인 것으로 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 멀티플렉서(430)는 비지 신호(BUSY)의 상보신호(BUSYb)를 입력신호로 하여 제1 플립플롭(410)의 출력 신호 및 제2 플립플롭(420)의 출력 신호 중 하나의 신호를 선택하여 출력할 수 있다.
도 6은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다. 도 7은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다. 도 8 및 9는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 전압 발생 회로의 동작을 설명하기 위한 순서도이다. 도 10 및 11은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 플래그 생성 회로의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2 및 6을 참조하면, S110 단계에서 스토리지 장치(200)는 프로세서(100)로부터 프로그램 또는 이레이즈 커맨드(CMD)를 수신할 수 있다. S120 단계에서 스토리지 장치(200)는 수신한 프로그램 또는 이레이즈 커맨드(CMD)에 대응하여, 프로그램 또는 이레이즈 동작을 시작하면, 제1 레벨(H)의 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다.
예를 들어, 도 7을 참조하면, 제1 시점(T1)에 스토리지 장치(200)는 프로세서(100)로부터 프로그램 또는 이레이즈 커맨드(CMD)에 응답하여 프로그램 또는 이레이즈 동작을 시작하고, 비지 신호(BUSY)를 제1 레벨(H)로 출력할 수 있다.
다시 도 2 및 6을 참조하면, S130 단계에서, 스토리지 장치(200)가 프로그램 또는 이레이즈 동작을 시작하면, 제어 로직(221)은 고전압 생성 신호(HV_SIG)를 활성화시켜 전압 발생 회로(300)로 송신한다. S140 단계에서, 전압 발생 회로(300)는 제어 로직(221)으로부터 수신한 고전압 생성 신호(HV_SIG)에 응답하여 펌프 인에이블 신호(EN1)를 제1 레벨(H)로 출력하고, 고전압이 생성되면 펌프 인에이블 신호(EN1)를 제2 레벨(L)로 출력한다. S140 단계의 전압 발생 회로(300)의 동작에 대해, 이하 도 8을 참조하여 상세히 설명한다.
도 8을 참조하면, S141 단계에서 전압 발생 회로(300)는 제어 로직(221)으로부터 고전압 생성 신호(HV_SIG)를 수신한다. S142 단계에서 발진부(330)는 차지 펌프(310)가 입력 전압을 펌핑하도록 지시하는 펌핑 신호(PUMP_SIG)를 활성화하여 차지 펌프(310)로 송신한다. S143 단계에서 차지 펌프(310)는 활성화된 펌핑 신호(PUMP_SIG)에 응답하여, 입력 전압을 펌핑하여 동작 전압(Vpump)을 출력한다. S144 단계에서 레귤레이터(320)는 차지 펌프(310)로부터 수신한 동작 전압(Vpump)을 제1 기준 전압(Vref1)과 비교한다. S145 단계에서, 레귤레이터(320)는 동작 전압(Vpump)이 제1 기준 전압(Vref1)보다 낮으면 펌프 인에이블 신호(EN1)를 제1 레벨(H)로 출력한다. S146 단계에서 레귤레이터(320)는 동작 전압(Vpump)이 제1 기준 전압(Vref1)보다 높거나 같으면 펌프 인에이블 신호(EN1)를 제2 레벨(L)로 출력한다.
예를 들어, 도 7 및 8을 참조하면, 제1 시점(T1)에서 전압 발생 회로(300)는 제어 로직(221)으로부터 수신한 고전압 생성 신호(HV_SIG)에 응답하여, 펌프 인에이블 신호(EN1)를 제1 레벨(H)로 출력한다. 제1 시점(T1)부터 제2 시점(T2) 전까지 레귤레이터(320)는 동작 전압(Vpump)이 제1 기준 전압(Vref1)보다 낮으면 펌프 인에이블 신호(EN1)를 제1 레벨(H)로 유지한다. 제2 시점(T2)에 레귤레이터(320)는 동작 전압(Vpump)이 제1 기준 전압(Vref1)보다 높거나 같으면 펌프 인에이블 신호(EN1)를 제2 레벨(L)로 출력한다. 동작 전압(Vpump)이 다시 제1 기준 전압(Vref1)보다 낮아지면 제3 시점(T3)에서 레귤레이터(320)는 펌프 인에이블 신호(EN1)를 다시 제1 레벨(H)로 출력할 수 있다. 제4 시점(T4)에서 레귤레이터(320)는 동작 전압(Vpump)이 또다시 제1 기준 전압(Vref1)보다 높거나 같아지면 펌프 인에이블 신호(EN1)를 다시 제2 레벨(L)로 출력한다. 즉, 제2 시점(T2)과 제3 시점(T3) 사이의 시간동안 동작 전압(Vpump)이 제1 기준 전압(Vref1)보다 높거나 같다. 또한 제1 시점(T1)과 제2 시점(T2) 사이의 시간 및 제3 시점(T3)과 제4 시점(T4) 사이의 시간동안 동작 전압(Vpump)이 제1 기준 전압(Vref1)보다 낮다.
다시 도 2 및 6을 참조하면, 펌프 인에이블 신호(EN1)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이하면, 이에 응답하여 S150 단계에서 플래그 생성 회로(400)는 플래그 신호(FLAG1)를 제1 레벨(H)로 출력한다. S150 단계의 플래그 생성 회로(400)의 동작에 대해, 이하 도 10을 참조하여 상세히 설명한다.
도 10을 참조하면, 멀티플렉서(430)는 비지 신호(BUSY)가 제1 레벨(H)인 경우, 제1 플립플롭(410)의 출력 신호를 선택하여 플래그 신호(FLAG1)로 출력할 수 있다. 제1 플립플롭(410)은 펌프 인에이블 신호(EN1)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이하는 것에 응답하여 비지 신호(BUSY)를 출력한다. 도 10에서 멀티플렉서(430)는 비지 신호(BUSY)가 제1 레벨(H)인 경우, 제1 플립플롭(410)의 출력 신호를 선택하여 플래그 신호(FLAG1)로 출력하는 것으로 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 멀티플렉서(430)는 비지 신호(BUSY)의 상보신호(BUSYb)를 입력신호로 하여, 비지 신호(BUSY)의 상보신호(BUSYb)가 제2 레벨(L)인 경우, 제1 플립플롭(410)의 출력 신호를 선택하여 플래그 신호(FLAG1)로 출력할 수 있다.
예를 들어, 도 7 및 10을 참조하면, 제2 시점(T2)에서 펌프 인에이블 신호(EN1)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이하면, 제1 플립플롭(410)은 이에 응답하여 제2 시점(T2)에서의 제1 레벨(H)인 비지 신호(BUSY)를 출력한다. 또한 제2 시점(T2)에서 비지 신호(BUSY)가 제1 레벨(H)이므로 멀티플렉서(430)는 제1 플립플롭(410)의 출력 신호인 제1 레벨(H)의 비지 신호(BUSY)를 선택하여 플래그 신호(FLAG1)로 출력한다. 따라서 제2 시점(T2)에서 플래그 신호(FLAG1)는 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 천이한다. 이와 마찬가지로, 제4 시점(T4)에서 펌프 인에이블 신호(EN1)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이하면, 플래그 신호(FLAG1)는 계속해서 제1 레벨(H)로 출력된다.
