JP5050329B2 - トレンチ構造半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 267
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 223
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 116
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 70
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 55
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 33
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 33
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 10
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 46
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 1
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
- H01L29/7396—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions
- H01L29/7397—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT with a non planar surface, e.g. with a non planar gate or with a trench or recess or pillar in the surface of the emitter, base or collector region for improving current density or short circuiting the emitter and base regions and a gate structure lying on a slanted or vertical surface or formed in a groove, e.g. trench gate IGBT
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0692—Surface layout
- H01L29/0696—Surface layout of cellular field-effect devices, e.g. multicellular DMOS transistors or IGBTs
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/404—Multiple field plate structures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/407—Recessed field plates, e.g. trench field plates, buried field plates
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Description
(1) 半導体基板の中央部分にスイッチング素子を構成するためのトレンチを有する場合には、このトレンチが比較的深く形成されるので、ガードリング構造の場合には、半導体基板にガードリング領域も深く形成されることが要求される。ガードリング領域は導電型決定用不純物の拡散によって形成されるので、不純物は半導体基板の厚み方向のみでなく横方向にも拡散し、ガードリング領域の幅が必然的に広くなり、結局、半導体チップ及び半導体装置のサイズが大きくなる。これに対し、特許文献1に開示されている半導体基板の外周部分に耐圧改善トレンチを設ける場合には、異方性エッチング等の周知の技術によってガードリング領域よりも幅の狭い耐圧改善トレンチを形成することができ、半導体チップ及び半導体装置のサイズが小さくなる。
(2) 不純物の拡散で形成されたガードリング領域は、断面形状において半円状又は楕円状になり、ガードリング領域の最も深い部分(先端部分)と半導体基板の中央部分のスイッチ素子用のトレンチとの間の距離が長くなり、この距離の長い部分に空乏層が形成されず、電界集中の緩和効果を良好に得ることができない。これに対して、特許文献1に開示されている半導体基板の外周部分に耐圧改善トレンチを設ける場合には、断面形状において耐圧改善トレンチの側壁を垂直又はこれに近い状態に形成することができ、耐圧改善トレンチの先端近傍に良好に空乏を形成することができ、電界集中の緩和を良好に達成できる。
(3) 深いガードリング領域を不純物拡散で形成する場合には、半導体基板が比較的長い時間高温状態に保たれるので、例えばIGBTのn型バッファ領域のn型不純物がn-型ベース領域へ拡散し、n-型ベース領域の不純物濃度が目標よりも高くなり、n-型ベース領域に空乏層が広がり難くなり、目標通りの耐圧が得られなくなる。これに対し、特許文献1に開示されているようにガードリング領域の代りに耐圧改善トレンチを設け、この中に絶縁膜と導電体とを設ける場合には、加熱処理の時間が短いので、不純物の不要な拡散が少なくなり、目標に近い耐圧を得ることができる。
互いに対向する一方の主面と他方の主面とを有し、且つ前記一方の主面の中央部分から前記他方の主面に向かって延びている第1のトレンチと、前記一方の主面の中央部分を囲む外周部分から前記他方の主面に向かって延びており且つ前記中央部分を連続的又は非連続的に環状に囲んでいる複数の第2のトレンチとを有している半導体基板と、
前記第1及び第2のトレンチの先端側の一部を囲むように前記半導体基板の中に配置され且つ第1導電型を有している第1の半導体領域と、
前記半導体基板の前記一方の主面の前記中央部分と前記第1の半導体領域との間に形成され且つ前記第1のトレンチを囲むように配置され且つ前記第1のトレンチよりも浅い深さを有し且つ前記第1導電型と反対の第2導電型を有している第2の半導体領域と、
前記半導体基板の前記一方の主面の前記外周部分と前記第1の半導体領域との間に配置され且つ前記第2のトレンチよりも浅い深さを有し且つ前記半導体基板の外周端よりも内側に配置され且つ第2導電型を有している耐圧改善半導体領域と、
前記第1のトレンチの壁面に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1のトレンチの中に配置され且つ前記第1の絶縁膜を介して前記第1のトレンチの壁面に対向している第1のトレンチ導電体と、
前記複数の第2のトレンチの壁面にそれぞれ配置された複数の第2の絶縁膜と、
前記複数の第2のトレンチの中にそれぞれ配置され且つそれぞれの第2の絶縁膜を介して前記複数の第2のトレンチの壁面にそれぞれ対向している複数の第2のトレンチ導電体と、
前記第2の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して接続された第1の主電極と、
前記第1の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して接続された第2の主電極と、
前記半導体基板の前記一方の主面の前記外周部分の上に配置された誘電体層と、
互いに隣り合う2つの前記第2のトレンチ導電体に対して前記誘電体層を介して容量結合されていると共に前記誘電体層を介して前記耐圧改善半導体領域に対しても容量結合されている複数の容量結合導電体層と、
を備え、
前記複数の第2のトレンチ導電体のそれぞれは、前記第2のトレンチの中に配置されている挿入部分と、前記挿入部分に結合され且つ前記半導体基板の前記一方の主面上に突出し且つ前記挿入部分よりも広い幅の頂面を有している延長部分とを備え、前記第2のトレンチ導電体の前記延長部分は前記誘電体に埋設されていることを特徴とするトレンチ構造半導体装置に係わるものである。
また、請求項3に示すように、更に、前記半導体基板の前記一方の主面の前記複数の第2のトレンチよりも外側において前記第1の半導体領域に電気的に接続された外周導電体を有し、前記複数の第2のトレンチ導電体の内で最も外側の第2のトレンチ導電体は前記外周導電体に前記誘電体を介して容量結合する延長部分を有し、前記延長部分の一部が平面的に見て前記外周導電体に対して重なっていることが望ましい。
また、請求項4及び図12に示すように、複数の第2のトレンチ導電体にそれぞれ連結され且つ複数の第2のトレンチ導電体の相互間を容量結合するために半導体基板の一方の主面から断面形状T字状に突出している複数の容量結合導電体を設け、請求項1で示した独立した容量結合導電体を省くができる。請求項4の容量結合導電体は断面形状T字状であるので、第2のトレンチ導電体の相互間の容量結合を良好に達成することができる。
また、請求項5に示すように、更に、第3の半導体領域と制御端子とを有し、前記第3の半導体領域は前記第2の半導体領域の中に形成され且つ前記第1のトレンチに隣接配置され且つ前記第1の主電極に接続され、前記制御端子は前記第1のトレンチ導電体に接続されていることが望ましい。
また、請求項6に示すように、更に、前記第1の半導体領域と前記半導体基板の前記他方の主面との間に第2の導電型を有している第4の半導体領域を備えていることが望ましい。
また、請求項7に示すように、本発明のトレンチ構造半導体装置の製造方法は、
互いに対向している一方の主面と他方の主面とを有し、且つ少なくとも、第1導電型の第1の半導体領域と前記第1の半導体領域に隣接配置され且つ前記一方の主面と前記第1の半導体領域との間に配置され且つその外周縁が前記一方の主面に露出し且つ第2導電型を有している第2の半導体領域とを含んでいる半導体基板を用意する工程と、
所望の素子を形成するために前記半導体基板の前記一方の主面の中央部分から前記第2の半導体領域を貫通して前記第1の半導体領域の途中まで伸びている第1のトレンチを形成する工程と、
前記半導体基板の前記一方の主面における前記中央部分を囲む外周部分から前記第2の半導体領域を貫通して前記第1の半導体領域の途中まで伸びており、且つ平面的に見て前記中央部分を連続的又は断続的に囲んでおり、且つ前記半導体基板の前記一方の主面の前記中央部分と外周端との間に所定の間隔を有して順次に配置されている複数の第2のトレンチを前記第1のトレンチと同時又は別に形成する工程と、
前記第1のトレンチの壁面に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の形成と同時又は別に、前記複数の第2のトレンチ壁面に第2の絶縁膜をそれぞれ形成する工程と、
前記第2の絶縁膜の形成と同時又は別に、前記半導体基板の前記一方の主面の前記第2のトレンチを囲む領域に第1の誘電体層を形成する工程と、
前記第1のトレンチの中に第1のトレンチ導電体を形成する工程と、
前記第1のトレンチ導電体の形成と同時又は別に、前記複数の第2のトレンチの中に第2のトレンチ導電体をそれぞれ形成する工程と、
前記半導体基板の前記一方の主面の前記外周部分及び前記複数の第2のトレンチ導電体のそれぞれの上に誘電体層を形成する工程と、
互いに隣り合う2つの前記第2のトレンチ導電体に対して前記誘電体層を介して容量結合されていると共に前記誘電体層を介して前記耐圧改善半導体領域に対しても容量結合されている複数の容量結合導電体層を前記誘電体層の上に形成する工程と、
前記第2の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して接続された第1の主電極を形成する工程と、
前記第1の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して接続された第2の主電極を形成する工程と
を備え、
前記複数の第2のトレンチ導電体の内で最も前記第1の主電極に近い第2のトレンチ導電体に、前記第1の主電極に前記誘電体層を介して容量結合する延長部分を設け、該延長部分の一部を平面的に見て前記第1の主電極に対して重なる位置に形成することが望ましい。
n型バッファ領域12は、n- 型ベース領域8とp+型コレクタ領域11との間に配置されている。
n+型チャネルストッパ領域13は、半導体基板1の外周端に沿って環状に形成され且つ一方の主面2とn-型ベース領域8との間に配置されている。このn+型チャネルストッパ領域13はn-型ベース領域8よりも高いn型不純物濃度を有し、第4の耐圧改善半導体領域17をp型不純物の拡散で形成する時にp型不純物が半導体基板1の端まで拡散して第4の耐圧改善半導体領域17が半導体基板1の端まで形成されることを防ぐ働きを有する。従って、n+型チャネルストッパ領域13はp型ベース領域9よりも深い深さを有することが望ましい。なお、図1では半導体基板1の一方の表面2において、第4の耐圧改善半導体領域17とn+型チャネルストッパ領域13との間にn-型ベース領域8の一部が露出しているが、n-型ベース領域8を半導体基板1の一方の表面2に露出させないように第4の耐圧改善半導体領域17を形成することができる。即ち、第4の耐圧改善半導体領域17をn+型チャネルストッパ領域13に接触させることができる。n+型チャネルストッパ領域13はn-型ベース領域8と同一の導電型を有するので、n+型チャネルストッパ領域13とn-型ベース領域8との両方を本発明の第1の半導体領域と呼ぶこともできる。
n+型チャネルストッパ領域13に接続された外周導電体としての環状のチャネルストッパ導電体層32が設けられている。
ところで、第2のトレンチ導電体27は第2の絶縁膜26を介してn-型ベース領域8に対向して、フィールドプレートとして機能している。第2のトレンチ導電体27とn-型ベース領域8との間の電位差がエミッタ電極21に最も近い第2のトレンチ導電体27からチャネルストッパ導電体層32に最も近い第2のトレンチ導電体27に向って徐々に低下すると、図1で破線で示すIGBTがオフ状態の時の空乏層36の変化が半導体基板1の外周部分6で緩くなり、電界集中を抑制することができる。
なお、第1のトレンチ5は、図5に示すn+ 型半導体領域10′の一部を除去するように形成する。これにより、図1に示すように第1のトレンチ5に隣接したn+型エミッタ領域10が得られる。この実施例では第1及び第2のトレンチ5、7を同時に形成したが、勿論、別の工程で形成することもできる。
図1の実施例では、第1のトレンチ5を満杯にしないように第1のトレンチ導電体19が形成され、第1のトレンチ5の上部に絶縁層22が配置されている。第1のトレンチ導電体19はp型ベース領域9のみでなくn+型エミッタ領域10及びn-型ベース領域8の一部にも対向している。
第2のトレンチ導電体27は、図6(C)に示すように第2のトレンチ7に挿入されている挿入部分27aの他にT字状延長部分27bを有する。延長部分27bは、第2のトレンチ7の中のみでなく第1の絶縁層28の上にも形成されたポリシリコン層を所望パターンに選択的エッチングすることによって得る。
次に、第2の絶縁層30の上に金属等の導電材料を被着させ、これを所望パターンにエッチングすることによって複数の容量結合導電体層29を形成する。この容量結合導電体層29の形成と同時に、図4に示すエミッタ電極21の鍔状突出部21a及びチャネルストッパ導電体層32の突出部32aを形成する。即ち、容量結合導電体層29を形成する工程の前に、エミッタ電極21の鍔状突出部21aを含む頂部よりも下の部分、及びチャネルストッパ導電体層32の突出部32aを含む頂部よりも下の部分を予め形成し、しかる後に、エミッタ電極21の下の部分及びチャネルストッパ導電体層32の下の部分と第2の絶縁層30との上に導電体層を形成し、この導電体層を所定パターンにエッチングすることによってエミッタ電極21の鍔状突出部21a、チャネルストッパ導電体層32の突出部32a及び容量結合導電体層29を同時に形成する。また、エミッタ電極21及びチャネルストッパ導電体層32の形成工程と同時又は別の工程で、エミッタ電極21に接続されたエミッタ端子23及び第1のトレンチ導電体19に接続されたゲート端子20を形成する。
型ベース領域8側に広がった空乏層36を理想パターンに近づけることができる。
第2のトレンチ7及び第2のトレンチ導電体27は、第1のトレンチ5及び第1のトレンチ導電体19と同一又はほぼ同一の深さ(長さ)を有するので、第1のトレンチ5の近傍の厚い空乏層に連続性の良い外周部分(pn接合終端近傍部分)に至る空乏層を発生させることが可能になる。従来技術の欄で既に説明したように半導体基板1の外周部分6に第1のトレンチ5を有する中央部分4の空乏層に連続性の良い空乏層を形成する技術として、図1の第2のトレンチ7を設ける代わりに、第1のトレンチ5と同様な深さを有する深いp型ガードリングを設け技術がある。しかし、深いp型ガードリングを設けると、p型ガードリングを形成するためのp型不純物の横方向拡散によってp型ガードリングの幅が広くなり、半導体基板1のサイズが大きく成る。これに対して、本実施例のように第2のトレンチ7を複数設ける場合には、複数の第2のトレンチ7の幅を比較的狭く形成できるので、従来の幅が広く且つ深いp型ガードリングを設ける場合よりは半導体基板1のサイズが小さくなる。また、従来の深いp型ガードリングを設ける場合にはp型不純物の拡散工程で半導体基板1の結晶劣化が生じるが、本実施例の第2のトレンチ7を設ける工程では半導体基板1の結晶劣化が実質的に生じない。
(1) 本実施例の複数の第2のトレンチ導電体27は、容量結合導電体層29によって相互に結合されている。この結果、容量結合導電体層29の位置、サイズを変えると、第2のトレンチ導電体27の電位が変化する。従って、第2のトレンチ導電体27の電位は、第2のトレンチ導電体27の位置及びサイズの調整のみでなく、容量結合導電体層29の位置、サイズの調整によって変化する。これは、IGBTのオフ動作時の空乏層36のパターン、及びn-型ベース領域8における電界分布の調整が容易なことを意味している。即ち、特許文献1では、図1の第2のトレンチ導電体27に相当するものが半絶縁性抵抗を介して図1のエミッタ電極21に相当するものに固定的に接続されている。従って、図1の第2のトレンチ導電体27に相当するものの位置及びサイズの変更のみで第2のトレンチ導電体27に相当するものの電位を調整しなければならず、理想的な空乏層及び電界分布を得るために困難を伴う。これに対して、本実施例では、サイズ及び位置の調整が可能な容量結合導電体層29が設けられているので、耐圧向上させるための理想的な空乏層及び電界分布を容易に得ることができ、IGBTの設計及び製造が容易になる。
(2) 第2のトレンチ導電体27が断面形状でT字状に形成され、T字状の延長部分27bを有しているので、容量結合導電体層29と第2のトレンチ導電体27との間に十分に大きい結合容量C1 を得ることができる。
(3) T字状の第2のトレンチ導電体27の延長部分27bのパターンは、エッチングによって決定されているので、この寸法を容易に調整できる。これにより、第2のトレンチ導電体27と容量結合導電体層29との結合容量C1 の調整を容易に達成できる。
(4) エミッタ電極21に鍔状突出部21aが設けられ、その下に第2のトレンチ導電体27の延長部27bが設けられているので、エミッタ電極21と第2のトレンチ導電体27との間の容量結合を良好に達成できる。
(5) チャネルストッパ導電体層32に突出部32aが設けられその下に第2のトレンチ導電体27の延長部27bが設けられているので、チャネルストッパ導電体層32と第2のトレンチ導電体27との容量結合を良好に達成できる。
(6) 容量結合導電体層29とエミッタ電極21の鍔状部分21aとチャネルストッパ導電体層32の突出部32aとを同一の工程で形成するので、これ等を容易に形成できる。
なお、図9において直線的に先細となるように形成されているが、段階的に先細となるよう形成してもよい。
なお、本願では、図10において複数の分割トレンチ71の相互間70に破線で示されている中心線を境界にして、p型ベース領域9とこれよりも外側の第1のp型耐圧改善半導体領域14´とが区画され、また第1のp型耐圧改善半導体領域14´とこれよりも外側の第2のp型耐圧改善半導体領域15´とが区画されている。上記の破線で示されている中心線は第2のトレンチ7bと同一方向に延びている。
図10では、分割トレンチ71が平面形状で帯状に形成されているが、分割トレンチ71を円形又は楕円形又は正方形等に変形することも可能である。また、図10の第2のトレンチ7b及びこの変形を図7,図8及び図9の実施例2,3,4のIGBTにも適用可能である。
なお、図7,図8図、図9及び図10の実施例2,3,4、5のIGBTを図11と同様にFETに変形することができる。
なお、図7,図8図、図9、図10及び図11の実施例2,3,4、5、6のIGBT又はFETにおいても、容量結合導電体層29を省き、第2のトレンチ導電体27の延長部分27bのみを容量結合導電体とすることができる。
(1) 図1においてn-型ベース領域8の一部又はn型バッファ領域12の一部又はこれ等の両方をコレクタ電極3に直接に接続することができる。
(2) 本発明をIGBT,FET以外の例えば、ダイオード,サイリスタ等の半導体装置にも適用可能である。本発明をダイオードに適用する時には、図1の中央部分4のp型ベース領域9をアノード電極に接続し、n-型ベース領域8又はn型バッファ領域12をカソード電極に接続する。即ち、図1からn+型エミッタ領域10とp+型コレクタ領域11とを省くことによってダイオードが得られる。
(3) 第2のトレンチ導電体27の延長部分27bを省いた構成にすることができる。この場合においても、平面的に見て容量結合導電体層29を第2のトレンチ導電体27の頂面の一部に重なるように配置することが望ましい。
(4) n+型チャネルストッパ領域13及びチャネルストッパ導電体層32を省いた構成にすることができる。
(5) エミッタ電極21と最内周側の第2のトレンチ導電体27との容量結合を良好に達成するために両者間に容量結合導電体層29と同様な容量結合導電体層(フローティング電極層)を介在させることができる。同様に、最外周側の第2のトレンチ導電体27とチャネルストッパ導電体層32との間に容量結合導電体層29と同様な容量結合導電体層(フローティング電極層)を介在させることができる。
2 一方の主面
3 他方の主面
4 中央部分
5 第1のトレンチ
6 外周部分
7 第2のトレンチ
8 n-型ベース領域
9 p型ベース領域
10 n+型エミッタ領域
11 p+型コレクタ領域
12 n型バッファ領域
13 n+型チャネルストッパ領域
14、15,16,17 p+型耐圧改善半導体領域
18 第1の絶縁膜
19 第1のトレンチ導電体
20 ゲート端子
21 エミッタ電極
24 コレクタ電極
26 第2の絶縁膜
27 第2のトレンチ導電体
27a 挿入部分
27b 延長部分
28 第1の絶縁層
29 容量結合導電体層
30 第2の絶縁層
31 第3の絶縁層
32 チャネルストッパ導電体層
Claims (7)
- 互いに対向する一方の主面と他方の主面とを有し、且つ前記一方の主面の中央部分から前記他方の主面に向かって延びている第1のトレンチと、前記一方の主面の中央部分を囲む外周部分から前記他方の主面に向かって延びており且つ前記中央部分を連続的又は非連続的に環状に囲んでいる複数の第2のトレンチとを有している半導体基板と、
前記第1及び第2のトレンチの先端側の一部を囲むように前記半導体基板の中に配置され且つ第1導電型を有している第1の半導体領域と、
前記半導体基板の前記一方の主面の前記中央部分と前記第1の半導体領域との間に形成され且つ前記第1のトレンチを囲むように配置され且つ前記第1のトレンチよりも浅い深さを有し且つ前記第1導電型と反対の第2導電型を有している第2の半導体領域と、
前記半導体基板の前記一方の主面の前記外周部分と前記第1の半導体領域との間に配置され且つ前記第2のトレンチよりも浅い深さを有し且つ前記半導体基板の外周端よりも内側に配置され且つ第2導電型を有している耐圧改善半導体領域と、
前記第1のトレンチの壁面に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1のトレンチの中に配置され且つ前記第1の絶縁膜を介して前記第1のトレンチの壁面に対向している第1のトレンチ導電体と、
前記複数の第2のトレンチの壁面にそれぞれ配置された複数の第2の絶縁膜と、
前記複数の第2のトレンチの中にそれぞれ配置され且つそれぞれの第2の絶縁膜を介して前記複数の第2のトレンチの壁面にそれぞれ対向している複数の第2のトレンチ導電体と、
前記第2の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して接続された第1の主電極と、
前記第1の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して接続された第2の主電極と、
前記半導体基板の前記一方の主面の前記外周部分の上に配置された誘電体層と、
互いに隣り合う2つの前記第2のトレンチ導電体に対して前記誘電体層を介して容量結合されていると共に前記誘電体層を介して前記耐圧改善半導体領域に対しても容量結合されている複数の容量結合導電体層と、
を備え、
前記複数の第2のトレンチ導電体のそれぞれは、前記第2のトレンチの中に配置されている挿入部分と、前記挿入部分に結合され且つ前記半導体基板の前記一方の主面上に突出し且つ前記挿入部分よりも広い幅の頂面を有している延長部分とを備え、前記第2のトレンチ導電体の前記延長部分は前記誘電体に埋設されていることを特徴とするトレンチ構造半導体装置。 - 互いに対向する一方の主面と他方の主面とを有し、且つ前記一方の主面の中央部分から前記他方の主面に向かって延びている第1のトレンチと、前記一方の主面の中央部分を囲む外周部分から前記他方の主面に向かって延びており且つ前記中央部分を連続的又は非連続的に環状に囲んでいる複数の第2のトレンチとを有している半導体基板と、
前記第1及び第2のトレンチの先端側の一部を囲むように前記半導体基板の中に配置され且つ第1導電型を有している第1の半導体領域と、
前記半導体基板の前記一方の主面の前記中央部分と前記第1の半導体領域との間に形成され且つ前記第1のトレンチを囲むように配置され且つ前記第1のトレンチよりも浅い深さを有し且つ前記第1導電型と反対の第2導電型を有している第2の半導体領域と、
前記半導体基板の前記一方の主面の前記外周部分と前記第1の半導体領域との間に配置され且つ前記第2のトレンチよりも浅い深さを有し且つ前記半導体基板の外周端よりも内側に配置され且つ第2導電型を有している耐圧改善半導体領域と、
前記第1のトレンチの壁面に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1のトレンチの中に配置され且つ前記第1の絶縁膜を介して前記第1のトレンチの壁面に対向している第1のトレンチ導電体と、
前記複数の第2のトレンチの壁面にそれぞれ配置された複数の第2の絶縁膜と、
前記複数の第2のトレンチの中にそれぞれ配置され且つそれぞれの第2の絶縁膜を介して前記複数の第2のトレンチの壁面にそれぞれ対向している複数の第2のトレンチ導電体と、
前記第2の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して接続された第1の主電極と、
前記第1の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して接続された第2の主電極と、
前記半導体基板の前記一方の主面の前記外周部分の上に配置された誘電体層と、
互いに隣り合う2つの前記第2のトレンチ導電体に対して前記誘電体層を介して容量結合されていると共に前記誘電体層を介して前記耐圧改善半導体領域に対しても容量結合されている複数の容量結合導電体層と、
を備え、
前記複数の第2のトレンチ導電体の内で最も前記第1の主電極に近い第2のトレンチ導電体は、前記第1の主電極に前記誘電体層を介して容量結合する延長部分を有し、前記延長部分の一部が平面的に見て前記第1の主電極に対して重なっていることを特徴とするトレンチ構造半導体装置。 - 更に、前記半導体基板の前記一方の主面の前記複数の第2のトレンチよりも外側において前記第1の半導体領域に電気的に接続された外周導電体を有し、
前記複数の第2のトレンチ導電体の内で最も外側の第2のトレンチ導電体は前記外周導電体に前記誘電体層を介して容量結合する延長部分を有し、前記延長部分の一部が平面的に見て前記外周導電体に対して重なっていることを特徴とする請求項1又は2記載のトレンチ構造半導体装置。 - 互いに対向する一方の主面と他方の主面とを有し、且つ前記一方の主面の中央部分から前記他方の主面に向かって延びている第1のトレンチと、前記一方の主面の中央部分を囲む外周部分から前記他方の主面に向かって延びており且つ前記中央部分を連続的又は非連続的に環状に囲んでいる複数の第2のトレンチとを有している半導体基板と、
前記第1及び第2のトレンチの先端側の一部を囲むように前記半導体基板の中に配置され且つ第1導電型を有している第1の半導体領域と、
前記半導体基板の前記一方の主面の前記中央部分と前記第1の半導体領域との間に形成され且つ前記第1のトレンチを囲むように配置され且つ前記第1のトレンチよりも浅い深さを有し且つ前記第1導電型と反対の第2導電型を有している第2の半導体領域と、
前記半導体基板の前記一方の主面の前記外周部分と前記第1の半導体領域との間に配置され且つ前記第2のトレンチよりも浅い深さを有し且つ前記半導体基板の外周端よりも内側に配置され且つ第2導電型を有している耐圧改善半導体領域と、
前記第1のトレンチの壁面に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1のトレンチの中に配置され且つ前記第1の絶縁膜を介して前記第1のトレンチの壁面に対向している第1のトレンチ導電体と、
前記複数の第2のトレンチの壁面にそれぞれ配置された複数の第2の絶縁膜と、
前記複数の第2のトレンチの中にそれぞれ配置され且つそれぞれの第2の絶縁膜を介して前記複数の第2のトレンチの壁面にそれぞれ対向している複数の第2のトレンチ導電体と、
前記第2の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して接続された第1の主電極と、
前記第1の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して接続された第2の主電極と、
前記複数の第2のトレンチ導電体にそれぞれ連結され且つ前記複数の第2のトレンチ導電体の相互間を容量結合するために前記半導体基板の前記一方の主面から断面形状T字状に突出している複数の容量結合導電体と、
少なくとも前記複数の容量結合導電体の相互間及び前記複数の容量結合導電体と前記半導体基板との間に配置されている誘電体層と、
を備えていることを特徴とするトレンチ構造半導体装置。 - 更に、第3の半導体領域と制御端子とを有し、
前記第3の半導体領域は前記第1導電型を有し且つ前記第2の半導体領域の中に形成され且つ前記第1のトレンチに隣接配置され且つ前記第1の主電極に接続され、
前記制御端子は、前記第1の主電極と前記第2の主電極との間の電流通路を制御するものであって、前記第1のトレンチ導電体に接続されていることを特徴とする請求項1乃至4記載のいずれか1つに記載のトレンチ構造半導体装置。 - 更に、前記第1の半導体領域と前記半導体基板の前記他方の主面との間に第2導電型を有している第4の半導体領域を備えていることを特徴とする請求項5記載のトレンチ構造半導体装置。
- 互いに対向している一方の主面と他方の主面とを有し、且つ少なくとも、第1導電型の第1の半導体領域と前記第1の半導体領域に隣接配置され且つ前記一方の主面と前記第1の半導体領域との間に配置され且つその外周縁が前記一方の主面に露出し且つ第2導電型を有している第2の半導体領域とを含んでいる半導体基板を用意する工程と、
所望の素子を形成するために前記半導体基板の前記一方の主面の中央部分から前記第2の半導体領域を貫通して前記第1の半導体領域の途中まで伸びている第1のトレンチを形成する工程と、
前記半導体基板の前記一方の主面における前記中央部分を囲む外周部分から前記第2の半導体領域を貫通して前記第1の半導体領域の途中まで伸びており、且つ平面的に見て前記中央部分を連続的又は断続的に囲んでおり、且つ前記半導体基板の前記一方の主面の前記中央部分と外周端との間に所定の間隔を有して順次に配置されている複数の第2のトレンチを前記第1のトレンチと同時又は別に形成する工程と、
前記第1のトレンチの壁面に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜の形成と同時又は別に、前記複数の第2のトレンチ壁面に第2の絶縁膜をそれぞれ形成する工程と、
前記第2の絶縁膜の形成と同時又は別に、前記半導体基板の前記一方の主面の前記第2のトレンチを囲む領域に第1の誘電体層を形成する工程と、
前記第1のトレンチの中に第1のトレンチ導電体を形成する工程と、
前記第1のトレンチ導電体の形成と同時又は別に、前記複数の第2のトレンチの中に第2のトレンチ導電体をそれぞれ形成する工程と、
前記半導体基板の前記一方の主面の前記外周部分及び前記複数の第2のトレンチ導電体のそれぞれの上に誘電体層を形成する工程と、
互いに隣り合う2つの前記第2のトレンチ導電体に対して前記誘電体層を介して容量結合されていると共に前記耐圧改善半導体領域に対しても容量結合されている複数の容量結合導電体層を前記誘電体層の上に形成する工程と、
前記第2の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して接続された第1の主電極を形成する工程と、
前記第1の半導体領域に直接に又は別の半導体領域を介して接続された第2の主電極を形成する工程と
を備え、
前記複数の第2のトレンチ導電体の内で最も前記第1の主電極に近い第2のトレンチ導電体に、前記第1の主電極に前記誘電体層を介して容量結合する延長部分を設け、該延長部分の一部を平面的に見て前記第1の主電極に対して重なる位置に形成することことを特徴するトレンチ構造半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005245533A JP5050329B2 (ja) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | トレンチ構造半導体装置及びその製造方法 |
KR1020060077525A KR100823803B1 (ko) | 2005-08-26 | 2006-08-17 | 트렌치 구조 반도체장치 및 그 제조방법 |
US11/507,423 US7521755B2 (en) | 2005-08-26 | 2006-08-21 | Trench semiconductor device of improved voltage strength, and method of fabrication |
US12/364,353 US7880227B2 (en) | 2005-08-26 | 2009-02-02 | Trench semiconductor device of improved voltage strength |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005245533A JP5050329B2 (ja) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | トレンチ構造半導体装置及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007059766A JP2007059766A (ja) | 2007-03-08 |
JP2007059766A5 JP2007059766A5 (ja) | 2008-09-25 |
JP5050329B2 true JP5050329B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=37829263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005245533A Expired - Fee Related JP5050329B2 (ja) | 2005-08-26 | 2005-08-26 | トレンチ構造半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7521755B2 (ja) |
JP (1) | JP5050329B2 (ja) |
KR (1) | KR100823803B1 (ja) |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5050329B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2012-10-17 | サンケン電気株式会社 | トレンチ構造半導体装置及びその製造方法 |
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JP5050329B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2012-10-17 | サンケン電気株式会社 | トレンチ構造半導体装置及びその製造方法 |
JP5634001B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2014-12-03 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置の製造方法 |
-
2005
- 2005-08-26 JP JP2005245533A patent/JP5050329B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-08-17 KR KR1020060077525A patent/KR100823803B1/ko active IP Right Grant
- 2006-08-21 US US11/507,423 patent/US7521755B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-02 US US12/364,353 patent/US7880227B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090173995A1 (en) | 2009-07-09 |
US7880227B2 (en) | 2011-02-01 |
KR100823803B1 (ko) | 2008-04-21 |
KR20070024365A (ko) | 2007-03-02 |
JP2007059766A (ja) | 2007-03-08 |
US7521755B2 (en) | 2009-04-21 |
US20070052014A1 (en) | 2007-03-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120116 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |