JP5072822B2 - バイオマス由来エポキシ化合物及びその製造方法 - Google Patents

バイオマス由来エポキシ化合物及びその製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、バイオマス由来エポキシ化合物及びその製造方法に関する。
地球温暖化を防止する材料として、カーボンニュートラルの観点から、植物性バイオマスの利用が期待されている。各種樹脂の分野でも、植物性バイオマスの利用が考えられている。これまでは、トウモロコシを原料とする熱可塑性のポリ乳酸を中心に実用化が進められてきた。
しかし、近年では、原料が食料と競合すること、耐熱温度が低いことなどから、利用が進んでいない。
そこで、食料と競合しない「非可食資源」を原料とし、且つ、耐熱性に優れた樹脂の開発がトレンドとなった。特に、国内に多く存在する木質廃棄物、即ち、未利用の樹木を原料とするバイオマス由来の樹脂化が期待されている。
具体的には、耐熱性に優れたポリフェノール骨格のリグニンなどを用いた、熱硬化性のバイオマス由来エポキシ化合物やこれを用いたエポキシ樹脂組成物が期待されている。
リグニンは、植物性バイオマスであり、プロピルフェノールを基本骨格とした強固なポリマである。リグニンには、樹木より取り出す方法により、アルカリリグニン、klasonリグニン、水蒸気爆砕リグニンなどがある。
又、植物性バイオマスの一つにリグノフェノールがある。リグノフェノールは、特許文献1に記載されているように、リグノセルロース系物質をリグノフェノール系物質と炭水化物とに分離する技術(三重大学の舩岡教授の開発した相分離システム)から生れたものである。相分離システムによりリグニンにフェノールが結合し、分子が線状になり、構造が均一化し、約130℃の明確な融点を示すリグノフェノールで、溶解性に優れたポリフェノール樹脂である。
エポキシ樹脂組成物の各種製品に適用するためには、エポキシ樹脂組成物の耐熱性や溶解性がまず要求される。溶解性は、特許文献2に記載されているように、有機溶媒に溶解し、樹脂ワニスを作製するために必要である。この樹脂ワニスを基材に含浸乾燥して成るプリプレグを作製する。このプリプレグを重ねて熱硬化させ、銅張積層板やモータの絶縁層を形成して製品化する。溶解性が十分でないエポキシ化合物を含む樹脂ワニスの場合、エポキシ化合物と硬化剤との配合比率が変化し、耐熱性や他の物性が低下する傾向にある。
従来のフェノール化合物のエポキシ化法においては、非特許文献1に記載されているように、フェノール化合物のエピクロルヒドリン溶液にアルカリ金属水溶液を加えて還流することにより、溶解性に優れたエポキシ化合物を得ていた。しかし、従来のエポキシ化法で、バイオマス由来フェノール化合物を用いた場合、得られたエポキシ化合物の溶解性が非常に低かった。
理由としては、非特許文献2に記載されているように、バイオマスが複雑な構造を有し、従来法で用いるアルカリ金属が、バイオマスの水酸基、カルボキシル基、カルボニル基、アルデヒド基、スチリル基などに作用し、バイオマスの解裂・再重合により分子量を増大させるため、得られたエポキシ化合物の溶解性が低下したと考えられる。
バイオマス由来エポキシ化合物としてリグニンを用いた場合については、特許文献3及び特許文献4に記載がある。
又、バイオマス由来エポキシ化合物としてリグノフェノールを用いた場合については、非特許文献3及び特許文献5に記載がある。
しかし、いずれの文献にも、バイオマス由来エポキシ化合物の分子量の増大を防止する方法や有機溶媒に対する溶解性については記載されていない。
特開平9−278904号公報 特開平9−235349号公報 特開2005−199209号公報 特開2006−066237号公報 特開2004−238539号公報 H.Lee AND K.Neville、"Handbook of Epoxy Resins"、McGraw−Hill、New York、1960 pp.2−3 「ウッドケミカルスの新展開」シーエムシー出版 2007 pp.53−56 「植物由来プラスチックの高機能化とリサイクル技術」サイエンス&テクノロジー社 2007 pp.129
エポキシ樹脂組成物は、エポキシ化合物と硬化剤と含む。
従来法では、バイオマスのリグニンやリグノフェノールをエポキシ化すると、分子量が増大し、有機溶媒に対する溶解性が大きく低下する問題があった。そのため、エポキシ樹脂組成物をワニス化することができず、バイオマス由来エポキシ樹脂組成物の製品への適用が困難であった。
そこで、発明者は、バイオマス由来エポキシ化合物の分子量を限定することにより、ワニス化を容易にする技術を鋭意検討してきた。しかし、この技術によっても、原料のバイオマスに対するバイオマス由来エポキシ化合物の収率が低いこと、バイオマス由来エポキシ化合物を製造する際のプロセス数が増加すること等の課題が残されていた。
本発明の目的は、溶解性及び耐熱性を両立するとともに、原料に対する収率が高く、製造プロセス数が少ないバイオマス由来エポキシ化合物を提供することにある。
又、本発明の目的は、このバイオマス由来エポキシ化合物を用いたワニス、接着剤、塗料などのエポキシ樹脂組成物、これらをプリプレグや絶縁層として用いた銅張積層板、及びこれらを用いたモータ製品等を提供することにある。
本発明のバイオマス由来エポキシ化合物は、重量平均分子量300〜10000のバイオマス由来化合物を原料とし、このバイオマス由来化合物をエポキシ化した後の重量平均分子量が600〜20000であり、且つ、ワニスを作製するための有機溶媒に溶解可能であることを特徴とする。
本発明によれば、溶解性及び耐熱性を両立するとともに、原料に対する収率が高く、製造プロセス数が少ないバイオマス由来エポキシ化合物を得ることができる。
本発明は、植物性バイオマス(バイオマス由来化合物)を原料とする、溶解性に優れたバイオマス由来エポキシ化合物に関し、これを用いた高耐熱性エポキシ樹脂組成物に関するものである。
従来法では、バイオマス由来化合物の原料としてリグニンやリグノフェノールを用い、これらをエポキシ化すると、原料の分子量(重量平均分子量)に対してバイオマス由来エポキシ化合物の分子量(重量平均分子量)が約10倍に増大するため、有機溶媒に対する溶解性が大きく低下する問題があった。このため、エポキシ樹脂組成物をワニス化することができず、バイオマス由来エポキシ樹脂組成物の製品への適用が困難であった。
また、従来法では、原料のエポキシ化の過程で重量平均分子量が約10倍となるため、バイオマス由来化合物のうち比較的分子量が高い成分を分離・除去し、バイオマス由来化合物のうち比較的分子量が低い成分のみを原料として利用していた。したがって、バイオマス由来化合物のうち原料として利用できる部分は、非常に限られていた。
本発明は、バイオマス由来エポキシ化合物の合成時に、原料とするバイオマス(バイオマス由来化合物)の重量平均分子量(以下、Mwと略称する)と、合成した(エポキシ化した)バイオマス由来エポキシ化合物の重量平均分子量(以下、Mw’と略称する)の比Mw’/Mwを2以下とすることを具体的な目標とし、バイオマス由来エポキシ化合物の合成法(製造方法)を検討したものである。
その際、製造プロセス数を増加させないようにするとともに、溶解性に優れたバイオマス由来エポキシ化合物を得ることを目標とした。
本発明の特徴は以下の通りである。
本発明のバイオマス由来エポキシ化合物は、バイオマス由来化合物を原料とし、このバイオマス由来化合物をエポキシ化した後の重量平均分子量Mw’が600〜20000であり、且つ、ワニスを作製するための有機溶媒に溶解可能であることを特徴とする。
バイオマス由来化合物は、リグニン、リグノフェノール、大豆油、ひまし油などを含む。
エポキシ化する前のMwの範囲は、300〜10000が好ましい。Mwが300より小さい場合、ヒドロキシ基(OH基)、アルデヒド基(CHO基)、カルボキシル基(COOH基)の数が不十分で耐熱性が低く、好ましくない。又、Mwが10000より大きい場合、エポキシ化した後のMw’が20000より大きくなり、溶解性が低下する(樹脂ワニスを作製するための有機溶媒に溶解しにくくなる)ため、好ましくない。
また、十分な耐熱性及び溶解性の観点から、Mw’の範囲は、1200より大きく、且つ、20000以下であることが更に好ましい。さらに、特に耐熱性を要求される場合には、Mw’の範囲を、12000より大きく、且つ、20000以下とすることが望ましい。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記のバイオマス由来エポキシ化合物と硬化剤とを含むことを特徴とする。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、上記の硬化剤がバイオマス由来化合物であることを特徴とする。
本発明のエポキシ樹脂ワニスは、上記のエポキシ樹脂組成物と、このエポキシ樹脂組成物を溶解するための有機溶媒とを含み、そのエポキシ樹脂組成物の濃度が10〜90重量%であることを特徴とする。
本発明のエポキシ樹脂ワニスは、上記の有機溶媒がアルコール類、ケトン類、芳香族類などであることを特徴とする。
本発明のエポキシ樹脂ワニスは、上記のアルコール類が2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、2−プロピロキシエタノール、2−ブトキシエタノールなどであり、上記のケトン類がメチルエチルケトン、イソブチルエチルケトン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、N、N−ジメチルホルムアミドなどであり、上記の芳香族類がトルエン、キシレンなどであることを特徴とする。
本発明のプリプレグは、上記のエポキシ樹脂ワニスを基材に含浸させ、乾燥して作製したことを特徴とする。
上記のプレプリグを用いて、プリント配線板、電子機器、回転電機等を作製することができる。
本発明のバイオマス由来エポキシ化合物の製造方法は、バイオマス化合物とエピクロルヒドリンとをアルカリ水溶液で反応させるバイオマス由来エポキシ化合物の製造方法であって、アルカリ水溶液のpHが13.5〜11.0であることを特徴とする。
本発明のバイオマス由来エポキシ化合物の製造方法は、上記のアルカリ水溶液が有機アンモニウム水溶液、アルカリ土類水溶液、炭酸塩水溶液であることを特徴とする。
上記の有機アンモニウム水溶液は、水酸化テトラアルキルアンモニウムを含む。そして、この水酸化テトラアルキルアンモニウムは、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム及び水酸化テトラブチルアンモニウムから選択される物質であり、このうちの一種又は二種以上を混合して用いてもよい。
上記の炭酸塩としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸カルシウムなどがある。
バイオマス硬化剤として、ヒドロキシ基(OH基)、アルデヒド基(CHO基)、カルボキシル基(COOH基)を有する化合物で、具体的には、水蒸気爆砕低分子リグニン、アルカリリグニン、Klasonリグニン、リグノフェノールなどがある。
エポキシ化する前のMwの範囲は、300〜10000が好ましい。Mwが300より小さい場合、OH基、CHO基、カルボキシル基の数が不十分で耐熱性が低く、好ましくない。又、Mwが10000より大きい場合、エポキシ化した場合、溶解性が低下するため、好ましくない。
十分な耐熱性及び溶解性の観点から、Mwの範囲は、1200より大きく、且つ、10000以下であることが更に好ましい。
ワニス中に未溶解物が存在すると、それがエポキシ樹脂組成物である場合、エポキシ化合物及び硬化剤の部分的な配合割合が化学量論比と異なるため、硬化物の耐熱性や、安定性や耐吸水性などが低下し、好ましくない。そのため、有機溶媒に溶解することが必須条件となる。
一方、石油由来のエポキシ化合物、石油由来の硬化剤は、化学構造が明確であり、これらを配合することにより、エポキシ樹脂組成物の物性制御を容易にすることが出来る。又、溶解性に優れている物質が多い。
本発明で用いられる石油由来のエポキシ化合物や硬化剤は、溶解性や耐熱性を有するものである。特に限定されないが、エポキシ化合物を具体的に挙げると、ビスフェノールA型、ビスフェノールFグリシジルエーテル型、ビスフェノールSグリシジルエーテル型、ビスフェノールADグリシジルエーテル型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、3、3’、5、5’−テトラメチル−4、4’−ジヒドロキシビフェニルグリシジルエーテル型などがある。これらは、エポキシ化合物としてNa、Clなどのイオン性物質が出来るだけ少ないものが好ましい。
また、本発明で用いられる石油由来の硬化剤には、線状構造のアミン、脂環式アミン、芳香族アミン、環状構造のアミン、変性アミン、酸無水物、無水マレイン酸、多価フェノール系硬化剤、ビスフェノール系硬化剤、ポリフェノール系硬化剤、ノボラック型フェノール系硬化剤、アルキレン変性フェノール硬化剤等がある。これらは単独でも二種類以上混合しても差し支えない。硬化剤には、Na、Clなどのイオン性物質はできるだけ少ないものが好ましい。
本発明で用いられる触媒は、本発明のエポキシ樹脂組成物に、一般的に使用されている公知の硬化促進剤を、単体或いは二種類以上を組み合わせて、必要に応じて配合することができる。この硬化促進剤としては、三級アミン化合物、イミダゾール類、有機スルフィン類、リン化合物、テトラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体等を挙げることができる。硬化促進剤の配合量は、硬化促進効果が達成される量であれば特に限定されない。
又、本発明のエポキシ樹脂組成物に、公知のカップリング剤を、単体或いは二種類以上を組み合わせて、必要に応じて配合することができる。このカップリング材としては、エポキシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン、アルキルシラン、有機チタネート、アルミニウムアルキレート等を挙げることができる。
又、難燃剤として、赤燐、燐酸、燐酸エステル、メラミン、メラミン誘導体、トリアジン環を有する化合物、シアヌル酸誘導体、イソシアヌル酸誘導体の窒素含有化合物、シクロホスファゼン等の燐窒素含有化合物、酸化亜鉛、酸化鉄、酸化モリブデン、フェロセン等の金属化合物、三酸化アンチモン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモン等の酸化アンチモン、ブロム化エポキシ樹脂等を、単独或いは二種類以上を組み合わせて配合することができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物には、一般的に用いられる無機充填材を混合してもよい。無機充填材は、吸湿性、熱伝導性及び強度の向上、熱膨張係数の低減のために配合されるものである。具体的には、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアライト、スピレル、ムライト、チタニア等の粉体、又、これらを球形化したビーズ、ガラス繊維等が挙げられる。
さらに、難燃効果のある無機充填剤としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、珪酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛などが挙げられる。これらの無機充填材は単体でも二種類以上組み合わせてもよい。
さらに、エポキシ樹脂組成物には、必要に応じて、他の樹脂を加えてもよいし、反応を促進するための触媒、難燃剤、レベリング剤、消泡剤等の添加剤を加えてもよい。
本発明のエポキシ樹脂組成物には、電子機器の耐湿性、高温放置特性(耐熱性)を向上させるためのイオントラッパー剤も配合することできる。イオントラッパー剤の種類に特に制限はなく、公知の物質を使用できる。具体的には、ハイドロタルサイト類、マグネシウム、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ビスマス等の元素の含水酸化物などが挙げられる。単体でも二種類以上組み合わせてもよい。
さらに、本発明のエポキシ樹脂組成物には、その他の添加物として、シリコーンゴム粉末等の応力緩和剤、染料、カーボンブラック等の着色剤、レベリング剤、消泡剤等を必要に応じて配合することできる。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、混合した構成要素(材料)を均一に分散混合できる手段であれば、いかなる手段を用いて混合してもよい。一般的には、所定量を秤量した後、ボールミル、三本ロールミル、真空雷潰機、ポットミル、ハイブリッドミキサー等を用いて分散混合を行う。
本発明に用いるバイオマス由来エポキシ化合物を成分とするエポキシ樹脂組成物は、溶解性や耐熱性に優れているため、これらを用いた製品の信頼性を大幅に向上させることができる。
銅張積層板の作製に当たっても、エポキシ樹脂組成物ワニスをガラスクロスに含浸させる工程が不可欠なため、エポキシ樹脂組成物を溶媒(有機溶媒)に溶解させる必要がある。
又、本発明で用いるエポキシ樹脂組成物は、加熱成形時に優れた成形性を有する。例えば、フリップチップ実装したボールグリッドアレイ(FC−BGA)の隙間(100μmギャップ)にエポキシ樹脂組成物を含む封止材をキャピラリーフロー法で封入した場合、成形性が劣ると、チップのコーナー端部への充填不良や気泡の巻き込みが発生し、半導体装置の信頼性低下に繋がる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いる製品としては、以下のものが挙げられる。プリプレグを用いた銅張積層板、これを内蔵する各種コンピュータ及び携帯電話、並びにコイル部をプリプレグで絶縁した各種モータ、このモータを搭載する産業用ロボット及び回転機などである。また、本発明の封止材で素子を封止したチップサイスパッケージ、上記バイオマス由来エポキシ樹脂組成物を用いた接着剤及び塗料などである。
以下、本発明の実施例について具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に特に限定されるものではない。
実施例で用いた供試材料を示す。以下、商品名又は略号で示す。
低分子リグニン:杉リグニンを原料とするMw1500(水酸基当量400g/eq) リグノフェノール:Mw4400(水酸基当量:160g/eq)東洋樹脂(株)製 HP850:日立化成工業(株)製、o−クレゾールノボラック樹脂(エポキシ当量106g/eq) P−200:イミダゾール系硬化触媒(ジャパンエポキシレジン(株)製) KBM403:カップリング剤(信越化学工業(株)製、γ−グリドキシドプロピルトリメトキシシラン) JER828:ジャパンエポキシレジン(株)製(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量190g/eq) RE404S:日本化薬(株)製(ビスフェノールF型エポキシ樹脂、エポキシ当量165g/eq)
カヤハードAA:4、4’−メチレンビス(2−エチルアニリン)(日本化薬(株)製)
MHAC−P:メチル−3、6−エンドメチレン−1、2、3、6−テトラヒドロ無水フタル酸(日立化成工業(株)製)mw178 以下において、各評価法を説明する。
(評価法)
(a)溶解性
エポキシ化バイオマス(バイオマス由来エポキシ化合物)の溶解性は、2−メトキシエタノール及びメチルエチルケトンの混合溶媒(重量比:等重量)に対する濃度50wt%における溶解性を目視法により評価した。この場合に、○は完全溶解であり、×は一部溶解しないという意味である。
(b)重量平均分子量
重量平均分子量(ポリスチレン換算値)は、検出器に日立化成工業(株)製のL−4000型(UV検出器270nm)を用いて測定した。測定条件は次の通りである。
カラム:Gelpak GL−S300MDT−5×2、カラム温度:30℃、流量:1.0mL/分、溶離液:DMF/THF=1/1(l)+リン酸0.06M+LiBr0.06M。ここで、DMFはN、N−ジメチルホルムアミドであり、THFはテトラヒドロフランである。
(c)エポキシ当量
JIS K 7236(塩酸ピリジン法)に準拠して測定した。
(d)水酸基当量
JIS K 6755に準拠して測定した。
(e)エポキシ化の確認。
溶媒に重水素化ジメチルスルホキシドを用いて合成品のH−NMRを測定し、2.6ppm及び2.8ppmから、導入したエポキシ基のプロトンを確認した。また、FT−IRにより、910cm−1の吸収からエポキシ基を確認した。
(f)ガラス転移温度(Tg)
Tgは表1に示す各実施例、比較例の組成物を室温〜250℃で1時間硬化させて100μmのフィルムを得、DMA装置でE’及びE’’を測定(昇温速度5℃/min)し、その比であるtanδのピーク温度から求めた。
(g)せん断強度
ネガ型の感光性ポリイミド(日立化成デュポンマイクロシステムズ(株)製、PL−H708型)基板上に4mm×4mm×1mmtの当該エポキシ樹脂硬化物ブロックを有するサンプルを作製し、万能ボンドテスター(テイジ社製、PC2400型)を用いて、感光性ポリイミド及びエポキシ樹脂硬化物間のせん断接着強度を測定し、接着性を評価した。せん断ツールを感光性ポリイミド上50μmの高さに固定し、ツール速度300μm/secでせん断強度を評価した。
(h)はんだ耐熱性
銅張積層板のはんだ耐熱性はJIS C 6481に準拠して測定した。50mmの銅張積層板をこの規格に従って、銅をエッチングし、煮沸蒸留水中に1時間入れ、吸水させたものを260℃のはんだ槽に3分含浸させて、剥離の有無を調べた。
(i)体積低効率はJIS C 6481に準拠して、25℃の条件で測定した。
(j)銅ピール強度はJIS C 6481に従って測定した。
以下、実施例について説明する。
(実施例1)
攪拌羽根、冷却管及び温度計の付した2L(リットル)用の四ツ口フラスコに、低分子リグニン100g及び10%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液300gを加え、30分攪拌して溶解した。
さらに、エピクロルヒドリン300gを加え、オイルバスにより120℃に加熱して1時間還流した。そして、液を室温まで冷却後、分液ロートに移し、純水で油層が中性になるまで洗浄した。
水を除去した後、20%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液50gを加え、120℃で1時間還流し、水洗した。
これをロータリエバポレーターでエピクロルヒドリン、水及び副生成物を8割程蒸発させて除去し、2Lのエチルアルコールに投入し、白色沈殿物を得た。
ここでは、エチルアルコールを使用したが、これに限定されるものではなく、他のアルコール、例えば、メチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール、ペンチルアルコール、ヘキシルアルコールなどでもよい。
ろ過後、真空乾燥して、エポキシ化した低分子リグニンEL1を得た。
EL1は、H−NMRにより2.6ppm及び2.8ppmのピークを得、又、FT−IRにより914cm−1の吸収を得たことから、リグニンへのエポキシ基の導入(付加)を確認した。
本実施例における収量は106gであり、Mw’は2800であった。また、等重量の2MOE(2−メトキシエタノール)によく溶解した。水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液のpHは12.9である。ここで、pHは水素イオン濃度である。
(実施例2)
pH=12.6である水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液を用いて実施例1に示す方法でエポキシ化した低分子リグニンEL2を合成した。収量は104gであり、Mw’は2590であった。また、2MOEに溶解した。H−NMR及びFT−IRからエポキシ基の導入を確認した。
(実施例3)
pH=11.6である炭酸カリウムを用いて実施例1に準拠してエポキシ化した低分子リグニンEL3を合成した。収量は110gであり、Mw’は2900であった。また、2MOEに溶解した。H−NMR及びFT−IRからエポキシ基の導入を確認した。
(実施例4)
リグノフェノールと、pH=11.8である炭酸カルシウムを用いて実施例1に準拠してエポキシ化したリグノフェノールELP1を合成した。収量は102gであり、Mw’は7600であった。また、2MOEに溶解した。H−NMR及びFT−IRからエポキシ基の導入を確認した。
(比較例1)
攪拌羽根、冷却管及び温度計の付した2L用の四ツ口フラスコに低分子リグニン100g及び10%苛性ソーダ水溶液300gを加え、30分攪拌して溶解した。
さらに、エピクロルヒドリン300gを加え、92℃で1時間還流した。
そして、液を室温まで冷却後、分液ロートに移し、純水で油層が中性になるまで洗浄した。水を除去後、10%苛性ソーダ水溶液30gを加え、92℃で、1時間反応させた後、還流し、水洗した。この液からエピクロルヒドリン、水及び副生成物を8割程度除去し、2Lのエタノール中に投入し、白色沈殿物を得た。
これをろ過した後、真空乾燥して、エポキシ化したリグニンELh1を得た。ELh1はH−NMR及びFT−IRからエポキシ基の導入を確認した。収量は106gであったが、GPC測定用の溶媒であるテトラヒドロフランやN、N−ジメチルホルムアミドにELh1が溶解しないため、Mw’は測定できなかった。2MOEにも溶解しなかった。苛性ソーダのpHは14.0である。
(比較例2)
エポキシ基導入の反応条件を45℃、95mmHgで0.5時間という条件に変えたこと以外は、比較例1と同じ条件でエポキシ化を行い、エポキシ化リグニンELh2を得た。ELh2はH−NMR及びFT−IRによりエポキシ基の導入を確認した。ELh2の収量105gであったが、テトラヒドロフランやN、N−ジメチルホルムアミドにELh2が溶解しないため、Mw’は測定できなかった。2MOEにも溶解しなかった。
(比較例3)
バイオマス化合物にリグノフェノールを用いた以外は、比較例2と同じ条件でエポキシ化を行いエポキシ化したリグノフェノールELPh3を得た。ELPh3はH−NMR及びFT−IRによりエポキシ基の導入を確認した。ELPh3の収量は106gであったが、テトラヒドロフランやN、N−ジメチルホルムアミドにELPh3が溶解しないため、Mw’は測定できなかった。2MOEにも溶解しなかった。
(比較例4)
低分子リグニン及びpH=10.9の炭酸ナトリウムを用い、反応条件を92℃で2時間として、比較例1に準拠してエポキシ化したリグニンELh4を得た。収量は106gであり、Mw’は1600であった。ELh4は2MOEに溶解したが、H−NMR及びFT−IRによりエポキシ基の導入を確認することはできなかった。
実施例1〜4及び比較例1〜4から、低分子リグニン及びリグノフェノールの場合は、アルカリ水溶液のpHが13.5〜11.0の場合に、エポキシ化合物のMw’が原料Mwの2倍以内となる。したがって、分子量の増加が少なく、溶解性に優れている。
比較例1〜4の場合、アルカリ水溶液としてpH14.0の苛性ソーダを用いており、H−NMR及びFT−IRから、得られた物質のエポキシ化は確認されたが、得られた物質がN、N−ジメチルホルムアミドやテトラヒドロフランに溶解しないため、Mw’を測定することはできなかった。反応の過程で高分子量化するとともに、架橋反応も一部起こったためと考える。
弱アルカリ性のpH10.9の炭酸ナトリウムを用いた場合は、溶解性は良好だが、H−NMRからエポキシ基の導入は確認できなかった。
次に、得られた物質のワニス化、このワニスを用いた銅張積層板の作製及びその特性評価を行った。
(実施例5〜11) (エポキシ樹脂組成物ワニスを用いた銅張積層板の特性) 実施例1で得たMw’2800のエポキシ化したリグニンEL1(エポキシ当量395g/eq)に、低分子リグニンを硬化剤として化学量論量加えた後、P−200(触媒)をエポキシ樹脂組成物の0.5wt%、2−メトキシエタノール及びメチルエチルケトンの等重量の混合溶媒を樹脂分濃度50wt%になるように加えて混合し、エポキシ樹脂組成物ワニスを得た。これを実施例5とした。
実施例6〜11においては、上記の混合方法に準拠して、それぞれのエポキシ化合物、硬化剤等を混合してワニスを得た。エポキシ化合物、硬化剤及び硬化触媒はそれぞれ、表1に示すものを使用した。また、有機溶媒は、上記の混合溶媒を使用した。
厚さ100μmのガラスクロス(30cm角)にエポキシ樹脂組成物ワニスに含浸させ、130℃で8分間温風乾燥機内において、エポキシ樹脂組成物を中間硬化状態(Bステージと呼ばれる)にし、べとつかないプリプレグを6枚得た。この6枚を重ね、さらに、上下に厚さ35μmの銅箔を重ねて、真空プレスで220℃まで加熱(昇温速度6℃/分)し、更に完全に硬化(220℃で1時間)した状態(Cステージ)の欠陥のない銅張積層板を得た。
実施例5〜11で得た銅張積層板の特性を組成と共に表1に示す。表中、「828」とあるのは、「JER828」の略である。
(比較例5)
表1に併記する比較例5は、ワニス化できないため、ピール強度が小さく、はんだ耐熱性評価で剥離した。
Figure 0005072822
(実施例12)
(樹脂封止材) 三本ロールミル及び真空らい潰機を用いてエポキシ樹脂組成物を混錬し、樹脂封止材を作製した。組成は次の通りである。
RE404S(ビスフェノールF型エポキシ樹脂、日本化薬(株)製、エポキシ当量165g/eq)45g、EL1(55g)及びリグニン120gを混合し、触媒P−200をエポキシ樹脂組成物の0.5wt%とカップリング材KBM403を2wt%加えた。
さらに、イオントラッパーをIWE500(東亜合成(株)製)を1.0wt%を加え、エポキシ樹脂組成物Aを得た。
また、高純度球状フィラー3種類を混合して上記エポキシ樹脂組成物Aに対して50vol%配合し、樹脂封止材Aを得た。3種類の高純度球状フィラーは、SP−4B(扶桑化学(株)製、平均粒径5.1μm)、QS4F2(三菱レイヨン(株)製、平均粒径4.6μm)、SO25R((株)龍森製、平均粒径0.68μm)である。
樹脂封止材AのTgは180℃であり、せん断強度は8.8MPaであった。
RE404S(55g)及びMHAC−P(59g)の組成で、樹脂封止材Aに準拠して樹脂封止材Bを作製した。
その結果、樹脂封止材BのTgは170℃であり、せん断強度は3.8MPaであった。これはバイオマス化合物の特徴である硬化物に水酸基が多いためと考える。
樹脂封止材Aを図1に示すフリップチップ型ボールグリッドアレイ(FC−BGA)に適用した。
本図において、1は配線回路基板、2は金メッキ、3は金バンプ(半田バンプ)、4は半導体素子、5は半田ボール、6は樹脂封止材をそれぞれ示す。配線回路基板1の金メッキ2と半導体素子4とは、金バンプ3を用いて接続される。配線回路基板1と半導体素子4との間のギャップに樹脂封止材6を塗布してキャピラリーフロー法で加熱(180℃)で封止した。このギャップは100μm、バンプピッチ(金バンプ3のピッチ)は150μmである。
このようにして、樹脂封止材AがFC−BGAに適用できることを確認した。
以上、実施例と比較例とを比較すると、本発明のバイオマス由来エポキシ樹脂は、高Tg(耐熱性)と溶解性とを両立する。せん断強度を比較すると、従来例に比べて高い値を示す特徴がある。
本発明によるボールグリッドアレイの実施例を示す模式断面図である。
符号の説明
1:配線回路基板、2:金メッキ、3:金バンプ、4:半導体素子、5:半田ボール、6:樹脂封止材。

Claims (2)

  1. 重量平均分子量300〜10000のバイオマス由来化合物を原料とし、このバイオマス由来化合物をエポキシ化した後の重量平均分子量が600〜20000であり、且つ、ワニスを作製するための有機溶媒に溶解可能であるバイオマス由来エポキシ化合物の製造方法であって、原料である前記バイオマス由来化合物をアルカリ水溶液に溶解する工程と、この溶液にエピクロルヒドリン加えて加熱する工程と、このエピクロルヒドリンを蒸発させて除去した後、前記バイオマス由来エポキシ化合物の沈殿を生じさせる工程とを含前記バイオマス由来化合物がリグニン又はリグノフェノールであり、前記アルカリ水溶液のpHが13.5〜11.0であることを特徴とするバイオマス由来エポキシ化合物の製造方法。
  2. 前記アルカリ水溶液が、有機アンモニウム水溶液、アルカリ土類水溶液、炭酸塩水溶液であることを特徴とする請求項記載のバイオマス由来エポキシ化合物の製造方法。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5244728B2 (ja) 2009-07-28 2013-07-24 株式会社日立製作所 バイオマス由来エポキシ樹脂組成物
CN102558507B (zh) * 2010-12-14 2013-12-25 财团法人工业技术研究院 生质环氧树脂的原料及生质环氧树脂的制备方法
TWI487780B (zh) * 2012-05-03 2015-06-11 Ind Tech Res Inst 難燃積層板
BR112016006675B1 (pt) * 2013-09-27 2022-05-31 Stora Enso Oyj Uma composição compreendendo lignina e composto epóxi para revestimento e método para fabricar a mesma e uso da mesma
DE102013219718A1 (de) * 2013-09-30 2015-04-02 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Härtbare Harzzusammensetzung, Faserverbundmaterial, Kit zur Herstellung einer härtbaren Harzzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines gehärteten Harzes sowie eines Faserverbundwerkstoffes
TWI499634B (zh) * 2013-12-27 2015-09-11 Ind Tech Res Inst 防焊組合物、及其固化產物
US9932495B2 (en) 2014-04-25 2018-04-03 Empire Technology Development Llc Lignin derived photo-responsive coatings
CN106398615A (zh) * 2016-08-31 2017-02-15 苏州市凌云工艺扇厂 一种耐水扇用胶黏剂及其制备方法
JP6920317B2 (ja) * 2016-09-09 2021-08-18 出光興産株式会社 リグニン含有樹脂組成物の製造方法及びリグニン含有樹脂成形品
FR3074798B1 (fr) 2017-12-11 2019-11-15 Saint-Gobain Isover Produit isolant comprenant des fibres minerales et un liant

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3984363A (en) * 1973-12-14 1976-10-05 Alelio Gaetano F D Polymerizable lignin derivatives
US4001202A (en) * 1975-10-17 1977-01-04 Westvaco Corporation Process for making sulfonated lignin surfactants
US4918167A (en) * 1988-04-19 1990-04-17 Center For Innovative Technology Method of producing prepolymers from hydroxyalkyl lignin derivatives
EP0855427B1 (en) * 1995-12-04 2006-10-04 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Aqueous dispersion composition
JP3265984B2 (ja) 1995-12-26 2002-03-18 松下電工株式会社 エポキシ樹脂組成物、この樹脂組成物を用いたプリプレグ、及びこのプリプレグを用いた積層板
JP3299110B2 (ja) 1996-04-15 2002-07-08 正光 船岡 リグノフェノール系成形体、その製造方法、リグノフェノール系成形体の処理方法
JP2002151530A (ja) * 2000-11-13 2002-05-24 Toray Ind Inc 半導体装置の製造方法およびその製造方法で得られる半導体装置
JP4015035B2 (ja) 2003-02-06 2007-11-28 岐阜県 吸水材料及びその製造方法
JP2005199209A (ja) 2004-01-16 2005-07-28 Kanazawa Univ Tlo Inc 汚染土壌のファイトレメディエーションと有用資源化方法
JP4561242B2 (ja) 2004-08-27 2010-10-13 株式会社明電舎 絶縁性高分子材料組成物
CN100363398C (zh) * 2004-12-03 2008-01-23 福州大学 高沸醇木质素环氧树脂的制备方法
US20100006214A1 (en) * 2006-10-02 2010-01-14 Ftex Incorporated Method for production of transparent, heat-resistant, oil-resistant laminate name plate comprising polyethylene terephthalate
JP5315606B2 (ja) * 2006-12-01 2013-10-16 株式会社明電舎 絶縁性高分子材料組成物
JP2009263549A (ja) * 2008-04-28 2009-11-12 Hitachi Ltd 植物由来のエポキシ樹脂組成物及びそれを用いた各種機器
JP5396747B2 (ja) * 2008-06-02 2014-01-22 住友ベークライト株式会社 プリプレグ及びそれを用いた基板
JP2009292884A (ja) * 2008-06-03 2009-12-17 Hitachi Ltd リグノフェノール系エポキシ樹脂組成物

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