다시 도 2 및 6을 참조하면, S160 단계에서 제어 로직(221)이 디스차지 신호(DIS_SIG)를 활성화하여 전압 발생 회로(300)로 송신한다. 예를 들어, 제어 로직(221)은 메모리 셀에 데이터 저장이 완료되었다고 판단한 경우, 디스차지 신호(DIS_SIG)를 활성화시킬 수 있다. S170 단계에서 전압 발생 회로(300)는 제어 로직(221)으로부터 수신한 디스차지 신호(DIS_SIG)에 응답하여 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제1 레벨(H)로 출력하고, 동작 전압(Vpump)이 디스차지 되면 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제2 레벨(L)로 출력한다. S170 단계의 전압 발생 회로(300)의 동작에 대해, 이하 도 9를 참조하여 상세히 설명한다.
도 9를 참조하면, S171 단계에서 전압 발생 회로(300)는 제어 로직(221)으로부터 디스차지 신호(DIS_SIG)를 수신한다. S172 단계에서 발진부(330)는 차지 펌프(310)가 입력 전압을 펌핑하도록 지시하는 펌핑 신호(PUMP_SIG)를 비활성화하여 차지 펌프(310)로 송신한다. S173 단계에서 차지 펌프(310)는 비활성화된 펌핑 신호(PUMP_SIG)에 응답하여, 동작 전압(Vpump)을 출력한다. S174 단계에서 레귤레이터(320)는 차지 펌프(310)로부터 수신한 동작 전압(Vpump)을 제2 기준 전압(Vref2)과 비교한다. S175 단계에서, 레귤레이터(320)는 동작 전압(Vpump)이 제2 기준 전압(Vref2)보다 높으면 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제1 레벨(H)로 출력한다. S176 단계에서 레귤레이터(320)는 동작 전압(Vpump)이 제2 기준 전압(Vref2)보다 낮거나 같으면 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제2 레벨(L)로 출력한다.
예를 들어, 도 7 및 9를 참조하면, 제5 시점(T5)에 전압 발생 회로(300)는 제어 로직(221)으로부터 수신한 디스차지 신호(DIS_SIG)에 응답하여, 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제1 레벨(H)로 출력한다. 제5 시점(T5)부터 제6 시점(T6) 전까지 레귤레이터(320)는 동작 전압(Vpump)이 제2 기준 전압(Vref2)보다 높으면 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제1 레벨(H)로 유지한다. 제6 시점(T6)에 레귤레이터(320)는 동작 전압(Vpump)이 제2 기준 전압(Vref2)보다 낮거나 같으면 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제2 레벨(L)로 출력한다.
다시 도 2 및 6을 참조하면, S180 단계에서 스토리지 장치(200)가 프로세서(100)로부터 수신한 커맨드(CMD)에 대응하는 프로그램 또는 이레이즈 동작을 완료하면, S190 단계에서 스토리지 장치(200)는 제2 레벨(L)의 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다.
예를 들어, 도 7을 참조하면, 제7 시점(T7)에 스토리지 장치(200)는 프로그램 또는 이레이즈 동작을 완료하고, 비지 신호(BUSY)를 제2 레벨(L)로 출력할 수 있다.
다시 도 2 및 6을 참조하면, 비지 신호(BUSY)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이하면, 이에 응답하여 S200 단계에서, 플래그 생성 회로(400)는 플래그 신호(FLAG1)를 제2 레벨(L)로 출력한다. S200 단계의 플래그 생성 회로(400)의 동작에 대해 이하 도 11을 참조하여 상세히 설명한다.
도 11을 참조하면, 멀티플렉서(430)는 비지 신호(BUSY)가 제2 레벨(L)인 경우, 제2 플립플롭(420)의 출력 신호를 선택하여 플래그 신호(FLAG1)로 출력할 수 있다. 제2 플립플롭(420)은 비지 신호(BUSY)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이하는 것에 응답하여, 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 출력한다. 도 11에서 멀티플렉서(430)는 비지 신호(BUSY)가 제2 레벨(L)인 경우, 제2 플립플롭(420)의 출력 신호를 선택하여 플래그 신호(FLAG1)로 출력하는 것으로 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 멀티플렉서(430)는 비지 신호(BUSY)의 상보신호(BUSYb)를 입력신호로 하여, 비지 신호(BUSY)의 상보신호(BUSYb)가 제1 레벨(H)인 경우, 제2 플립플롭(420)의 출력 신호를 선택하여 플래그 신호(FLAG1)로 출력할 수 있다.
예를 들어, 도 7 및 11을 참조하면, 제7 시점(T7)에서 비지 신호(BUSY)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이하면, 제2 플립플롭(420)은 이에 응답하여 제7 시점(T7)에서의 제2 레벨(L)인 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 출력한다. 또한 제7 시점(T7)에서 비지 신호(BUSY)가 제2 레벨(L)이므로 멀티플렉서(430)는 제2 플립플롭(420)의 출력 신호인 제2 레벨(L)의 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 선택하여 플래그 신호(FLAG1)로 출력한다. 따라서 제7 시점(T7)에서 플래그 신호(FLAG1)는 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이한다.
도 12는 다른 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다. 설명의 편의상 도 7을 참조하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 8 및 12을 참조하면, 제1 시점(T1)에서 전압 발생 회로(300)는 제어 로직(221)으로부터 수신한 고전압 생성 신호(HV_SIG)에 응답하여, 펌프 인에이블 신호(EN1)를 제1 레벨(H)로 출력한다. 레귤레이터(320)는 동작 전압(Vpump)이 제1 기준 전압(Vref1)보다 낮으면 펌프 인에이블 신호(EN1)를 제1 레벨(H)로 유지한다.
도 10 및 12를 참조하면, 비지 신호(BUSY)가 제1 레벨(H)로 출력되는 동안, 펌프 인에이블 신호(EN1)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이하지 않으므로, 제1 플립플롭(410)은 제1 레벨(H)의 비지 신호(BUSY)를 출력하지 않을 수 있다. 이에 따라, 플래그 신호(FLAG1)는 제1 레벨(H)로 출력되지 않고 제2 레벨(L)로 유지될 수 있다.
이는 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작에 필요한 고전압(예를 들어, 제1 기준 전압(Vref) 이상의 전압)이 생성되지 않았음을 의미한다. 몇몇 실시예에서, 이 경우, 제2 레벨(L)로 유지되는 플래그 신호(FLAG1)를 수신하는 프로세서(100)는 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 다시 수행하도록 스토리지 장치(200)에 커맨드(CMD)를 다시 전송할 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서, 프로세서(100)는 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 중단하도록 하는 안전 모드 커맨드(CMD_safety)를 스토리지 장치(200)에 전송할 수 있다. 이처럼, 프로세서(100)는 플래그 신호(FLAG1)를 통해 스토리지 장치(200)가 커맨드(CMD)에 따른 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 결함없이 수행하고 있는지 확인할 수 있다. 또한 프로세서(100)가 플래그 신호(FLAG1)에 따라 프로그램 또는 이레이즈 커맨드(CMD) 또는 안전 모드 커맨드(CMD_safety)를 전송함으로써, 스토리지 장치(200)는 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 결함없이 수행할 수 있다.
도 13은 또다른 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다. 설명의 편의상 도 7을 참조하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 9 및 13을 참조하면, 제5 시점(T5)에서 전압 발생 회로(300)는 제어 로직(221)으로부터 수신한 디스차지 신호(DIS_SIG)에 응답하여, 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제1 레벨(H)로 출력한다. 레귤레이터(320)는 동작 전압(Vpump)이 제2 기준 전압(Vref2)보다 높으면 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제1 레벨(H)로 유지한다.
도 11 및 13를 참조하면, 제6 시점(T6)에서 비지 신호(BUSY)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이하더라도, 디스차지 인에이블 신호(EN2)가 제1 레벨(H)로 유지되므로, 제2 플립플롭(420)은 제1 레벨(H)의 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 출력할 수 있다. 이에 따라, 제6 시점(T6)에서 플래그 신호(FLAG1)는 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이하지 않고 제1 레벨(H)로 유지될 수 있다.
이는 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작에 사용되던 고전압이 디스차지 되지 않았음을 의미한다. 몇몇 실시예에서, 이 경우, 제어 로직(221)은 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작에 사용되던 고전압을 다시 디스차지 하도록 전압 발생 회로(300)로 디스차지 신호(DIS_SIG)를 다시 전송할 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서, 플래그 신호(FLAG1)를 수신하는 프로세서(100)는 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 중단하도록 하는 안전 모드 커맨드(CMD_safety)를 스토리지 장치(200)에 전송할 수 있다. 이처럼, 프로세서(100)는 플래그 신호(FLAG1)를 통해 스토리지 장치(200)가 커맨드(CMD)에 따른 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 결함없이 수행하고 있는지 확인할 수 있다. 또한 프로세서(100)가 플래그 신호(FLAG1)에 따라 프로그램 또는 이레이즈 커맨드(CMD) 또는 안전 모드 커맨드(CMD_safety)를 전송함으로써, 스토리지 장치(200)는 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 결함없이 수행할 수 있다.
도 14는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치를 도시한 도면이다. 설명의 편의상 도 2를 참조하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 14를 참조하면, 플래그 생성 회로(500)는 컨트롤러(210)에 포함될 수 있다. 제어 로직(221)은 전압 발생 회로(300)로부터 수신한 펌프 인에이블 신호(EN1)와 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 플래그 생성 회로(500)로 송신할 수 있다. 플래그 생성 회로(500)는 제어 로직(221)으로부터 수신한 펌프 인에이블 신호(EN1)와 디스차지 인에이블 신호(EN2) 및 비지 신호(BUSY)에 기초하여 플래그 신호(FLAG1)를 출력할 수 있다.
도 15는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치를 도시한 도면이다. 도 16은 도 15의 전압 발생 회로를 도시한 도면이다. 도 17은 도 16의 레귤레이터를 도시한 도면이다. 도 18은 도 15의 플래그 생성 회로를 도시한 도면이다. 설명의 편의상 도 2 내지 5를 참조하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 15를 참조하면, 비휘발성 메모리 장치(220)는 디스차지 회로(900)를 더 포함할 수 있다. 디스차지 회로(900)는 제어 로직(221)으로부터 수신한 디스차지 신호(DIS_SIG)에 응답하여, 전압 발생 회로(600)에서 생성된 고전압을 디스차지 할 수 있다.
도 16을 참조하면, 전압 발생 회로(600)는 차지 펌프(610), 레귤레이터(620), 발진부(630) 및 디스차지 회로(900)를 포함할 수 있다.
차지 펌프(610)는 발진부(630)로부터 펌핑 신호(PUMP_SIG)를 수신하여 입력 전압을 펌핑하여 동작 전압(Vpump) 및 고전압(VHIGH)을 출력한다.
레귤레이터(620)는 차지 펌프(310)로부터 동작 전압(Vpump)을 수신하여 제1 기준 전압(Vref1)과 비교하고 펌프 인에이블 신호(EN1)의 레벨을 조절하여 발진부(630)로 출력한다.
도 17을 참조하면, 레귤레이터(620)는 고전압 생성 신호(HV_SIG)를 수신하여, 차지 펌프(610)로부터 출력되는 동작 전압(Vpump)을 제1 기준 전압(Vref1)과 비교하고 펌프 인에이블 신호(EN1)를 출력한다
다시 도 16을 참조하면, 발진부(630)는 레귤레이터(620)로부터 수신한 펌프 인에이블 신호(EN1)에 응답하여 차지 펌프(610)로 펌핑 신호(PUMP_SIG)를 송신한다. 펌프 인에이블 신호(EN1)는 전압 발생 회로(300)의 고전압 생성을 지시한다.
디스차지 회로(900)는 디스차지 신호(DIS_SIG)를 수신하여, 차지 펌프(610)로부터 출력되는 고전압(VHIGH)을 제2 기준 전압(Vref)과 비교하고 디스차지 인에이블 신호(EN2)의 레벨을 조절하여 출력한다.
다시 도 15를 참조하면, 플래그 생성 회로(800)는 전압 발생 회로(300)에서 생성된 전압의 레벨이 제어 로직(221)이 송신한 고전압 생성 신호(HV_SIG) 또는 디스차지 신호(DIS_SIG)에 대응하는 전압의 레벨에 해당하는지 확인하여 외부로 플래그 신호(FLAG2)를 출력할 수 있다. 도 15에서 플래그 생성 회로(800)가 제어 로직(221)에 포함되는 것으로 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 다른 몇몇 실시예에서, 플래그 생성 회로(800)는 제어 로직(221)의 외부에 배치될 수도 있다. 플래그 생성 회로(800)에 대해서는 이하 도 18을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 18을 참조하면, 플래그 생성 회로(800)는 제1 플립플롭(810), 제2 플립플롭(820) 및 멀티플렉서(830)를 포함할 수 있다.
제1 플립플롭(810)은 펌프 인에이블 신호(EN1)를 기초로 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 제1 플립플롭(810)은 펌프 인에이블 신호(EN1)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 바뀌는 엣지에서 트리거되어 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 이와 같은 경우, 제1 플립플롭(810)은 펌프 인에이블 신호(EN1)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 바뀌는 시점에서 트리거 되므로 하강 엣지(falling edge) 플립플롭이지만, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
예를 들어, 제1 플립플롭(810)이 펌프 인에이블 신호(EN1)의 상보신호(EN1b)를 기초로 비지 신호(BUSY)를 출력하는 경우, 펌프 인에이블 신호(EN1)의 상보신호(EN1b)가 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 바뀌는 시점에서 트리거 되어 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 이와 같은 경우, 제1 플립플롭(810)은 상승 엣지(rising edge) 플립플롭일 수 있다.
제2 플립플롭(820)은 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 기초로 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 제2 플립플롭(820)은 디스차지 인에이블 신호(EN2)가 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 바뀌는 엣지에서 트리거 되어 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 이와 같은 경우, 제2 플립플롭(820)은 디스차지 인에이블 신호(EN2)가 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 바뀌는 시점에서 트리거 되므로 상승 엣지(rising edge) 플립플롭이지만, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
예를 들어, 제2 플립플롭(820)이 디스차지 인에이블 신호(EN2)의 상보신호(EN2b)를 기초로 비지 신호(BUSY)를 출력하는 경우, 디스차지 인에이블 신호(EN2)의 상보신호(EN2b)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 바뀌는 시점에서 트리거 되어 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 이와 같은 경우, 제2 플립플롭(820)은 하강 엣지(falling edge) 플립플롭일 수 있다.
도 18에서는 제1 플립플롭(810) 및 제2 플립플롭(820)을 D 플립플롭으로 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 제1 플립플롭(810) 및 제2 플립플롭(820)은 SR 플립플롭, JK 플립플롭 또는 T 플립플롭일 수 있다.
멀티플렉서(830)는 비지 신호(BUSY)의 레벨에 따라 제1 플립플롭(810)의 출력 신호 및 제2 플립플롭(820)의 출력 신호 중 하나의 신호를 선택하여 출력할 수 있다. 도 18에서 멀티플렉서(830)의 입력신호가 비지 신호(BUSY)인 것으로 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 멀티플렉서(830)는 비지 신호(BUSY)의 상보신호(BUSYb)를 입력신호로 하여 제1 플립플롭(810)의 출력 신호 및 제2 플립플롭(820)의 출력 신호 중 하나의 신호를 선택하여 출력할 수 있다.
도 19는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다. 도 20은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다. 도 21은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 디스차지 회로의 동작을 설명하기 위한 순서도이다. 도 22 및 23은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 플래그 생성 회로의 동작을 설명하기 위한 순서도이다. 설명의 편의상 도 6 내지 7 및 도 9 내지 11를 참조하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 19를 참조하면, S310 내지 S350 단계는 상기 도 6을 참조하여 설명한 S110 내지 S150 단계와 동일하다. 이에 따라, 도 20의 제1 시점(T1) 내지 제4 시점(T4)에서의 스토리지 장치(202)의 동작은 상기 설명한 도 7의 제1 시점(T1) 내지 제4 시점(T4)에서의 스토리지 장치(200)의 동작과 동일하다.
도 15 및 19를 참조하면, S360 단계에서 스토리지 장치(202)가 프로세서(100)로부터 수신한 커맨드(CMD)에 대응하는 프로그램 또는 이레이즈 동작을 완료하면, S370 단계에서 스토리지 장치(202)는 제2 레벨(L)의 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다.
예를 들어, 도 20을 참조하면, 제5 시점(T5)에 스토리지 장치(202)는 프로그램 또는 이레이즈 동작을 완료하고, 비지 신호(BUSY)를 제2 레벨(L)로 출력할 수 있다.
다시 도 15 및 19를 참조하면, S380 단계에서 제어 로직(221)이 디스차지 신호(DIS_SIG)를 활성화하여 디스차지 회로(900)로 송신한다. S390 단계에서 디스차지 회로(900)는 제어 로직(221)으로부터 수신한 디스차지 신호(DIS_SIG)에 응답하여 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제2 레벨(L)로 출력하고, 고전압(VHIGH)이 디스차지 되면 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제1 레벨(H)로 출력한다. S390 단계의 디스차지 회로(900)의 동작에 대해, 이하 도 21을 참조하여 상세히 설명한다.
도 16 및 21을 참조하면, S391 단계에서 디스차지 회로(900)는 제어 로직(221)으로부터 디스차지 신호(DIS_SIG)를 수신한다. S392 단계에서 디스차지 회로(900)는 차지펌프(610)로부터 수신한 고전압(VHIGH)을 디스차지 하여 디스차지 전압(VDIS)을 생성한다. S393 단계에서 디스차지 회로(900)는 디스차지 전압(VDIS)을 제2 기준 전압(Vref2)과 비교한다. S394 단계에서 디스차지 회로(900)는 디스차지 전압(VDIS)이 제2 기준 전압(Vref2)보다 높으면 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제2 레벨(L)로 출력한다 S395 단계에서, 디스차지 회로(900)는 디스차지 전압(VDIS)이 제2 기준 전압(Vref2)보다 낮거나 같으면 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제1 레벨(H)로 출력한다.
예를 들어, 도 16 및 20을 참조하면, 제5 시점(T5)에 디스차지 회로(900)는 제어 로직(221)으로부터 수신한 디스차지 신호(DIS_SIG)에 응답하여, 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제2 레벨(L)로 출력한다. 제5 시점(T5)부터 제6 시점(T6) 전까지 디스차지 회로(900)는 디스차지 전압(VDIS)이 제2 기준 전압(Vref2)보다 높으면 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제2 레벨(L)로 유지한다. 제6 시점(T6)에 디스차지 회로(900)는 디스차지 전압(VDIS)이 제2 기준 전압(Vref2)보다 낮거나 같으면 디스차지 인에이블 신호(EN2)를 제1 레벨(H)로 출력한다.
다시 도 15 및 19를 참조하면, 디스차지 인에이블 신호(EN2)가 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 천이하면, 이에 응답하여 S400 단계에서 플래그 생성 회로(800)는 플래그 신호(FLAG2)를 제2 레벨(L)로 출력한다. S400 단계의 플래그 생성 회로(800)의 동작에 대해 이하 도 23을 참조하여 상세히 설명한다.
도 23을 참조하면, 멀티플렉서(830)는 비지 신호(BUSY)가 제2 레벨(L)인 경우, 제2 플립플롭(820)의 출력 신호를 선택하여 플래그 신호(FLAG2)로 출력할 수 있다. 제2 플립플롭(820)은 디스차지 인에이블 신호(EN2)가 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 천이하는 것에 응답하여, 비지 신호(BUSY)를 출력한다. 도 23에서 멀티플렉서(830)는 비지 신호(BUSY)가 제2 레벨(L)인 경우, 제2 플립플롭(820)의 출력 신호를 선택하여 플래그 신호(FLAG2)로 출력하는 것으로 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 멀티플렉서(830)는 비지 신호(BUSY)의 상보신호(BUSYb)를 입력신호로 하여, 비지 신호(BUSY)의 상보신호(BUSYb)가 제1 레벨(H)인 경우, 제2 플립플롭(820)의 출력 신호를 선택하여 플래그 신호(FLAG2)로 출력할 수 있다.
예를 들어, 도 20 및 23을 참조하면, 제6 시점(T6)에서 디스차지 인에이블 신호(EN2)가 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 천이하면, 제2 플립플롭(820)은 이에 응답하여 제6 시점(T6)에서의 제2 레벨(L)인 비지 신호(BUSY)를 출력한다. 또한 제6 시점(T6)에서 비지 신호(BUSY)가 제2 레벨(L)이므로 멀티플렉서(830)는 제2 플립플롭(820)의 출력 신호인 제2 레벨(L)인 비지 신호(BUSY)를 선택하여 플래그 신호(FLAG2)로 출력한다. 따라서 제6 시점(T6)에서 플래그 신호(FLAG2)는 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이한다.
도 24는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치를 도시한 도면이다. 설명의 편의상 도 2를 참조하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 24를 참조하면, 비휘발성 메모리 장치(220)는 제어 로직(221), 로우 디코더(222), 메모리 셀 어레이(223), 페이지 버퍼(224), 전압 발생 회로(300) 및 플래그 생성 회로(700)를 포함할 수 있다.
플래그 생성 회로(700)는 스토리지 장치(203)가 프로세서로(100)부터 수신한 커맨드(CMD)에 대응하는 동작을 수행하고 있는 동안, 프로세서로(100)부터 수신한 커맨드(CMD)와 무관한 외부 신호(EXT1, EXT2)를 감지하여 중단 플래그 신호(FLAG3)를 출력할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 외부 신호(EXT1, EXT2)는 스토리지 장치(203)가 프로세서(100)로부터 수신한 커맨드(CMD)에 대응하여 수행하는 동작과 다른 동작을 요청하는 커맨드(CMD)에 따른 신호일 수 있으나, 실시예들이 이에 제한되는 것은 아니다.
도 24에서 플래그 생성 회로(700)가 제어 로직(221)에 포함되는 것으로 도시하였으나, 실시예는 이에 제한되지 않는다. 다른 몇몇 실시예에서, 플래그 생성 회로(700)는 스토리지 장치(203)의 컨트롤러(210)에 포함될 수 있다. 이하 도 25를 참조하여 플래그 생성 회로(700)에 대해 상세하게 설명한다.
도 25는 도 24의 플래그 생성 회로를 도시한 도면이다.
도 25를 참조하면, 플래그 생성 회로(700)는 제1 플립플롭(710), 제2 플립플롭(720) 및 OR 게이트(730)을 포함할 수 있다.
제1 플립플롭(710)은 제1 외부 신호(EXT1)를 기초로 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 제1 외부 신호(EXT1)는 제1 레벨(H)을 기본값으로 하는 외부 신호일 수 있다. 제1 플립플롭(710)은 제1 외부 신호(EXT1)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 바뀌는 엣지에서 트리거 되어 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 이와 같은 경우, 제1 플립플롭7510)은 제1 외부 신호(EXT1)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 바뀌는 시점에서 트리거 되므로 하강 엣지(falling edge) 플립플롭이지만, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
예를 들어, 제1 플립플롭(710)이 제1 외부 신호(EXT1)의 상보신호(EXT1b)를 기초로 비지 신호(BUSY)를 출력하는 경우, 제1 외부 신호(EXT1)의 상보신호(EXT1b)가 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 바뀌는 시점에서 트리거 되어 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 이와 같은 경우, 제1 플립플롭(710)은 상승 엣지(rising edge) 플립플롭일 수 있다.
제2 플립플롭(720)은 제2 외부 신호(EXT2)를 기초로 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 제2 외부 신호(EXT2)는 제2 레벨(L)을 기본값으로 하는 외부 신호일 수 있다. 제2 플립플롭(720)은 제2 외부 신호(EXT2)가 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 바뀌는 엣지에서 트리거 되어 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 이와 같은 경우, 제2 플립플롭(720)은 제2 외부 신호(EXT2)가 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 바뀌는 시점에서 트리거 되므로 상승 엣지(rising edge) 플립플롭이지만, 실시예는 이에 제한되지 않는다.
예를 들어, 제2 플립플롭(720)이 제2 외부 신호(EXT2)의 상보신호(EXT2b)를 기초로 비지 신호(BUSY)를 출력하는 경우, 제2 외부 신호(EXT2)의 상보신호(EXT2b)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 바뀌는 시점에서 트리거 되어 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 이와 같은 경우, 제2 플립플롭(720)은 하강 엣지(falling edge) 플립플롭일 수 있다.
도 25에서는 제1 플립플롭(710) 및 제2 플립플롭(720)을 D 플립플롭으로 도시하였으나, 본 발명의 실시예는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 제1 플립플롭(710) 및 제2 플립플롭(720)은 SR 플립플롭, JK 플립플롭 또는 T 플립플롭일 수 있다.
OR 게이트(730)는 제1 플립플롭(710)의 출력 신호 및 제2 플립플롭(720)의 출력 신호를 입력 신호로 하고, 입력 신호 중 적어도 하나의 신호가 제1 레벨(H)인 경우, 제1 레벨(H)의 중단 플래그 신호(FLAG3)를 출력할 수 있다.
도 26은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다. 도 27 및 28은 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다. 설명의 편의상 도 6 및 7을 참조하여 설명한 것과 다른 점을 위주로 설명한다.
도 24 및 26를 참조하면, S510 단계에서 스토리지 장치(203)는 프로세서(100)로부터 프로그램 또는 이레이즈 커맨드(CMD)를 수신할 수 있다. S520 단계에서 스토리지 장치(203)는 수신한 프로그램 또는 이레이즈 커맨드(CMD)에 대응하여, 프로그램 또는 이레이즈 동작을 시작하면, 제1 레벨(H)의 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다.
예를 들어, 도 27을 참조하면, 제1 시점(T1)에 스토리지 장치(203)는 프로세서(100)로부터 프로그램 또는 이레이즈 커맨드(CMD)에 응답하여 프로그램 또는 이레이즈 동작을 시작하고, 비지 신호(BUSY)를 제1 레벨(H)로 출력할 수 있다.
다시 도 24 및 26를 참조하면, S530 단계에서 플래그 생성 회로(700)는 프로그램 또는 이레이즈 커맨드(CMD)와 다른 제2 커맨드에 따른 외부 신호의 레벨이 변경되었는지 감지한다. S540 단계에서 외부 신호의 레벨이 변경되면 플래그 생성 회로(700)는 제1 레벨(H)의 중단 플래그 신호(FLAG3)를 출력한다. S550 단계에서 스토리지 장치(203)는 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 중단하도록 하는 안전 모드 커맨드(CMD_safety)를 수신한다. S560 단계에서 스토리지 장치(203)는 외부 신호의 레벨이 변경되지 않으면 프로세서(100)로부터 수신한 커맨드(CMD)에 대응하는 프로그램 또는 이레이즈 동작을 완료한다.
예를 들어, 도 25 및 27을 참조하면, 제2 시점(T2)에서 플래그 생성 회로(700)는 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이하는 제1 외부 신호(EXT1)를 수신할 수 있다. 제2 시점(T2)에서 제1 외부 신호(EXT1)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이하면, 이에 응답하여 제1 플립플롭(710)은 제2 시점에서(T2)의 제1 레벨(H)의 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 제1 플립플롭(710)으로부터 출력된 제1 레벨(H)의 비지 신호(BUSY)를 입력 신호로 하므로, 제2 시점(T2)에서 OR 게이트(730)는 제1 레벨(H)의 중단 플래그 신호(FLAG3)를 출력할 수 있다.
제3 시점(T3)에서 플래그 생성 회로(700)는 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 천이하는 제2 외부 신호(EXT2)를 수신할 수 있다. 제3 시점(T3)에서 제2 외부 신호(EXT2)가 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 천이하면, 이에 응답하여 제2 플립플롭(720)은 제3 시점(T3)에서의 제1 레벨(H)의 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 제2 플립플롭(720)으로부터 출력된 제1 레벨(H)의 비지 신호(BUSY)를 입력 신호로 하므로, 제3 시점(T3)에서 OR 게이트(730)는 제1 레벨(H)의 중단 플래그 신호(FLAG3)를 출력할 수 있다. 따라서 중단 플래그 신호(FLAG3)는 계속해서 제1 레벨(H)로 출력된다.
다른 예를 들어, 도 25 및 28을 참조하면, 제2 시점(T2)에서 플래그 생성 회로(700)는 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 천이하는 제2 외부 신호(EXT2)를 수신할 수 있다. 제2 외부 신호(EXT2)가 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 천이하면, 이에 응답하여 제2 플립플롭(720)은 제2 시점(T2)에서의 제1 레벨(H)인 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 제2 플립플롭(720)으로부터 출력된 제1 레벨(H)의 비지 신호(BUSY)를 입력 신호로 하므로, 제2 시점(T2)에서 OR 게이트(730)는 제1 레벨(H)의 중단 플래그 신호(FLAG3)를 출력할 수 있다.
제3 시점(T3)에서 플래그 생성 회로(700)는 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이하는 제1 외부 신호(EXT1)를 수신할 수 있다. 제3 시점(T3)에서 제1 외부 신호(EXT1)가 제1 레벨(H)에서 제2 레벨(L)로 천이하면, 이에 응답하여 제1 플립플롭(710)은 제3 시점(T3)에서의 제1 레벨(H)인 비지 신호(BUSY)를 출력할 수 있다. 제1 플립플롭(710)으로부터 출력된 제1 레벨(H)의 비지 신호(BUSY)를 입력 신호로 하므로, 제3 시점(T3)에서 OR 게이트(730)는 제1 레벨(H)의 중단 플래그 신호(FLAG3)를 출력할 수 있다.
즉, 중단 플래그 신호(FLAG3)가 제2 레벨(L)에서 제1 레벨(H)로 천이하면, 프로그램 동작 또는 소거 동작을 수행하는 동안 해당 동작과 무관한 외부 신호가 감지되었음을 의미한다. 몇몇 실시예에서, 중단 플래그 신호(FLAG3)가 제1 레벨(H)로 출력되면, 프로세서(100)는 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 다시 수행하도록 커맨드(CMD)를 스토리지 장치(203)로 다시 전송할 수 있다. 또한 몇몇 실시예에서, 프로세서(100)는 프로그램 동작 또는 이레이즈거 동작을 중단하도록 하는 안전 모드 커맨드(CMD_safety)를 스토리지 장치(203)로 전송할 수 있다. 이처럼, 프로세서(100)는 중단 플래그 신호(FLAG3)를 통해 스토리지 장치(203)가 커맨드(CMD)에 따른 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 결함없이 수행하고 있는지 확인할 수 있다. 또한 프로세서(100)가 중단 플래그 신호(FLAG3)에 따라 프로그램 또는 이레이즈 커맨드(CMD) 또는 안전 모드 커맨드(CMD_safety)를 전송함으로써, 스토리지 장치(203)는 프로그램 동작 또는 이레이즈 동작을 결함없이 수행할 수 있다.
도 29는 몇몇 실시예에 따른 스토리지 장치를 포함한 차량(vehicle)을 도시한 도면이다.
차량(1000)은 복수 개의 전자 제어 장치(ECU: Electronic Control Unit, 1100), 및 저장 장치(1200)를 포함할 수 있다.
복수 개의 전자 제어 장치(1100)의 각 전자 제어 장치는 차량(1000)에 마련된 복수 개의 장치 중 적어도 하나의 장치에 전기적, 기계적, 통신적으로 연결되고, 어느 하나의 기능 수행 명령에 기초하여 적어도 하나의 장치의 동작을 제어할 수 있다.
여기서, 복수 개의 장치는 적어도 하나의 기능 수행을 위해 요구되는 정보를 획득하는 획득 장치(1300)와, 적어도 하나의 기능을 수행하는 드라이빙 유닛(1400)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 획득 장치(1300)는 각종 검출부 및 영상 획득부를 포함할 수 있고, 드라이빙 유닛(1400)은 공조 장치의 팬 및 압축기, 통풍장치의 팬, 동력 장치의 엔진 및 모터, 조향 장치의 모터, 제동 장치의 모터 및 밸브, 도어나 테일 게이트의 개폐 장치 등을 포함할 수 있다.
복수 개의 전자 제어 장치(1100)는, 예를 들어, 이더넷, 저전압 차동 신호(LVDS) 통신, LIN(Local Interconnect Network) 통신 중 적어도 하나를 이용하여 획득 장치(1300) 및 드라이빙 유닛(1400)과 통신을 수행할 수 있다.
복수 개의 전자 제어 장치(1100)는, 획득 장치(1300)를 통해 획득된 정보에 기초하여 기능 수행의 필요 여부를 판단하고 기능 수행이 필요하다고 판단되면 해당 기능을 수행하는 드라이빙 유닛(1400)의 동작을 제어하되, 획득된 정보에 기초하여 그 동작 량을 제어할 수 있다. 복수 개의 전자 제어 장치(1100)는, 획득된 정보를 저장 장치(1200)에 저장하거나 저장 장치(1200)에 저장된 정보를 리드하여 사용할 수 있다. 이 때, 복수 개의 전자 제어 장치(1100)는 플래그 생성 회로(1700)로부터 플래그 신호(FLAG)를 수신하여, 스토리지 장치(1200)가 복수 개의 전자 제어 장치(1100)의 제어에 따른 동작을 결함없이 수행하고 있는지 확인할 수 있다. 또한 복수 개의 전자 제어 장치(1100)는 플래그 신호(FLAG)에 따라 동작 커맨드(CMD) 또는 안전 모드 커맨드(CMD_safety)를 스토리지 장치(1200)에 전송함으로써, 스토리지 장치(1200)는 동작을 결함없이 수행할 수 있다. 이에 따라 차량(1000)에 탑재되는 스토리지 장치(1200)의 오류로 인한 사고를 방지할 수 있다.
연결 제어 장치(CCU: Connectivity Control Unit, 1600)는 복수 개의 전자 제어 장치들(1100)과 각각 전기적, 기계적, 통신적으로 연결되고, 복수 개의 전자 제어 장치들(1100)과 각각 통신을 수행한다.
즉, 연결 제어 장치(1600)는 차량 내부에 마련된 복수 개의 전자 제어 장치들(1100)과 직접 통신을 수행하는 것도 가능하고, 외부의 서버와 통신을 수행하는 것도 가능하며, 인터페이스를 통해 외부 단말기와 통신을 수행하는 것도 가능하다.
여기서 연결 제어 장치(1600)는 복수 개의 전자 제어 장치(1100)들과 통신을 수행할 수 있다.
또한, 연결 제어 장치(1600)는 무선 통신으로 서버와 통신을 수행할 수 있다. 이 때, 연결 제어 장치(760)와 서버 간의 무선 통신은 와이파이(Wifi) 모듈, 와이브로(Wireless broadband) 모듈 외에도, GSM(global System for Mobile Communication), CDMA(Code Division Multiple Access), WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access), UMTS(universal mobile telecommunications system), TDMA(Time Division Multiple Access), LTE(Long Term Evolution) 등 다양한 무선 통신 방식을 통해서 가능하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1: 메모리 시스템 100 : 프로세서
200, 1200: 스토리지 장치 300, 600: 전압 발생 회로
400, 500, 700, 800, 1700: 플래그 생성 회로
900: 디스차지 회로 1000: 차량

Claims (20)

  1. 동작 커맨드를 수신하고, 상기 동작 커맨드에 대응하는 동작을 수행하는 비휘발성 메모리 장치;
    상기 동작 커맨드에 따른 동작 전압을 생성하는 전압 발생 회로; 및
    상기 비휘발성 메모리 장치가 상기 동작을 수행함을 지시하는 비지 신호와 상기 동작 전압의 펌핑을 지시하는 펌프 인에이블 신호를 수신하고, 이를 기초로 플래그 신호를 출력하는 플래그 생성 회로를 포함하고,
    상기 비지 신호는 상기 비휘발성 메모리 장치가 상기 동작을 수행하는 동안 제1 레벨이고,
    상기 플래그 신호는,
    상기 비지 신호가 상기 제1 레벨인 동안, 상기 동작 전압이 제1 기준 전압 이상이 되는 것에 응답하여, 제2 레벨에서 상기 제1 레벨로 천이하는 스토리지 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 펌프 인에이블 신호는,
    상기 동작 전압이 상기 제1 기준 전압 미만일 때, 상기 제1 레벨을 유지하고,
    상기 동작 전압이 상기 제1 기준 전압 이상이 되는 것에 응답하여 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하고,
    상기 플래그 신호는,
    상기 펌프 인에이블 신호가 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하는 것에 응답하여, 상기 제2 레벨에서 상기 제1 레벨로 천이하는, 스토리지 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 플래그 생성 회로는 상기 동작 전압의 디스차지를 지시하는 디스차지 인에이블 신호를 더 수신하고,
    상기 플래그 생성 회로는 상기 비지 신호와 상기 디스차지 인에이블 신호에 응답하여 상기 플래그 신호를 제어하되,
    상기 비지 신호는 상기 비휘발성 메모리 장치가 상기 동작 커맨드에 대응하는 동작을 완료하면 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하고,
    상기 플래그 신호는,
    상기 비지 신호가 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 변경되는 것에 응답하여, 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하는, 스토리지 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 디스차지 인에이블 신호는,
    상기 동작 전압이 상기 제2 기준 전압 초과일 때, 상기 제1 레벨을 유지하고,
    상기 동작 전압이 상기 제2 기준 전압 이하가 되는 것에 응답하여, 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하고,
    상기 플래그 신호가 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하는 시점에서, 상기 동작 전압은 상기 제2 기준 전압 이하인, 스토리지 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 전압 발생 회로는,
    상기 동작 전압을 생성하는 차지 펌프와,
    상기 동작 전압을 레귤레이팅하는 레귤레이터를 포함하고,
    상기 레귤레이터는,
    상기 동작 전압이 상기 제1 기준 전압 미만일 때, 상기 펌프 인에이블 신호를 상기 제1 레벨로 출력하고,
    상기 동작 전압이 상기 제1 기준 전압 이상일 때, 상기 펌프 인에이블 신호를 상기 제2 레벨로 출력하는, 스토리지 장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 전압 발생 회로는,
    상기 동작 전압을 생성하는 차지 펌프와,
    상기 동작 전압을 레귤레이팅하는 레귤레이터를 포함하고,
    상기 레귤레이터는,
    상기 동작 전압이 상기 제2 기준 전압보다 클 때, 상기 디스차지 인에이블 신호를 상기 제1 레벨로 출력하고,
    상기 동작 전압이 상기 제2 기준 전압 이하일 때, 상기 디스차지 인에이블 신호를 상기 제2 레벨로 출력하는, 스토리지 장치.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 플래그 생성 회로는,
    상기 펌프 인에이블 신호를 기초로 상기 비지 신호를 출력하는 제1 플립플롭과,
    상기 비지 신호를 기초로 상기 디스차지 인에이블 신호를 출력하는 제2 플립플롭과,
    상기 비지 신호를 기초로, 상기 제1 플립플롭의 출력과 상기 제2 플립플롭의 출력 중 어느 하나를 선택하는 멀티플렉서를 포함하는 스토리지 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제1 플립플롭은,
    상기 펌프 인에이블 신호가 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하는 것에 응답하여 상기 비지 신호를 출력하고,
    상기 제2 플립플롭은,
    상기 비지 신호의 레벨이 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하는 것에 응답하여 상기 디스차지 인에이블 신호를 출력하고,
    상기 멀티플렉서는,
    상기 비지 신호가 상기 제1 레벨인 경우, 상기 제1 플립플롭의 출력 신호를 선택하여 상기 플래그 신호로 출력하고, 상기 비지 신호가 상기 제2 레벨인 경우, 상기 제2 플립플롭의 출력 신호를 선택하여 상기 플래그 신호로 출력하는 스토리지 장치.
  9. 제1 및 제2 커맨드를 수신하고, 상기 제1 커맨드에 대응하는 제1 동작을 수행하는 비휘발성 메모리 장치;
    상기 비휘발성 메모리 장치로부터 상기 제1 동작을 수행함을 지시하는 비지 신호를 수신하고, 이를 기초로 플래그 신호를 출력하는 플래그 생성 회로; 및
    상기 제1 커맨드에 따른 동작 전압을 생성하는 전압 발생 회로를 포함하고,
    상기 비지 신호는 상기 비휘발성 메모리 장치가 상기 제1 동작을 수행하는 동안 제1 레벨이고,
    상기 플래그 신호는,
    상기 비지 신호가 상기 제1 레벨인 동안, 상기 제2 커맨드에 응답하여, 제2 레벨에서 상기 제1 레벨로 천이하는, 스토리지 장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 플래그 생성 회로는,
    상기 제2 커맨드에 응답하여, 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하는 제1 외부 신호와,
    상기 제2 커맨드에 응답하여, 상기 제2 레벨에서 상기 제1 레벨로 천이하는 제2 외부 신호를 수신하고,
    상기 플래그 신호는,
    상기 제1 외부 신호가 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하는 것에 응답하여 상기 제1 레벨로 출력되고,
    상기 제2 외부 신호가 상기 제2 레벨에서 상기 제1 레벨로 천이하는 것에 응답하여 상기 제1 레벨로 출력되는, 스토리지 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 플래그 생성 회로는,
    상기 제1 외부 신호를 기초로 상기 비지 신호를 출력하는 제1 플립플롭과,
    상기 제2 외부 신호를 기초로 상기 비지 신호를 출력하는 제2 플립플롭과,
    상기 제1 플립플롭의 출력과 상기 제2 플립플롭의 출력 중 적어도 하나 이상의 신호가 상기 제1 레벨인 경우, 상기 플래그 신호를 출력하는 OR 게이트를 포함하는, 스토리지 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 제1 플립플롭은,
    상기 제1 외부 신호가 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하는 것에 응답하여 상기 비지 신호를 출력하고,
    상기 제2 플립플롭은,
    상기 제2 외부 신호가 상기 제2 레벨에서 상기 제1 레벨로 천이하는 것에 응답하여 상기 비지 신호를 출력하는, 스토리지 장치.
  13. 스토리지 장치;
    상기 스토리지 장치에 제1 커맨드를 전송하는 프로세서를 포함하되,
    상기 스토리지 장치는,
    상기 제1 커맨드에 대응하는 제1 동작을 수행하는 동안 상기 스토리지 장치가 상기 제1 동작을 수행하고 있음을 지시하는 제1 레벨의 비지 신호를 상기 프로세서에 출력하고, 상기 제1 레벨의 상기 비지 신호를 상기 프로세서에 출력하는 동안, 상기 제1 동작의 신뢰성을 나타내는 플래그 신호를 상기 프로세서에 출력하는 메모리 시스템.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 스토리지 장치는,
    상기 제1 커맨드에 따른 동작 전압을 생성하고,
    상기 플래그 신호는,
    상기 비지 신호가 상기 제1 레벨인 동안, 상기 동작 전압이 제1 기준 전압 이상이 되는 것에 응답하여, 제2 레벨에서 상기 제1 레벨로 천이하는 메모리 시스템.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 스토리지 장치는,
    상기 제1 동작을 완료하면 상기 비지 신호를 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 변경하여 상기 프로세서에 출력하고,
    상기 플래그 신호는,
    상기 비지 신호가 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하는 것에 응답하여, 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하는 메모리 시스템.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 플래그 신호가 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하는 시점에서, 상기 동작 전압은 제2 기준 전압 이하인, 메모리 시스템.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 비지 신호가 상기 제1 레벨로 출력되는 동안 상기 플래그 신호가 상기 제1 레벨로 천이하지 않으면 상기 제1 커맨드를 다시 전송하거나, 상기 제1 동작의 수행 중단을 지시하는 안전 모드 커맨드를 전송하고,
    상기 비지 신호가 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하는 것에 응답하여, 상기 플래그 신호가 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하지 않으면 상기 제1 커맨드를 다시 전송하거나, 상기 안전 모드 커맨드를 전송하는, 메모리 시스템.
  18. 제 13항에 있어서,
    상기 프로세서는, 상기 제1 커맨드와 다른 제2 커맨드를 상기 스토리지 장치에 전송하고,
    상기 플래그 신호는,
    상기 비지 신호가 상기 제1 레벨로 출력되는 동안, 제2 커맨드에 응답하여, 제2 레벨에서 상기 제1 레벨로 천이하는 메모리 시스템.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 제2 커맨드는,
    상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하는 제1 외부 신호와,
    상기 제2 레벨에서 상기 제1 레벨로 천이하는 제2 외부 신호를 생성하고,
    상기 플래그 신호는,
    상기 제1 외부 신호가 상기 제1 레벨에서 상기 제2 레벨로 천이하는 것에 응답하여 상기 제1 레벨로 천이하고,
    상기 제2 외부 신호가 상기 제2 레벨에서 상기 제1 레벨로 천이하는 것에 응답하여 상기 제1 레벨로 천이하는, 메모리 시스템.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 프로세서는,
    상기 비지 신호가 상기 제1 레벨로 출력되는 동안, 상기 플래그 신호가 상기 제1 레벨로 천이하면, 상기 제1 커맨드를 다시 전송하거나, 상기 제1 동작의 수행 중단을 지시하는 안전 모드 커맨드를 전송하는 메모리 시스템.
KR1020210055754A 2021-04-29 2021-04-29 스토리지 장치 및 메모리 시스템 KR20220148551A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210055754A KR20220148551A (ko) 2021-04-29 2021-04-29 스토리지 장치 및 메모리 시스템
US17/535,930 US11954361B2 (en) 2021-04-29 2021-11-26 Storage device and memory system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210055754A KR20220148551A (ko) 2021-04-29 2021-04-29 스토리지 장치 및 메모리 시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220148551A true KR20220148551A (ko) 2022-11-07

Family

ID=83808395

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210055754A KR20220148551A (ko) 2021-04-29 2021-04-29 스토리지 장치 및 메모리 시스템

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11954361B2 (ko)
KR (1) KR20220148551A (ko)

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3563298B2 (ja) 1999-06-11 2004-09-08 株式会社 沖マイクロデザイン 電圧検出回路
US6166960A (en) * 1999-09-24 2000-12-26 Microchip Technology, Incorporated Method, system and apparatus for determining that a programming voltage level is sufficient for reliably programming an eeprom
JP4275993B2 (ja) 2003-06-06 2009-06-10 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体記憶装置
JP2005321939A (ja) 2004-05-07 2005-11-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 不揮発性メモリ保護回路
KR20050108588A (ko) 2004-05-12 2005-11-17 주식회사 케이이씨 이이피롬 회로용 고전압 발생기의 전위 검출 회로
US7187600B2 (en) 2004-09-22 2007-03-06 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for protecting an integrated circuit from erroneous operation
KR102084547B1 (ko) * 2013-01-18 2020-03-05 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 메모리 시스템, 및 그것의 외부 전원 제어 방법
KR20150008671A (ko) * 2013-07-15 2015-01-23 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
CN106898381B (zh) 2013-08-09 2020-12-15 慧荣科技股份有限公司 数据储存装置及其电压保护方法
CN111148547A (zh) 2017-07-18 2020-05-12 胜赛斯医疗有限责任公司 术中放射治疗中的实时x射线剂量测定
US10908817B2 (en) * 2017-12-08 2021-02-02 Sandisk Technologies Llc Signal reduction in a microcontroller architecture for non-volatile memory
JP2021174566A (ja) * 2020-04-27 2021-11-01 キオクシア株式会社 半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20220350534A1 (en) 2022-11-03
US11954361B2 (en) 2024-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11886754B2 (en) Apparatuses and methods for configuring I/Os of memory for hybrid memory modules
US9886378B2 (en) Nonvolatile memory system using control signals to transmit varied signals via data pins
US8582356B2 (en) Providing a ready-busy signal from a non-volatile memory device to a memory controller
US9570183B1 (en) Method and controller for managing memory device
US8555144B2 (en) Memory system, memory system controller, and a data processing method in a host apparatus
US20120089770A1 (en) Flash memory devices with high data transmission rates and memory systems including such flash memory devices
US9224445B2 (en) Semiconductor memory apparatus with main memory blocks and redundant memory blocks sharing a common global data line
US10546618B2 (en) Nonvolatile memory device, data storage device including the same and operating method thereof
US20190220220A1 (en) Data storage device, operating method thereof and nonvolatile memory device
US11780451B2 (en) Method for operating host device and memory device and vehicle comprising the host device and memory device
US10629275B2 (en) Data storage device and operating method thereof
KR20220148551A (ko) 스토리지 장치 및 메모리 시스템
US11593285B2 (en) Memory system
US11366736B2 (en) Memory system using SRAM with flag information to identify unmapped addresses
US10564896B2 (en) Data storage device and operating method thereof
CN111324297B (zh) 控制器、数据存储装置及数据存储装置的操作方法
US20190179749A1 (en) Memory system, operating method thereof and nonvolatile memory device
KR20200075565A (ko) 스마트 카 시스템
US11782467B2 (en) Abnormal voltage monitoring device, and storage and vehicle comprising the abnormal voltage monitoring device
US11815925B2 (en) Power source circuit, input and output circuit, semiconductor storage device, and power supply control method
US20230259277A1 (en) Memory system and control method thereof
CN110738750B (zh) 车载探测系统及其控制方法
US20220005513A1 (en) Data strobe clock output circuit
KR20230111002A (ko) 스토리지 장치 및 스토리지 장치를 포함하는 차량

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination